CN104170064B - 无应力电化学抛光用喷嘴 - Google Patents

无应力电化学抛光用喷嘴 Download PDF

Info

Publication number
CN104170064B
CN104170064B CN201280071560.5A CN201280071560A CN104170064B CN 104170064 B CN104170064 B CN 104170064B CN 201280071560 A CN201280071560 A CN 201280071560A CN 104170064 B CN104170064 B CN 104170064B
Authority
CN
China
Prior art keywords
insulating base
conductive bodies
insulation
nozzle head
conduit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201280071560.5A
Other languages
English (en)
Other versions
CN104170064A (zh
Inventor
王坚
金诺
金一诺
王晖
Original Assignee
ACM (SHANGHAI) Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ACM (SHANGHAI) Inc filed Critical ACM (SHANGHAI) Inc
Publication of CN104170064A publication Critical patent/CN104170064A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN104170064B publication Critical patent/CN104170064B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24CABRASIVE OR RELATED BLASTING WITH PARTICULATE MATERIAL
    • B24C5/00Devices or accessories for generating abrasive blasts
    • B24C5/02Blast guns, e.g. for generating high velocity abrasive fluid jets for cutting materials
    • B24C5/04Nozzles therefor
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25FPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC REMOVAL OF MATERIALS FROM OBJECTS; APPARATUS THEREFOR
    • C25F3/00Electrolytic etching or polishing
    • C25F3/16Polishing
    • C25F3/30Polishing of semiconducting materials
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25FPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC REMOVAL OF MATERIALS FROM OBJECTS; APPARATUS THEREFOR
    • C25F7/00Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic removal of material from objects; Servicing or operating

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Electrical Discharge Machining, Electrochemical Machining, And Combined Machining (AREA)
  • Weting (AREA)

Abstract

本发明揭示了一种无应力电化学抛光用喷嘴,包括:绝缘基座、导电主体及绝缘喷嘴头。绝缘基座开设有贯穿绝缘基座的穿孔。导电主体作为阴极与电源连接以使电解液带电荷,导电主体具有固定于绝缘基座的固定部,固定部向下延伸形成接收部,接收部插入绝缘基座的穿孔,接收部具有收容腔,收容腔贯穿接收部及与接收部相对应的固定部。绝缘喷嘴头具有盖板及贯穿盖板的导管,盖板固定于绝缘基座并位于导电主体的上方,导管具有主流体通道,导管收容于导电主体的收容腔并伸出于收容腔外,导管的外壁与接收部的内壁之间形成有辅助流体通道。本发明中,导管能够阻止附着在导电主体上的气泡进入主流体通道,导电主体上的气泡随着电解液经由辅助流体通道输出并被绝缘喷嘴头的盖板阻挡,从而使得气泡不会随着电解液供应至晶圆表面,进而提高了晶圆表面抛光光洁度。

Description

无应力电化学抛光用喷嘴
技术领域
本发明涉及半导体器件制造装置,尤其涉及一种无应力电化学抛光用喷嘴。
背景技术
半导体器件被广泛应用于电子等行业,半导体器件是在半导体晶圆上使用多个不同的处理步骤进行制造和生产,从而制造晶体管和互连元件。在形成互连元件的过程中,半导体晶圆可能经过例如多次掩膜、刻蚀、镀铜和抛光等工艺处理。
目前,在抛光工艺中,多采用化学机械研磨(CMP)去除晶圆上多余的铜膜。化学机械研磨装置包括转台、布置于转台上的研磨垫、夹持晶圆的研磨头及研磨液供应管道。研磨时,一下压力作用于研磨头,从而使晶圆的待抛光面与研磨垫接触,研磨头带动晶圆旋转,晶圆的待抛光面与研磨垫之间有研磨液供应管道提供的研磨液,通过使晶圆相对研磨垫旋转,从而将晶圆上多余的铜膜去除。然而,为了进一步缩小半导体器件的特征尺寸,低K电介质材料或空气隙应用于半导体器件中,低K电介质材料或空气隙具有较弱的机械特性,化学机械研磨过程中作用于研磨头的下压力将会造成低K电介质材料的损坏,进而降低半导体器件的良率。
为了解决化学机械研磨存在的技术弊端,无应力抛光技术作为新一代生产技术逐渐受到重视,无应力抛光技术基于电化学抛光原理能够无机械应力的去除晶圆上多余的铜膜,而不会对晶圆上的低K电介质层造成损害,从而提高了半导体器件的制造良率,攻克了制造具有微小特征尺寸的半导体器件的技术瓶颈。无应力抛光装置包括机械运动及控制装置、电解液输送装置及电力供应及控制装置。在无应力抛光工艺中,化学液作为电解液通过喷嘴喷射至晶圆的铜膜上,化学液与铜膜发生化学反应,从而将晶圆上多余的铜膜无应力去除。
普通的喷嘴在使用过程中存在一个较为严重的缺点,即当喷嘴作为电极用于抛光晶圆时,喷嘴中很容易产生气泡,气泡随着电解液被喷射至晶圆上,导致晶圆表面抛光光洁度降低,且使晶圆表面产生缺陷,如图6所示,图6为采用普通喷嘴抛光晶圆后晶圆表面的局部放大图,从图6可以看出,无应力抛光后晶圆表面出现两个凹穴,这两个凹穴的出现是由于气泡导致。参阅图7,图7中示出了一个较大的波峰和一个较大的波谷,较大的波峰代表晶圆上被气泡覆盖的区域,较大的波谷代表晶圆上具有凹穴的区域。在无应力抛光过程中,气泡阻止电解液直接接触晶圆表面,从而使得晶圆上被气泡覆盖的区域无法被抛光,与此同时,被气泡覆盖的区域处的电荷无法被消耗从而转移至与气泡覆盖的区域相邻的区域,导致该相邻区域处被过度抛光,从而形成如图6所示的凹穴,凹穴对半导体器件的特性造成了不利影响。
此外,使用普通喷嘴无法控制电解液在晶圆表面分布的范围和形状,从而无法精确控制铜膜的去除速率和去除均匀性,也无法满足抛光工艺的不同需求。
发明内容
本发明的目的是提供一种能够提高晶圆表面抛光光洁度的无应力电化学抛光用喷嘴。
为实现上述目的,本发明提出的无应力电化学抛光用喷嘴,包括:绝缘基座、导电主体及绝缘喷嘴头。绝缘基座开设有贯穿绝缘基座的穿孔。导电主体作为阴极与电源连接以使电解液带电荷,导电主体具有固定于绝缘基座的固定部,固定部向下延伸形成接收部,接收部插入绝缘基座的穿孔,接收部具有收容腔,收容腔贯穿接收部及与接收部相对应的固定部。绝缘喷嘴头具有盖板及贯穿盖板的导管,盖板固定于绝缘基座并位于导电主体的上方,导管具有主流体通道,导管收容于导电主体的收容腔并伸出于收容腔外,导管的外壁与接收部的内壁之间形成有辅助流体通道。
在一个实施例中,绝缘基座具有至少一个贯穿绝缘基座的连接孔,导电主体的固定部具有至少一个第二螺孔,至少一个导电螺丝插入导电主体的第二螺孔及绝缘基座的连接孔中,至少一个导电弹簧销从绝缘基座的连接孔的底部插入连接孔中,导电弹簧销的顶端与导电螺丝的底端连接,导电弹簧销的底端与电源连接以向导电主体提供电流。
在一个实施例中,无应力电化学抛光用喷嘴进一步包括至少一个绝缘密封圈,绝缘密封圈设置于绝缘基座的连接孔的底部。
在一个实施例中,无应力电化学抛光用喷嘴进一步包括至少一个绝缘保护套,绝缘保护套设置于绝缘基座的连接孔内,绝缘保护套包裹着导电弹簧销。
在一个实施例中,绝缘基座包括基部,基部向上凸起形成容纳部,所述穿孔及连接孔分别贯穿基部及容纳部。
在一个实施例中,容纳部的顶表面设有数个中空的锁扣部,数个中空的锁扣部环绕穿孔布置,导电主体的固定部开设有数个固定孔,中空的锁扣部分别穿过固定孔以将导电主体固定安装在绝缘基座上。
在一个实施例中,绝缘喷嘴头的盖板开设有第一螺孔,绝缘螺丝插入绝缘喷嘴头的第一螺孔及绝缘基座的中空的锁扣部内以将绝缘喷嘴头固定安装于绝缘基座上。
在一个实施例中,带电荷的电解液由导管隔离成两路支流,一路支流通过主流体通道后从导管的喷射口喷出至晶圆表面,另一路支流通过辅助流体通道后,在绝缘喷嘴头的盖板的阻挡下,该路支流不会被喷射至晶圆表面。
在一个实施例中,绝缘喷嘴头的导管的顶端口定义为喷射口,电解液从该喷射口喷出至晶圆表面,导管的喷射口为圆形、三角形、方形、六边形或八边形。
在一个实施例中,绝缘喷嘴头的材料为聚丙烯(PP)、聚乙烯(PE)或聚对苯二甲酸乙二酯(PET)。
在一个实施例中,导电主体由导电性能良好的材料制成,该材料不被电解液腐蚀也不会与电解液发生化学反应。导电主体的材料为不锈钢或铝合金。
综上所述,本发明通过使绝缘喷嘴头的导管伸出于导电主体的收容腔外,因此,导管能够阻止附着在导电主体上的气泡进入主流体通道,附着在导电主体上的气泡随着电解液经由辅助流体通道输出并被绝缘喷嘴头的盖板阻挡,从而使得气泡不会随着电解液供应至晶圆表面,进而提高了晶圆表面抛光光洁度。
附图说明
图1揭示了根据本发明一实施例的喷嘴的立体图。
图2揭示了根据本发明一实施例的喷嘴的爆炸图。
图3揭示了根据本发明一实施例的喷嘴的前视图。
图4揭示了根据本发明一实施例的喷嘴的底视图。
图5揭示了根据本发明一实施例的喷嘴的剖视图。
图6是使用普通喷嘴抛光晶圆后晶圆表面的局部放大图。
图7是采用轮廓测定法测得的晶圆表面的曲线图。
具体实施方式
为详细说明本发明的技术内容、构造特征、所达成目的及功效,下面将结合实施例并配合图式予以详细说明。
参阅图1,揭示了根据本发明一实施例的喷嘴的立体图。该喷嘴包括大致呈蘑菇状的绝缘喷嘴头10、导电主体20及绝缘基座30。绝缘基座30安装于抛光腔室的底板上(图中未示),绝缘基座30支撑绝缘喷嘴头10及导电主体20,导电主体20位于绝缘喷嘴头10及绝缘基座30之间。下面将对绝缘喷嘴头10、导电主体20及绝缘基座30进行详细说明。
参阅图1至图4,绝缘喷嘴头10由例如聚丙烯(PP)、聚乙烯(PE)或聚对苯二甲酸乙二酯(PET)材料制成。绝缘喷嘴头10包括圆盘状的盖板11及贯穿盖板11中心及整个喷嘴的导管12。导管12的顶端口定义为喷射口,电解液从该喷射口喷出至晶圆表面。导管12的喷射口为圆形,根据抛光工艺的不同需求,导管12的喷射口除了设计为圆形外,还可以设计成例如三角形、方形、六边形或八边形等。导管12具有主流体通道121。三个第一螺孔13开设于绝缘喷嘴头10的盖板11上。
导电主体20由导电性能良好的材料制成,该材料能够不被电解液腐蚀也不会与电解液发生化学反应,该材料可以是例如不锈钢或铝合金等。导电主体20具有固定部21,固定部21的中部向下延伸形成圆柱形的接收部22,接收部22具有收容腔221,该收容腔221贯穿接收部22及与接收部22相对应的固定部21。三个固定孔23及两个第二螺孔24分别对称开设于固定部21上。
绝缘基座30包括基部31,基部31相对的两侧墙分别向外延伸形成一对定位部311,每个定位部311均设有三个第三螺孔312。基部31的中部向上凸起形成圆柱形容纳部32。容纳部32的顶表面设有三个中空的锁扣部321。两个连接孔322设于容纳部32并贯穿容纳部32及基部31。容纳部32的中心开设有穿孔323,穿孔323贯穿容纳部32及基部31。三个中空的锁扣部321及两个连接孔322环绕穿孔323布置。
参阅图1至图5,装配时,导电主体20的接收部22插入绝缘基座30的穿孔323,导电主体20的固定部21置于绝缘基座30的容纳部32的顶表面,中空的锁扣部321分别穿过固定孔23以将导电主体20固定安装在绝缘基座30上。绝缘喷嘴头10的导管12收容于导电主体20的收容腔221并伸出于收容腔221外。接收部22的内壁与导管12的外壁之间形成有辅助流体通道。三个绝缘螺丝60分别插入绝缘喷嘴头10的第一螺孔13及绝缘基座30的中空的锁扣部321内以将绝缘喷嘴头10固定安装于绝缘基座30上。两个导电螺丝40分别插入导电主体20的第二螺孔24及绝缘基座30的连接孔322中。两个导电弹簧销70分别从连接孔322的底部插入连接孔322中。两个绝缘保护套71设置于连接孔322内,保护套71包裹着导电弹簧销70,导电弹簧销70的顶端与导电螺丝40的底端连接,导电弹簧销70的底端插入抛光腔室的底板并与外部电源线连接以向导电主体20提供电流。两个绝缘的O型密封圈50设置于连接孔322的底部并位于绝缘基座30与抛光腔室的底板之间,以防止电解液渗入连接孔322从而对导电弹簧销70及电源线造成侵蚀。六个螺丝分别插入绝缘基座30的第三螺孔312内,进而将绝缘基座30安装在抛光腔室的底板上,该六个螺丝由抗腐蚀性材料制成,因而不会被电解液腐蚀。
在无应力抛光工艺中,晶圆上待抛光去除的金属层,通常为铜层或铜合金层,作为阳极并位于喷嘴的上方,导电主体20作为阴极。电流通过电源线、导电弹簧销70及导电螺丝40供应至导电主体20。作为电解液的化学液体输送至喷嘴后通过导电主体20使化学液体带电荷。带电荷的电解液由导管12隔离成两路支流,一路支流通过主流体通道121后从导管12的喷射口喷出至晶圆表面,电解液与晶圆表面的金属层反应,从而将晶圆表面的金属层无应力去除。另一路支流通过辅助流体通道后,在绝缘喷嘴头10的盖板11的阻挡下,该路支流不会被喷射至晶圆表面。
通常,无应力抛光过程中,气泡很容易产生并附着在电极上。本发明中,导管12伸出于导电主体20的收容腔221外,因此,导管12能够阻止附着在导电主体20上的气泡进入主流体通道121。附着在导电主体20上的气泡随着电解液经由辅助流体通道输出并被绝缘喷嘴头10的盖板11阻挡,从而使得气泡不会随着电解液供应至晶圆表面,进而提高了晶圆表面抛光光洁度,此外,由于导管12的喷射口可以根据抛光工艺的不同需求设计成不同形状,如圆形、三角形、方形、六边形或八边形等,电解液在晶圆表面分布的范围和形状能够得到精确的控制,因而,金属层的去除速率和去除均匀性可以被控制的很好。
综上所述,本发明通过上述实施方式及相关图式说明,己具体、详实的揭露了相关技术,使本领域的技术人员可以据以实施。而以上所述实施例只是用来说明本发明,而不是用来限制本发明的,本发明的权利范围,应由本发明的权利要求来界定。至于本文中所述元件数目的改变或等效元件的代替等仍都应属于本发明的权利范围。

Claims (10)

1.一种无应力电化学抛光用喷嘴,其特征在于,包括:
绝缘基座,所述绝缘基座开设有贯穿绝缘基座的穿孔;
导电主体,所述导电主体作为阴极与电源连接以使电解液带电荷,导电主体具有固定于绝缘基座的固定部,固定部向下延伸形成接收部,接收部插入绝缘基座的穿孔,接收部具有收容腔,收容腔贯穿接收部及与接收部相对应的固定部;及
绝缘喷嘴头,所述绝缘喷嘴头具有盖板及贯穿盖板的导管,盖板固定于绝缘基座并位于导电主体的上方,导管具有主流体通道,导管收容于导电主体的收容腔并伸出于收容腔外,导管的外壁与接收部的内壁之间形成有辅助流体通道;
其中所述带电荷的电解液由导管隔离成两路支流,一路支流通过主流体通道后从导管的喷射口喷出至晶圆表面,另一路支流通过辅助流体通道后,在绝缘喷嘴头的盖板的阻挡下,该路支流不会被喷射至晶圆表面;
其中所述绝缘基座具有至少一个贯穿绝缘基座的连接孔,导电主体的固定部具有至少一个第二螺孔,至少一个导电螺丝插入导电主体的第二螺孔及绝缘基座的连接孔中,至少一个导电弹簧销从绝缘基座的连接孔的底部插入连接孔中,导电弹簧销的顶端与导电螺丝的底端连接,导电弹簧销的底端与电源连接以向导电主体提供电流。
2.根据权利要求1所述的无应力电化学抛光用喷嘴,其特征在于,进一步包括至少一个绝缘密封圈,绝缘密封圈设置于绝缘基座的连接孔的底部。
3.根据权利要求2所述的无应力电化学抛光用喷嘴,其特征在于,进一步包括至少一个绝缘保护套,绝缘保护套设置于绝缘基座的连接孔内,绝缘保护套包裹着导电弹簧销。
4.根据权利要求1所述的无应力电化学抛光用喷嘴,其特征在于,所述绝缘基座包括基部,基部向上凸起形成容纳部,所述穿孔及连接孔分别贯穿基部及容纳部。
5.根据权利要求4所述的无应力电化学抛光用喷嘴,其特征在于,所述容纳部的顶表面设有数个中空的锁扣部,数个中空的锁扣部环绕穿孔布置,导电主体的固定部开设有数个固定孔,中空的锁扣部分别穿过固定孔以将导电主体固定安装在绝缘基座上。
6.根据权利要求5所述的无应力电化学抛光用喷嘴,其特征在于,所述绝缘喷嘴头的盖板开设有第一螺孔,绝缘螺丝插入绝缘喷嘴头的第一螺孔及绝缘基座的中空的锁扣部内以将绝缘喷嘴头固定安装于绝缘基座上。
7.根据权利要求1所述的无应力电化学抛光用喷嘴,其特征在于,所述绝缘喷嘴头的导管的顶端口定义为喷射口,电解液从该喷射口喷出至晶圆表面,导管的喷射口为圆形、三角形、方形、六边形或八边形。
8.根据权利要求1所述的无应力电化学抛光用喷嘴,其特征在于,所述绝缘喷嘴头的材料为聚丙烯(PP)、聚乙烯(PE)或聚对苯二甲酸乙二酯(PET)。
9.根据权利要求1所述的无应力电化学抛光用喷嘴,其特征在于,所述导电主体由导电性能良好的材料制成,该材料不被电解液腐蚀也不会与电解液发生化学反应。
10.根据权利要求9所述的无应力电化学抛光用喷嘴,其特征在于,所述导电主体的材料为不锈钢或铝合金。
CN201280071560.5A 2012-03-30 2012-03-30 无应力电化学抛光用喷嘴 Active CN104170064B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/CN2012/073300 WO2013143115A1 (en) 2012-03-30 2012-03-30 Nozzle for stress-free polishing metal layers on semiconductor wafers

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN104170064A CN104170064A (zh) 2014-11-26
CN104170064B true CN104170064B (zh) 2017-05-10

Family

ID=49258103

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201280071560.5A Active CN104170064B (zh) 2012-03-30 2012-03-30 无应力电化学抛光用喷嘴

Country Status (6)

Country Link
US (1) US9724803B2 (zh)
JP (1) JP6076458B2 (zh)
KR (1) KR101891730B1 (zh)
CN (1) CN104170064B (zh)
SG (1) SG11201405586TA (zh)
WO (1) WO2013143115A1 (zh)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104637862B (zh) * 2013-11-14 2019-10-18 盛美半导体设备(上海)有限公司 半导体结构形成方法
CN104802097B (zh) * 2015-04-15 2017-02-22 中国石油天然气股份有限公司 一种套管磨料射流切割喷射器
CN106555221B (zh) * 2015-09-25 2023-03-07 盛美半导体设备(上海)股份有限公司 喷头装置
CN108115471A (zh) * 2017-12-25 2018-06-05 哈工大机器人(合肥)国际创新研究院 一种手持式等离子抛光装置
EP3998375A4 (en) * 2019-08-01 2023-08-16 Drylyte, S.L. METHOD AND DEVICE FOR THE DRY TREATMENT OF METALLIC SURFACES BY MEANS OF ELECTRICALLY ACTIVE SOLID PARTICLES
CN111424308B (zh) * 2020-04-21 2020-12-22 山东中庆环保科技有限公司 一种电解液抛光泡沫去除装置

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1767155A (zh) * 2004-06-28 2006-05-03 兰姆研究有限公司 无应力抛光的方法和系统

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2659667A1 (fr) * 1990-03-13 1991-09-20 Inst Prikladnoi Fiziki Akademi Dispositif pour le traitement de la surface interieure d'un article.
US5157876A (en) 1990-04-10 1992-10-27 Rockwell International Corporation Stress-free chemo-mechanical polishing agent for II-VI compound semiconductor single crystals and method of polishing
JPH06285720A (ja) * 1993-04-02 1994-10-11 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 電解研磨装置及び該装置に用いる電解研磨ノズル
US6395152B1 (en) * 1998-07-09 2002-05-28 Acm Research, Inc. Methods and apparatus for electropolishing metal interconnections on semiconductor devices
US6248222B1 (en) 1998-09-08 2001-06-19 Acm Research, Inc. Methods and apparatus for holding and positioning semiconductor workpieces during electropolishing and/or electroplating of the workpieces
US6527920B1 (en) * 2000-05-10 2003-03-04 Novellus Systems, Inc. Copper electroplating apparatus
JP2002110592A (ja) * 2000-09-27 2002-04-12 Sony Corp 研磨方法および研磨装置
JP2003255479A (ja) * 2002-03-06 2003-09-10 Fuji Photo Film Co Ltd シート取出方法および装置
WO2006110864A2 (en) * 2005-04-12 2006-10-19 Acm Research, Inc. Method for improving surface roughness during electro-polishing
US7837850B2 (en) * 2005-09-28 2010-11-23 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Electroplating systems and methods
KR101105699B1 (ko) * 2010-10-08 2012-01-17 주식회사 엘지실트론 웨이퍼 연마 장치

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1767155A (zh) * 2004-06-28 2006-05-03 兰姆研究有限公司 无应力抛光的方法和系统

Also Published As

Publication number Publication date
US20150072599A1 (en) 2015-03-12
JP6076458B2 (ja) 2017-02-08
JP2015518273A (ja) 2015-06-25
KR101891730B1 (ko) 2018-08-24
CN104170064A (zh) 2014-11-26
WO2013143115A1 (en) 2013-10-03
US9724803B2 (en) 2017-08-08
SG11201405586TA (en) 2015-06-29
KR20140141693A (ko) 2014-12-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104170064B (zh) 无应力电化学抛光用喷嘴
CN107012495B (zh) 具有杯底部轮廓的镀杯
CN107254702A (zh) 用于半导体电镀设备的唇形密封件和接触元件
CN104651893A (zh) 用于电镀的碱预处理
TW200807546A (en) Apparatus and method for confined area planarization
CN105473770B (zh) 一种电镀装置及传感装置
CN105210181B (zh) 电镀和/或电抛光硅片的装置及方法
TW200533789A (en) Method and apparatus for electroplating
CN104541367B (zh) 适用于电解抛光和/或电镀的真空夹具
TWI639488B (zh) No-stress electrochemical polishing nozzle
CN103887167A (zh) 一种半导体芯片台面的钝化方法
US20100038252A1 (en) Method of plating a wafer
JP6963524B2 (ja) 電解メッキ装置
US20080314756A1 (en) Methods and systems for three-dimensional integrated circuit through hole via gapfill and overburden removal
CN105088328A (zh) 电化学抛光供液装置
US20110315555A1 (en) Plating method
KR20100118917A (ko) 전기도금장치
KR101205310B1 (ko) 기판 도금 장치
CN202411594U (zh) 槽内放电工具机的隔绝装置
TW201726984A (zh) 在恒壓模式下電化學拋光的方法
CN108346599A (zh) 用于电化学处理半导体基底的方法和装置及装置维修方法
CN116079580A (zh) 一种电化学机械抛光装置
JP2012007201A (ja) めっき装置
CN103659574B (zh) 观察化学机械研磨工艺中对金属腐蚀情况的方法
CN114075688A (zh) 电镀载具及电镀方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
CP03 Change of name, title or address
CP03 Change of name, title or address

Address after: 201203 building 4, No. 1690, Cailun Road, free trade zone, Pudong New Area, Shanghai

Patentee after: Shengmei semiconductor equipment (Shanghai) Co., Ltd

Address before: 201203 Shanghai Zhangjiang High Tech Park of Pudong New Area Cailun Road No. fourth 1690

Patentee before: ACM (SHANGHAI) Inc.