CN104217976A - 一种键合加热装置及加热方法 - Google Patents

一种键合加热装置及加热方法 Download PDF

Info

Publication number
CN104217976A
CN104217976A CN201310213206.8A CN201310213206A CN104217976A CN 104217976 A CN104217976 A CN 104217976A CN 201310213206 A CN201310213206 A CN 201310213206A CN 104217976 A CN104217976 A CN 104217976A
Authority
CN
China
Prior art keywords
bonding
heater
heating
gas
temperature
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201310213206.8A
Other languages
English (en)
Inventor
韩林森
龚平
王从亮
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Wuxi China Resources Micro Assembly Tech Ltd
Original Assignee
Wuxi China Resources Micro Assembly Tech Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Wuxi China Resources Micro Assembly Tech Ltd filed Critical Wuxi China Resources Micro Assembly Tech Ltd
Priority to CN201310213206.8A priority Critical patent/CN104217976A/zh
Publication of CN104217976A publication Critical patent/CN104217976A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

本发明公开了一种键合加热装置及加热方法，包括设置于键合设备轨道下方的加热块、安装于所述键合设备轨道的上方的加热器及气源，所述气源经输送管路与所述加热器进气口连接，气体经所述输送管路进入所述加热器，再自该加热器的下方吹出至产品表面上，通过对产品上方吹热送热空气的加热方法，利用热对流原理满足键合温度要求，适应预塑封产品的键合需求，提高产品质量。

Description

一种键合加热装置及加热方法
技术领域
本发明涉及一种芯片封装设备及加工方法，尤其涉及一种通过改变加热方式提高键合质量的键合加热装置及加热方法。
背景技术
随着科技发明的日新月异，电子芯片的使用越来越渗透到各行各业，而封装技术也应运而生。所谓“封装技术”是一种将集成电路用绝缘的塑料或陶瓷材料打包的技术。封装对于芯片来说不但必须也是至关重要的，它直接影响到了芯片的质量，而键合工艺作为封装技术中一种重要步骤，很多的废品出自这里，影响键合工艺的因素主要有键合温度、键合时间、超声功率与键合压力。其中，键合温度的控制要求较高，过高的温度将产生过多的氧化物影响键合质量，反之温度不够，同样会因结合强度问题影响键合质量。
键合温度指的是外部提供的温度，现有的半导体产品在键合过程中主要依托轨道下面的加热块利用热传导方式对轨道上的框架键合区域进行加热，而一些特种封装产品，如图1所示，由于框架22键合区域21要进行预塑封，加热块从底部传输的热量被塑封体阻挡，不能快速有效的传递到键合区域21，导致键合区域21达不到键合所需温度，直接影响键合质量。
发明内容
本发明目的是提供一种键合加热装置及加热方法，通过结构及方法的改良，有效提高键合温度，满足键合温度要求，保证键合质量。
为达到上述目的，本发明采用的技术方案是：一种键合加热装置，包括设置于键合设备轨道下方的加热块，安装于所述键合设备轨道的上方的加热器及气源，所述气源经输送管路与所述加热器进气口连接，气体经所述输送管路进入所述加热器，再自该加热器的下方吹出至产品表面上。
在其中一实施例中，位于所述加热器的下方、产品的上方设有扩散器，所述扩散器底部均布有若干个气孔，且覆盖所述产品键合区域。
在其中一实施例中，还包括一温控器，该温控器与所述加热器控制端连接。
进一步地，所述加热器内部设有电热丝，所述温控器包括热电偶及控制芯片，所述热电偶信号输出端与所述控制芯片输入端连接，所述控制芯片的输出端与所述加热器控制端连接。
在其中一实施例中，所述气源由空气压缩机构成。
为达到上述目的，本发明采用的方法技术方案是：一种键合加热方法，包括位于键合设备轨道下方的加热块，位于所述键合设备轨道上方的加热器，由气源产生的气体通过加热器加热后，再吹向产品表面，利用热对流原理为产品加热，获得键合温度。
在其中一实施例中，所述加热器下方设置扩散器，将加热后的热空气经扩散器上均布的气孔均匀的吹向产品表面上。
在其中一实施例中，还包括一温控器，控制所述加热器的加热温度，使加热后的气体温度达到180℃～250℃。
进一步地，所述加热器内部设有电热丝，所述温控器包括热电偶及控制芯片，通过热电偶测得电热丝加热后的气体温度，转换为电信号后传送至控制芯片，由控制芯片根据设定的额定温度调节电热丝的加热温度。
在其中一实施例中，所述气源由空气压缩机产生，获得压缩空气输入到加热器内进行加热。
由于上述技术方案运用，本发明与现有技术相比具有下列优点：
1．本发明采用在键合设备轨道上方设置加热器，加热空气吹向产品表面，利用热对流原理加热产品，获得键合温度，改变了传统单一的底部加热方式，从产品顶部加热，避开产品底部预塑封的阻挡，满足键合工艺对温度要素的需求，有效提高产品质量；
2．通过热电偶测量加热温度，由控制芯片控制加热器的加热温度，使加热温度得到精确的控制，符合键合温度的需要，保证产品键合质量；
3．加热器下方设置扩散器，通过均匀布置的气孔，可以将热空气均匀的吹向产品表面，使产品获得均匀的加热效果，保证键合质量。
附图说明
图1是本发明背景技术中产品的结构示意图；
图2是本发明实施例一的结构示意图；
图3是图2的仰视图；
图4是本发明实施例一的使用状态示意图。
其中：10、键合设备轨道；11、加热块；12、加热器；13、扩散器；14、产品；15、气孔；16、加热器进气口；21、塑封体；22、框架。
具体实施方式
下面结合附图及实施例对本发明作进一步描述：
实施例一：参见图2～4所示，一种键合加热装置，包括设置于键合设备轨道下方的加热块11，设置于键合设备轨道10上方的加热器12、扩散器13、温控器及气源，位于所述加热器12的下方、产品14的上方设有扩散器13，所述扩散器13底部均布有若干个气孔15，呈矩阵式排列，且覆盖所述产品14键合区域，所述气源由空气压缩机构成，经输送管路与所述加热器进气口16连接，压缩空气经所述输送管路进入所述加热器12，再自该加热器12的下方吹出至产品14表面上。
在本实施例中，所述加热块11由电热棒提供热量，通过热传递的方式为产品14加热。所述加热器12为电热丝加热，所述温控器与所述加热器12控制端连接，且其包括热电偶及控制芯片。所述热电偶信号输出端与所述控制芯片输入端连接，所述控制芯片的输出端与所述加热器12控制端连接。所述热电偶可以是外接的，测量加热空气的温度，并转换为电信号输出；控制芯片接收到信号后，与预设温度比较，控制电热丝的加热状态，从而实现对键合温度的控制，以适应预塑封产品的键合需求，保证键合质量。
具体采用的实施方法是：空气压缩机将压缩空气经输送管路从加热器进气口16输入，通过电热丝的加热产生220℃的热风，再由扩散器13底部的气孔15均匀的吹至产品14表面，配合加热块11的加热，利用热对流原理为产品14加热，获得键合温度。
为实时监控，采用热电偶测量热空气温度，并转换为电信号后输出给控制芯片，控制芯片内预存有键合适宜的温度范围，比较后调节电热丝的发热度，从而严格控制键合温度，保证键合产品质量。
综上所述实施例仅表达了本发明的集中实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是对于本领域的普通技术人员来说，在不拖累本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都是属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以权利要求为准。

Claims (10)

1.一种键合加热装置，包括设置于键合设备轨道下方的加热块，其特征在于：还包括安装于所述键合设备轨道的上方的加热器及气源，所述气源经输送管路与所述加热器进气口连接，气体经所述输送管路进入所述加热器，再经所述加热器吹出至产品表面上。
2.根据权利要求1所述的键合加热装置，其特征在于：位于所述加热器的下方、产品的上方设有扩散器，所述扩散器设置有若干个气孔，且覆盖产品键合区域。
3.根据权利要求1所述的键合加热装置，其特征在于：还包括温控器，该温控器与所述加热器控制端连接。
4.根据权利要求3所述的键合加热装置，其特征在于：所述加热器内部设有电热丝，所述温控器包括热电偶及控制芯片，所述热电偶信号输出端与所述控制芯片输入端连接，所述控制芯片的输出端与所述加热器控制端连接。
5.根据权利要求1所述的键合加热装置，其特征在于：所述气源由空气压缩机构成。
6.一种键合加热方法，包括位于键合设备轨道下方的加热块，其特征在于：还包括位于所述键合设备轨道上方的加热器，由气源产生的气体通过加热器加热后，再吹向产品表面，利用热对流原理为产品加热，获得键合温度。
7.根据权利要求6所述的键合加热方法，其特征在于：所述加热器下方设置扩散器，将加热后的热空气经扩散器上均布的气孔均匀的吹向产品表面上。
8.根据权利要求6所述的键合加热方法，其特征在于：还包括温控器，控制所述加热器的加热温度，使加热后的气体温度达到180℃～250℃。
9.根据权利要求8所述的键合加热方法，其特征在于：所述加热器内部设有电热丝，所述温控器包括热电偶及控制芯片，通过热电偶测得电热丝加热后的气体温度，转换为电信号后传送至控制芯片，由控制芯片根据设定的额定温度调节电热丝的加热温度。
10.根据权利要求6所述的键合加热方法，其特征在于：所述气源由空气压缩机产生，获得压缩空气输入到加热器内进行加热。
CN201310213206.8A 2013-05-31 2013-05-31 一种键合加热装置及加热方法 Pending CN104217976A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201310213206.8A CN104217976A (zh) 2013-05-31 2013-05-31 一种键合加热装置及加热方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201310213206.8A CN104217976A (zh) 2013-05-31 2013-05-31 一种键合加热装置及加热方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN104217976A true CN104217976A (zh) 2014-12-17

Family

ID=52099343

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201310213206.8A Pending CN104217976A (zh) 2013-05-31 2013-05-31 一种键合加热装置及加热方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN104217976A (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2017114315A1 (zh) * 2015-12-30 2017-07-06 上海微电子装备（集团）股份有限公司 一种键合机加热冷却装置及其制作方法
CN114843199A (zh) * 2022-04-18 2022-08-02 合肥海滨半导体科技有限公司 一种半导体器件引线键合装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002016352A (ja) * 2000-06-29 2002-01-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd リフロー基板加熱方法とその装置
CN102723273A (zh) * 2012-05-28 2012-10-10 上海华力微电子有限公司 一种扩大铝线干法刻蚀腐蚀缺陷工艺窗口的方法
JP2012256931A (ja) * 2012-08-24 2012-12-27 Renesas Electronics Corp 半導体集積回路装置の製造方法
CN102956545A (zh) * 2011-08-25 2013-03-06 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 金属互连线的制造方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002016352A (ja) * 2000-06-29 2002-01-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd リフロー基板加熱方法とその装置
CN102956545A (zh) * 2011-08-25 2013-03-06 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 金属互连线的制造方法
CN102723273A (zh) * 2012-05-28 2012-10-10 上海华力微电子有限公司 一种扩大铝线干法刻蚀腐蚀缺陷工艺窗口的方法
JP2012256931A (ja) * 2012-08-24 2012-12-27 Renesas Electronics Corp 半導体集積回路装置の製造方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2017114315A1 (zh) * 2015-12-30 2017-07-06 上海微电子装备（集团）股份有限公司 一种键合机加热冷却装置及其制作方法
CN114843199A (zh) * 2022-04-18 2022-08-02 合肥海滨半导体科技有限公司 一种半导体器件引线键合装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104217976A (zh) 一种键合加热装置及加热方法
CN103105048A (zh) 工业用烘箱
CN107553848A (zh) 一种注塑模具温度精确控制装置
CN104916740A (zh) 退火氧化设备
CN201506859U (zh) 一种纺丝组件及喷丝板装置
CN203972234U (zh) 一种用于接线端子的自动灌胶设备
CN208059565U (zh) 固化炉快速加热和快速冷却装置
CN203094549U (zh) 一种套标设备的热缩装置及套标设备
CN105082416A (zh) 一种固化炉及应用其的树脂镜片加工工艺
CN108682644A (zh) 一种半导体无人工全自动流水线作业生产方法和系统
CN104890362A (zh) 能进行二次加工且图案永不褪色的玻璃深加工工艺
CN108454045A (zh) 一种塑胶模具快速加热装置
CN202813988U (zh) 物料干燥设备
CN109249029A (zh) 适用于双体炉低压烧结串珠的烧结工艺方法
CN202129978U (zh) 一种塑料挤出机的自动冷却装置
CN207535259U (zh) 一种智能温控注塑模具
CN207382618U (zh) 一种电磁分段加热式螺杆裂解设备
CN204107772U (zh) 一种自动灌胶设备
CN204088290U (zh) 风冷系统及uv设备
CN205905267U (zh) 纤维笔头的红外定型装置的熔融装置
CN208539757U (zh) 一种烤箱
CN202465525U (zh) 一种玻璃夹胶机的加热循环装置
CN203210645U (zh) 半导体塑料封装压机智能温度切换系统
CN104600004A (zh) 全自动烘烤设备
CN204674192U (zh) 一体化壁纸加工装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20141217