CN104167471B - 一种全背电极p型晶硅异质结太阳电池的制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种全背电极P型晶硅异质结太阳电池的制备方法，该方法包括：在P型硅基底前表面制备纳米绒面、P+型硼浅扩散晶硅层和SiOx钝化/SiNx减反层；在P型硅基底背面制备P++型硼重扩散晶硅层，然后采用印刷腐蚀浆料实现对P++型硼重扩散晶硅层局部腐蚀，再依次沉积一层本征非晶硅薄膜层和一层n型非晶硅薄膜层，去除P++型硼重扩散晶硅层区域表层的本征和n型非晶硅；然后溅射一层透明导电薄膜层，用激光将P型硅基底背面的P区和N区分开；最后印刷电极，低温烧结。该方法将金属电极全部移至电池背面，受光面没有电极，降低了组件生产成本、电池的复合损失，从而光学损失和电阻均显著减少，效率大幅提升。
Description
技术领域
本发明涉及一种太阳能电池结构的制备方法，具体涉及一种全背电极P型晶硅异质结太阳电池的制备方法。
背景技术
随着晶硅太阳能电池技术不断发展，高效单晶硅太阳能电池研究已取得巨大成就。美国Sunpower公司开发的全背电极(IBC)电池结构，将其栅状电极全部设计到电池背面，正负极交叉排列，量产效率可达23％，实验室最高效率达到24.2％。2014年4月，松下公司宣布通过将异质结技术(HIT)和背面接触电极技术(IBC)相结合，其最新研发的商用尺寸(143.7cm2)单晶硅电池光电转换效率已达到25.6％，去年2月，松下采用101.8cm2硅片的HIT电池已经达到的24.7％的转换效率。松下公司此次的突破将效率提高了0.9个百分点，也打破了澳洲新南威尔士大学25％的晶硅电池效率世界记录。然而，Sunpower的IBC全背电极电池结构的制备工艺步骤已经非常繁多，松下公司提出的HIT和IBC结合电池，成本高势必也将成为大规模量产推广的瓶颈。此外，这类电池前表面绒面仍采用常规结构，因此前表面对光的吸收方面有很大提升空间。
此外，由于HIT和IBC技术结合的电池需要厚度比常规电池厚度更薄，这势必会降低硅片对光的吸收效果。然而，这类技术(如公开号为CN102214720A和CN102185031A等)都没有对硅片表面织构做特殊处理，会降低短路电流，所以需要增强硅片表面的陷光能力。在公开号为CN102214720A和CN102185031A的中国专利中采用PECVD法在硅片前表面沉积掺杂非晶硅薄膜，虽然也能达到提升开压的效果，但与传统扩散制备的晶硅扩散层无疑增加了生产成本。最致命的问题是，CN102214720A专利中“N型区域形成p+a-si/i-a-si/P-c-si/P+c-si/i-a-si/n-a-si异质结结构”中“背面P+c-si扩散晶硅层”的存在导致了势垒增加，大大降低了开路电压，因此需要去除N型区域该P+扩散层；而CN102185031A专利中P型区域的“前表面p+非晶硅薄膜/P型硅基底/P区电极”同样使得空穴很难越过势垒到达P区电极。
基于上述现有的技术的不足，需要开发一种简单廉价的太阳电池结构，进一 步增强陷光能力，提高短路电流；优化电池结构和工艺，增加开路电压。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是：提出一种新的HIT与IBC制备电池技术相结合的工艺，并采用黑硅技术将P型硅基底前表面制备成纳米绒面结构，设计出全新的电池结构，该方法所制备的太阳能电池结构不仅提高电池对光的吸收能力、转换效率，提高短路电流，而且简化工艺步骤、降低生产成本。
本发明的技术方案是：
一种全背电极P型晶硅异质结太阳电池的制备方法，包括以下具体步骤：
(1)采用金属催化化学刻蚀法或等离子体刻蚀法在P型硅基底前表面制备纳米绒面，所述纳米绒面为类金字塔状或蜂窝状；
(2)通过硼源高温扩散或离子注入法，在P型硅基底背面重扩硼制备P++型硼重扩散晶硅层；
(3)通过硼源高温扩散或离子注入法，在P型硅基底前表面浅扩硼制备P+型硼浅扩散晶硅层；
(4)在P型硅基底前表面的纳米绒面上依次沉积SiOx薄膜和SiNx薄膜作为钝化层和减反层，得SiOx钝化/SiNx减反层；
(5)将P型硅基底背面的P++型硼重扩散晶硅层采用丝网印刷腐蚀性浆料腐蚀，将P++型硼重扩散晶硅层局部去除，部分露出P型硅基底；
(6)再采用PECVD沉积法，在步骤(5)的基础上，依次沉积一层本征非晶硅薄膜层和一层n型非晶硅薄膜层；
(7)在P型硅基底背面的P++型硼重扩散晶硅层区域上方印刷腐蚀性浆料，去除其表面生长的本征非晶硅薄膜层和n型非晶硅薄膜层，露出P++型硼重扩散晶硅层；
(8)在步骤(7)的基础上，在P型硅基底背面溅射一层透明导电薄膜层；
(9)用激光将P型硅基底背面刻蚀开膜，开膜宽度为1μm～50μm，将P型硅基底背面分为P区和N区；
(10)最后在P型硅基底背面丝网印刷背电极，在100℃～300℃的温度下烧结，烧结时间为10s～600s，得全背电极P型晶硅异质结太阳电池。
所述全背电极P型晶硅异质结太阳电池包括P型硅基底，在所述P型硅基底的前表面上由里至外依次有纳米绒面、P+型硼浅扩散晶硅层以及SiOx钝化 /SiNx减反层；所述P型硅基底的背面分为P区、N区和位于P区、N区之间的开膜区；所述N区从上到下包括本征非晶硅薄膜层、n型非晶硅薄膜层、透明导电薄膜层和背电极，且所述本征非晶硅薄膜层与P型硅基底的背表面连接；所述P区从上到下包括P++型硼重扩散晶硅层、透明导电薄膜层以及背电极，且所述P++型硼重扩散晶硅层与所述P型硅基底的背表面连接。
优选方案：步骤(1)所述P型硅基底为P型单晶硅或多晶硅，厚度为50μm～300μm。
优选方案：步骤(1)所述纳米绒面的厚度为50nm～900nm。所述的硅片前表面纳米绒面结构具有极低的反射率，具有提高对光的吸收，增加太阳电池电流的作用。
优选方案：步骤(2)所述P++型硼重扩散晶硅层的厚度为0.1μm～0.5μm，方块电阻为20～150ohm/Sq。
优选方案：步骤(3)所述P+型扩散晶硅层的厚度为0.1μm～0.5μm，方块电阻为50～200ohm/Sq。
优选方案：步骤(4)所述SiOx钝化/SiNx减反层的总厚度为25nm～150nm，所述的SiOx薄膜作为钝化层是通过热氧化法制备获得，SiNx薄膜作为减反层是通过PECVD法制备获得，其中SiOx厚度为5nm～50nm，SiNx为20nm～100nm，SiNx折射率为1.9～2.3。它具有很好的钝化作用，减少前表面载流子复合，并且具有很好的减反作用，降低前表面光的反射，增加光的吸收。
优选方案：步骤(5)中，所述的腐蚀浆料为碱性，通过控制烘干温度和时间，将硅片背面浆料局部覆盖的P++型硼重扩散晶硅层去除，露出P型硅基底，使得其为“指插状”，见图5.
优选方案：步骤(6)所述本征非晶硅薄膜层的厚度为1nm～50nm，所述n型非晶硅薄膜层厚度为2nm～20nm，方阻为10～100ohm/Sq。它能起到很好的背面钝化作用。
优选方案：步骤(7)中，所述的腐蚀浆料为碱性，通过控制烘干温度和时间，在剩余P++型硼重扩散晶硅层区域上方印刷腐蚀性浆料，去除其表面生长的本征非晶硅薄膜层和n型非晶硅薄膜层，露出P++型硼重扩散晶硅层。
优选方案：步骤(8)所述透明导电薄膜层的厚度为50nm～500nm，所述的透明导电薄膜层通过磁控溅射或反应离子沉积制备获得，材料可为In2O3:Sn
(ITO)、In2O3、SnO2、SnO2:F(FTO)、ZnO:Al(ZAO)、In2O3:Mo(IMO)、SnO2:Sb(ATO)、ZnO2-SnO2、ZnO2-In2O3、ZnAl2O4、In4Sn3O12、CdIn2O4、Zn2SnO4、GaInO3中一种。
优选方案：步骤(10)所述背电极的材料为Ag、Au、Al、Ni、Cu/Ni或Ti/Pd/Ag，背电极的厚度为10μm～100μm。
下面对本发明做进一步解释和说明：
通过本发明的方法所制备得到的电池结构的N型区域从上到下由P+型硼浅扩散晶硅层(P+-c-Si)、P型硅片层(P-c-Si)、本征非晶硅薄膜层(i-a-Si)、n型非晶硅薄膜层(n-a-Si)、透明导电薄膜(TCO)、背电极构成，形成P+-c-Si/P-c-Si/i-a-Si/n-a-Si异质结构，可以提高太阳电池的转换效率。本发明的电池结构的P型区域由P+型硼浅扩散晶硅层(P+-c-Si)、P型晶体硅(P-c-Si)、P++型硼重扩散晶硅层(P++-c-Si)、透明导电薄膜(TCO)、背电极构成。所述的硅片背面由P型区域的硼重扩散晶硅层(P++-c-Si)、P型晶硅基底(P-c-Si)和前表面硼浅扩散晶硅层(P+-c-Si)形成高低结，起到背面钝化和提升开路电压的作用。该电池结构受光面没有电极，不仅增加了受光面积，而且降低组件生产成本。
通过本发明的方法所制备得到的电池结构前表面纳米绒面结构大大增加了光的吸收；全背电极结构与晶硅/非晶硅异质结结构的相结合，将金属电极全部移至电池背面，受光面没有电极，降低了组件生产成本、电池的复合损失，从而光学损失和电阻均显著减少，效率大幅提升。因此，本发明能快速的应用于当前常规硅基太阳电池产业，可以显著提高太阳能电池的效率。
本发明的优势在于：
通过本发明的方法所制备得到电池结构的全背电极有效降低了受光面的遮光面积和接触电阻，简化了后续组件生产的焊接工序，从而提高了太阳电池转换效率，并降低了生产成本；表面纳米绒面结构大大降低了光的反射率，增加了光的吸收，从而大大提高了电池的短路电流，有效提高了电池的转化效率。
附图说明
下面结合附图和实施例对本发明进一步说明。
图1是本发明的步骤(1)的结构示意图；
图2是本发明的步骤(2)的结构示意图；
图3是本发明的步骤(3)的结构示意图；
图4是本发明的步骤(4)的结构示意图；
图5是本发明的步骤(5)的结构示意图；
图6是本发明的步骤(6)的结构示意图；
图7是本发明的步骤(7)的结构示意图；
图8是本发明的步骤(8)的结构示意图；
图9是本发明的步骤(9)的结构示意图；
图10是本发明的步骤(10)的结构示意图；
其中，1是P型硅基底，2是纳米绒面层，3是P++型硼重扩散晶硅层，4是P+型硼浅扩散晶硅层，5是SiOx钝化/SiNx减反层，6.是本征非晶硅薄膜层，7是n型非晶硅薄膜层，8是透明导电薄膜层，9是背电极，10是开膜区，11是P区，12是N区。
具体实施方式
下面结合实施例和附图对本发明做进一步的解释和说明：
一种全背电极P型晶硅异质结太阳电池结构，包括P型硅基底1，在所述P型硅基底1的前表面上由里至外依次有纳米绒面层2、P+型硼浅扩散晶硅层4以及SiOx钝化/SiNx减反层5；所述P型硅基底1的背面分为N区12、P区11和位于N区12、P区11之间的开膜区10；所述N区12从上到下包括本征非晶硅薄膜层6、n型非晶硅薄膜层7、透明导电薄膜层8和背电极层9，且所述本征非晶硅薄膜层6与P型硅基底1的背表面连接；所述P区11从上到下包括P++型硼重扩散晶硅层3、透明导电薄膜层8以及背电极层9，且所述P++型硼重扩散晶硅层3与所述P型硅基底1的背表面连接。
实施例1，如图1-10所示，一种全背电极P型晶硅异质结太阳电池的制备方法，包括以下步骤，
(1)采用金属催化化学刻蚀法，在P型硅基底前表面制备出类金字塔的纳米绒面，纳米绒面尺度为200nm，再用清洗工艺将残留金属粒子等有害物质清洗掉；
(2)通过硼源高温扩散，在P型硅基底背面制备获得p++型硼重扩散层晶硅层，其厚度为0.3μm，方块电阻为80ohm/Sq；
(3)通过硼源高温浅扩散，在P型硅基底背面制备获得p+型硼浅扩散层晶硅层，其厚度为0.3μm，方块电阻为130ohm/Sq；
(4)通过热氧化法，在P型硅基底前表面纳米绒面上先沉积SiOx薄膜作为钝化层，然后通过PECVD沉积法沉积SiNx薄膜作为减反层，其中SiOx厚度为20nm，SiNx厚度为50nm，SiNx折射率为2.2；
(5)通过控制腐蚀性浆料的烘干温度和时间，将硅片背面浆料局部覆盖的p++型硼重扩散层晶硅层去除，露出P型硅基底；
(6)通过PECVD沉积法，在硅片背面采用PECVD沉积法依次沉积一层本征非晶硅薄膜层和一层n型非晶硅薄膜层，其中本征非晶硅薄膜层厚度为10nm，n型非晶硅薄膜层厚度为10nm，方阻为80ohm/Sq；
(7)在硅片背面剩余p++型硼重扩散层晶硅层区域上方印刷腐蚀性浆料，通过控制烘干温度和时间，去除其表面生长的本征非晶硅薄膜层和n型非晶硅薄膜层，露出p++型硼重扩散层晶硅层；
(8)通过磁控溅射法，在硅片背面溅射一层透明导电薄膜层，其厚度为200nm。
(9)激光开膜法，将P型硅基底背面的本征非晶硅薄膜层、n型非晶硅薄膜层和TCO透明导电膜用激光划开，使得硅片背面的P区和N区分开，开膜宽度为20μm。
(10)P型硅基底背面通过丝网印刷银电极，低温烧结，烧结温度200℃，其厚度为20μm。
实施例2，如图1-10所示，一种全背电极P型晶硅异质结太阳电池的制备方法，包括以下步骤，
(1)采用金属催化化学刻蚀法，在P型硅基底前表面制备出类金字塔的纳米绒面，纳米绒面尺度为150nm，再用清洗工艺将残留金属粒子等有害物质清洗掉；
(2)通过离子注入法，在P型硅基底背面制备获得p++型硼重扩散层晶硅层，其厚度为0.2μm，方块电阻为70ohm/Sq；
(3)通过离子注入法，在P型硅基底背面制备获得p+型硼浅扩散层晶硅层，其厚度为0.2μm，方块电阻为150ohm/Sq；
(4)通过热氧化法，在P型硅基底前表面纳米绒面上先沉积SiOx薄膜作为钝化层，然后通过PECVD沉积法沉积SiNx薄膜作为减反层，其中SiOx厚度为15nm，SiNx厚度为50nm，SiNx折射率为2.0；
(5)通过控制腐蚀性浆料的烘干温度和时间，将硅片背面浆料局部覆盖的p++型硼重扩散层晶硅层去除，露出P型硅基底；
(6)通过PECVD沉积法，在硅片背面采用PECVD沉积法依次沉积一层本征非晶硅薄膜层和一层n型非晶硅薄膜层，其中本征非晶硅薄膜层厚度为15nm，n型非晶硅薄膜层厚度为15nm，方阻为10～100ohm/Sq；
(7)在硅片背面剩余p++型硼重扩散层晶硅层区域上方印刷腐蚀性浆料，通过控制烘干温度和时间，去除其表面生长的本征非晶硅薄膜层和n型非晶硅薄膜层，露出p++型硼重扩散层晶硅层；
(8)通过磁控溅射法，在硅片背面溅射一层透明导电薄膜层，其厚度为180nm。
(9)激光开膜法，将P型硅基底背面的本征非晶硅薄膜层、n型非晶硅薄膜层和TCO透明导电膜用激光划开，使得硅片背面的P区和N区分开，开膜宽度为10μm。
(10)P型硅基底背面通过丝网印刷银电极，低温烧结，烧结温度200℃，其厚度为18μm。
Claims (10)
1.一种全背电极P型晶硅异质结太阳电池的制备方法，其特征是，包括以下具体步骤：
(1)采用金属催化化学刻蚀法或等离子体刻蚀法在P型硅基底前表面制备纳米绒面，所述纳米绒面为类金字塔状或蜂窝状；
(2)通过硼源高温扩散或离子注入法，在P型硅基底背面重扩硼制备P++型硼重扩散晶硅层；
(3)通过硼源高温扩散或离子注入法，在P型硅基底前表面浅扩硼制备P+型硼浅扩散晶硅层；
(4)在P型硅基底前表面的纳米绒面上依次沉积SiOx薄膜和SiNx薄膜作为钝化层和减反层，得SiOx钝化/SiNx减反层；
(5)将P型硅基底背面的P++型硼重扩散晶硅层采用丝网印刷腐蚀性浆料腐蚀，将P++型硼重扩散晶硅层局部去除，部分露出P型硅基底；
(6)再采用PECVD沉积法，在步骤(5)的基础上，在硅基底背面依次沉积一层本征非晶硅薄膜层和一层n型非晶硅薄膜层；
(7)在P型硅基底背面的P++型硼重扩散晶硅层区域上方印刷腐蚀性浆料，去除其表面生长的本征非晶硅薄膜层和n型非晶硅薄膜层，露出P++型硼重扩散晶硅层；
(8)在步骤(7)的基础上，在P型硅基底背面溅射一层透明导电薄膜层；
(9)用激光将P型硅基底背面刻蚀开膜，开膜宽度为1μm～50μm，将P型硅基底背面分为P区和N区；
(10)最后在P型硅基底背面丝网印刷背电极，在100℃～300℃的温度下烧结，烧结时间为10s～600s，得全背电极P型晶硅异质结太阳电池。
2.根据权利要求1所述全背电极P型晶硅异质结太阳电池的制备方法，其特征是，所述全背电极P型晶硅异质结太阳电池包括P型硅基底，在所述P型硅基底的前表面上由里至外依次有纳米绒面、P+型硼浅扩散晶硅层以及SiOx钝化/SiNx减反层；所述P型硅基底的背面分为P区、N区和位于P区、N区之间的开膜区；所述N区从上到下包括本征非晶硅薄膜层、n型非晶硅薄膜层、透明导电薄膜层和背电极，且所述本征非晶硅薄膜层与P型硅基底的背表面连接；所述P区从上到下包括PP++型硼重扩散晶硅层、透明导电薄膜层以及背电极，且所述P++型硼重扩散晶硅层与所述P型硅基底的背表面连接。
3.根据权利要求1或2所述全背电极P型晶硅异质结太阳电池的制备方法，其特征是，步骤(1)所述P型硅基底为P型单晶硅或多晶硅，厚度为50μm～300μm。
4.根据权利要求1或2所述全背电极P型晶硅异质结太阳电池的制备方法，其特征是，步骤(1)所述纳米绒面的厚度为50nm～900nm。
5.根据权利要求1或2所述全背电极P型晶硅异质结太阳电池的制备方法，其特征是，步骤(2)所述P++型硼重扩散晶硅层的厚度为0.1μm～0.5μm，方块电阻为20～150ohm/Sq。
6.根据权利要求1或2所述全背电极P型晶硅异质结太阳电池的制备方法，其特征是，步骤(3)所述P+型扩散晶硅层的厚度为0.1μm～0.5μm，方块电阻为50～200ohm/Sq。
7.根据权利要求1或2所述全背电极P型晶硅异质结太阳电池的制备方法，其特征是，步骤(4)所述SiOx钝化/SiNx减反层的总厚度为25nm～150nm，所述的SiOx薄膜作为钝化层是通过热氧化法制备获得，SiNx薄膜作为减反层是通过PECVD法制备获得，其中SiOx厚度为5nm～50nm，SiNx为20nm～100nm，SiNx折射率为1.9～2.3。
8.根据权利要求1或2所述全背电极P型晶硅异质结太阳电池的制备方法，其特征是，步骤(6)所述本征非晶硅薄膜层的厚度为1nm～50nm，所述n型非晶硅薄膜层厚度为2nm～20nm，方阻为10～100ohm/Sq。
9.根据权利要求1或2所述全背电极P型晶硅异质结太阳电池的制备方法，其特征是，步骤(8)所述透明导电薄膜层的厚度为50nm～500nm，所述的透明导电薄膜层通过磁控溅射或反应离子沉积制备获得，材料可为In2O3:Sn(ITO)、In2O3、SnO2、SnO2:F(FTO)、ZnO:Al(ZAO)、In2O3:Mo(IMO)、SnO2:Sb(ATO)、ZnO2-SnO2、ZnO2-In2O3、ZnAl2O4、In4Sn3O12、CdIn2O4、Zn2SnO4、GaInO3中一种。
10.根据权利要求1或2所述全背电极P型晶硅异质结太阳电池的制备方法，其特征是，步骤(10)所述背电极的材料为Ag、Au、Al、Ni、Cu/Ni或Ti/Pd/Ag，背电极的厚度为10μm～100μm。
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