CN104200845A - 一种分析阻变存储器电流波动性的方法 - Google Patents

一种分析阻变存储器电流波动性的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN104200845A
CN104200845A CN201410411901.XA CN201410411901A CN104200845A CN 104200845 A CN104200845 A CN 104200845A CN 201410411901 A CN201410411901 A CN 201410411901A CN 104200845 A CN104200845 A CN 104200845A
Authority
CN
China
Prior art keywords
resistance
variable storing
activation energy
state
storing device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201410411901.XA
Other languages
English (en)
Inventor
卢年端
李泠
刘明
孙鹏霄
王明
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Institute of Microelectronics of CAS
Original Assignee
Institute of Microelectronics of CAS
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Institute of Microelectronics of CAS filed Critical Institute of Microelectronics of CAS
Priority to CN201410411901.XA priority Critical patent/CN104200845A/zh
Publication of CN104200845A publication Critical patent/CN104200845A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Measurement Of Resistance Or Impedance (AREA)

Abstract

本发明公开了一种分析阻变存储器电流波动性的方法,该方法包括:制备各种阻变存储器;测量制备的各种阻变存储器的I-V曲线,并采用0.1V的读电压,从测得的I-V曲线中读出该电压下各种阻变存储器的电流值,进而确定各种阻变存储器的高阻态和低阻态;分别计算各种阻变存储器在高低阻态下导电细丝中的电流;分别计算各种阻变存储器中导电细丝的外加电场;分别计算不同阻态下各种阻变存储器载流子跃迁的激活能;分别比较低阻态或高阻态下各种阻变存储器载流子跃迁的激活能,分析各种阻变存储器的电流波动性。利用本发明,通过阻变存储器的激活能来分析电流波动性,简化了分析过程,提高了分析的精确性。

Description

一种分析阻变存储器电流波动性的方法
技术领域
本发明属于半导体存储器器件技术领域,尤其是一种分析阻变存储器电流波动性的方法。
背景技术
存储器是集成电路中最基本、最重要的部件之一,也是微电子技术水平的重要指标。随着现代信息技术的快速发展,人们在拥有指数级增长的信息处理能力的同时,也不断追求速度更快、容量更高、功耗更低的非挥发性存储芯片来存储海量数据。阻变存储器(RRAM)作为一种新的非挥发性存储器,具有结构简单、工作速度快、功耗低、信息保持稳定等优点,是下一代非挥发性存储器的有力竞争者之一。但是,由于RRAM微观物理机制的不清晰,严重阻碍了其发展。从最基本的微观层面探讨和研究RRAM的微观物理机制,对于控制和提高器件的存储特性具有重要的指导作用。
阻变存储器中电流波动性的大小反应了阻变存储器器件的可靠性,因而具有十分重要的意义。目前人们分析阻变存储器电流波动性主要是通过利用测量出的电流值或电阻值分布的范围来表征电流波动性的大小。但是,要想精确的表征电流波动性的大小,现有方法必须要进行大量的实验测试,然后通过对实验数据进行统计分析才能得到相应的电流波动性的大小。另外,由于测量中存在的误差,通过电流值或电阻值分布的方法来分析阻变存储器电流波动性的精确性较差。
发明内容
(一)要解决的技术问题
有鉴于此,本发明的主要目的在于提供一种分析阻变存储器电流波动性的方法,以简化分析过程,提高分析的精确性。
(二)技术方案
为达到上述目的,本发明提供了一种分析阻变存储器电流波动性的方法,该方法包括:
步骤1:制备各种阻变存储器;
步骤2:测量制备的各种阻变存储器的I-V曲线,并采用0.1V的读电压,从测得的I-V曲线中读出该电压下各种阻变存储器的电流值,进而确定各种阻变存储器的高阻态和低阻态;
步骤3:分别计算各种阻变存储器在高低阻态下导电细丝中的电流;
步骤4:分别计算各种阻变存储器中导电细丝的外加电场;
步骤5:分别计算不同阻态下各种阻变存储器载流子跃迁的激活能;
步骤6:分别比较低阻态或高阻态下各种阻变存储器载流子跃迁的激活能,分析各种阻变存储器的电流波动性。
上述方案中,步骤1中所述制备各种阻变存储器,是利用原子层沉积的方法制备出HfO2、ZrO2和WO3阻变存储器器件,器件厚度为5nm-30nm,器件的下电极为Pt(40nm)/Ti(10nm)金属层,上电极为W(30nm)/Ti(5nm)金属层。
上述方案中,步骤2中所述测量制备的各种阻变存储器的I-V曲线,是采用KEITHLEY4200-SCS型半导体特性分析系统测量制备的各种阻变存储器的I-V曲线。
上述方案中,步骤2中所述采用0.1V的读电压,从测得的I-V曲线中读出该电压下各种阻变存储器的电流值,进而确定各种阻变存储器的高阻态和低阻态,是采用0.1V的读电压,从测得的I-V曲线中读出该电压下的电流值,读出的电流值中较大的值定为低阻态的电流值,较小的值定为高阻态的电流值。
上述方案中,步骤3中所述分别计算各种阻变存储器在高低阻态下导电细丝中的电流,包括:
对于阻变存储器中的低阻态,导电细丝中的电流可以通过下式得到:
I = σ LRS F 2 S = σ 0 Sexp ( - 2 αR ij - qE a ( a ) L / k B T ) V / L - - - ( 1 )
式中F2表示低阻态下导电细丝的电场,σLRS表示电导率,σ0表示电导的前因子,α表示局域态长度的倒数,Rij表示载流子跃迁的长度,q表示电子电荷,表示低阻态下载流子运动的激活能,kB表示波尔兹曼常数,T表示器件的温度,V表示外加电压,L表示器件的厚度;
对于阻变存储器中的高阻态,由于空间电荷限制电流的效应,对于导电细丝导通的部分,电场应符合泊松定律,即
dF(x)/dx=-nq/ε       (2)
式中n表示载流子浓度,ε表示材料的介电常数;
高阻态下导电细丝导通部分的电流表示为:
I hopping = nqμ 0 exp ( - 2 αR ij - qE a ( a ) H / k B T ) F ( x ) S - - - ( 3 )
式中μ0表示载流子迁移率的前因子,表示高阻态载流子运动的激活能,S表示导电细丝的横截面积;
同时,根据福勒-诺德海姆发射理论,高阻态下导电细丝断开部分的电流可以通过下式表示:
I tunneling = q 3 F 1 2 S / ( 8 πh φ B ) exp [ - 8 π 2 m φ B 3 2 / ( 3 hq F 1 ) ] - - - ( 4 )
式中F1表示导电细比断开点位置的电场,h表示普朗克常量,φB表示势垒高度,m表示自由电子的质量。
上述方案中,步骤4中所述分别计算各种阻变存储器中导电细丝的外加电场,是采用以下公式:
V = V hopping + V tunneling = ∫ 0 L 1 F ( x ) dx + F 1 ( L - L 1 ) - - - ( 5 )
式中L1表示细丝导通部分的长度,Vhopping表示导电细丝导通部分的电压,Vtunneling表示导电细丝断开部分的电压。
上述方案中,步骤5中所述分别计算不同阻态下各种阻变存储器载流子跃迁的激活能,包括
计算低阻态的激活能时,将步骤2中测得的低阻态的电流值代入公式(1)中进行计算;
计算高阻态的激活能时,把步骤2中测得的高阻态的电流值代入公式(3)和(4),最后结合公式(2)-(5)计算出高阻态下载流子跃迁的激活能。
上述方案中,步骤6中所述分别比较低阻态或高阻态下各种阻变存储器载流子跃迁的激活能,分析各种阻变存储器的电流波动性,包括:
在同一阻态下,载流子跃迁的激活能越大,则阻变存储器的电流波动性越小;反之,载流子跃迁的激活能越小,则阻变存储器的电流波动性越大。
(三)有益效果
从上述技术方案可以看出,本发明具有以下有益效果:
1、利用本发明,通过计算阻变存储器的激活能来分析阻变存储器的电流波动性,不需要进行大量的实验测试,另外,由于激活能是材料的本征性质,对于特定材料的器件,其激活能是唯一的,因此通过阻变存储器的激活能来分析电流波动性,简化了分析过程,提高了分析的精确性。
2、利用本发明,通过简单的方法可以提取出阻变存储器的激活能,提取的激活能可以直接用于分析阻变存储器的电流波动性,为研究阻变存储器的微观物理机制提供理论指导。
3、利用本发明,便于利用简单的方法选择最优的阻变材料制备出性能优越的阻变存储器器件。
附图说明
图1是本发明提供的分析阻变存储器电流波动性的方法流程图;
图2是依照本发明第一实施例的HfO2阻变存储器分别在HRS和LRS状态下载流子跃迁的激活能。
图3是依照本发明第二实施例的ZrO2阻变存储器分别在HRS和LRS状态下载流子跃迁的激活能。
图4是依照本发明第三实施例的WO3阻变存储器分别在HRS和LRS状态下载流子跃迁的激活能。
图5是对图2至图4所示三个实施例的阻变存储器中激活能的比较。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白,以下结合具体实施例,并参照附图,对本发明进一步详细说明。
根据对相关研究领域现状的分析,基于载流子的跃迁理论并结合实验测得的I-V曲线,本发明提出了一种分析阻变存储器电流波动性的方法,此方法简单,结果精确,误差小,可广泛应用于分析不同材料、不同结构、器件厚度不同的阻变存储器的电流波动性,如HfO2,ZrO2,WO3等阻变存储器。
如图1所示,图1是本发明提供的分析阻变存储器电流波动性的方法流程图,该方法包括以下步骤:
步骤1:制备各种阻变存储器;
其中,制备各种阻变存储器,是利用原子层沉积的方法制备出HfO2、ZrO2和WO3阻变存储器器件,器件厚度为5nm-30nm,器件的下电极为Pt(40nm)/Ti(10nm)金属层,上电极为W(30nm)/Ti(5nm)金属层。
步骤2:测量制备的各种阻变存储器的I-V曲线,并采用0.1V的读电压,从测得的I-V曲线中读出该电压下各种阻变存储器的电流值,进而确定各种阻变存储器的高阻态和低阻态;
其中,测量制备的各种阻变存储器的I-V曲线,是采用KEITHLEY4200-SCS型半导体特性分析系统测量制备的各种阻变存储器的I-V曲线;
采用0.1V的读电压,从测得的I-V曲线中读出该电压下各种阻变存储器的电流值,进而确定各种阻变存储器的高阻态和低阻态,是采用0.1V的读电压,从测得的I-V曲线中读出该电压下的电流值,读出的电流值中较大的值定为低阻态的电流值,较小的值定为高阻态的电流值。
步骤3:分别计算各种阻变存储器在高低阻态下导电细丝中的电流;
对于阻变存储器中的低阻态,导电细丝中的电流可以通过下式得到:
I = σ LRS F 2 S = σ 0 Sexp ( - 2 αR ij - qE a ( a ) L / k B T ) V / L - - - ( 1 )
式中F2表示低阻态下导电细丝的电场,σLRS表示电导率,σ0表示电导的前因子,α表示局域态长度的倒数,Rij表示载流子跃迁的长度,q表示电子电荷,表示低阻态下载流子运动的激活能,kB表示波尔兹曼常数,T表示器件的温度,V表示外加电压,L表示器件的厚度;
对于阻变存储器中的高阻态,由于空间电荷限制电流的效应,对于导电细丝导通的部分,电场应符合泊松定律,即
dF(x)/dx=-nq/ε      (2)
式中n表示载流子浓度,ε表示材料的介电常数;
高阻态下导电细丝导通部分的电流表示为:
I hopping = nqμ 0 exp ( - 2 αR ij - qE a ( a ) H / k B T ) F ( x ) S - - - ( 3 )
式中μ0表示载流子迁移率的前因子,表示高阻态载流子运动的激活能,S表示导电细丝的横截面积;
同时,根据福勒-诺德海姆发射理论,高阻态下导电细丝断开部分的电流可以通过下式表示:
I tunneling = q 3 F 1 2 S / ( 8 πh φ B ) exp [ - 8 π 2 m φ B 3 2 / ( 3 hq F 1 ) ] - - - ( 4 )
式中F1表示导电细比断开点位置的电场,h表示普朗克常量,φB表示势垒高度,m表示自由电子的质量。
步骤4:分别计算各种阻变存储器中导电细丝的外加电场;
其中,分别计算各种阻变存储器中导电细丝的外加电场,是采用以下公式:
V = V hopping + V tunneling = ∫ 0 L 1 F ( x ) dx + F 1 ( L - L 1 ) - - - ( 5 )
式中L1表示细丝导通部分的长度,Vhopping表示导电细丝导通部分的电压,Vtunneling表示导电细丝断开部分的电压。
步骤5:分别计算不同阻态下各种阻变存储器载流子跃迁的激活能;
其中,计算低阻态的激活能时,将步骤2中测得的低阻态的电流值代入公式(1)中进行计算;
计算高阻态的激活能时,将步骤2中测得的高阻态的电流值代入公式(3)和(4),最后结合公式(2)-(5)计算出高阻态下载流子跃迁的激活能。
步骤6:分别比较低阻态或高阻态下各种阻变存储器载流子跃迁的激活能,分析各种阻变存储器的电流波动性;
其中,在同一阻态下,载流子跃迁的激活能越大,则阻变存储器的电流波动性越小;反之,载流子跃迁的激活能越小,则阻变存储器的电流波动性越大。
实施例1
以W/Ti/HfO2/Pt器件作为一个示例性实施,首先通过电学方法测量获得HRS和LRS状态下的I-V特性,然后通过0.1V的读电压,获得该读电压时低阻态下的电流值为1.97×10-4A,高阻态下的电流值1.14×10-5A,把1.97×10-4A代公式(1)中进行计算,获得低阻态下载流子跃迁的激活能;把1.14×10-5A代入公式(3)和(4),然后结合公式(2)-(5)计算出高阻态下载流子跃迁的激活能。结果如图2所示,在低阻状下(LRS),载流子跃迁的激活能Ea=0.9344eV,在高阻状态下(HRS),载流子跃迁的激活能Ea=0.9889eV。计算中所用参数为:温度为T=300K,V=0.1V,σ0=1013S/m,α-1=1.5nm,Rij=0.385nm,ε=23,μ0=450m/Vs,L=5nm,φB=2eV。
实施例2
以TiN/ZrO2/Pt器件作为一个示例性实施,然后通过0.1V的读电压,获得该读电压时低阻态下的电流值为1.09×10-4A,高阻态下的电流值1.17×10-5A;把1.09×10-4A代公式(1)中进行计算,获得低阻态下载流子跃迁的激活能;把1.17×10-5A代入公式(3)和(4),然后结合公式(2)-(5)计算出高阻态下载流子跃迁的激活能。结果如图3所示,在低阻状下(LRS),载流子跃迁的激活能Ea=1.9431eV,在高阻状下(HRS),载流子跃迁的激活能Ea=1.9906eV。计算中所用参数为:温度为T=300K,V=0.1V,σ0=1013S/m,α-1=1.5nm,Rij=0.385nm,ε=23,μ0=300m2/Vs,L=10nm,φB=2eV。
实施例3
以Cu/WO3/Pt器件作为一个示例性实施,然后通过0.1V的读电压,获得该读电压时低阻态下的电流值为2.0×10-7A,高阻态下的电流值2.04×10-8A;把2.0×10-7A代公式(1)中进行计算,获得低阻态下载流子跃迁的激活能;把2.04×10-8A代入公式(3)和(4),然后结合公式(2)-(5)计算出高阻态下载流子跃迁的激活能。结果如图4所示,在低阻状下(LRS),载流子跃迁的激活能Ea=0.7352eV,在高阻状下(HRS),载流子跃迁的激活能Ea=0.7953eV。计算中所用参数为:温度为T=300K,V=0.1V,σ0=1013S/m,α-1=1.5nm,Rij=0.385nm,ε=35,μ0=150m2/Vs,L=50nm,φB=2eV。
对于上述实施例1至3中HfO2、ZrO2和WO3三种阻变材料,通过计算得到的载流子跃迁的激活能,结果如图5所示。对于HfO2、ZrO2和WO3三种阻变材料,ZrO2阻变存储器具有最小的电流波动性,WO3阻变存储器的电流波动性最大。
以上所述的具体实施例,对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明,所应理解的是,以上所述仅为本发明的具体实施例而已,并不用于限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内,所做的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (8)

1.一种分析阻变存储器电流波动性的方法,其特征在于,该方法包括:
步骤1:制备各种阻变存储器;
步骤2:测量制备的各种阻变存储器的I-V曲线,并采用0.1V的读电压,从测得的I-V曲线中读出该电压下各种阻变存储器的电流值,进而确定各种阻变存储器的高阻态和低阻态;
步骤3:分别计算各种阻变存储器在高低阻态下导电细丝中的电流;
步骤4:分别计算各种阻变存储器中导电细丝的外加电场;
步骤5:分别计算不同阻态下各种阻变存储器载流子跃迁的激活能;
步骤6:分别比较低阻态或高阻态下各种阻变存储器载流子跃迁的激活能,分析各种阻变存储器的电流波动性。
2.根据权利要求1所述的分析阻变存储器电流波动性的方法,其特征在于,步骤1中所述制备各种阻变存储器,是利用原子层沉积的方法制备出HfO2、ZrO2和WO3阻变存储器器件,器件厚度为5nm-30nm,器件的下电极为Pt(40nm)/Ti(10nm)金属层,上电极为W(30nm)/Ti(5nm)金属层。
3.根据权利要求1所述的分析阻变存储器电流波动性的方法,其特征在于,步骤2中所述测量制备的各种阻变存储器的I-V曲线,是采用KEITHLEY4200-SCS型半导体特性分析系统测量制备的各种阻变存储器的I-V曲线。
4.根据权利要求1所述的分析阻变存储器电流波动性的方法,其特征在于,步骤2中所述采用0.1V的读电压,从测得的I-V曲线中读出该电压下各种阻变存储器的电流值,进而确定各种阻变存储器的高阻态和低阻态,是采用0.1V的读电压,从测得的I-V曲线中读出该电压下的电流值,读出的电流值中较大的值定为低阻态的电流值,较小的值定为高阻态的电流值。
5.根据权利要求1所述的分析阻变存储器电流波动性的方法,其特征在于,步骤3中所述分别计算各种阻变存储器在高低阻态下导电细丝中的电流,包括:
对于阻变存储器中的低阻态,导电细丝中的电流可以通过下式得到:
I = σ LRS F 2 S = σ 0 Sexp ( - 2 αR ij - qE a ( a ) L / k B T ) V / L - - - ( 1 )
式中F2表示低阻态下导电细丝的电场,σLRS表示电导率,σ0表示电导的前因子,α表示局域态长度的倒数,Rij表示载流子跃迁的长度,q表示电子电荷,表示低阻态下载流子运动的激活能,kB表示波尔兹曼常数,T表示器件的温度,V表示外加电压,L表示器件的厚度;
对于阻变存储器中的高阻态,由于空间电荷限制电流的效应,对于导电细丝导通的部分,电场应符合泊松定律,即
dF(x)/dx=-nq/ε        (2)
式中n表示载流子浓度,ε表示材料的介电常数;
高阻态下导电细丝导通部分的电流表示为:
I hopping = nqμ 0 exp ( - 2 αR ij - qE a ( a ) H / k B T ) F ( x ) S - - - ( 3 )
式中μ0表示载流子迁移率的前因子,表示高阻态载流子运动的激活能,S表示导电细丝的横截面积;
同时,根据福勒-诺德海姆发射理论,高阻态下导电细丝断开部分的电流可以通过下式表示:
I tunneling = q 3 F 1 2 S / ( 8 πh φ B ) exp [ - 8 π 2 m φ B 3 2 / ( 3 hq F 1 ) ] - - - ( 4 )
式中F1表示导电细比断开点位置的电场,h表示普朗克常量,φB表示势垒高度,m表示自由电子的质量。
6.根据权利要求5所述的分析阻变存储器电流波动性的方法,其特征在于,步骤4中所述分别计算各种阻变存储器中导电细丝的外加电场,是采用以下公式:
V = V hopping + V tunneling = ∫ 0 L 1 F ( x ) dx + F 1 ( L - L 1 ) - - - ( 5 )
式中L1表示细丝导通部分的长度,Vhopping表示导电细丝导通部分的电压,Vtunneling表示导电细丝断开部分的电压。
7.根据权利要求6所述的分析阻变存储器电流波动性的方法,其特征在于,步骤5中所述分别计算不同阻态下各种阻变存储器载流子跃迁的激活能,包括:
计算低阻态的激活能时,将步骤2中测得的低阻态的电流值代入公式(1)中进行计算;
计算高阻态的激活能时,把步骤2中测得的高阻态的电流值代入公式(3)和(4),最后结合公式(2)-(5)计算出高阻态下载流子跃迁的激活能。
8.根据权利要求7所述的分析阻变存储器电流波动性的方法,其特征在于,步骤6中所述分别比较低阻态或高阻态下各种阻变存储器载流子跃迁的激活能,分析各种阻变存储器的电流波动性,包括:
在同一阻态下,载流子跃迁的激活能越大,则阻变存储器的电流波动性越小;反之,载流子跃迁的激活能越小,则阻变存储器的电流波动性越大。
CN201410411901.XA 2014-08-20 2014-08-20 一种分析阻变存储器电流波动性的方法 Pending CN104200845A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410411901.XA CN104200845A (zh) 2014-08-20 2014-08-20 一种分析阻变存储器电流波动性的方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410411901.XA CN104200845A (zh) 2014-08-20 2014-08-20 一种分析阻变存储器电流波动性的方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN104200845A true CN104200845A (zh) 2014-12-10

Family

ID=52086121

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201410411901.XA Pending CN104200845A (zh) 2014-08-20 2014-08-20 一种分析阻变存储器电流波动性的方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN104200845A (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107195777A (zh) * 2017-04-25 2017-09-22 清华大学 一种具有透明上电极的阻变单元及其导电细丝定位方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101738419A (zh) * 2008-11-21 2010-06-16 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 检测可变电阻材料的方法
CN102403044A (zh) * 2010-09-08 2012-04-04 北京大学 测试阻变随机访问存储器件的数据保持特性的方法
CN103928057A (zh) * 2014-04-11 2014-07-16 中国科学院微电子研究所 一种测量阻变存储器激活能的方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101738419A (zh) * 2008-11-21 2010-06-16 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 检测可变电阻材料的方法
CN102403044A (zh) * 2010-09-08 2012-04-04 北京大学 测试阻变随机访问存储器件的数据保持特性的方法
CN103928057A (zh) * 2014-04-11 2014-07-16 中国科学院微电子研究所 一种测量阻变存储器激活能的方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107195777A (zh) * 2017-04-25 2017-09-22 清华大学 一种具有透明上电极的阻变单元及其导电细丝定位方法
CN107195777B (zh) * 2017-04-25 2019-04-02 清华大学 一种具有透明上电极的阻变单元及其导电细丝定位方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103928057A (zh) 一种测量阻变存储器激活能的方法
Puglisi et al. A complete statistical investigation of RTN in HfO 2-based RRAM in high resistive state
Baeumer et al. Subfilamentary networks cause cycle-to-cycle variability in memristive devices
Lee et al. Accurate analysis of conduction and resistive-switching mechanisms in double-layered resistive-switching memory devices
Van den Hurk et al. Volatile resistance states in electrochemical metallization cells enabling non-destructive readout of complementary resistive switches
Yu et al. HfOx-based vertical resistive switching random access memory suitable for bit-cost-effective three-dimensional cross-point architecture
Ranjan et al. Conductive atomic force microscope study of bipolar and threshold resistive switching in 2D hexagonal boron nitride films
Ambrogio et al. Noise-induced resistance broadening in resistive switching memory—Part II: Array statistics
Choi et al. Retention failure analysis of metal-oxide based resistive memory
Hsu et al. Multilevel resistive switching memory with amorphous InGaZnO-based thin film
CN105122217B (zh) 电阻式随机存取存储器以及存储及检索电阻式随机存取存储器的信息的方法
Tseng et al. Modeling of electron conduction in contact resistive random access memory devices as random telegraph noise
Kuo et al. Galvanic effect of Au–Ag electrodes for conductive bridging resistive switching memory
Huang et al. Using binary resistors to achieve multilevel resistive switching in multilayer NiO/Pt nanowire arrays
Xu et al. Investigation of LRS dependence on the retention of HRS in CBRAM
Chen et al. Resistance switching induced by hydrogen and oxygen in diamond-like carbon memristor
Bernard et al. Resistance switching of Cu/SiO2 memory cells studied under voltage and current-driven modes
Betti Beneventi et al. Three-dimensional Poole-Frenkel analytical model for carrier transport in amorphous chalcogenides
US11574669B2 (en) Distribution-following access operations for a memory device
CN102403044A (zh) 测试阻变随机访问存储器件的数据保持特性的方法
Betti Beneventi et al. Analytical model for low-frequency noise in amorphous chalcogenide-based phase-change memory devices
Ciocchini et al. Modeling of threshold-voltage drift in phase-change memory (PCM) devices
Fogler Nonlinear screening and percolative transition in a two-dimensional electron liquid
Zhang et al. Random telegraph noise analysis in AlOx/WOy resistive switching memories
Wei et al. Distribution projecting the reliability for 40 nm ReRAM and beyond based on stochastic differential equation

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20141210

WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication