CN104183752A - 有机电致发光器件及其制作方法 - Google Patents

有机电致发光器件及其制作方法 Download PDF

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CN104183752A CN201310192509.6A CN201310192509A CN104183752A CN 104183752 A CN104183752 A CN 104183752A CN 201310192509 A CN201310192509 A CN 201310192509A CN 104183752 A CN104183752 A CN 104183752A
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周明杰
钟铁涛
王平
陈吉星
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Shenzhen Oceans King Lighting Science and Technology Co Ltd
Shenzhen Oceans King Lighting Engineering Co Ltd
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Oceans King Lighting Science and Technology Co Ltd
Shenzhen Oceans King Lighting Engineering Co Ltd
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Abstract

本发明涉及一种有机电致发光器件，其包括依次层叠设置的抗反射复合层、基底、阳极层、短路减少层、第一有机发光功能层、电荷产生层、第二有机发光功能层及阴极层。其中，抗反射复合层包括白玻璃板以及位于白玻璃板一侧的抗反射膜，基底设在所述抗反射膜上且与该抗反射膜之间设有出光空隙。该有机电致发光器件，通过在出光面下设置抗反射膜，并且在阳极层上设置短路减少层，整个器件的出光效率大大提高。且上述制作方法简便，对设备要求低，可以广泛推广应用。此外，本发明还是涉及一种有机电致发光器件的制作方法。

Description

有机电致发光器件及其制作方法
技术领域
本发明涉及电致发光技术领域，尤其是涉及一种有机电致发光器件及其制作方法。
背景技术
有机电致发光器件(OLED)具有一些独特的优点：(1)OLED属于扩散型面光源，不需要像发光二极管（LED）一样通过额外的导光系统来获得大面积的白光光源；(2)由于有机发光材料的多样性，OLED照明可根据需要设计所需颜色的光，目前无论是小分子OLED，还是聚合物有机发光二极管（PLED）都已获得了包含白光光谱在内的所有颜色的光；(3)OLED可在多种衬底如玻璃、陶瓷、金属或塑料等材料上制作，从而使得设计照明光源时更加自由；(4)采用制作OLED显示的方式制作OLED照明面板，可在照明的同时显示信息；(5)OLED在照明系统中还可被用作可控色，允许使用者根据个人需要调节灯光氛围。然而传统的OLED普遍存在出光效率不高的问题。
发明内容
基于此，有必要提供一种出光效率较高的有机电致发光器件及其制作方法。
一种有机电致发光器件，包括依次层叠设置的抗反射复合层、基底、阳极层、短路减少层、第一有机发光功能层、电荷产生层、第二有机发光功能层及阴极层；其中，所述抗反射复合层包括白玻璃板以及位于所述白玻璃板一侧的抗反射膜，所述基底设在所述抗反射膜上且与该抗反射膜之间设有出光空隙；所述短路减少层的材料为SiGe（锗化硅）与In2O3（三氧化二铟）、ZnS（硫化锌）、SnO2（二氧化锡）或SiO2（二氧化硅）按照质量比1:1混合形成的混合材料；所述第一有机发光功能层包括在所述短路减少层上依次层叠设置的第一空穴注入层、第一空穴传输层、第一红光发光层、第一绿光发光层、第一蓝光发光层及第一电子传输层；所述第二有机发光功能层包括在所述电荷产生层上依次层叠设置的第二空穴注入层、第二空穴传输层、第二红光发光层、第二蓝光发光层、第二电子传输层及电子注入层，所述阴极层设在所述电子注入层上。
在其中一个实施例中，所述抗反射膜的材料为SiGe（锗化硅），厚度为10～20nm。
在其中一个实施例中，所述基底的材料为聚氨酯，所述基底靠近所述抗反射复合层的一侧设有多个均匀分布且与所述基底一体成型的凸起。
在其中一个实施例中，所述凸起为半球形，底面直径为5～20μm，相邻凸起之间间距5～20μm。
在其中一个实施例中，所述阳极层为厚度100nm的ITO（氧化铟锡）层。
在其中一个实施例中，所述第一空穴注入层的材料为MoO3（三氧化钼）、WO3（三氧化钨）、V2O5（五氧化二钒）或ReO3（三氧化铼）按照25～35%的掺杂质量比掺杂在N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺（NPB）、4,4',4''-三（咔唑-9-基）三苯胺（TCTA）、4,4'-二（9-咔唑）联苯（CBP）、N,N'-二（3-甲基苯基）-N,N'-二苯基-4,4'-联苯二胺（TPD）或1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷（TAPC）中形成的混合材料；
所述第一空穴传输层的材料为N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺、4,4',4''-三（咔唑-9-基）三苯胺、4,4'-二（9-咔唑）联苯、N,N'-二（3-甲基苯基）-N,N'-二苯基-4,4'-联苯二胺或1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷；
所述第一红光发光层的材料为二（2-甲基-二苯基[f,h]喹喔啉）（乙酰丙酮）合铱（Ir(MDQ)2(acac)）、二[2-苯基喹啉基）-N，C2]（乙酰丙酮）合铱（III）（PQIr）、二[N-异丙基-2-(4-氟苯基)苯并咪唑]（乙酰丙酮）合铱（III）（(fbi)2Ir(acac)）、二[2-（2-氟苯基）-1,3-苯并噻唑-N,C2](乙酰丙酮)合铱（III）（(F-BT)2Ir(acac)）、二（2-苯并噻吩-2-基-吡啶）（乙酰丙酮）合铱（III）（Ir(btp)2(acac)）或三（1-苯基-异喹啉）合铱）（Ir(piq)3）按照0.5～2%的掺杂质量比掺杂在4,4',4''-三（咔唑-9-基）三苯胺（TCTA）、9,9'-(1,3-苯基)二-9H-咔唑（mCP）、4,4'-二（9-咔唑）联苯（CBP）、N,N'-二（3-甲基苯基）-N,N'-二苯基-4,4'-联苯二胺（TPD）、1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷（TAPC）或9,10-双(1-萘基)蒽）（ADN）中形成的混合材料；
所述第一绿光发光层的材料为三（2-苯基吡啶）合铱（Ir(ppy)3）、乙酰丙酮酸二（2-苯基吡啶）铱（Ir(ppy)2(acac)）或三[2-(对甲苯基)吡啶]合铱(III)（Ir(mppy)3）按照2～10%的掺杂质量比掺杂在4,4',4''-三（咔唑-9-基）三苯胺、9,9'-(1,3-苯基)二-9H-咔唑、4,4'-二（9-咔唑）联苯、N,N'-二（3-甲基苯基）-N,N'-二苯基-4,4'-联苯二胺、1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷或9,10-双(1-萘基)蒽中形成的混合材料；
所述第一蓝光发光层的材料包括蓝光主体材料、蓝光客体材料及电荷产生材料，所述蓝光主体材料为4,4'-二（9-咔唑）联苯、9,9'-(1,3-苯基)二-9H-咔唑、9-(4-叔丁苯基)-3,6-双(三苯基硅)-9H-咔唑（CzSi）、2,6-双(3-(9H-咔唑-9-基)苯基)吡啶（26DCzPPY）、3,5-双(3-(9H-咔唑-9-基)苯基)吡啶（35DCzPPY）或1,4--双(三苯基硅)苯（UGH2），所述蓝光客体材料为双（4,6-二氟苯基吡啶-N,C2）吡啶甲酰合铱（FIrpic）、双（4,6-二氟苯基吡啶）-四（1-吡唑基）硼酸合铱（FIr6）、三（2-（4',6'-二氟-5’-氰基）苯基吡啶-N,C2'）合铱（FCNIr）、双(4,6-二氟苯基吡啶)-（3-(三氟甲基)-5-(吡啶-2-基)-1,2,4-三唑）合铱（FIrtaz）或双(4,6-二氟苯基吡啶)(5-(吡啶-2-基)-四唑)合铱）（FIrN4），所述电荷产生材料为MoO3、V2O5、WO3或ReO3，所述蓝光主体材料、所述蓝光客体材料及所述电荷产生材料的质量比为1:5～20:5～10；
所述第一电子传输层的材料为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉（Bphen）、4，7－二苯基－1，10－邻菲罗啉（BCP）、4-联苯酚基－二(2-甲基-8-羟基喹啉)合铝（BAlq）、8-羟基喹啉铝（Alq3）、3-(联苯-4-基)-5-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1,2,4-三唑（TAZ）或1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯（TPBI）。
在其中一个实施例中，所述电荷产生层的材料为MoO3、V2O5、WO3或ReO3，厚度为5～30nm。
在其中一个实施例中，所述第二空穴注入层的材料为MoO3、WO3、V2O5或ReO3按照25～35%的掺杂质量比掺杂在N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺、4,4',4''-三（咔唑-9-基）三苯胺、4,4'-二（9-咔唑）联苯、N,N'-二（3-甲基苯基）-N,N'-二苯基-4,4'-联苯二胺或1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷中形成的混合材料；
所述第二空穴传输层的材料为N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺、4,4',4''-三（咔唑-9-基）三苯胺、4,4'-二（9-咔唑）联苯、N,N'-二（3-甲基苯基）-N,N'-二苯基-4,4'-联苯二胺或1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷；
所述第二红光发光层的材料为二（2-甲基-二苯基[f,h]喹喔啉）（乙酰丙酮）合铱、二[2-苯基喹啉基）-N，C2]（乙酰丙酮）合铱（III）、二[N-异丙基-2-(4-氟苯基)苯并咪唑]（乙酰丙酮）合铱（III）、二[2-（2-氟苯基）-1,3-苯并噻唑-N,C2](乙酰丙酮)合铱（III）、二（2-苯并噻吩-2-基-吡啶）（乙酰丙酮）合铱（III）或三（1-苯基-异喹啉）合铱）按照0.5～2%的掺杂质量比掺杂在4,4',4''-三（咔唑-9-基）三苯胺、9,9'-(1,3-苯基)二-9H-咔唑、4,4'-二（9-咔唑）联苯、N,N'-二（3-甲基苯基）-N,N'-二苯基-4,4'-联苯二胺、1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷或9,10-双(1-萘基)蒽）中形成的混合材料；
所述第二蓝光发光层的材料蓝光主体材料、蓝光客体材料及电荷产生材料，所述蓝光主体材料为4,4'-二（9-咔唑）联苯、9,9'-(1,3-苯基)二-9H-咔唑、9-(4-叔丁苯基)-3,6-双(三苯基硅)-9H-咔唑、2,6-双(3-(9H-咔唑-9-基)苯基)吡啶、3,5-双(3-(9H-咔唑-9-基)苯基)吡啶或1,4--双(三苯基硅)苯，所述蓝光客体材料为双（4,6-二氟苯基吡啶-N,C2）吡啶甲酰合铱、双（4,6-二氟苯基吡啶）-四（1-吡唑基）硼酸合铱、三（2-（4',6'-二氟-5’-氰基）苯基吡啶-N,C2'）合铱、双(4,6-二氟苯基吡啶)-（3-(三氟甲基)-5-(吡啶-2-基)-1,2,4-三唑）合铱或双(4,6-二氟苯基吡啶)(5-(吡啶-2-基)-四唑)合铱），所述电荷产生材料为MoO3、V2O5、WO3或ReO3，所述蓝光主体材料、所述蓝光客体材料及所述电荷产生材料的质量比为1:5～20:5～10；
所述第二电子传输层的材料为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉、4，7－二苯基－1，10－邻菲罗啉、4-联苯酚基－二(2-甲基-8-羟基喹啉)合铝、8-羟基喹啉铝、3-(联苯-4-基)-5-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1,2,4-三唑或1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯；
所述电子注入层的材料为Cs2CO3（碳酸铯）、CsF（氟化铯）、CsN3（三氮化铯）、Li2CO3（碳酸锂）、LiF（氟化锂）或Li2O（氧化锂）按照25～35%的掺杂质量比掺杂在4,7-二苯基-1,10-菲罗啉、4，7－二苯基－1，10－邻菲罗啉、4-联苯酚基－二(2-甲基-8-羟基喹啉)合铝、8-羟基喹啉铝、3-(联苯-4-基)-5-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1,2,4-三唑或1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯中形成的混合材料。
在其中一个实施例中，所述阴极层的材料为Ag、Al或Au，厚度为50～200nm。
一种有机电致发光器件的制作方法，包括如下步骤：
在白玻璃板的一侧磁控溅射制备抗反射膜，得到含有单层抗反射膜的抗反射复合层，同时在基底的一侧沉积导电材料制作阳极层，然后将所述基底的另一侧叠设在所述抗反射膜上且与该抗反射膜之间设有出光空隙；
采用磁控溅射的方式，在所述阳极层上制备短路减少层，磁控溅射的材料选用SiGe与In2O3、ZnS、SnO2或SiO2按照质量比1:1混合形成的混合材料；
在所述短路减少层上依次制备第一空穴注入层、第一空穴传输层、第一红光发光层、第一绿光发光层、第一蓝光发光层及第一电子传输层；
在所述第一电子传输层上蒸镀制备电荷产生层，所述电荷产生层的材料为MoO3、V2O5、WO3或ReO3；
在所述电荷产生层上依次制备第二空穴注入层、第二空穴传输层、第二红光发光层、第二蓝光发光层、第二电子传输层及电子注入层；
在所述电子注入层上蒸镀制备阴极层，得到所述有机电致发光器件。
上述有机电致发光器件，通过在出光面下设置抗反射膜，并且在阳极层上设置短路减少层，整个器件的出光效率大大提高。且上述制作方法简便，对设备要求低，可以广泛推广应用。
附图说明
图1为一实施方式的有机电致发光器件的结构示意图。
具体实施方式
下面主要结合附图及具体实施例对有机电致发光器件及其制作方法作进一步详细的说明。
如图1所示，一实施方式的有机电致发光器件100包括依次层叠设置的抗反射复合层110、基底120、阳极层130、短路减少层140、第一有机发光功能层150、电荷产生层160、第二有机发光功能层170及阴极层180。
抗反射复合层110包括白玻璃板112以及位于白玻璃板112一侧的抗反射膜114。抗反射膜114的材料为SiGe，厚度为10～20nm。
基底120设在抗反射膜114上且与该抗反射膜114之间设有出光空隙。基底120的材料为聚氨酯。基底120靠近抗反射复合层114的一侧设有多个均匀分布且与基底120一体成型的凸起122。在本实施方式中，凸起122为半球形，底面直径为5～20μm，相邻凸起122之间间距5～20μm。可以理解，在其他实施方式中，凸起122的形状不限于此，如还可以为方形或圆锥形等。基底120设有凸起122的一侧叠设在抗反射复合层110上，从而二者之间形成间隙，光可以从该间隙射出，同时，由于抗反射膜114的存在，出光效率显著提高。
阳极层130为覆盖在基底120上的厚度100nm的ITO层。
短路减少层140的材料为两种材料按照质量比1:1混合形成的混合材料，其中一种材料是SiGe，另一种材料是In2O3、ZnS、SnO2或SiO2。短路减少层140的厚度为4～10nm。
第一有机发光功能层150包括在短路减少层140上依次层叠设置的第一空穴注入层151、第一空穴传输层152、第一红光发光层153、第一绿光发光层154、第一蓝光发光层155及第一电子传输层156。
第一空穴注入层151的材料为用于掺杂的MoO3、WO3、V2O5或ReO3按照25～35%的掺杂质量比掺杂在N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺、4,4',4''-三（咔唑-9-基）三苯胺、4,4'-二（9-咔唑）联苯、N,N'-二（3-甲基苯基）-N,N'-二苯基-4,4'-联苯二胺或1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷等主体材料中形成的混合材料。其中，掺杂质量比数据表示用于掺杂的材料与主体材料的质量比，以下同理。第一空穴注入层151的厚度为10～15nm。
第一空穴传输层152的材料为N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺、4,4',4''-三（咔唑-9-基）三苯胺、4,4'-二（9-咔唑）联苯、N,N'-二（3-甲基苯基）-N,N'-二苯基-4,4'-联苯二胺或1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷。第一空穴传输层152的厚度为30～50nm。
第一红光发光层153的材料为二（2-甲基-二苯基[f,h]喹喔啉）（乙酰丙酮）合铱、二[2-苯基喹啉基）-N，C2]（乙酰丙酮）合铱（III）、二[N-异丙基-2-(4-氟苯基)苯并咪唑]（乙酰丙酮）合铱（III）、二[2-（2-氟苯基）-1,3-苯并噻唑-N,C2](乙酰丙酮)合铱（III）、二（2-苯并噻吩-2-基-吡啶）（乙酰丙酮）合铱（III）或三（1-苯基-异喹啉）合铱）按照0.5～2%的掺杂质量比掺杂在4,4',4''-三（咔唑-9-基）三苯胺、9,9'-(1,3-苯基)二-9H-咔唑、4,4'-二（9-咔唑）联苯、N,N'-二（3-甲基苯基）-N,N'-二苯基-4,4'-联苯二胺、1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷或9,10-双(1-萘基)蒽）中形成的混合材料。第一红光发光层153的厚度为10～30nm。
第一绿光发光层154的材料为三（2-苯基吡啶）合铱、乙酰丙酮酸二（2-苯基吡啶）铱或三[2-(对甲苯基)吡啶]合铱(III)按照2～10%的掺杂质量比掺杂在4,4',4''-三（咔唑-9-基）三苯胺、9,9'-(1,3-苯基)二-9H-咔唑、4,4'-二（9-咔唑）联苯、N,N'-二（3-甲基苯基）-N,N'-二苯基-4,4'-联苯二胺、1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷或9,10-双(1-萘基)蒽中形成的混合材料。第一绿光发光层154的厚度为10～30nm。
第一蓝光发光层155的材料包括蓝光主体材料、蓝光客体材料及电荷产生材料，蓝光主体材料为4,4'-二（9-咔唑）联苯、9,9'-(1,3-苯基)二-9H-咔唑、9-(4-叔丁苯基)-3,6-双(三苯基硅)-9H-咔唑、2,6-双(3-(9H-咔唑-9-基)苯基)吡啶、3,5-双(3-(9H-咔唑-9-基)苯基)吡啶或1,4--双(三苯基硅)苯，蓝光客体材料为双（4,6-二氟苯基吡啶-N,C2）吡啶甲酰合铱、双（4,6-二氟苯基吡啶）-四（1-吡唑基）硼酸合铱、三（2-（4',6'-二氟-5’-氰基）苯基吡啶-N,C2'）合铱、双(4,6-二氟苯基吡啶)-（3-(三氟甲基)-5-(吡啶-2-基)-1,2,4-三唑）合铱或双(4,6-二氟苯基吡啶)(5-(吡啶-2-基)-四唑)合铱），电荷产生材料为MoO3、V2O5、WO3或ReO3，蓝光主体材料、蓝光客体材料及电荷产生材料的质量比为1:5～20:5～10。第一蓝光发光层155的厚度为5～15nm。
第一电子传输层156的材料为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉、4，7－二苯基－1，10－邻菲罗啉、4-联苯酚基－二(2-甲基-8-羟基喹啉)合铝、8-羟基喹啉铝、3-(联苯-4-基)-5-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1,2,4-三唑或1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯。第一电子传输层156的厚度为10～60nm。
电荷产生层160的材料为MoO3、V2O5、WO3或ReO3，厚度为5～30nm。
第二有机发光功能层170包括在电荷产生层160上依次层叠设置的第二空穴注入层171、第二空穴传输层172、第二红光发光层173、第二蓝光发光层174、第二电子传输层175及电子注入层176。
第二空穴注入层171的材料为MoO3、WO3、V2O5或ReO3按照25～35%的掺杂质量比掺杂在N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺、4,4',4''-三（咔唑-9-基）三苯胺、4,4'-二（9-咔唑）联苯、N,N'-二（3-甲基苯基）-N,N'-二苯基-4,4'-联苯二胺或1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷中形成的混合材料。第二空穴传输层171的厚度为10～15nm。
第二空穴传输层172的材料为N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺、4,4',4''-三（咔唑-9-基）三苯胺、4,4'-二（9-咔唑）联苯、N,N'-二（3-甲基苯基）-N,N'-二苯基-4,4'-联苯二胺或1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷。第二空穴传输层172的厚度为30～50nm。
第二红光发光层173的材料为二（2-甲基-二苯基[f,h]喹喔啉）（乙酰丙酮）合铱、二[2-苯基喹啉基）-N，C2]（乙酰丙酮）合铱（III）、二[N-异丙基-2-(4-氟苯基)苯并咪唑]（乙酰丙酮）合铱（III）、二[2-（2-氟苯基）-1,3-苯并噻唑-N,C2](乙酰丙酮)合铱（III）、二（2-苯并噻吩-2-基-吡啶）（乙酰丙酮）合铱（III）或三（1-苯基-异喹啉）合铱）按照0.5～2%的掺杂质量比掺杂在4,4',4''-三（咔唑-9-基）三苯胺、9,9'-(1,3-苯基)二-9H-咔唑、4,4'-二（9-咔唑）联苯、N,N'-二（3-甲基苯基）-N,N'-二苯基-4,4'-联苯二胺、1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷或9,10-双(1-萘基)蒽）中形成的混合材料。第二红光发光层173的厚度为10～30nm。
第二蓝光发光层174的材料蓝光主体材料、蓝光客体材料及电荷产生材料，所述蓝光主体材料为4,4'-二（9-咔唑）联苯、9,9'-(1,3-苯基)二-9H-咔唑、9-(4-叔丁苯基)-3,6-双(三苯基硅)-9H-咔唑、2,6-双(3-(9H-咔唑-9-基)苯基)吡啶、3,5-双(3-(9H-咔唑-9-基)苯基)吡啶或1,4--双(三苯基硅)苯，所述蓝光客体材料为双（4,6-二氟苯基吡啶-N,C2）吡啶甲酰合铱、双（4,6-二氟苯基吡啶）-四（1-吡唑基）硼酸合铱、三（2-（4',6'-二氟-5’-氰基）苯基吡啶-N,C2'）合铱、双(4,6-二氟苯基吡啶)-（3-(三氟甲基)-5-(吡啶-2-基)-1,2,4-三唑）合铱或双(4,6-二氟苯基吡啶)(5-(吡啶-2-基)-四唑)合铱），所述电荷产生材料为MoO3、V2O5、WO3或ReO3，所述蓝光主体材料、所述蓝光客体材料及所述电荷产生材料的质量比为1:5～20:5～10。第二蓝光发光层的厚度为5～15nm。
第二电子传输层175的材料为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉、4，7－二苯基－1，10－邻菲罗啉、4-联苯酚基－二(2-甲基-8-羟基喹啉)合铝、8-羟基喹啉铝、3-(联苯-4-基)-5-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1,2,4-三唑或1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯。第二电子传输层175的厚度为10～60nm。
电子注入层176的材料为Cs2CO3、CsF、CsN3、Li2CO3、LiF或Li2O按照25～35%的掺杂质量比掺杂在4,7-二苯基-1,10-菲罗啉、4，7－二苯基－1，10－邻菲罗啉、4-联苯酚基－二(2-甲基-8-羟基喹啉)合铝、8-羟基喹啉铝、3-(联苯-4-基)-5-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1,2,4-三唑或1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯中形成的混合材料。电子注入层176的厚度为20～40nm。
阴极层180设在电子注入层176上。阴极层180的材料为Ag、Al或Au，厚度为50～200nm。
该有机电致发光器件100通过在出光面下设置抗反射膜114，并且在阳极层130上设置短路减少层140，整个器件100的出光效率大大提高。
此外，本实施方式还提供了一种有机电致发光器件的制作方法，包括如下步骤：
步骤一：在白玻璃板的一侧磁控溅射制备抗反射膜，得到含有单层抗反射膜的抗反射复合层，同时在基底的一侧沉积导电材料制作阳极层，然后将所述基底的另一侧叠设在所述抗反射膜上且与该抗反射膜之间设有出光空隙。
在本实施方式中，还包括在基底的另一侧进行微图案纹理化制作，并对基底在真空状态进行干燥处理以尽量除去水和空气的步骤。其中，微图案纹理化制作具体是采用半球形治具，在基底的另一侧制作出具有多个均匀分布的半球形凸起。半球形凸起的底面直径为5～20μm，相邻凸起之间间距5～20μm。
步骤二：采用磁控溅射的方式，在阳极层上制备短路减少层，磁控溅射的材料选用SiGe与In2O3、ZnS、SnO2或SiO2按照质量比1:1混合形成的混合材料。
步骤三：在短路减少层上依次制备第一空穴注入层、第一空穴传输层、第一红光发光层、第一绿光发光层、第一蓝光发光层及第一电子传输层。
第一空穴注入层、第一空穴传输层、第一红光发光层、第一绿光发光层、第一蓝光发光层及第一电子传输层的制作主要采用真空蒸镀的方式。
步骤四：在第一电子传输层上真空蒸镀制备电荷产生层，电荷产生层的材料为MoO3、V2O5、WO3或ReO3。
步骤五：在电荷产生层上依次制备第二空穴注入层、第二空穴传输层、第二红光发光层、第二蓝光发光层、第二电子传输层及电子注入层。
第二空穴注入层、第二空穴传输层、第二红光发光层、第二蓝光发光层、第二电子传输层及电子注入层的制作主要采用真空蒸镀的方式。
步骤六：在电子注入层上真空蒸镀制备阴极层，得到有机电致发光器件。
上述制作方法简便，对设备要求低，可以广泛推广应用。
以下为具体实施例部分：
实施例1：
a）选取具有高折射率透明的聚氨酯塑料膜作为高折光指数层。先将厚度100nm的透明ITO阳极沉积在聚氨酯塑料膜的表面，采用半球形治具在塑料膜的另一个表面进行微图案纹理制作，在塑料膜的另一个表面制作底面直径为5μm，间距为5μm的多个均匀分布的半球形凸起。
选取一块白玻璃板，采用真空溅射的方式在白玻璃板一侧溅射一层抗反射膜，抗反射膜的材质为SiGe，本底真空度为1×10-5Pa，厚度20nm。
将塑料膜具有半球形凸起的一侧置于白玻璃板一侧的抗反射膜上，微图案化纹理结构连接到了抗反射膜上，二者之间产生了空隙。将得到的结构在80℃下真空干燥15min，减少剩余的水和气体。
短路减少层的制作：采用磁控溅射的方式在ITO阳极层上制作短路减少层，短路减少层选用SiGe与In2O3按照质量比1:1混合形成的混合材料，本底真空度为1×10－5Pa，厚度10nm。
采用真空蒸镀的方式制备如下各层：
b）第一空穴注入层的制备：将MoO3掺杂入NPB中作为第一空穴注入层，掺杂浓度30wt%（“wt“表示质量浓度，以下同理），厚度12.5nm，真空度5×10-5Pa，蒸发速度
c）第一空穴传输层的制备：材料采用NPB，真空度5×10-5Pa，蒸发速度蒸发厚度40nm。
d）第一红光发光层的制备：主体材料采用TCTA，红色客体材料采用Ir(MDQ)2(acac)；真空度5×10-5Pa，蒸发速度蒸发厚度20nm，红色客体材料与主体材料的质量比为1:100。
e）第一绿光发光层的制备：主体材料采用TCTA，绿色客体材料采用Ir(ppy)3；真空度5×10-5Pa，蒸发速度蒸发厚度20nm，绿色客体材料与主体材料的质量比为6:100。
f）第一蓝光发光层的制备：主体材料采用CBP、蓝色客体材料采用FIrpic、电荷产生材料采用MoO3；真空度5×10-5Pa，蒸发速度蒸发厚度10nm，主体材料、蓝色客体材料及电荷产生材料的质量比为100:12.5:7.5。
g）第一电子传输层的制备：电子传输材料为Bphen，真空度5×10-5Pa，蒸发速度蒸发厚度35nm。
h）电荷产生层的制备：采用双极性电荷产生层MoO3，真空度5×10-5Pa，蒸发速度蒸发厚度17.5nm。
i）第二空穴注入层的制备：将MoO3掺杂入NPB中作为第二空穴注入层，掺杂浓度30wt%，厚度12.5nm，真空度5×10-5Pa，蒸发速度
j）第二空穴传输层的制备：材料采用NPB；真空度5×10-5Pa，蒸发速度蒸发厚度40nm。
k）第二红光发光层的制备：主体材料采用TCTA、红色客体材料采用Ir(MDQ)2(acac)；真空度5×10-5Pa，蒸发速度蒸发厚度20nm，红色客体材料与主体材料的质量比为1:100。
l）第二蓝光发光层的制备：主体材料采用CBP、蓝色客体材料采用FIrpic、电荷产生材料采用MoO3；真空度5×10-5Pa，蒸发速度蒸发厚度10nm，主体材料、蓝色客体材料及电荷产生材料的质量比为100:12.5:7.5。
m）第二电子传输层的制备：材料为Bphen，真空度5×10-5Pa，蒸发速度蒸发厚度35nm。
n）电子注入层的制备：采用n型材料掺杂入电子传输材料中形成电子注入层，n型材料为Cs2CO3，电子传输材料采用Bphen，n型材料在电子传输材料中的掺杂浓度30wt%，真空度5×10-5Pa，蒸发速度蒸发厚度30nm。
o）阴极层的制备：金属阴极采用银（Ag），厚度为125nm，真空度5×10-5Pa，蒸发速度
实施例2：
a）选取具有高折射率透明的聚氨酯塑料膜作为高折光指数层。先将厚度100nm的透明ITO阳极沉积在聚氨酯塑料膜的表面，采用半球形治具在塑料膜的另一个表面进行微图案纹理制作，在塑料膜的另一个表面制作底面直径为10μm，间距为10μm的多个均匀分布的半球形凸起。
选取一块白玻璃板，采用真空溅射的方式在白玻璃板一侧溅射一层抗反射膜，抗反射膜的材质为SiGe，本底真空度为1×10－5Pa，厚度20nm。
将塑料膜具有半球形凸起的一侧置于白玻璃板一侧的抗反射膜上，微图案化纹理结构连接到了抗反射膜上，二者之间产生了空隙。将得到的结构在80℃下真空干燥15min，减少剩余的水和气体。
短路减少层的制作：采用磁控溅射的方式在ITO阳极层上制作短路减少层，短路减少层选用SiGe与ZnS按照质量比1:1混合形成的混合材料，本底真空度为1×10－5Pa，厚度10nm。
采用真空蒸镀的方式制备如下各层：
b）第一空穴注入层的制备：将WO3掺杂入TCTA中作为第一空穴注入层，掺杂浓度25wt%，厚度10nm，真空度5×10-5Pa，蒸发速度
c）第一空穴传输层的制备：材料采用TCTA，真空度5×10-5Pa，蒸发速度蒸发厚度30nm。
d）第一红光发光层的制备：主体材料采用mCP，红色客体材料采用PQIr；真空度5×10-5Pa，蒸发速度蒸发厚度10nm，红色客体材料与主体材料的质量比为0.5:100。
e）第一绿光发光层的制备：主体材料采用mCP，绿色客体材料采用Ir(ppy)2(acac)；真空度5×10-5Pa，蒸发速度蒸发厚度10nm，绿色客体材料与主体材料的质量比为2:100。
f）第一蓝光发光层的制备：主体材料采用mCP、蓝色客体材料采用Fir6、电荷产生材料采用V2O5；真空度5×10-5Pa，蒸发速度蒸发厚度5nm，主体材料、蓝色客体材料及电荷产生材料的质量比为100:5:5。
g）第一电子传输层的制备：电子传输材料为BCP，真空度5×10-5Pa，蒸发速度蒸发厚度10nm。
h）电荷产生层的制备：采用双极性电荷产生层V2O5，真空度5×10-5Pa，蒸发速度蒸发厚度5nm。
i）第二空穴注入层的制备：将WO3掺杂入TCTA中作为第二空穴注入层，掺杂浓度25wt%，厚度10nm，真空度5×10-5Pa，蒸发速度
j）第二空穴传输层的制备：材料采用TCTA；真空度5×10-5Pa，蒸发速度蒸发厚度30nm。
k）第二红光发光层的制备：主体材料采用mCP、红色客体材料采用PQIr；真空度5×10-5Pa，蒸发速度蒸发厚度10nm，红色客体材料与主体材料的质量比为0.5:100。
l）第二蓝光发光层的制备：主体材料采用mCP、蓝色客体材料采用Fir6、电荷产生材料采用V2O5；真空度5×10-5Pa，蒸发速度蒸发厚度5nm，主体材料、蓝色客体材料及电荷产生材料的质量比为100:5:5。
m）第二电子传输层的制备：材料为BCP，真空度5×10-5Pa，蒸发速度蒸发厚度10nm。
n）电子注入层的制备：采用n型材料掺杂入电子传输材料中形成电子注入层，n型材料为CsF，电子传输材料采用BCP，n型材料在电子传输材料中的掺杂浓度25wt%，真空度5×10-5Pa，蒸发速度蒸发厚度20nm。
o）阴极层的制备：金属阴极采用银（Al），厚度为50nm，真空度5×10-5Pa，蒸发速度
实施例3：
a）选取具有高折射率透明的聚氨酯塑料膜作为高折光指数层。先将厚度100nm的透明ITO阳极沉积在聚氨酯塑料膜的表面，采用半球形治具在塑料膜的另一个表面进行微图案纹理制作，在塑料膜的另一个表面制作底面直径为15μm，间距为15μm的多个均匀分布的半球形凸起。
选取一块白玻璃板，采用真空溅射的方式在白玻璃板一侧溅射一层抗反射膜，抗反射膜的材质为SiGe，本底真空度为1×10－5Pa，厚度20nm。
将塑料膜具有半球形凸起的一侧置于白玻璃板一侧的抗反射膜上，微图案化纹理结构连接到了抗反射膜上，二者之间产生了空隙。将得到的结构在80℃下真空干燥15min，减少剩余的水和气体。
短路减少层的制作：采用磁控溅射的方式在ITO阳极层上制作短路减少层，短路减少层选用SiGe与SnO2按照质量比1:1混合形成的混合材料，本底真空度为1×10－5Pa，厚度10nm。
采用真空蒸镀的方式制备如下各层：
b）第一空穴注入层的制备：将V2O5掺杂入CBP中作为第一空穴注入层，掺杂浓度35wt%，厚度15nm，真空度5×10-5Pa，蒸发速度
c）第一空穴传输层的制备：材料采用CBP，真空度5×10-5Pa，蒸发速度蒸发厚度50nm。
d）第一红光发光层的制备：主体材料采用CBP，红色客体材料采用(fbi)2Ir(acac)；真空度5×10-5Pa，蒸发速度蒸发厚度30nm，红色客体材料与主体材料的质量比为2:100。
e）第一绿光发光层的制备：主体材料采用CBP，绿色客体材料采用Ir(mppy)3；真空度5×10-5Pa，蒸发速度蒸发厚度30nm，绿色客体材料与主体材料的质量比为10:100。
f）第一蓝光发光层的制备：主体材料采用CzSi、蓝色客体材料采用FCNIr、电荷产生材料采用WO3；真空度5×10-5Pa，蒸发速度蒸发厚度15nm，主体材料、蓝色客体材料及电荷产生材料的质量比为100:20:10。
g）第一电子传输层的制备：电子传输材料为BAlq，真空度5×10-5Pa，蒸发速度蒸发厚度60nm。
h）电荷产生层的制备：采用双极性电荷产生层WO3，真空度5×10-5Pa，蒸发速度蒸发厚度30nm。
i）第二空穴注入层的制备：将V2O5掺杂入CBP中作为第二空穴注入层，掺杂浓度35wt%，厚度15nm，真空度5×10-5Pa，蒸发速度
j）第二空穴传输层的制备：材料采用CBP；真空度5×10-5Pa，蒸发速度蒸发厚度50nm。
k）第二红光发光层的制备：主体材料采用CBP，红色客体材料采用(fbi)2Ir(acac)；真空度5×10-5Pa，蒸发速度蒸发厚度30nm，红色客体材料与主体材料的质量比为2:100。
l）第二蓝光发光层的制备：主体材料采用CzSi、蓝色客体材料采用FCNIr、电荷产生材料采用WO3；真空度5×10-5Pa，蒸发速度蒸发厚度15nm，主体材料、蓝色客体材料及电荷产生材料的质量比为100:20:10。
m）第二电子传输层的制备：材料为BAlq，真空度5×10-5Pa，蒸发速度蒸发厚度60nm。
n）电子注入层的制备：采用n型材料掺杂入电子传输材料中形成电子注入层，n型材料为CsN3，电子传输材料采用BAlq，n型材料在电子传输材料中的掺杂浓度35wt%，真空度5×10-5Pa，蒸发速度蒸发厚度40nm。
o）阴极层的制备：金属阴极采用银（Au），厚度为200nm，真空度5×10-5Pa，蒸发速度
实施例4：
a）选取具有高折射率透明的聚氨酯塑料膜作为高折光指数层。先将厚度100nm的透明ITO阳极沉积在聚氨酯塑料膜的表面，采用半球形治具在塑料膜的另一个表面进行微图案纹理制作，在塑料膜的另一个表面制作底面直径为20μm，间距为20μm的多个均匀分布的半球形凸起。
选取一块白玻璃板，采用真空溅射的方式在白玻璃板一侧溅射一层抗反射膜，抗反射膜的材质为SiGe，本底真空度为1×10－4Pa，厚度15nm。
将塑料膜具有半球形凸起的一侧置于白玻璃板一侧的抗反射膜上，微图案化纹理结构连接到了抗反射膜上，二者之间产生了空隙。将得到的结构在80℃下真空干燥15min，减少剩余的水和气体。
短路减少层的制作：采用磁控溅射的方式在ITO阳极层上制作短路减少层，短路减少层选用SiGe与SiO2按照质量比1:1混合形成的混合材料，本底真空度为1×10－4Pa，厚度6nm。
采用真空蒸镀的方式制备如下各层：
b）第一空穴注入层的制备：将ReO3掺杂入TPD中作为第一空穴注入层，掺杂浓度30wt%，厚度13nm，真空度5×10-5Pa，蒸发速度
c）第一空穴传输层的制备：材料采用TPD，真空度5×10-5Pa，蒸发速度蒸发厚度40nm。
d）第一红光发光层的制备：主体材料采用TPD，红色客体材料采用(F-BT)2Ir(acac)；真空度5×10-5Pa，蒸发速度蒸发厚度20nm，红色客体材料与主体材料的质量比为1:100。
e）第一绿光发光层的制备：主体材料采用TPD，绿色客体材料采用Ir(ppy)3；真空度5×10-5Pa，蒸发速度蒸发厚度20nm，绿色客体材料与主体材料的质量比为5:100。
f）第一蓝光发光层的制备：主体材料采用26DCzPPY、蓝色客体材料采用FIrtaz、电荷产生材料采用ReO3；真空度5×10-5Pa，蒸发速度蒸发厚度10nm，主体材料、蓝色客体材料及电荷产生材料的质量比为100:12:7。
g）第一电子传输层的制备：电子传输材料为Alq3，真空度5×10-5Pa，蒸发速度蒸发厚度40nm。
h）电荷产生层的制备：采用双极性电荷产生层ReO3，真空度5×10-5Pa，蒸发速度蒸发厚度20nm。
i）第二空穴注入层的制备：将ReO3掺杂入TPD中作为第二空穴注入层，掺杂浓度30wt%，厚度12nm，真空度5×10-5Pa，蒸发速度
j）第二空穴传输层的制备：材料采用TPD，真空度5×10-5Pa，蒸发速度蒸发厚度40nm。
k）第二红光发光层的制备：主体材料采用TPD，红色客体材料采用(F-BT)2Ir(acac)；真空度5×10-5Pa，蒸发速度蒸发厚度20nm，红色客体材料与主体材料的质量比为1:100。
l）第二蓝光发光层的制备：主体材料采用26DCzPPY、蓝色客体材料采用FIrtaz、电荷产生材料采用ReO3；真空度5×10-5Pa，蒸发速度蒸发厚度10nm，主体材料、蓝色客体材料及电荷产生材料的质量比为100:12:7。
m）第二电子传输层的制备：电子传输材料为Alq3，真空度5×10-5Pa，蒸发速度蒸发厚度30nm。
n）电子注入层的制备：采用n型材料掺杂入电子传输材料中形成电子注入层，n型材料为Li2CO3，电子传输材料采用Alq3，n型材料在电子传输材料中的掺杂浓度30wt%，真空度5×10-5Pa，蒸发速度蒸发厚度30nm。
o）阴极层的制备：金属阴极采用银（Ag），厚度为100nm，真空度5×10-5Pa，蒸发速度
实施例5：
a）选取具有高折射率透明的聚氨酯塑料膜作为高折光指数层。先将厚度100nm的透明ITO阳极沉积在聚氨酯塑料膜的表面，采用半球形治具在塑料膜的另一个表面进行微图案纹理制作，在塑料膜的另一个表面制作底面直径为11μm，间距为11μm的多个均匀分布的半球形凸起。
选取一块白玻璃板，采用真空溅射的方式在白玻璃板一侧溅射一层抗反射膜，抗反射膜的材质为SiGe，本底真空度为1×10－5Pa，厚度15nm。
将塑料膜具有半球形凸起的一侧置于白玻璃板一侧的抗反射膜上，微图案化纹理结构连接到了抗反射膜上，二者之间产生了空隙。将得到的结构在80℃下真空干燥15min，减少剩余的水和气体。
短路减少层的制作：采用磁控溅射的方式在ITO阳极层上制作短路减少层，短路减少层选用SiGe与In2O3按照质量比1:1混合形成的混合材料，本底真空度为1×10－4Pa，厚度6nm。
采用真空蒸镀的方式制备如下各层：
b）第一空穴注入层的制备：将MoO3掺杂入TAPC中作为第一空穴注入层，掺杂浓度25wt%，厚度10nm，真空度5×10-5Pa，蒸发速度
c）第一空穴传输层的制备：材料采用TAPC，真空度5×10-5Pa，蒸发速度蒸发厚度40nm。
d）第一红光发光层的制备：主体材料采用TAPC，红色客体材料采用Ir(btp)2(acac)；真空度5×10-5Pa，蒸发速度蒸发厚度20nm，红色客体材料与主体材料的质量比为1:100。
e）第一绿光发光层的制备：主体材料采用TAPC，绿色客体材料采用Ir(ppy)2(acac)；真空度5×10-5Pa，蒸发速度蒸发厚度20nm，绿色客体材料与主体材料的质量比为7:100。
f）第一蓝光发光层的制备：主体材料采用35DCzPPY、蓝色客体材料采用FIrN4、电荷产生材料采用MoO3；真空度5×10-5Pa，蒸发速度蒸发厚度10nm，主体材料、蓝色客体材料及电荷产生材料的质量比为100:12:7。
g）第一电子传输层的制备：电子传输材料为TAZ，真空度5×10-5Pa，蒸发速度蒸发厚度40nm。
h）电荷产生层的制备：采用双极性电荷产生层MoO3，真空度5×10-5Pa，蒸发速度蒸发厚度20nm。
i）第二空穴注入层的制备：将MoO3掺杂入TAPC中作为第二空穴注入层，掺杂浓度28wt%，厚度13nm，真空度5×10-5Pa，蒸发速度
j）第二空穴传输层的制备：材料采用TAPC，真空度5×10-5Pa，蒸发速度蒸发厚度40nm。
k）第二红光发光层的制备：主体材料采用TAPC，红色客体材料采用Ir(btp)2(acac)；真空度5×10-5Pa，蒸发速度蒸发厚度20nm，红色客体材料与主体材料的质量比为1:100。
l）第二蓝光发光层的制备：主体材料采用35DCzPPY、蓝色客体材料采用FIrN4、电荷产生材料采用MoO3；真空度5×10-5Pa，蒸发速度蒸发厚度10nm，主体材料、蓝色客体材料及电荷产生材料的质量比为100:12:7。
m）第二电子传输层的制备：电子传输材料为TAZ，真空度5×10-5Pa，蒸发速度蒸发厚度50nm。
n）电子注入层的制备：采用n型材料掺杂入电子传输材料中形成电子注入层，n型材料为LiF，电子传输材料采用TAZ，n型材料在电子传输材料中的掺杂浓度30wt%，真空度5×10-5Pa，蒸发速度蒸发厚度30nm。
o）阴极层的制备：金属阴极采用银（Al），厚度为100nm，真空度5×10-5Pa，蒸发速度
实施例6：
a）选取具有高折射率透明的聚氨酯塑料膜作为高折光指数层。先将厚度100nm的透明ITO阳极沉积在聚氨酯塑料膜的表面，采用半球形治具在塑料膜的另一个表面进行微图案纹理制作，在塑料膜的另一个表面制作底面直径为18μm，间距为18μm的多个均匀分布的半球形凸起。
选取一块白玻璃板，采用真空溅射的方式在白玻璃板一侧溅射一层抗反射膜，抗反射膜的材质为SiGe，本底真空度为1×10－3Pa，厚度10nm。
将塑料膜具有半球形凸起的一侧置于白玻璃板一侧的抗反射膜上，微图案化纹理结构连接到了抗反射膜上，二者之间产生了空隙。将得到的结构在80℃下真空干燥15min，减少剩余的水和气体。
短路减少层的制作：采用磁控溅射的方式在ITO阳极层上制作短路减少层，短路减少层选用SiGe与ZnS按照质量比1:1混合形成的混合材料，本底真空度为1×10－3Pa，厚度4nm。
采用真空蒸镀的方式制备如下各层：
b）第一空穴注入层的制备：将WO3掺杂入NPB中作为第一空穴注入层，掺杂浓度30wt%，厚度12nm，真空度5×10-5Pa，蒸发速度
c）第一空穴传输层的制备：材料采用NPB，真空度5×10-5Pa，蒸发速度蒸发厚度40nm。
d）第一红光发光层的制备：主体材料采用ADN，红色客体材料采用Ir(piq)3；真空度5×10-5Pa，蒸发速度蒸发厚度20nm，红色客体材料与主体材料的质量比为1:100。
e）第一绿光发光层的制备：主体材料采用ADN，绿色客体材料采用Ir(mppy)3；真空度5×10-5Pa，蒸发速度蒸发厚度20nm，绿色客体材料与主体材料的质量比为6:100。
f）第一蓝光发光层的制备：主体材料采用UGH2、蓝色客体材料采用FIrpic、电荷产生材料采用V2O5；真空度5×10-5Pa，蒸发速度蒸发厚度10nm，主体材料、蓝色客体材料及电荷产生材料的质量比为100:12:7。
g）第一电子传输层的制备：电子传输材料为TPBI，真空度5×10-5Pa，蒸发速度蒸发厚度40nm。
h）电荷产生层的制备：采用双极性电荷产生层V2O5，真空度5×10-5Pa，蒸发速度蒸发厚度20nm。
i）第二空穴注入层的制备：将WO3掺杂入NPB中作为第二空穴注入层，掺杂浓度30wt%，厚度12nm，真空度5×10-5Pa，蒸发速度
j）第二空穴传输层的制备：材料采用NPB，真空度5×10-5Pa，蒸发速度蒸发厚度40nm。
k）第二红光发光层的制备：主体材料采用ADN，红色客体材料采用Ir(piq)3；真空度5×10-5Pa，蒸发速度蒸发厚度20nm，红色客体材料与主体材料的质量比为1:100。
l）第二蓝光发光层的制备：主体材料采用UGH2、蓝色客体材料采用FIrpic、电荷产生材料采用V2O5；真空度5×10-5Pa，蒸发速度蒸发厚度10nm，主体材料、蓝色客体材料及电荷产生材料的质量比为100:12:7。
m）第二电子传输层的制备：电子传输材料为TPBI，真空度5×10-5Pa，蒸发速度蒸发厚度30nm。
n）电子注入层的制备：采用n型材料掺杂入电子传输材料中形成电子注入层，n型材料为Li2O，电子传输材料采用TPBI，n型材料在电子传输材料中的掺杂浓度30wt%，真空度5×10-5Pa，蒸发速度蒸发厚度30nm。
o）阴极层的制备：金属阴极采用银（Al），厚度为100nm，真空度5×10-5Pa，蒸发速度
表2为实施例1-6制作的有机电致发光器件的流明效率测试结果，具体如下：
表2
从表2数据可以看出，实施例1-6制作的有机电致发光器件由于采用抗反射膜和短路减少层，整个器件的流明效率显著提高。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种有机电致发光器件，其特征在于，包括依次层叠设置的抗反射复合层、基底、阳极层、短路减少层、第一有机发光功能层、电荷产生层、第二有机发光功能层及阴极层；其中，所述抗反射复合层包括白玻璃板以及位于所述白玻璃板一侧的抗反射膜，所述基底设在所述抗反射膜上且与该抗反射膜之间设有出光空隙；所述短路减少层的材料为SiGe与In2O3、ZnS、SnO2或SiO2按照质量比1:1混合形成的混合材料；所述第一有机发光功能层包括在所述短路减少层上依次层叠设置的第一空穴注入层、第一空穴传输层、第一红光发光层、第一绿光发光层、第一蓝光发光层及第一电子传输层；所述第二有机发光功能层包括在所述电荷产生层上依次层叠设置的第二空穴注入层、第二空穴传输层、第二红光发光层、第二蓝光发光层、第二电子传输层及电子注入层，所述阴极层设在所述电子注入层上。
2.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述抗反射膜的材料为SiGe，厚度为10～20nm。
3.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述基底的材料为聚氨酯，所述基底靠近所述抗反射复合层的一侧设有多个均匀分布且与所述基底一体成型的凸起。
4.如权利要求3所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述凸起为半球形，底面直径为5～20μm，相邻凸起之间间距5～20μm。
5.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述阳极层为厚度100nm的ITO层。
6.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述第一空穴注入层的材料为MoO3、WO3、V2O5或ReO3按照25～35%的掺杂质量比掺杂在N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺、4,4',4''-三（咔唑-9-基）三苯胺、4,4'-二（9-咔唑）联苯、N,N'-二（3-甲基苯基）-N,N'-二苯基-4,4'-联苯二胺或1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷中形成的混合材料；
所述第一空穴传输层的材料为N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺、4,4',4''-三（咔唑-9-基）三苯胺、4,4'-二（9-咔唑）联苯、N,N'-二（3-甲基苯基）-N,N'-二苯基-4,4'-联苯二胺或1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷；
所述第一红光发光层的材料为二（2-甲基-二苯基[f,h]喹喔啉）（乙酰丙酮）合铱、二[2-苯基喹啉基）-N，C2]（乙酰丙酮）合铱（III）、二[N-异丙基-2-(4-氟苯基)苯并咪唑]（乙酰丙酮）合铱（III）、二[2-（2-氟苯基）-1,3-苯并噻唑-N,C2](乙酰丙酮)合铱（III）、二（2-苯并噻吩-2-基-吡啶）（乙酰丙酮）合铱（III）或三（1-苯基-异喹啉）合铱）按照0.5～2%的掺杂质量比掺杂在4,4',4''-三（咔唑-9-基）三苯胺、9,9'-(1,3-苯基)二-9H-咔唑、4,4'-二（9-咔唑）联苯、N,N'-二（3-甲基苯基）-N,N'-二苯基-4,4'-联苯二胺、1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷或9,10-双(1-萘基)蒽）中形成的混合材料；
所述第一绿光发光层的材料为三（2-苯基吡啶）合铱、乙酰丙酮酸二（2-苯基吡啶）铱或三[2-(对甲苯基)吡啶]合铱(III)按照2～10%的掺杂质量比掺杂在4,4',4''-三（咔唑-9-基）三苯胺、9,9'-(1,3-苯基)二-9H-咔唑、4,4'-二（9-咔唑）联苯、N,N'-二（3-甲基苯基）-N,N'-二苯基-4,4'-联苯二胺、1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷或9,10-双(1-萘基)蒽中形成的混合材料；
所述第一蓝光发光层的材料包括蓝光主体材料、蓝光客体材料及电荷产生材料，所述蓝光主体材料为4,4'-二（9-咔唑）联苯、9,9'-(1,3-苯基)二-9H-咔唑、9-(4-叔丁苯基)-3,6-双(三苯基硅)-9H-咔唑、2,6-双(3-(9H-咔唑-9-基)苯基)吡啶、3,5-双(3-(9H-咔唑-9-基)苯基)吡啶或1,4--双(三苯基硅)苯，所述蓝光客体材料为双（4,6-二氟苯基吡啶-N,C2）吡啶甲酰合铱、双（4,6-二氟苯基吡啶）-四（1-吡唑基）硼酸合铱、三（2-（4',6'-二氟-5’-氰基）苯基吡啶-N,C2'）合铱、双(4,6-二氟苯基吡啶)-（3-(三氟甲基)-5-(吡啶-2-基)-1,2,4-三唑）合铱或双(4,6-二氟苯基吡啶)(5-(吡啶-2-基)-四唑)合铱），所述电荷产生材料为MoO3、V2O5、WO3或ReO3，所述蓝光主体材料、所述蓝光客体材料及所述电荷产生材料的质量比为1:5～20:5～10；
所述第一电子传输层的材料为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉、4，7－二苯基－1，10－邻菲罗啉、4-联苯酚基－二(2-甲基-8-羟基喹啉)合铝、8-羟基喹啉铝、3-(联苯-4-基)-5-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1,2,4-三唑或1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯。
7.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述电荷产生层的材料为MoO3、V2O5、WO3或ReO3，厚度为5～30nm。
8.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述第二空穴注入层的材料为MoO3、WO3、V2O5或ReO3按照25～35%的掺杂质量比掺杂在N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺、4,4',4''-三（咔唑-9-基）三苯胺、4,4'-二（9-咔唑）联苯、N,N'-二（3-甲基苯基）-N,N'-二苯基-4,4'-联苯二胺或1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷中形成的混合材料；
所述第二空穴传输层的材料为N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺、4,4',4''-三（咔唑-9-基）三苯胺、4,4'-二（9-咔唑）联苯、N,N'-二（3-甲基苯基）-N,N'-二苯基-4,4'-联苯二胺或1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷；
所述第二红光发光层的材料为二（2-甲基-二苯基[f,h]喹喔啉）（乙酰丙酮）合铱、二[2-苯基喹啉基）-N，C2]（乙酰丙酮）合铱（III）、二[N-异丙基-2-(4-氟苯基)苯并咪唑]（乙酰丙酮）合铱（III）、二[2-（2-氟苯基）-1,3-苯并噻唑-N,C2](乙酰丙酮)合铱（III）、二（2-苯并噻吩-2-基-吡啶）（乙酰丙酮）合铱（III）或三（1-苯基-异喹啉）合铱）按照0.5～2%的掺杂质量比掺杂在4,4',4''-三（咔唑-9-基）三苯胺、9,9'-(1,3-苯基)二-9H-咔唑、4,4'-二（9-咔唑）联苯、N,N'-二（3-甲基苯基）-N,N'-二苯基-4,4'-联苯二胺、1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷或9,10-双(1-萘基)蒽）中形成的混合材料；
所述第二蓝光发光层的材料蓝光主体材料、蓝光客体材料及电荷产生材料，所述蓝光主体材料为4,4'-二（9-咔唑）联苯、9,9'-(1,3-苯基)二-9H-咔唑、9-(4-叔丁苯基)-3,6-双(三苯基硅)-9H-咔唑、2,6-双(3-(9H-咔唑-9-基)苯基)吡啶、3,5-双(3-(9H-咔唑-9-基)苯基)吡啶或1,4--双(三苯基硅)苯，所述蓝光客体材料为双（4,6-二氟苯基吡啶-N,C2）吡啶甲酰合铱、双（4,6-二氟苯基吡啶）-四（1-吡唑基）硼酸合铱、三（2-（4',6'-二氟-5’-氰基）苯基吡啶-N,C2'）合铱、双(4,6-二氟苯基吡啶)-（3-(三氟甲基)-5-(吡啶-2-基)-1,2,4-三唑）合铱或双(4,6-二氟苯基吡啶)(5-(吡啶-2-基)-四唑)合铱），所述电荷产生材料为MoO3、V2O5、WO3或ReO3，所述蓝光主体材料、所述蓝光客体材料及所述电荷产生材料的质量比为1:5～20:5～10；
所述第二电子传输层的材料为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉、4，7－二苯基－1，10－邻菲罗啉、4-联苯酚基－二(2-甲基-8-羟基喹啉)合铝、8-羟基喹啉铝、3-(联苯-4-基)-5-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1,2,4-三唑或1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯；
所述电子注入层的材料为Cs2CO3、CsF、CsN3、Li2CO3、LiF或Li2O按照25～35%的掺杂质量比掺杂在4,7-二苯基-1,10-菲罗啉、4，7－二苯基－1，10－邻菲罗啉、4-联苯酚基－二(2-甲基-8-羟基喹啉)合铝、8-羟基喹啉铝、3-(联苯-4-基)-5-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1,2,4-三唑或1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯中形成的混合材料。
9.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述阴极层的材料为Ag、Al或Au，厚度为50～200nm。
10.一种有机电致发光器件的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：
在白玻璃板的一侧磁控溅射制备抗反射膜，得到含有单层抗反射膜的抗反射复合层，同时在基底的一侧沉积导电材料制作阳极层，然后将所述基底的另一侧叠设在所述抗反射膜上且与该抗反射膜之间设有出光空隙；
采用磁控溅射的方式，在所述阳极层上制备短路减少层，磁控溅射的材料选用SiGe与In2O3、ZnS、SnO2或SiO2按照质量比1:1混合形成的混合材料；
在所述短路减少层上依次制备第一空穴注入层、第一空穴传输层、第一红光发光层、第一绿光发光层、第一蓝光发光层及第一电子传输层；
在所述第一电子传输层上蒸镀制备电荷产生层，所述电荷产生层的材料为MoO3、V2O5、WO3或ReO3；
在所述电荷产生层上依次制备第二空穴注入层、第二空穴传输层、第二红光发光层、第二蓝光发光层、第二电子传输层及电子注入层；
在所述电子注入层上蒸镀制备阴极层，得到所述有机电致发光器件。
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