CN104245044A - 独立的薄膜,尤其是用于神经应用的系统的独立的薄膜 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种薄膜，尤其是一种用于神经应用的系统的薄膜（301），由此当在实质上平坦的表面上伸展时，薄膜（301）至少部分地形成平面弯曲缠绕，特别是平面螺旋缠绕。此外，本发明涉及薄膜（301）的制造方法、晶圆、用于引线的引线芯、引线、探针和用于神经应用的系统。

Description

独立的薄膜，尤其是用于神经应用的系统的独立的薄膜

本发明涉及一种薄膜，尤其是用于神经应用的系统的薄膜、薄膜的制造方法、晶圆、用于引线的引线芯、引线、探针和用于神经应用的系统。

在过去的十年及更多年中，已经使用可植入的神经刺激设备来治疗急性或慢性神经病学疾病。深部脑刺激（DBS），副皮质结构的温和性电刺激，属于这一类的可植入设备，并且已被证明对帕金森病、肌张力障碍和震颤在治疗上有效。像强迫疾病或抑郁的精神疾病的领域中DBS的新应用正被研究并显示有希望的成果。在现有系统中，载有电极的探针连接到可植入的脉冲发生器（IPG）。

未来的系统将需要更多、更小的电极，以便更好地控制电刺激的传递，因为电流刺激在大约30％的患者中引起轻度至严重的副作用。

这些可植入的设备的磁共振（MR）安全是重要的问题。通过在设备上缠绕电缆线，可实现MR安全、由于MR扫描期间的电场的植入物的加热的减少。然而，缠绕实质上增加了电缆线的长度。可通过在芯周围缠绕薄膜而制造DBS引线。这些薄膜被典型地生产在载体晶圆或板上，并且在制造后从晶圆或板上释放。在用缠绕的薄膜制造的DBS引线的情况下，薄膜的长度是相当大的，并且可能超过载体衬底的尺寸。

用于植入的DBS系统的薄膜被典型地制造在载体晶圆上。通常使用6英寸（15.24cm）或8英寸（20.32cm）直径的硅载体衬底。然而，MR安全的DBS系统将需要几十厘米的薄膜。这个长度超过了载体晶圆的直径，并且不能制作简单的直的薄膜。

克服载体衬底尺寸的这个限制的已知方法使用如US2007/0123765A1中所述的可折叠薄膜设计。虽然该折叠方法具有几个缺点。折叠膜严重地降低薄膜的机械性能。折叠把薄膜用力推入小曲率半径中，并且在曲率的外侧拉伸材料。同时折叠拉紧曲率内侧的材料，并且可能导致薄膜中的材料裂纹、断裂和弯曲。此外，引线的制造过程（在芯周围的薄膜的缠绕）是更复杂的。在折叠位置处，绕制过程一定不连续。薄膜折叠的不连续性干扰在芯周围的膜的缠绕过程。

因此，本发明的目标是改善薄膜、薄膜的制造方法、晶圆、用于引线的引线芯、引线、探针和用于神经应用的系统，尤其在于：可提供薄膜而不折叠，并且薄膜超出在其上制造薄膜的衬底的尺寸。

根据本发明，通过具有权利要求1的特征的薄膜而解决该目标。因此，提供了一种独立的薄膜，由此当在实质上平坦的表面上伸展时，薄膜至少部分地形成平面弯曲缠绕，特别是平面螺旋缠绕。

薄膜尤其可以是用于神经应用（更具体而言，用于脑应用）的系统的薄膜。用于脑应用的系统例如可以是用于神经调节及/或神经记录的系统，例如深部脑刺激系统。该薄膜可被体现为薄膜条带或薄膜带。薄膜条带的宽度可大于其厚度并显著地小于其长度。

本发明提供制造薄膜而无需折叠薄膜的解决方案，该薄膜超出载体晶圆的长度。该方法使得能够在小载体晶圆上制造很长的薄膜。因为无需折叠薄膜，所以可使用较宽范围的材料和堆叠。这些长薄膜的缠绕过程是连续的，并且因此简化了引线制造。

该薄膜例如可被至少部分地形成，像字符“6”或者像“G”。那意味着，在平坦表面上的其伸展布置中的薄膜可在平坦处形成曲线，该曲线在固定的中心点周围离该点增加的距离处缠绕。薄膜的弯曲缠绕的半径增加，优选是连续地。

在优选实施例中，薄膜的长度大于用于生产薄膜的衬底晶圆的直径。根据本发明的薄膜的长度不受晶圆直径的限制。相反，由于薄膜的弯曲缠绕，常规的晶圆，例如8英寸晶圆（具有20.32cm直径的晶圆），可用于制造独立的薄膜，其长度超过晶圆的直径（即20.32cm）而不被折叠，并且在一个单独的载体晶圆上容纳更多相同的膜。

薄膜的长度可以是至少21cm，更优选为至少25cm。另外或替代地，薄膜的宽度可能不大于1.25mm，尤其是不大于1mm。

另外，薄膜可包括至少一个金属轨道，该金属轨道至少部分地包括贵金属。例如，可能的是：至少一个金属轨道包括至少一个部分，该部分包括高导电的金属和低导电的金属，由此低导电的金属是生物相容的金属并具有比高导电的金属低的电导率，并且由此高导电的金属至少部分地由低导电的金属封装，由此优选高导电的金属包括金和/或铜和/或铝和/或银或者是金或铜或铝或银，和/或低导电的金属包括铂和/或钛和/或氮化钛或者是铂或钛或氮化钛。

低导电的金属（LCM）是具有相对低的电导率的金属或具有相对低的电导率的金属合金，例如具有大约2.00×106到9.75×106 S/m范围内的电导率σ，尤其是20℃时在2.38×106和9.43×106 S/m之间。低电导率的金属（LCM）的电阻率ρ在20℃时可在大约1.00×10-7到4.50×10-7 Ωm的范围内，尤其是20℃时在1.06×10-7和4.20×10-7 Ωm之间。

高导电的金属（HCM）是具有相对高的电导率的金属或具有相对高的电导率的金属合金，例如具有大约3.00×107到7.00×107 S/m范围内的电导率σ，尤其是20℃时在3.50×107和6.30×107 S/m之间。电阻率ρ在20℃时可在大约1.50×10-8到3.00×10-8 Ωm的范围内，尤其是20℃时在1.59×10-8和2.82×10-8 Ωm之间。

本发明意义上的生物相容的金属意思是例如一种金属或金属合金，其具有生物材料的能力，以执行其想要的关于医学治疗的功能，而没有引发该治疗的接受者或受益人的任何不想要的局部或全身影响，而是在该特定情况下生成最适当的有利的细胞或组织反应，并优化该治疗的临床相关表现。换句话说，本发明意义上的生物相容的金属意思是例如一种金属或金属合金，其例如对脑组织无毒和/或可被植入到人体中（优选到人脑中）而没有或具有较小的有害影响。

此外，本发明涉及一种具有权利要求5的特征的制造薄膜的方法。因此，提供了一种制造独立的薄膜的方法，尤其是用于神经应用的独立的薄膜，由此形成薄膜的至少一种材料被淀积为使得在所述平坦的表面上淀积之后，它在实质上平坦的表面上至少部分地形成平面弯曲缠绕，特别是平面螺旋缠绕。

平坦的表面可以是晶圆，像载体晶圆或衬底晶圆。例如，晶圆可以是6英寸（15.24cm）直径或者是8英寸（20.32cm）​​直径的硅晶圆。

可通过化学气相淀积（CVD）方法或物理气相淀积（PVD）方法执行将薄膜淀积在晶圆上。优选使用物理气相淀积方法，特别是溅射。所有已知类型的溅射淀积工艺可用于将薄膜淀积在晶圆上，以便制造独立的薄膜。特别是，可应用离子束溅射、反应溅射、离子辅助淀积、高目标利用溅射、高功率脉冲磁控溅射（HIPIMS）和我们的气流溅射。在衬底上淀积的薄膜随后可通过刻蚀工艺从衬底释放，例如通过干法刻蚀或湿法刻蚀。刻蚀工艺可以移除衬底，并且因此释放独立的薄膜。

此外，在平坦的表面上淀积至少两个或几个薄膜是可能的，特别是薄膜条带。可在实质上平坦的表面上至少部分地分别平行布置薄膜或薄膜条带。通过这样，可在相同的实质上平坦的表面上布置几个薄膜。平坦的表面优选是载体晶圆（诸如，硅晶圆）的表面，其可具有实质上圆形的形状。载体晶圆还可被形成为玻璃晶圆，优选具有矩形形状。如果薄膜被至少部分地形成，像字符“6”或者像“G”，螺旋缠绕的薄膜可被布置成彼此平行，并且因此几个相同的薄膜可被淀积在例如像圆形晶圆的衬底的表面上。这样可生产每单个晶圆大量的薄膜条带。

这种薄膜可包括载有薄膜电极的远端和包含连接装置的近端，该连接装置用于例如到IPG的连接线的连接。可分别仅在相同的圆形线上布置所有的远端和/或近端，相同的圆形线具有关于晶圆的中点（即中心）的相同半径。

此外，本发明涉及一种具有权利要求8的特征的薄膜。因此，根据权利要求5至7中的任一项的制造方法接收薄膜。

此外，本发明涉及一种实现权利要求9的特征的晶圆。因此，提供一种晶圆，尤其是载体晶圆，具有至少一个表面，由此在至少一个表面上淀积至少一个薄膜，当在晶圆的平坦的或平面的表面上伸展时，所述薄膜至少部分地形成平面弯曲缠绕，特别是平面螺旋缠绕。

此外，本发明涉及一种用于引线的引线芯，尤其是具有权利要求10的特征的用于神经应用的系统。因此，提供了一种用于引线的引线芯，尤其是用于神经应用的系统，由此引线芯包括至少一个引线芯部分，该引线芯部分具有经配置使得可在该形状上和/或周围放置和/或缠绕独立的薄膜的形状，当在实质上平坦的表面上伸展时，所述薄膜至少部分地形成平面弯曲缠绕，特别是平面螺旋缠绕，由此薄膜尤其是根据权利要求1至4中的任一项或权利要求8的薄膜。

尤其可能的是：引线芯或至少一个引线芯部分包括用于分别接收薄膜或薄膜条带的至少一个槽，其中槽被配置使得薄膜或薄膜条带可完全嵌入在槽内。槽还可被配置使得被安装到彼此之后，薄膜和引线芯形成实质上平坦的外表面。

已被证明：在实质上圆柱形的引线芯周围的独立的薄膜的缠绕显示独特的缠绕轮廓。在引线芯周围缠绕时，由于薄膜在平面的晶圆表面上制造期间形成的平面弯曲缠绕，薄膜的外周边缘下垂。具有用于薄膜的槽的引线芯允许在缠绕时容纳薄膜的下垂。特别是，可形成槽，使得：如果在引线芯周围缠绕，并且特别是设置在槽内，薄膜全面地接触槽，尤其是槽的基底。优选槽以螺旋形状沿着引线芯延伸，即在引线芯的纵轴周围螺旋形地布置槽。槽还可包括关于纵轴倾斜的槽基底，使得安装在引线芯上时，薄膜和槽基底彼此充分地接触。这将确保薄膜受到良好保护，并且不在引线芯的外表面上形成波纹。此外，槽允许用保护层覆盖薄膜，例如用环氧胶。可应用保护层，使得只有槽或引线芯的槽填充有保护层，以便形成平滑的外表面和对薄膜的良好保护。

此外，可能的是：引线芯至少部分地由聚合物做成和/或是管芯（stylet）和/或引线芯具有大约0.5mm至1.5mm范围内的芯直径，尤其是在大约0.75mm至1.25mm的范围内，由此芯直径优选是大约1mm。

此外，本发明涉及一种具有权利要求13的特征的引线。因此提供了一种引线，尤其是用于神经应用的系统的引线，包括根据根据权利要求1至4中任一项或权利要求9的至少一个薄膜和/或根据权利要求10至12中任一项的至少一个引线芯。

此外，本发明涉及一种探针，尤其是具有权利要求14的特征的用于神经应用的系统的探针。因此，提供一种探针，尤其是用于神经应用的系统的探针，包括根据权利要求1至4中任一项或权利要求8的至少一个薄膜和/或根据权利要求11或12中任一项的至少一个引线芯和/或根据权利要求13的至少一个引线。

此外，本发明涉及一种用于神经应用的系统，尤其是用于神经调节和/或神经记录的系统，优选是具有权利要求15的特征的深部脑刺激系统。因此，提供一种用于神经应用的系统，尤其是用于神经调节和/或神经记录的系统，优选是深部脑刺激系统，包括根据权利要求1至4中任一项或权利要求8的至少一个薄膜和/或根据权利要求11或12中任一项的至少一个引线芯和/或根据权利要求13的至少一个引线和/或根据权利要求14的至少一个探针。

通常，本发明基于下列思想：

本发明的基本思想之一涉及通过使用螺旋设计制造薄膜的方法。这种设计使得能够制造薄膜，该薄膜的长度超过在制造工艺期间使用的载体衬底的尺寸。

进一步的思想涉及具有螺旋设计薄膜的载体晶圆。该薄膜可包括在绝缘的硅的氧化物和氮化物中封装的贵金属的金属轨道。聚合物，典型的是聚对二甲苯，可用于形成薄膜。

此外，本发明使用具有平行螺旋设计（参见图4）的载体晶圆。这种结构使得能够在晶圆上制造多个螺旋设计的膜。在一个晶圆上分别制造多个薄膜或电极降低了制造成本。提出的结构进一步使得能够用于对于生产和随后的引线制造至关重要的所有相同的薄膜。

本发明的基本思想之一是提供在具有螺旋设计的载体晶圆上制作的薄膜，以制造长度超过衬底尺寸（对于圆形衬底是直径，对于方形衬底是长度或宽度）的薄膜。可通过平行螺旋的结构最佳地实现螺旋，以确保所有薄膜相同。

作为本发明进一步的基本思想的一部分并具有在载体晶圆上用螺旋设计制造的薄膜的引线显示芯周围独特的缠绕轮廓。外周显示在芯周围缠绕时的下垂。薄膜可具有1mm的宽度，以及引线的芯（引线芯），其在横截面上也可具有大约1mm的直径。已经开发出在引线芯周围的缠绕位置中的这种薄膜的平均下垂大约是一至数十微米，并且取决于膜的半径、膜的宽度和芯直径。如果退绕且定位回到平面结构，如在载体晶圆上，独立的薄膜将再次显示最初典型的螺旋形式。

此外，本发明使用想法来向引线芯提供在缠绕时容纳薄膜下垂的形状。可为薄膜提供槽，以确保薄膜受到良好的保护，并且不在引线的外表面上形成波纹。其中具有薄膜的槽可填充有环氧胶，以形成平滑的外表面和对薄膜的良好保护。

还公开了一种探针，具有用根据螺旋设计的薄膜制造的引线。

下文中将相对于附图描述本发明的进一步的细节和优点：

图1：用于深部脑刺激（DBS）的神经刺激系统的示意图；

图2：用于深部脑刺激（DBS）的探针神经刺激系统和其组件的进一步的示意图；

图3：根据本发明的探针系统的示意图；

图4：根据本发明的独立的薄膜的平面图；

图5：在单个平面中螺旋缠绕的独立的薄膜的平面图；

图6：载有平行地螺旋缠绕的多个淀积的薄膜条带的圆形晶圆的平面图；

图7：具有附连到其的根据本发明的独立的薄膜的引线的侧视图；以及

图8：在缠绕时适于容纳薄膜条带下垂的引线芯的纵向截面。

图1中显示用于深部脑刺激（DBS）的神经刺激系统100的可能实施例。神经刺激系统100至少包括控制器110，该控制器可用外科手术被植入到患者1的胸部区域中，典型地在锁骨下方，或者在患者1的腹部区域中。控制器110可适于提供必要的电压脉冲。典型的DBS系统100可进一步包括延长线120，延长线120连接到控制器110并且皮下延伸到头骨，优选是沿着颈部，其中它在连接器中终止。DBS引线装置130可植入到脑组织中，例如通过头骨中的钻孔。

图2进一步示出用于深部脑刺激探针130的典型架构，深部脑刺激探针130包括DBS引线300和先进的引线连接器（ALC）元件111，先进的引线连接器（ALC）元件111包括到DBS引线300的远端304上的地址电极132的电子装置。引线300包括用于薄膜301的载体302，所述载体302提供DBS引线300和薄膜301的机械结构。薄膜301可包括至少一个导电层，优选由生物相容的材料制成。薄膜301被组装到载体302，并被进一步处理以构成引线元件300。用于引线的薄膜301优选由薄膜产品形成，该薄膜产品具有远端304、具有金属轨道的电缆303以及近端310。引线300上薄膜301的近端310电连接到ALC元件111。ALC元件111包括DBS操纵的电子设备的开关矩阵。远端304包括用于脑刺激的电极132。近端310包括用于电缆303中每个金属线的互连触点305。电缆303包括金属线（未示出），以将每个远电极132连接到指定的近触点305。

图3示意性地并且更详细地显示用于脑应用的系统100的实施例，此处用于神经刺激和/或神经记录，作为如图1和2所示的深部脑刺激系统100。探针系统100包括用于脑应用的具有刺激和/或记录电极132的至少一个探针130，由此例如可在探针130的远端处的主体外表面上提供64个电极132。通过延长线120，由控制器110提供的脉冲P可被发送到ALC 111。控制器110可以是可植入的脉冲发生器（IPG）110。

图4显示本发明的一般原则。本发明涉及独立的薄膜301，特别是薄膜条带320或薄膜带，具有以平面弯曲形状缠绕的至少一个部分。图4的薄膜条带320具有近端310和远端304。远端载有多个电极132，特别是刺激电极。该电极适于在神经组织（特别是脑组织）内施加电和/或电磁刺激场。近端310包括连接元件，具有对应于ALC的互连触点的多个互连触点305。因此，薄膜条带320的近端310可连接到ALC元件111。

如从图4中显而易见的，薄膜条带320在平面表面上伸展并具有弯曲的形状。薄膜条带320在中心点330周围弯曲，其中由薄膜条带320形成的曲线的半径变化。从近端310开始，弯曲的薄膜条带320随着半径增加延伸到远端304。根据图4的实施例，薄膜条带320完全在平面曲线中成形，特别是平面螺旋。然而，薄膜条带320可包括形成平面弯曲缠绕或平面螺旋缠绕的部分。其它部分可具有不同的形状或不同量的曲率。薄膜条带320或薄膜301通常至少部分地具有椭圆形或圆形可以是可能的。

为了增加薄膜301或薄膜条带320的长度，优选是薄膜条带320形成平面螺旋缠绕。由此，薄膜条带320的远端304可重叠近端310，并且因此薄膜条带320的长度可增加。将注意的是：在共同的平面上形成薄膜条带320的弯曲缠绕或螺旋缠绕，使得在该平面中布置薄膜条带320的远端304和近端310。因此，以不同于近端310离中心点330的距离布置薄膜条带320的远端304。如从图4中显而易见的，远端304和中心点330之间的距离优选大于近端和中间点330之间的距离。

图5显示薄膜条带320，其中远端304重叠近端310。在这种情况下，以到中心点330（未示出）的距离布置远端304，该距离显著地小于近端310和中心点330之间的距离。如此，实质上以字母“G”或字符“6”的形式成形薄膜301或由薄膜301形成的条带320。由于远端304和中心点330以及近端310和中心点330之间的距离的差异，在薄膜条带320的重叠部分之间存在间隙。具有薄膜条带320的重叠部分之间相对大的间隙的优点从图6中显而易见。

图6显示在其上淀积几个薄膜条带320的晶圆400的平面图。用于形成薄膜条带320的薄膜301的淀积可通过溅射淀积工艺执行。在一个单独的薄膜条带320之后，在该薄膜条带320的重叠部分之间存在相对大的间隙是显而易见的。特别是，每个薄膜条带320以弯曲（特别是螺旋弯曲）的形状从晶圆400的中心延伸到晶圆400的外周。因此，布置在晶圆400的中心附近的远端304和位于晶圆400的边缘附近的近端310之间的距离近似对应于晶圆400的半径。由于薄膜条带320的重叠部分之间的这个距离，可在晶圆400上平行布置多个薄膜条带320。因此，可高效地利用表面区域，该表面区域用作用于淀积工艺的衬底。

图6进一步显示在相同的圆形线上布置薄膜条带320的所有远端304，相同的圆形线分别在中心点330或晶圆400的中点周围延伸。换句话说，在其上布置远端304的圆形线的中心对应于晶圆400的中点。同样适用于在晶圆400的外周或外边缘附近布置的近端310。还可在圆形线上布置近端310，该圆形线中心点对应于晶圆400的中点。

在平坦表面上平面缠绕的薄膜条带320具有如图5所示的外周边缘309和内周边缘308。由于在晶圆400上以平面弯曲或螺旋缠绕的形状制造薄膜301，特别是薄膜条带320，当在引线芯306周围螺旋地（即以三维螺旋形状）缠绕时，薄膜301倾向于下垂。这特别适用于薄膜条带320的外周边缘309，即外周边缘309具有比薄膜条带的内周边缘308更大的半径。外周边缘309和内周边缘308的半径相差薄膜条带320的宽度。

薄膜301可具有1mm的宽度。引线芯306的直径优选可以是1mm。取决于引线芯306周围的缠绕位置中的薄膜条带320的缠绕半径，薄膜条带320的下垂近似为大约10微米。如果薄膜301的宽度和引线芯306的直径不同，这个尺寸可以变化。不言而喻，如果薄膜条带320退绕且定位回到平面结构，即薄膜条带320在平坦表面上（例如像通常在载体晶圆400或衬底上）伸展，薄膜条带320将显示典型用于本发明的最初弯曲的或螺旋的形状。

为了容纳缠绕时薄膜的下垂，本发明提出引线芯306，该引线芯306具有沿着引线芯306螺旋地延伸的至少一个槽307。槽307具有实质上对应于薄膜条带320宽度的宽度。槽307的深度可对应于薄膜条带320的厚度，但优选大于薄膜条带320的厚度。如图8所示，槽307可具有上升的斜率，使得薄膜条带320充分接触引线芯306的外表面。因此，引线芯306的形状考虑薄膜条带320的下垂或扭转。

在其中布置薄膜条带320之后，槽307可由覆盖物或保护层（未示出）填充。覆盖物保护薄膜条带320，并且避免在植入时薄膜301直接接触人体组织。此外，可布置覆盖物，使得引线芯306得到光滑的外表面。换句话说，具有在其中布置的薄膜条带320的槽307可完全由覆盖材料填充，使得引线芯306获得外表面而没有任何不平坦。覆盖材料可以包括或者可以是环氧胶。在将薄膜301缠绕到槽307之后，例如环氧胶的覆盖材料可应用到引线芯306，以便填充槽，直到获得引线芯306的光滑表面。

例如制造在医疗应用中使用的薄膜301或薄膜条带320的方法可包括下列步骤：

在第一步骤中，提供载体晶圆400，优选由硅组成。晶圆400可由单晶硅切片。替换地，可应用玻璃载板。在薄膜301制造过程的最后阶段，从载体晶圆400中释放薄膜301。分别释放薄膜301或薄膜条带320可通过移除衬底（即硅晶圆）来实现，优选是通过刻蚀工艺。

本发明提供下列优点：

如在开始陈述的，常规方式制造的薄膜301的长度不能超过载体晶圆400的直径，并且折叠直的薄膜301是规避这种尺寸限制问题的方法。本发明提供替代方案来解决关于薄膜301长度的载体晶圆400的尺寸限制。螺旋或至少弯曲的设计使得能够在载体衬底上用远超过载体晶圆400的直径的长度制造薄膜301。

本发明的应用是在具有增强的磁共振（MR）兼容性的深部脑刺激（DBS）引线的领域中。DBS引线可用薄膜301制造。对于MR兼容性，应用在引线芯306周围的薄膜301的缠绕。这导致具有相当可观的长度的薄膜301或薄膜条带320的应用。该长度超过载体晶圆400的直径。出于安全原因，薄膜301中的金属轨道可夹在无机的、并且优选是生物相容的材料中间，以确保在延长的时间段电气绝缘。由于弯曲，该材料堆叠易受到机械损伤。因此，折叠薄膜301的方法的技术状态不适用于生产具有比晶圆400的直径所允许的大的长度的薄膜条带320。用根据本发明的制造方法，可避免折叠。更确切地，本发明使得能够在不折叠的情况下制造相对长的薄膜条带320。

参考表

1 患者

100 神经刺激系统

110 控制器

111 先进的引线连接器（ALC）

120 延长线

130 探针

132 电极

300 引线

301 薄膜

302 载体

303 电缆

304 远端

305 互连触点

306 引线芯

307 槽

308 内周边缘

309 外周边缘

310 近端

330 中心点

400 晶圆。

Claims (15)

1.一种独立的薄膜，特别是用于神经应用的系统的独立的薄膜，由此当在实质上平坦的表面上伸展时，薄膜（301）至少部分地形成平面弯曲缠绕，特别是平面螺旋缠绕。

2.根据权利要求1的薄膜（301），

其特征在于：

薄膜（301）的长度大于用于生产薄膜（301）的衬底晶圆的直径，特别是该长度至少为21cm，尤其是至少25cm，和/或薄膜（301）的宽度不大于1.25mm，尤其是不大于1mm。

3.根据权利要求1或2的薄膜（301），

其特征在于：

薄膜（301）包括至少一个金属轨道，该金属轨道至少部分地包括贵金属。

4.根据权利要求3的薄膜（301），

其特征在于：

至少一个金属轨道包括至少一个部分，该部分包括高导电的金属和低导电的金属，由此低导电的金属是生物相容的金属并具有比高导电的金属低的电导率，并且由此高导电的金属至少部分地由低导电的金属封装，由此优选高导电的金属包括金和/或铜和/或铝和/或银或者是金或铜或铝或银，和/或低导电的金属包括铂和/或钛和/或氮化钛或者是铂或钛或氮化钛。

5.一种制造独立的薄膜（301）的方法，尤其是用于神经应用的薄膜（301），由此形成薄膜（301）的至少一种材料被淀积为使得在所述平坦的表面上淀积之后，它在实质上平坦的表面上至少部分地形成平面弯曲缠绕，特别是平面螺旋缠绕。

6.如权利要求5的方法，

其特征在于：

在平坦表面上淀积至少两个或几个薄膜（301）。

7.如权利要求6的方法，

其特征在于：

在实质上平坦的表面上至少部分地平行布置薄膜（301）。

8.一种通过根据权利要求5至7中任一项的制造方法接收的独立的薄膜（301）。

9.一种晶圆（400），尤其是载体晶圆，具有至少一个表面，由此在至少一个表面上淀积至少一个薄膜（301），当在晶圆（400）的表面上伸展时，所述薄膜（301）至少部分地形成平面弯曲缠绕，特别是平面螺旋缠绕。

10.一种用于引线的引线芯（306），尤其是用于神经应用的系统，由此引线芯（306）包括至少一个引线芯部分，该引线芯部分具有经配置使得可在该形状上和/或周围放置和/或缠绕薄膜（301）的形状，当在实质上平坦的表面上伸展时，所述薄膜（301）至少部分地形成平面弯曲缠绕，特别是平面螺旋缠绕，由此薄膜（301）尤其是根据权利要求1至4中的任一项或权利要求8的薄膜（301）。

11.根据权利要求10的引线芯（306），

其特征在于：

引线芯（306）或至少一个引线芯部分包括用于接收薄膜（301）的至少一个槽（307），其中槽（307）被配置使得薄膜（301）可完全嵌入在槽（307）内。

12.根据权利要求10或11的引线芯（306），

其特征在于：

引线芯（306）至少部分地由聚合物做成和/或是管芯和/或引线芯（306）具有大约0.5mm至1.5mm范围内的芯直径，尤其是在大约0.75mm至1.25mm的范围内，由此芯直径优选是大约1mm。

13.一种引线，尤其是用于神经应用的系统的引线，包括根据根据权利要求1至4中任一项或权利要求9的至少一个薄膜（301）和/或根据权利要求10至12中任一项的至少一个引线芯（306）。

14.一种探针，尤其是用于神经应用的系统的探针，包括根据权利要求1至4中任一项或权利要求8的至少一个薄膜（301）和/或根据权利要求11或12中任一项的至少一个引线芯（306）和/或根据权利要求13的至少一个引线。

15.一种用于神经应用的系统，尤其是用于神经调节和/或神经记录的系统，优选是深部脑刺激系统，包括根据权利要求1至4中任一项或权利要求8的至少一个薄膜（301）和/或根据权利要求11或12中任一项的至少一个引线芯（306）和/或根据权利要求13的至少一个引线和/或根据权利要求14的至少一个探针。