CN104143587A - 一种可以提高铜铟镓硒薄膜太阳能电池性能的表面钝化技术 - Google Patents

一种可以提高铜铟镓硒薄膜太阳能电池性能的表面钝化技术 Download PDF

Info

Publication number
CN104143587A
CN104143587A CN201410348268.4A CN201410348268A CN104143587A CN 104143587 A CN104143587 A CN 104143587A CN 201410348268 A CN201410348268 A CN 201410348268A CN 104143587 A CN104143587 A CN 104143587A
Authority
CN
China
Prior art keywords
cigs
layer
back electrode
passivation
solar cells
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201410348268.4A
Other languages
English (en)
Inventor
刘德昂
谢承智
钱磊
章婷
杨一行
冯宗宝
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Suzhou Rui Sheng Nanosecond Science And Technology Co Ltd
Original Assignee
Suzhou Rui Sheng Nanosecond Science And Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Suzhou Rui Sheng Nanosecond Science And Technology Co Ltd filed Critical Suzhou Rui Sheng Nanosecond Science And Technology Co Ltd
Priority to CN201410348268.4A priority Critical patent/CN104143587A/zh
Publication of CN104143587A publication Critical patent/CN104143587A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/186—Particular post-treatment for the devices, e.g. annealing, impurity gettering, short-circuit elimination, recrystallisation
    • H01L31/1868—Passivation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0216—Coatings
    • H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/02167—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
    • H01L31/072—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN heterojunction type
    • H01L31/0749—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN heterojunction type including a AIBIIICVI compound, e.g. CdS/CulnSe2 [CIS] heterojunction solar cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/541—CuInSe2 material PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Energy (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

铜铟镓硒薄膜太阳能电池(简称CIGS)由于其诸多优点，成为最有发展潜力的太阳能电池技术。本发明涉及一种方法来钝化CIGS太阳能电池中背电极与吸收层CIGS的界面，抑制载流子在该界面的复合，从而提高CIGS器件的性能。本发明的实施方法在于：把混合有硫酸镉、硫脲和氨水的溶液加热2-10分钟之后，把沉积有背电极层的衬底置入该溶液继续加热2-10分钟，生长一层含有大颗粒的硫化镉层。再在硫化镉层上生长一层二氧化硅作为绝缘钝化层，然后用超声的办法把硫化镉大颗粒去掉，这样就得到具有纳米结构孔洞的钝化层。在钝化层上继续生长CIGS吸收层，这样吸收层和背电极之间可以形成点接触，使用本技术制备得到的CIGS太阳能电池的开路电压，填充因子和光电转换效率都得到提高。

Description

一种可以提高铜铟镓硒薄膜太阳能电池性能的表面钝化技术
技术领域
本发明属于太阳能电池领域，涉及到一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池器件。 
背景技术
一切能量来自能源，人类离不开能源。能源是人类生存、生活与发展的主要基础。进入21世纪后，人类目前技术可开发的能源资源已将面临严重不足的危机，当今煤、石油和天然气等矿石燃料资源日益枯竭，甚至只能维持几十年。因此，必须寻找可持续的替代新能源。另外，煤、石油和天然气等矿石燃料在使用过程中，还会带来一系列的环境问题：全球性的温室效应使得全球气温升高，海平面上升；空气污染；干旱，荒漠化；废气、废物、废液大量排放，自然资源严重浪费，造成人类环境的严重污染。 
所以寻找清洁的可再生新能源成为当前人类很迫切的任务。在现有的可再生新能源中，太阳能成为最受人们关注的清洁新能源。太阳能具有很多优点，它随处可得，数量巨大；取之不尽用之不竭；既清洁又安全，无污染，又不会影响生态环境。所以，开发利用太阳能成为世界各国发展清洁新能源的战略决策。 
在现有的太阳能电池技术中，铜铟镓硒薄膜太阳能电池(简称CIGS)具有光吸收能力强，稳定性好、抗辐照性能好、效率高、成本低，可以做成柔性组件，最适合作为光伏建筑一体化(BIPV)使用等优点，受到了人们关注，是一种很有发展潜力的太阳能电池技术。 
现在CIGS薄膜太阳能电池的理论最高效率为33％，而现在实验室可以做到的最高效率才达到20.8％，还有很大的提高空间。影响CIGS效率的一个重要的因素是载流子在界面的复合，会造成光生载流子的损失，为了进一步提高太阳能电池的效率，抑制载流子在界面的复合是一个努力的方向。本发明就是通过钝化CIGS层和背电极的界面，抑制载流子在此界面的复合，从而提高CIGS太阳能电池的效率。 
发明内容：
本发明的目的在于提供一种的方法来抑制抑制载流子在CIGS层和背电极界面的复合，从而提高CIGS太阳能电池的效率。为了对本发明的技术做更好的说明，本文中采用常用的CIGS太阳能电池器件结构作 为例证(如图1所示)。器件包括： 
—衬底(1)；衬底可以是玻璃，也可以是柔性衬底如不锈钢或者塑料，用于承托CIGS器件。 
—背电极(2)，常用金属钼(Mo)作为背电极溅射沉积在玻璃衬底(1)上，可以作为正极导出空穴。 
—吸收层(3)，CIGS吸收层一般沉积在背电极上，用于吸收入射太阳光。 
—缓冲层(4)，常用硫化镉(CdS)作为缓冲层(4)制作在吸收层(3)上，它既可以和p型的CIGS层形成pn结，有可以作为CIGS层与ZnO层的过渡层，能够缓冲晶格失配和能带台阶。 
—透明电极，常用高阻氧化锌(IZO)和掺铝氧化锌(AZO)作为透明电极(4)制作在缓冲层(4)上，既可以透过太阳光，又可以收集传输电子，作为太阳能电池的负极。 
—金属栅极，常用镍铝(Ni/Al)电极沉积在AZO层上面，可以更有效的收集电子并把电子导出。 
为进一步说明本发明的内容以及特点，以下结合附图对本发明作详细的描述，其中： 
图1：常见CIGS太阳能电池结构图 
图2：点接触钝化结构示意图 
图3：含有CdS大颗粒的钝化层 
图4：去除CdS大颗粒之后形成的有纳米结构孔洞的钝化层 
在我们在背电极和吸收层CIGS之间引入钝化层，钝化二者界面，从而降低载流子在该界面的复合。具体方法是在背电极和吸收层之间沉积钝化层，并且使用一种新开发的技术，使得该钝化层存在一些纳米结构的孔洞，孔洞的直径要小于吸收层CIGS中的少子扩散长度。这样后续的CIGS吸收层沉积的时候，就会和背电极形成点接触(如图2所示)，从而降低载流子在背电极和CIGS层界面复合几率，从而提高太阳能电池性能。 
我们同时发明了一种引入纳米结构钝化层的办法，先利用水浴法在背电极层上面生长一层含有大颗粒的硫化镉(如图3所示)，同时控制硫化镉大颗粒的尺寸要小于1微米，然后在硫化镉层上面溅射沉积2-20纳米的绝缘层二氧化硅(SiO2)，之后用超声去除硫化镉大颗粒，得到直径小于1微米的孔洞(如图4所示)。 在有孔洞结构的钝化层上生长CIGS，这样在背电极和CIGS层形成点接触。 
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案以及优点更加清楚明白，以下结合具体的实施例证并结合参照附图进行具体说明。 
1.将钠钙玻璃衬底在清洗剂中反复清洗，然后再经过去离子水，丙酮和异丙醇溶液浸泡并超声各10-30分钟，最后在烘箱里烘干 
2.将清洗好的玻璃衬底放入真空腔室中溅射衬底金属Mo层作为背电极。溅射时工作气压为5mtorr，溅射功率500W。 
3.用水浴法在沉积有Mo层的玻璃衬底上生长CdS层。方法如下：把混合有1-2.5M的氨水，0.001-0.01M的硫酸镉，0.05-0.5M的硫脲溶液的容器放入水浴槽加热2-10分钟，这时候溶液中会生成硫化镉颗粒，再把玻璃衬底浸入到溶液中继续加热2-10分钟，然后将衬底取出吹干待用，这样Mo层表面就生成了布满大颗粒的CdS层。 
4.将清洗好的玻璃衬底放入真空腔室中溅射SiO2作为绝缘层。溅射时工作气压为3mtorr，溅射功率1000W。 
5.然后将样品放入纯水中超声2-15分钟，CdS大颗粒被去除，在钝化层上留下很多纳米结构的孔洞。 
6.制备CIGS吸收层(可以采用溅射后硒化，多元共蒸，电镀，溶液法等技术均可)。 
7.制备缓冲层。可以利用与步骤3类似的水浴法，把样品浸入到混合有1-2.5M的氨水，0.001-0.01M的硫酸镉，0.05-0.5M的硫脲溶液中，再将盛有溶液的容器放入水浴槽加热，调整加热温度和加热时间可以控制硫化镉层的厚度。 
8.溅射沉积透明电极高阻氧化锌(IZO)和掺铝氧化锌(AZO)。溅射时工作气压为3mtorr，溅射功率1000W。 
9.热蒸发Ni/Al栅极。 
实验证明，采用本发明中的背电极钝化技术所制备的CIGS太阳能电池，相比没有采用本技术的器件，因为在背电极Mo和吸收层层CIGS的界面复合受到抑制，CIGS太阳能电池的开路电压，填充因子，和光电转换效率都得到了提高。 
以上所述的具体施例，对本发明的目的、技术方案和积极的效果进行了进一步详细说明，所应理解的是，以上所述仅为本发明的具体施例而已，并不用于限制本发明，凡在本发明的原则之内所做的任何修和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。 

Claims (6)

1.本专利涉及一种方法来钝化铜铟镓硒(CIGS)薄膜太阳能电池中背电极与吸收层CIGS的界面，抑制载流子在该界面的复合，从而提高CIGS器件的性能。采用本技术制备CIGS太阳能电池的步骤包括：把混合有硫酸镉、硫脲和氨水的溶液加热2-10分钟，把沉积有背电极层的衬底置入该溶液继续加热，生长一层含有大颗粒的硫化镉层。再在硫化镉层上生长一层二氧化硅作为绝缘钝化层，然后用超声的办法把硫化镉大颗粒去掉，这样就得到具有纳米结构孔洞的钝化层。在钝化层上继续生长CIGS吸收层，这样吸收层和背电极之间可以形成点接触。使用本技术制备得到的CIGS太阳能电池的开路电压，填充因子和光电转换效率都得到提高。
2.根据权利要求1所述的一种方法来钝化铜铟镓硒(CIGS)薄膜太阳能电池中背电极与吸收层CIGS的界面，其特征在于，引入了一种具有纳米孔洞结构的钝化层，使得CIGS吸收层与背电极形成点接触，从而抑制背电极与CIGS吸收层之间的载流子复合。
3.根据权利要求1所述的一种方法来钝化铜铟镓硒(CIGS)薄膜太阳能电池中背电极与吸收层CIGS的界面，其特征在于，利用水浴法引入了一种具有纳米孔洞结构的钝化层，先用水浴法在背电极表面生长一层含有大颗粒的硫化镉层。
4.根据权利要求1所述的一种方法来钝化铜铟镓硒(CIGS)薄膜太阳能电池中背电极与吸收层CIGS的界面，其特征在于，利用水浴法引入了一种具有纳米孔洞结构的钝化层，先用水浴法在背电极表面生长一层含有大颗粒的硫化镉层，再在硫化镉层表面沉积绝缘层。
5.根据权利要求1所述的一种方法来钝化铜铟镓硒(CIGS)薄膜太阳能电池中背电极与吸收层CIGS的界面，其特征在于，利用水浴法引入了钝化层时，先把溶液加热2-10分钟，再放入样品，这样才能生成含有大颗粒的硫化镉层。
6.根据权利要求1所述的一种方法来钝化铜铟镓硒(CIGS)薄膜太阳能电池中背电极与吸收层CIGS的界面，其特征在于，用超声的办法去除硫化镉大颗粒。
CN201410348268.4A 2014-07-22 2014-07-22 一种可以提高铜铟镓硒薄膜太阳能电池性能的表面钝化技术 Pending CN104143587A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410348268.4A CN104143587A (zh) 2014-07-22 2014-07-22 一种可以提高铜铟镓硒薄膜太阳能电池性能的表面钝化技术

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410348268.4A CN104143587A (zh) 2014-07-22 2014-07-22 一种可以提高铜铟镓硒薄膜太阳能电池性能的表面钝化技术

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN104143587A true CN104143587A (zh) 2014-11-12

Family

ID=51852720

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201410348268.4A Pending CN104143587A (zh) 2014-07-22 2014-07-22 一种可以提高铜铟镓硒薄膜太阳能电池性能的表面钝化技术

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN104143587A (zh)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104867998A (zh) * 2015-06-09 2015-08-26 厦门神科太阳能有限公司 Cigs基薄膜太阳能电池及其制备方法
CN107180880A (zh) * 2017-05-23 2017-09-19 北京大学深圳研究生院 一种超薄半透明薄膜太阳能电池及其制备方法
CN108336177A (zh) * 2017-12-20 2018-07-27 深圳先进技术研究院 一种铜锌锡硫薄膜太阳能电池及其制备方法
CN110061088A (zh) * 2019-04-26 2019-07-26 潮州市亿加光电科技有限公司 一种柔性基底的cigs太阳能薄膜电池及其制备方法
CN111540796A (zh) * 2020-05-15 2020-08-14 东莞市中天自动化科技有限公司 高附着力的太阳能电池背电极和吸收层结构及制作工艺
CN112736150A (zh) * 2021-01-07 2021-04-30 中国科学院深圳先进技术研究院 一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池及其制备方法
CN112786713A (zh) * 2021-01-26 2021-05-11 凯盛光伏材料有限公司 一种高效超薄铜铟镓硒薄膜太阳能电池及其制备方法
EP4250372A1 (en) * 2022-03-25 2023-09-27 INL - International Iberian Nanotechnology Laboratory Material structure for a solar cell, a solar cell comprising the same and a method for manufacturing the material structure

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060216610A1 (en) * 2005-03-22 2006-09-28 Mary Galvin Photovoltaic cell
CN101981705A (zh) * 2008-04-04 2011-02-23 斯图加特大学 光电太阳能电池及其制造方法
JP2011060495A (ja) * 2009-09-08 2011-03-24 Dainippon Printing Co Ltd 色素増感型太陽電池用積層体の製造方法、および色素増感型太陽電池用電極積層体
JP2012204324A (ja) * 2011-03-28 2012-10-22 Sekisui Chem Co Ltd 色素増感太陽電池用光電極
CN102936034A (zh) * 2012-11-23 2013-02-20 中国科学院电工研究所 一种硫化镉薄膜的制备方法
CN103765606A (zh) * 2011-09-02 2014-04-30 昭和砚壳石油株式会社 薄膜太阳能电池及其制造方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060216610A1 (en) * 2005-03-22 2006-09-28 Mary Galvin Photovoltaic cell
CN101981705A (zh) * 2008-04-04 2011-02-23 斯图加特大学 光电太阳能电池及其制造方法
JP2011060495A (ja) * 2009-09-08 2011-03-24 Dainippon Printing Co Ltd 色素増感型太陽電池用積層体の製造方法、および色素増感型太陽電池用電極積層体
JP2012204324A (ja) * 2011-03-28 2012-10-22 Sekisui Chem Co Ltd 色素増感太陽電池用光電極
CN103765606A (zh) * 2011-09-02 2014-04-30 昭和砚壳石油株式会社 薄膜太阳能电池及其制造方法
CN102936034A (zh) * 2012-11-23 2013-02-20 中国科学院电工研究所 一种硫化镉薄膜的制备方法

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104867998A (zh) * 2015-06-09 2015-08-26 厦门神科太阳能有限公司 Cigs基薄膜太阳能电池及其制备方法
CN107180880A (zh) * 2017-05-23 2017-09-19 北京大学深圳研究生院 一种超薄半透明薄膜太阳能电池及其制备方法
CN107180880B (zh) * 2017-05-23 2019-08-27 北京大学深圳研究生院 一种超薄半透明薄膜太阳能电池及其制备方法
CN108336177A (zh) * 2017-12-20 2018-07-27 深圳先进技术研究院 一种铜锌锡硫薄膜太阳能电池及其制备方法
CN110061088A (zh) * 2019-04-26 2019-07-26 潮州市亿加光电科技有限公司 一种柔性基底的cigs太阳能薄膜电池及其制备方法
CN110061088B (zh) * 2019-04-26 2021-03-23 潮州市亿加光电科技有限公司 一种柔性基底的cigs太阳能薄膜电池及其制备方法
CN111540796A (zh) * 2020-05-15 2020-08-14 东莞市中天自动化科技有限公司 高附着力的太阳能电池背电极和吸收层结构及制作工艺
CN112736150A (zh) * 2021-01-07 2021-04-30 中国科学院深圳先进技术研究院 一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池及其制备方法
CN112786713A (zh) * 2021-01-26 2021-05-11 凯盛光伏材料有限公司 一种高效超薄铜铟镓硒薄膜太阳能电池及其制备方法
CN112786713B (zh) * 2021-01-26 2023-08-25 凯盛光伏材料有限公司 一种高效超薄铜铟镓硒薄膜太阳能电池及其制备方法
EP4250372A1 (en) * 2022-03-25 2023-09-27 INL - International Iberian Nanotechnology Laboratory Material structure for a solar cell, a solar cell comprising the same and a method for manufacturing the material structure

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104143587A (zh) 一种可以提高铜铟镓硒薄膜太阳能电池性能的表面钝化技术
Ranabhat et al. An introduction to solar cell technology
CN102054897B (zh) 多元素合金单一靶材制备薄膜太阳能电池的方法
CN105632903A (zh) 制备高效铜铟镓硒太阳能电池的钠钾共掺杂技术
CN105826425B (zh) 一种铜锌锡硫薄膜太阳电池的制备方法
CN102299206B (zh) 一种异质结太阳电池及其制备方法
CN104681642A (zh) 一种可以提高铜铟镓硒薄膜太阳能电池性能的氧等离子体背电极处理技术
CN102157577B (zh) 纳米硅/单晶硅异质结径向纳米线太阳电池及制备方法
CN110112062A (zh) IIIA族元素掺杂CdS的CZTS太阳电池制备方法
CN105742402B (zh) 一种叠层太阳能电池的制备方法及其结构
Adeyinka et al. A review of current trends in thin film solar cell technologies
CN103474488A (zh) 一种薄膜太阳能电池及其制备方法
CN204206061U (zh) 海面复合浮力材料上的光伏发电与潮汐能发电互补的电站
CN103296124A (zh) 柔性cigs薄膜太阳电池
CN101976689B (zh) 一种五结半导体太阳能光伏电池芯片
CN201936889U (zh) 一种四结化合物半导体太阳能光伏电池芯片
CN102709393A (zh) 用铜锌锡硫化合物单一靶材制备薄膜太阳能电池的方法
CN102610690A (zh) 一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池缓冲层材料制备方法
CN104752557A (zh) 陷光结构铜铟镓硒薄膜太阳电池的制备方法
CN102024858B (zh) 油墨、薄膜太阳能电池及其制造方法
CN105140359A (zh) 一种新技术制备缓冲层以提高铜铟镓硒太阳能电池的光电转换效率
CN101980367B (zh) 一种四结化合物半导体太阳能光伏电池芯片
CN204315613U (zh) 一种叠层太阳能电池
CN204441296U (zh) 一种cigs基薄膜太阳能电池
EP2860281A1 (en) Method of recycling solution, solar cell including buffer layer formed by the method, and deposition apparatus

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20141112

WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication