CN104218290A - 超薄性氧化铝陶瓷基板2瓦9dB衰减片 - Google Patents

超薄性氧化铝陶瓷基板2瓦9dB衰减片 Download PDF

Info

Publication number
CN104218290A
CN104218290A CN201410234753.9A CN201410234753A CN104218290A CN 104218290 A CN104218290 A CN 104218290A CN 201410234753 A CN201410234753 A CN 201410234753A CN 104218290 A CN104218290 A CN 104218290A
Authority
CN
China
Prior art keywords
oxide ceramic
ceramic substrate
aluminium oxide
substrate
aluminum
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201410234753.9A
Other languages
English (en)
Inventor
不公告发明人
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Suzhou New Chengshi Electronic Co Ltd
Original Assignee
Suzhou New Chengshi Electronic Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Suzhou New Chengshi Electronic Co Ltd filed Critical Suzhou New Chengshi Electronic Co Ltd
Priority to CN201410234753.9A priority Critical patent/CN104218290A/zh
Publication of CN104218290A publication Critical patent/CN104218290A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
  • Non-Reversible Transmitting Devices (AREA)
  • Attenuators (AREA)

Abstract

本发明公开了一种超薄性氧化铝陶瓷基板2瓦9dB衰减片,包括一长5.0mm、宽6.0mm、厚度0.5mm的高导热氧化铝陶瓷基板,所述氧化铝陶瓷基板的正面印刷有高纯度银浆导线,所述银浆导线通过高温烧结膜状电阻连通,所述氧化铝陶瓷基板的背面印刷有高纯度银浆背导层,所述正导和背导通过低温银浆导通。该衰减片在案设计上充分考虑了各项性能指标,高频无感,打破了原来衰减片只能应用于低频的局面,能够满足目前3G网络的应用要求,同时延伸了2瓦固定膜状电阻式衰减片的系列产品线。

Description

超薄性氧化铝陶瓷基板2瓦9dB衰减片
技术领域
本发明涉及一种氧化铝陶瓷衰减片,特别涉及一种超薄性氧化铝陶瓷基板2瓦9dB衰减片。
背景技术
目前集成了五个电阻设计的衰减片广泛应用于航空、航天、雷达、电台、广播通讯等设备领域。尤其在有线电视系统里广泛使用衰减器以便满足多端口对电平的要求。由于国外对同类产品的研发与制造比国内起步早,无论在产品系列还是产品特性上都处于优势地位。
由于国外对同类产品的研发与制造比国内起步早,无论在产品系列还是产品特性上都处于优势地位。同时国内市场上现有的衰减片衰减精度低,且能使用的频段相对较窄。我们希望的衰减器是一个功率消耗元件,不能对两端电路有影响,也就是说,与两端电路都是匹配的。当衰减精度或VSWR达不到要求时,输出端得到的信号不符合实际要求。
发明内容
针对上述现有技术的不足,本发明要解决的技术问题是提供一种阻抗满足64.4±3%Ω,在3G频段以内衰减精度为9±0.5dB,驻波要求输入、输出端在1.2以内,能够满足目前3G网络的应用要求的超薄性氧化铝陶瓷基板2瓦9dB衰减片,取代国外同类产品,并在特性上填补国内产品的空白。
为解决上述技术问题,本发明采用如下技术方案:
一种超薄性氧化铝陶瓷基板2瓦9dB衰减片,包括一长5.0mm、宽6.0mm、厚度0.5mm的高导热氧化铝陶瓷基板,所述氧化铝陶瓷基板的正面印刷有高纯度银浆导线,所述银浆导线通过高温烧结膜状电阻连通,所述氧化铝陶瓷基板的背面印刷有高纯度银浆背导层,所述正导和背导通过低温银浆导通。
优选的,所述高温烧结膜状电阻上印刷有玻璃保护膜。
优选的,所述导线由氧化铝陶瓷专用银浆印刷而成。
上述技术方案具有如下有益效果:该超薄性氧化铝陶瓷基板2瓦9dB衰减片采用0.5mm超薄性氧化铝陶瓷作为基片,缩短了热量到散热底座的距离,提高了散热速度。同时体积小,厚度薄,材料成本有效降低;产量高,生产成本有效降低;对称电路设计,频率特性好,电路的稳定性得到提升,打破了原来衰减片只能应用于低频的局面,使得衰减片能应用于2G-3G的网络。可广泛应用于航空、航天、雷达、电台、广播通讯等设备领域隔离器、环形器等微波产品的生产。
上述说明仅是本发明技术方案的概述,为了能够更清楚了解本发明的技术手段,并可依照说明书的内容予以实施,以下以本发明的较佳实施例并配合附图详细说明如后。本发明的具体实施方式由以下实施例及其附图详细给出。
附图说明
图1为本发明实施例的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明的优选实施例进行详细介绍。
如图1所示,该超薄性氧化铝陶瓷基板2瓦9dB衰减片包括一5.0*6.0*0.5MM的氧化铝基板1,氧化铝基板1的背面印刷有背导层,背导层由高纯度银浆印刷而成。氧化铝基板1的正面印刷有电阻R1、R2、R3、R4、R5及银浆导线2,银浆导线2将电阻R1、R2、R3、R4、R5连接起来形成一π型结构的衰减电路,电阻R1、R2、R3、R4、R5上均印刷有玻璃保护膜3,玻璃保护3用于保护电阻R1、R2、R3、R4、R5。在整个电路即银浆导线2及玻璃保护膜3的上表面还印刷有一层黑色保护膜4,黑色保护膜4可对整个电路进行保护,黑色保护膜4上还可印刷品牌和型号。
该超薄性氧化铝陶瓷基板2瓦9dB衰减片要求输入端和接地的阻抗为64.4±3%Ω,输出端和接地端的阻抗为64.4±3%Ω。信号输入端进入衰减片,经过电阻R1、R2、R3、R4、R5对功率的逐步吸收,从输出端输出实际所需要的信号。
该超薄性氧化铝陶瓷基板2瓦9dB衰减片采用0.5mm超薄性氧化铝陶瓷作为基片,缩短了热量到散热底座的距离,提高了散热速度。同时体积小,厚度薄,材料成本有效降低;产量高,生产成本有效降低;对称电路设计,频率特性好,电路的稳定性得到提升,打破了原来衰减片只能应用于低频的局面,使得衰减片能应用于2G-3G的网络。可广泛应用于航空、航天、雷达、电台、广播通讯等设备领域隔离器、环形器等微波产品的生产。
以上对本发明实施例所提供的一种超薄性氧化铝陶瓷基板2瓦9dB衰减片进行了详细介绍,对于本领域的一般技术人员,依据本发明实施例的思想,在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处,综上所述,本说明书内容不应理解为对本发明的限制,凡依本发明设计思想所做的任何改变都在本发明的保护范围之内。

Claims (3)

1.一种超薄性氧化铝陶瓷基板2瓦9dB衰减片,其特征在于:包括一长5.0mm、宽6.0mm、厚度0.5mm的高导热氧化铝陶瓷基板,所述氧化铝陶瓷基板的正面印刷有高纯度银浆导线,所述银浆导线通过高温烧结膜状电阻连通,所述氧化铝陶瓷基板的背面印刷有高纯度银浆背导层,所述正导和背导通过低温银浆导通。
2.根据权利要求1所述的超薄性氧化铝陶瓷基板2瓦9dB衰减片,其特征在于:所述高温烧结膜状电阻上印刷有玻璃保护膜。
3.根据权利要求1所述的超薄性氧化铝陶瓷基板2瓦9dB衰减片,其特征在于:所述导线由氧化铝陶瓷专用银浆印刷而成。
CN201410234753.9A 2014-05-29 2014-05-29 超薄性氧化铝陶瓷基板2瓦9dB衰减片 Pending CN104218290A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410234753.9A CN104218290A (zh) 2014-05-29 2014-05-29 超薄性氧化铝陶瓷基板2瓦9dB衰减片

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410234753.9A CN104218290A (zh) 2014-05-29 2014-05-29 超薄性氧化铝陶瓷基板2瓦9dB衰减片

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN104218290A true CN104218290A (zh) 2014-12-17

Family

ID=52099564

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201410234753.9A Pending CN104218290A (zh) 2014-05-29 2014-05-29 超薄性氧化铝陶瓷基板2瓦9dB衰减片

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN104218290A (zh)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102709641A (zh) * 2012-06-28 2012-10-03 苏州市新诚氏电子有限公司 高精度氧化铝陶瓷基板1瓦2dB衰减片

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102709641A (zh) * 2012-06-28 2012-10-03 苏州市新诚氏电子有限公司 高精度氧化铝陶瓷基板1瓦2dB衰减片

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102709631A (zh) 氮化铝陶瓷基板30瓦13dB衰减片
CN102709641A (zh) 高精度氧化铝陶瓷基板1瓦2dB衰减片
CN102723554A (zh) 氧化铝陶瓷基板1瓦5dB衰减片
CN104218290A (zh) 超薄性氧化铝陶瓷基板2瓦9dB衰减片
CN203950895U (zh) 高频氮化铝陶瓷10瓦18dB衰减片
CN203481350U (zh) 氧化铍陶瓷板5瓦3db衰减片
CN203950892U (zh) 高热导氧化铝陶瓷基板2瓦6dB衰减片
CN102738545A (zh) 氧化铝陶瓷基板1瓦6dB衰减片
CN104218294A (zh) 高效率氧化铝陶瓷基板2瓦5dB衰减片
CN102723559A (zh) 陶瓷基板衰减片
CN104241780A (zh) 2瓦氧化铝陶瓷基板衰减片
CN102723549A (zh) 氧化铝陶瓷基板1瓦22dB衰减片
CN102709654A (zh) 氧化铝陶瓷基板1瓦1dB衰减片
CN104218282A (zh) 适用4G通讯要求厚膜电路氮化铝陶瓷10瓦8dB衰减片
CN102709643A (zh) 功率为1瓦的26dB衰减片
CN104241785A (zh) 高精度陶瓷10瓦15dB衰减片
CN104241770A (zh) 功率容量为100瓦的8dB衰减片
CN104241774A (zh) π型高频高精度10瓦21dB衰减片
CN104241773A (zh) 高频氮化铝陶瓷10瓦11dB衰减片
CN104241766A (zh) 功率为2瓦20dB高效衰减片
CN104241769A (zh) 高频高稳定性氮化铝陶瓷基板10瓦20dB衰减片
CN102709644A (zh) 高导热氧化铝陶瓷基板1瓦28dB衰减片
CN104218293A (zh) 高频氮化铝陶瓷10瓦18dB衰减片
CN102738544A (zh) 氮化铝陶瓷30瓦23dB衰减片
CN102709640A (zh) 氮化铝陶瓷基板30瓦27dB衰减片

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20141217