CN104205533B - 包括抗谐振波导的混合激光器 - Google Patents

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Abstract

描述了包括包含抗谐振波导的混合激光器的装置和系统以及用于制作这种装置和系统的方法的实施例。混合激光器装置可包括：第一半导体区域，包括选自III族、IV族或V族半导体的一层或多层半导体材料的有源区域；以及与该第一半导体区域耦合并且具有光波导的第二半导体区域，第一沟槽被布置在该光波导的第一侧，并且第二沟槽被布置在该光波导的与该第一侧相对的第二侧。可描述和/或要求保护其他实施例。

Description

包括抗谐振波导的混合激光器
技术领域
本发明实施例总体上涉及激光器领域。更具体地，本发明实施例涉及包括包含抗谐振波导的混合激光器的装置以及包括具有抗谐振波导的混合激光器的系统。
背景
半导体激光器可由III-V半导体材料的发光特性形成。半导体激光器可由两个组件构成，III-V有源区域用于生成光以及硅波导用于携带所生成的光。
某些混合激光器的光模可由波导尺寸控制。总体上，希望光模与混合激光器的III-V区域的高度重叠。然而，将光模推入III-V区域有时可导致光模泄露和/或光模变宽。
附图简要说明
将通过在附图中示出的示例实施例而非限制描述本公开的实施例，其中，相似的参考号指示相似的元素，并且在附图中：
图1示出包括抗谐振波导的混合激光器的截面；
图2示出包括抗谐振波导的混合激光器的有源区域的截面；
图3示出包括抗谐振波导的另一个混合激光器的截面；
图4是示出包括抗谐振沟槽的混合激光器和不包括抗谐振波导的混合激光器的所计算的泄露损耗的图示；
图5示出包括抗谐振波导的另一个混合激光器的截面；
图6示出具有图1、图3、或图5的混合激光器中的一个或多个的光学系统；
图7示出具有图1、图3、或图5的混合激光器中的一个或多个的另一个光学系统；
图8是用于形成包括抗谐振波导的混合激光器的方法的流程图；以及
图9是结合图1、图3、或图5的混合激光器中的一个或多个和/或图6的光学系统和/或图7的光学系统的系统的框图；
所有附图根据本公开的实施例。
详细描述
在此描述了包括包含抗谐振波导的混合激光器的装置、包括具有抗谐振波导的混合激光器的系统、以及用于形成包括抗谐振波导的混合激光器的方法的实施例。
在以下描述中，讨论许多细节以便提供各实施例的解释。然而，本发明的实施例可在没有这些特定细节的情况下实践将对于本领域普通技术人员是明显的。在其他情况中，可以用框图的形式而不是详细地示出公知的结构和设备，以便避免混淆本发明的实施例。例如，未在此描述形成有源区域的每一层的高度和/或深度。此外，本发明的实施例不限于有源区域的具体成分和材料，只要有源区域的成分允许实现在实施例中所讨论的包括抗谐振波导的混合激光器。
图1示出包括第一半导体区域102和与第一半导体区域102耦合的第二半导体区域104的混合激光器装置100的截面。第一半导体区域102可包括有源区域106和与有源区域106耦合的一个或多个电触点107、108，以便为有源区域106提供电流。第一半导体区域102可包括覆盖有源区域106和/或第一半导体区域102的部分的绝缘材料110。
第二半导体区域104可包括总体上由通过虚线框界定的区域指示的光波导112。光波导112可由一对波导沟槽114a、114b限定。在各实施例中，抗谐振波导可包括：抗谐振波导沟槽116a、118a，其可被布置在光波导112的第一侧，以及抗谐振波导沟槽116b、118b，其可被布置在光波导112的与第一侧相对的第二侧，如所示。可用气体填充波导沟槽114a、114b和抗 谐振波导沟槽116a、116b、118a、118b。在各实施例中，气体可以是空气、惰性气体、或其他气体。在某些实施例中，气体可以是可在处理过程中捕获在沟槽114a、114b、116a、116b、118a、118b中的任何气体。在其他实施例中，可用另一种低折射率材料(诸如例如氧化硅或氮化硅)填充波导沟槽114a、114b和/或抗谐振波导沟槽116a、116b、118a、118b。
沟槽116a、116b、118a、118b可提供抗谐振反射以便控制光模宽度，同时仍允许光波导112控制光模与有源区域106的重叠。在各实施例中，沟槽116a、116b、118a、118b可在混合激光器装置100的操作过程中提供光模的附加反射，其可帮助控制光模的横向扩展。
第二半导体区域104可包括用于形成混合激光器装置的任何合适的材料。在各实施例中，第二半导体区域104可包括半导体衬底。例如，第二半导体区域104可包括绝缘体上硅衬底，该衬底包括操作衬底(handle substrate)109、操作衬底109上的埋入绝缘层111、以及埋入绝缘层11上的硅层113。埋入绝缘层111可包括氧化物。在各实施例中，埋入绝缘层111可包括蓝宝石或另一种合适的绝缘材料。操作衬底109可包括硅，诸如例如掺杂硅。硅层113可包括设备制造晶片或外延硅。在各实施例中，硅层113可包括<100>硅。
在其他实施例中，可使用备选材料形成第二半导体区域104，该材料可以与硅组合或可以不与硅组合，包括但不限于锗、锑化铟、碲化铅、砷化铟、磷化铟、砷化镓、或锑化镓。被分类为III-V族或IV族材料的其它材料也可用于形成衬底。尽管在此描述了可从其形成衬底的材料的几个示例，可用作在之上构建半导体器件的基础的任何材料落入本发明的精神和范围内。
第一半导体区域102的有源区域106可以是包括来自III族、IV族、或V族半导体的半导体材料层的III-V有源区域。图2示出根据本发明的各实施例的示例III-V有源区域206的截面图。在各实施例中，触点108(在图1中示出)可耦合到层220。在一个实施例中，层220是欧姆接触层。在一个实施例中，欧姆接触层220由p型铟镓砷(InGaAs)构成。层220可 耦合到覆层222。在一个实施例中，覆层222由p型磷化铟(InP)构成。覆层222可耦合到分离限制异质结构(SCH)层224。在一个实施例中，层224由p型砷化铝镓铟(AlGalnAs)构成。层224可耦合到载流子阻挡层226。在一个实施例中，层226也由AlGalnAs构成。层226可耦合到多量子阱(MQW)层228。在一个实施例中，MQW层228由AlGalnAs构成。MQW层228可耦合到层230(图1中示出为层130)，该层可由n型磷化铟(InP)构成。根据本发明的一个实施例，以上所讨论的层的原子比可稍微不同，以便调谐精确的带隙。
第二半导体区域104的硅层113可提供到触点107的电流路径。再次参考图1，层130(图2的层230，在某些实施例中)可横向地在有源区域106的任一侧延伸(见图2的层230的虚线延伸部分)，以便与电触点107接触，并且可直接在层130下方形成光波导112。在一个实施例中，在光波导112的侧面形成的沟槽114a、114b将光限制在波导112内。光波导112可携带激光形式的光信号，其可通过跨触点107和108施加电势来生成。在一个实施例中，跨触点107和108的电势差可以是使得30-150mA的电流132通过层103从触点108流向触点107，以便致使在光波导112内生成光激光。在一个实施例中，触点108可操作用于接收正电势，而触点107可操作用于接收负电势。
在其他实施例中，层230在有源区域206的任一侧不横向地延伸，如图3的层330所示出的。在这种实施例中，电流332流入第二半导体区域204的硅层113并且流出到触点107。在一个实施例中，这种导电接口使得硅层113能够本身充当电触点。
在各实施例中，抗谐振波导沟槽116a、116b、118a、118b和波导沟槽114a、114b的间隔和/或宽度可为混合激光器装置100的光泄露损耗和/或光模的位置做贡献。光波导112可具有被配置成用于提供与有源区域106的合适光模重叠的宽度。在各实施例中，光波导112的宽度可以是大约0.4μm。在各实施例中，沟槽114a、116a、和118b可彼此分离大约1.0μm(即，硅层113将波导沟槽114a与抗谐振波导沟槽116a分离的大约1.0μm，以及 硅层113将抗谐振波导沟槽116a与抗谐振波导沟槽118a分离的大约1.0μm)。可类似地配置光波导112的另一侧。
在各实施例中，波导沟槽114a、114b可各自具有大约0.5μm的宽度。在其他实施例中，波导沟槽114a、114b可各自具有大约3.0μm的宽度。在其他实施例中，波导沟槽114a、114b可各自具有在大约0.5μm到大约3.0μm范围内的宽度。
图4是示出包括抗谐振波导沟槽的混合激光器和不包括抗谐振波导沟槽的混合激光器的所计算的泄露损耗的图示。在所有三个示例中，光波导宽度是大约0.4μm。如所示出的，与不包括抗谐振波导沟槽(由正方形数据点示出)的混合激光器相比，包括抗谐振波导沟槽(由三角形和菱形数据点示出)的混合激光器的两个示例具有大于100倍的泄露损耗减少。换言之，在此所描述的混合激光器的各实施例可允许当增加与有源区域的光模重叠时更少的光泄露。
在图1和图3中示出的实施例中，在光波导112及其相关联的波导沟槽114a、114b的每一侧提供了两个抗谐振波导沟槽(116a、118a和116b、118b)。在其他实施例中，可提供更多或更少的抗谐振波导沟槽。如图5所示，例如，混合激光器装置500在光波导112及其相关联的波导沟槽114a、114b的每一侧包括一个抗谐振波导沟槽116a、116b。在其他实施例中，在光波导112及其相关联的波导沟槽114a、114b的每一侧提供了多于两个抗谐振波导沟槽(未示出)。
图6示出具有混合激光器6341-N中的一个或多个的光系统600，混合激光器中的一个或多个可以是在此所描述的激光器，诸如激光器100、300或500。根据本发明的一个实施例，混合激光器6341-N可位于光发射器中。在一个实施例中，系统600包括一个或多个光发射器6321-N。来自光发射器6321-N的每个光发射器可包括耦合到发射器6361-N的混合激光器单元6341-N。在一个实施例中，发射器6361-N通过复用器638、光波导640、以及解复用器642发射不同波长的光信号。在一个实施例中，波长的范围是小于900nm的波长或从1260nm到1380nm范围的波长。在一个实施例中， 发射器6361-N包括调制器(未示出)，该调制器接收混合激光器单元6341-N生成的激光束，其中，经调制的光束然后通过光波导640发射到光接收器6441-N。
在一个实施例中，来自光接收器6441-N的每个光接收器包括耦合到光电转换单元6481-N的接收器6461-N。在一个实施例中，接收器6461-N包括光检测器阵列。在一个实施例中，解复用器642将来自光发射器6321-N光发射器耦合到来自光接收器6441-N的相应的光接收器。在一个实施例中，光波导640是光学通用串行总线(USB)缆线。在一个实施例中，光波导640是光缆。在一个实施例中，光发射器6321-N和接收器6441-N驻留在其对应的计算机系统(未示出)中。在各实施例中，接收器6461-N的激光器6341-N和/或光检测器可耦合到对应的处理器或耦合到同一处理器，以便提供输入/输出。在这些实施例的某些中，接收器6461-N的激光器6341-N和/或光检测器可耦合到其对应的处理器或耦合到同一处理器，以便通过I/O管理芯片提供输入/输出。
图7示出其中包括激光器7341-N和发射器7361-N的光发射器7321-N和包括接收器6461-N和光电转换单元6481-N的接收器7441-N驻留在同一处理器750上的实施例。在这些实施例的多个实施例中，接收器7461-N包括可被配置成用于从除处理器750之外的源接收输入的光检测器阵列。同样，在各实施例中，发射器7361-N被配置成用于向除处理器750之外的目的地输出光信号。
图8是根据各实施例与用于制造包括具有导电分流衬底的光子设备(例如，在此所描述的100或400)的装置的方法800相关联的操作中的某些操作的流程图。
现在转向图8，用于制造包括包含抗谐振波导沟槽的混合激光器的装置(诸如例如混合激光器装置100、300、或500)的方法可包括如框802、804、806、808、和/或810所示出的一个或多个功能、操作、或动作。
方法800的处理可通过提供第一半导体区域在框802开始，该第一半导体区域包括选自III族、IV族或V族半导体的一层或多层半导体材料 的有源区域。
方法800可继续到框804，经由形成一对波导沟槽在第二半导体区域内限定光波导。
方法800然后可继续到框806，在光波导的第一侧形成第一沟槽以及在光波导的与第一侧相对的第二侧形成第二沟槽。在各实施例中，可在单个操作过程中执行框804和806的操作。
在框810，方法800可继续，将第一半导体区域和第二半导体区域耦合以便形成混合激光器装置。
在各实施例中，方法800可以可选地从框806继续到框808，在光波导的第一侧形成第三沟槽，从而使得第一沟槽在第三沟槽和光波导之间，以及在光波导的第二侧形成第四沟槽，从而使得第二沟槽在第四沟槽和光波导之间。在各实施例中，可在单个操作过程中执行框804、806、和808的操作。在其他实施例中，可在单个操作过程中执行框806和808的操作，并且可在该单个操作之前或之后执行框804的操作。在可选框808之后，方法800可继续到框810。
在一个实施例中，可通过由处理器执行机器可读指令执行图8的方法，其中，机器可读指令存储在耦合到该处理器的机器可读存储介质(例如，闪存、动态随机存取存储器、静态随机存取存储器等等)上。
在此所描述的混合激光器装置和/或光学系统的实施例可被结合到包括但不限于各计算和/或消费者电子设备/电器的各其他装置和系统中。图9中示出示例系统900的系统级框图。在此所描述的混合激光器装置和/或光学系统可被包括在系统900的元件的一个或多个中。例如，在各实现方式中，处理器908、芯片组918、通信芯片904、和/或I/O控制器中枢可包括具有用于与系统900的一个或多个其他元件通信或连接到系统900的混合激光器装置100(图1)、300(图3)、和/或500(图5)的发射器632和接收器644(图6)和/或发射器732和接收器744(图7)。在各实施例中，系统900可包括图9中示出的更多或更少组件、和/或不同的架构。
在各实现方式中，系统900可以是膝上计算机、上网本计算机、笔记 本计算机、超极本计算机、智能电话、平板计算机、个人数字助理(PDA)、超移动PC、移动电话、桌上计算机、服务器、打印机、扫描仪、监视器、机顶盒、娱乐控制装置、数码相机、便携式音乐播放器、或数字录像机。在进一步的实现方式中，系统900可以是处理数据的任何其他电子设备。
系统900可包括操作性地协助系统900通过一个或多个网络通信和/或与任何其他合适的设备通信的通信集群902。通信集群902可包括至少一个通信芯片904和至少一个I/O控制器中枢906。在某些实现方式中，至少一个I/O控制器中枢906可以是至少一个通信芯片904的一部分。在某些实现方式中，至少一个通信芯片904可以是处理器908的一部分。
在各实施例中，系统900可容纳处理器908和/或通信集群902可物理地和电气地与其耦合的主板910。
依据其应用，系统900可包括可以物理地和电气地耦合到主板或可以不物理地和电气地耦合到主板的其他组件。这些其他组件包括但不限于易失性存储器912(例如DRAM)、非易失性存储器914(例如ROM)、闪存、图形处理器916、数字信号处理器、加密处理器、芯片组918、电池920、音频编解码器、视频编解码器、功率放大器922、全球定位系统(GPS)设备924、罗盘926、加速度计、陀螺仪、扬声器928、照相机930、天线932、和大容量存储设备(诸如硬盘驱动器、致密盘(CD)、数字通用盘(DVD)等等)。
通信芯片904可实现无线通信以便向系统900和从系统900传递数据。术语“无线”及其衍生物可用于描述可通过使用经调制的电磁辐射经由非固态介质传递数据的电路、设备、系统、方法、技术、通信信道等等。该术语并不暗示相关联的设备不包含任何接线，尽管在某些实施例中它们可能并不包含接线。通信芯片904可实现多种无线标准或协议中的任何一种，包括但不限于Wi-Fi(IEEE802.11族)、WiMAX(IEEE802.16族)、IEEE802.20、长期演进(LTE)、Ev-DO、HSPA+、HSDPA+、HSUPA+、EDGE、GSM、GPRS、CDMA、TDMA、DECT、蓝牙、其衍生物，以及任何其他被指定为2G、3G、4G、5G的无线协议等等。系统900可包括多个通信芯 片904。例如，第一通信芯片可专用于短距离无线通信，诸如Wi-Fi和蓝牙，而第二通信芯片专用于长距离无线通信，诸如GPS、EDGE、GPRS、CDMA、WiMAX、LTE、Ev-DO等等。
系统900可包括显示设备934，诸如例如阴极射线管(CRT)、液晶显示器(LCD)、发光二极管(LED)、或其他合适的显示设备。显示设备934可以是支持触摸屏特征的触摸屏显示器，并且在这些实施例的各实施例中，I/O控制器906可包括触摸屏控制器。在各实施例中，显示设备934可以是与系统900互连的外围设备。
系统900的处理器908可包括封装在处理器908内的集成电路管芯。在某些实现方式中，处理器908的集成电路管芯可包括一个或多个器件，诸如晶体管或金属互连。术语“处理器”可指代任何设备或设备的部分，该设备或设备的部分处理来自寄存器和/或存储器的电子数据以便将该电子数据转换成可存储在寄存器和/或存储器中的其他电子数据。通信芯片904还可包括封装在通信芯片904内的集成电路管芯。I/O控制器中枢906还可包括封装在I/O控制器中枢906内的集成电路管芯。
以下段落描述各实施例。
在各实施例中，混合激光器装置可包括第一半导体区域，该第一半导体区域包括选自III族、IV族或V族半导体的一层或多层半导体材料的有源区域。在各实施例中，该装置进一步包括第二半导体区域，该第二半导体区域与该第一半导体区域耦合并且具有光波导，第一沟槽被布置在该光波导的第一侧，并且第二沟槽被布置在该光波导的与该第一侧相对的第二侧。
在各实施例中，该光波导由一对波导沟槽限定。
在各实施例中，该第二半导体区域包括布置在该光波导的该第一侧使得该第一沟槽在该第三沟槽和该光波导之间的第三沟槽，以及布置在该光波导的该第二侧使得该第二沟槽在该第四沟槽和该光波导之间的第四沟槽。
在各实施例中，该第一半导体区域的层直接与该第二半导体区域的层 结合，其中，该第一半导体区域的该层由磷化铟组成，并且其中，该第二半导体区域的该层由硅组成。在各实施例中，该装置进一步包括与该第一半导体区域的该有源区域耦合的第一电触点以及与该第一半导体区域的该磷化铟层耦合的第二电触点。在各实施例中，该装置进一步包括与该第一半导体区域的该有源区域耦合的第一电触点以及与该第二半导体区域的该硅层耦合的第二电触点。
在各实施例中，该第一半导体区域的层包括以下各项中的至少一项：与该第一电触点层耦合的欧姆接触层、与该欧姆接触层耦合的覆层、与该覆层耦合的分离限制异质结构(SCH)层、与该SCH层耦合的载流子阻挡层、与SCH层耦合的多量子阱(MQW)层、以及与该MQW层耦合的磷化铟层，其中，该磷化铟层的表面与该第二半导体区域的层的表面耦合。
在各实施例中，该第二半导体区域包括绝缘体上硅衬底。
也可相对于在此所描述的各系统实现以上所描述的装置的全部可选特征。例如，在各实施例中，系统可包括以上所描述的混合激光器中的一个或多个。在各实施例中，系统包括用于接收光信号的接收器。在各实施例中，该系统包括用于发射光信号的发射器。在各实施例中，该发射器可包括用于生成激光束的该混合激光器。
在各实施例中，该系统进一步包括调制器，该调制器与该混合激光器耦合，以便调制在该硅波导上发射的该激光束。在各实施例中，该接收器包括光检测器，以便检测经调制的激光束。
在各实施例中，该系统进一步包括与该接收器和该发射器操作性地耦合的处理器以及操作性地耦合到该处理器的显示设备。在各实施例中，该显示设备是触摸屏。
在各实施例中，该系统是选自以下各项中的一项：膝上计算机、上网本计算机、笔记本计算机、超极本计算机、智能电话、平板计算机、个人数字助理、超移动PC、移动电话、桌上计算机、服务器、打印机、扫描仪、监视器、机顶盒、娱乐控制装置、数字相机、便携式音乐播放器、或数字录像机。
还可在各方法中实现以上所描述的装置和系统的全部可选特征。例如，在各实施例中，用于制造混合激光器的方法包括提供第一半导体区域，该第一半导体区域包括选自III族、IV族或V族半导体的一层或多层半导体材料的有源区域。在各实施例中，该方法进一步包括在第二半导体区域的光波导的第一侧形成第一沟槽、以及在该光波导的与该第一侧相对的第二侧形成第二沟槽。在各实施例中，该方法进一步包括将该第一半导体区域与该第二半导体区域耦合。
在各实施例中，该方法进一步包括通过形成一对波导沟槽在该第二半导体区域内限定该光波导，其中，该光波导被布置在这对波导沟槽之间。
在各实施例中，该方法进一步包括在该光波导的该第一侧形成第三沟槽，使得该第一沟槽在该第三沟槽和该光波导之间，以及在该光波导的该第二侧形成第四沟槽，使得该第二沟槽在该第四沟槽和该光波导之间。
在此使用本领域普通技术人员通常使用的术语描述了说明性实现方式的各方面，以便向本领域的其他普通技术人员传达其工作实质。然而，本领域普通技术人员显然理解，可以通过所描述方面中的一些来实现本发明的实施例。为了解释的目的，列出了特定的编号、材料和配置，以便提供说明性实现方式的透彻理解。然而，本领域普通技术人员显然理解，可在没有这些特定细节的情况下实践本发明的实施例。在其他情况下，省略或简化了公知的特征，以便不混淆说明性实现方式。
而且，各操作以对理解说明性实施例最有帮助的方式被描述为按顺序的多个离散操作；然而，描述顺序不应被解释为暗示这些操作必须是按顺序的。具体而言，无需按展示顺序执行这些操作。而且，本公开范围内的方法可包括比所描述的那些更多或更少的步骤。
重复地使用短语“在某些实施例中”和“在各实施例中”。该短语总体上不指代同一实施例；然而，可以指代同一实施例。术语“包括”、“具有”、以及“包含”是同义词，除非上下文另行指出。短语“A和/或B”是指(A)、(B)、或(A和B)。短语“A/B”是指(A)、(B)、或(A和B)，类似于短语“A和/或B”。短语“A、B、和C中的至少一个” 是指(A)、(B)、(C)、(A和B)、(A和C)、(B和C)或(A、B和C)。短语“(A)B”是指(B)或(A和B)，即，A是可选的。
尽管已经在此描述了各示例方法、装置、和系统，本公开的覆盖范围不限于此。相比之下，本公开涵盖在很大程度上落入所附权利要求书的范围内的将根据完善的权利要求解释条文被解释的所有方法、装置、系统、和制品。例如，尽管以上公开了包括除其他组件之外的在硬件上执行的软件或固件的示例系统，应注意这种系统仅仅是说明性的并且不应当别认为是限制性的。具体而言，考虑了可排他地在硬件、排他地在软件、排他地在固件或在硬件、软件、和/或固件的某种组合中实现所公开的硬件、软件、和/或固件组件的任何一个或全部。

Claims (23)

1.一种混合激光器装置，包括：
第一半导体区域，包括选自III族、IV族或V族半导体的一层或多层半导体材料的有源区域；以及
第二半导体区域，与所述第一半导体区域耦合，其中所述第二半导体区域至少包括埋入绝缘层和设置在所述埋入绝缘层上的硅层，并且还包括光波导，被布置在所述光波导的第一侧的第一沟槽，被布置在所述光波导的与所述第一侧相对的第二侧的第二沟槽，被布置在所述光波导的所述第一侧使得所述第一沟槽在第三沟槽和所述光波导之间的第三沟槽，以及被布置在所述光波导的所述第二侧使得所述第二沟槽在第四沟槽和所述光波导之间的第四沟槽，其中所述第一、第二、第三、第四沟槽设置在所述硅层内以使所述硅层的部分位于相应沟槽与所述埋入绝缘层之间。
2.如权利要求1所述的装置，其中，所述光波导由一对波导沟槽限定。
3.如权利要求1所述的装置，其中，所述第一半导体区域的层直接与所述第二半导体区域的硅层结合，其中，所述第一半导体区域的所述层由磷化铟组成。
4.如权利要求3所述的装置，进一步包括：
第一电触点，与所述第一半导体区域的所述有源区域耦合；以及
第二电触点，与所述第一半导体区域的所述磷化铟层耦合。
5.如权利要求3所述的装置，进一步包括：
第一电触点，与所述第一半导体区域的所述有源区域耦合；以及
第二电触点，与所述第二半导体区域的硅层耦合。
6.如权利要求1所述的装置，其中，所述第一半导体区域的层包括：
欧姆接触层，与第一电触点层耦合；
覆层，与所述欧姆接触层耦合；
分离限制异质结构SCH层，与所述覆层耦合；
载流子阻挡层，与所述SCH层耦合；
多量子阱MQW层，与所述SCH层耦合；以及
磷化铟层，与所述MQW层耦合，其中，所述磷化铟层的表面与所述第二半导体区域的层的表面耦合。
7.如权利要求1所述的装置，其中，所述第二半导体区域包括绝缘体上硅结构。
8.一种包括一个或多个混合激光器的系统，所述系统包括：
接收器，用于接收光信号；以及
发射器，用于发射所述光信号，所述发射器包括混合激光器以便生成激光束，所述混合激光器包括：
第一半导体区域，包括选自III族、IV族或V族半导体的一层或多层半导体材料的有源区域；以及
第二半导体区域，与所述第一半导体区域耦合，其中所述第二半导体区域至少包括埋入绝缘层和设置在所述埋入绝缘层上的硅层，并且还包括光波导，被布置在所述光波导的第一侧的第一沟槽，被布置在所述光波导的与所述第一侧相对的第二侧的第二沟槽，被布置在所述光波导的所述第一侧使得所述第一沟槽在第三沟槽和所述光波导之间的第三沟槽，以及被布置在所述光波导的所述第二侧使得所述第二沟槽在第四沟槽和所述光波导之间的第四沟槽，其中所述第一、第二、第三、第四沟槽设置在所述硅层内以使所述硅层的部分位于相应沟槽与所述埋入绝缘层之间。
9.如权利要求8所述的系统，进一步包括调制器，与所述混合激光器耦合，以便调制在所述光波导上发射的所述激光束。
10.如权利要求9所述的系统，其中，所述接收器包括光检测器，以便检测经调制的激光束。
11.如权利要求8所述的系统，其中，所述光波导由一对波导沟槽限定。
12.如权利要求8所述的系统，其中，所述第一半导体区域的层直接与所述第二半导体区域的硅层结合，其中，所述第一半导体区域的所述层由磷化铟组成。
13.如权利要求12所述的系统，进一步包括：
第一电触点，与所述第一半导体区域的所述有源区域耦合；以及
第二电触点，与所述第一半导体区域的所述磷化铟层耦合。
14.如权利要求12所述的系统，进一步包括：
第一电触点，与所述第一半导体区域的所述有源区域耦合；以及
第二电触点，与所述第二半导体区域的硅层耦合。
15.如权利要求8所述的系统，其中，所述第一半导体区域的层包括：
欧姆接触层，与第一电触点层耦合；
覆层，与所述欧姆接触层耦合；
分离限制异质结构SCH层，与所述覆层耦合；
载流子阻挡层，与所述SCH层耦合；
多量子阱MQW层，与所述SCH层耦合；以及
磷化铟层，与所述MQW层耦合，其中，所述磷化铟层的表面与所述第二半导体区域的层的表面耦合。
16.如权利要求8所述的系统，其中，所述第二半导体区域包括绝缘体上硅结构。
17.如权利要求8所述的系统，进一步包括与所述接收器和所述发射器操作性地耦合的处理器，以及操作性地耦合到所述处理器的显示设备。
18.如权利要求17所述的系统，其中，所述显示设备是触摸屏。
19.如权利要求8所述的系统，其中，所述系统是选自以下各项中的一项：笔记本计算机、智能电话、个人数字助理、超移动PC、桌上计算机、服务器、打印机、扫描仪、监视器、机顶盒、或数码相机。
20.如权利要求8所述的系统，其中，所述系统是选自以下各项中的一项：膝上计算机、上网本计算机、超极本计算机、平板计算机、移动电话、或娱乐控制单元。
21.如权利要求8所述的系统，其中，所述系统是选自以下各项中的一项：便携式音乐播放器或数字录像机。
22.一种用于制作混合激光器的方法，包括：
提供第一半导体区域，所述第一半导体区域包括选自III族、IV族或V族半导体的一层或多层半导体材料的有源区域；
在第二半导体区域的光波导的第一侧形成第一沟槽以及在所述光波导的与所述第一侧相对的第二侧形成第二沟槽，其中所述第二半导体区域至少包括埋入绝缘层和设置在所述埋入绝缘层上的硅层；
在所述光波导的所述第一侧形成第三沟槽，使得所述第一沟槽在所述第三沟槽和所述光波导之间；
在所述光波导的所述第二侧形成第四沟槽，使得所述第二沟槽在所述第四沟槽和所述光波导之间，其中所述第一、第二、第三、第四沟槽设置在所述硅层内以使所述硅层的部分位于相应沟槽与所述埋入绝缘层之间；以及
将所述第一半导体区域与所述第二半导体区域耦合。
23.如权利要求22所述的方法，进一步包括通过形成一对波导沟槽在所述第二半导体区域内限定所述光波导，其中，所述光波导被布置在所述一对波导沟槽之间。
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