CN104133604A - 一种g+f结构的无边框触摸屏 - Google Patents

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CN104133604A CN201410404570.7A CN201410404570A CN104133604A CN 104133604 A CN104133604 A CN 104133604A CN 201410404570 A CN201410404570 A CN 201410404570A CN 104133604 A CN104133604 A CN 104133604A
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吴国峰
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Abstract

本发明公开了一种G+F结构的无边框触摸屏,其包括氧化铟锡导电膜,其中,所述氧化铟锡导电膜上竖向布置有与其可视区域完全重合的若干个ITO图形,且所述氧化铟锡导电膜上于若干个ITO图形的上方印刷有导电银浆线路与若干个ITO图形的上端搭接,并引出线路到顶端绑定位。上述G+F结构的无边框触摸屏的ITO图形采用竖向布置,这样导电银浆线路与ITO图形线路搭接可以从氧化铟锡导电膜的上部出线,由于导电线路不需要从侧边出线,这样就可以做到ITO导电线路与可视区域完全重合,这样就可以做到真正意义上的无边框触摸屏产品。

Description

一种G+F结构的无边框触摸屏
技术领域
本发明涉及一种G+F结构触摸屏,尤其涉及一种G+F结构的无边框触摸屏。
背景技术
目前,主流窄边框设计的电容屏主要是压缩ITO(氧化铟锡导电膜)边框边缘上的线宽线距来实现。压缩ITO边框边缘走线的空间只能做到窄边框,无法做到真正的无边框。
传统的G+F(Glass+Film)电容式触摸屏的ITO film是采用横向设计,然后通过丝印导电银浆与ITO导电层搭接,形成驱动和感应通道,这种走线方式由于侧边的走线空间有限,所以只能压缩银浆线路的宽度,无法实现真正的无边框。
发明内容
本发明的目的在于提供一种G+F结构的无边框触摸屏,其能够满足电容屏无边框以及窄边框电容屏的需求,以解决现有技术中G+F结构触摸屏存在的问题。
为达此目的,本发明采用以下技术方案:
一种G+F结构的无边框触摸屏,其包括氧化铟锡导电膜,其中,所述氧化铟锡导电膜上竖向布置有与其可视区域完全重合的若干个ITO图形,且所述氧化铟锡导电膜上于若干个ITO图形的上方印刷有导电银浆线路与若干个ITO图形的上端搭接,并引出线路到顶端绑定位。
特别地,所述ITO图形为直角梯形结构,所述若干个ITO图形中最外侧的两个ITO图形的直角边与氧化铟锡导电膜的两横向侧边完全重合。
特别地,所述ITO图形通过印刷后蚀刻得到。
本发明的有益效果为,与现有技术相比所述G+F结构的无边框触摸屏的ITO图形采用竖向布置,这样导电银浆线路与ITO图形线路搭接可以从氧化铟锡导电膜的上部出线,由于导电线路不需要从侧边出线,这样就可以做到ITO导电线路与可视区域完全重合,这样就可以做到真正意义上的无边框触摸屏产品。
附图说明
图1是本发明具体实施方式1提供的G+F结构的无边框触摸屏的结构示意图。
图中:
1、氧化铟锡导电膜;2、ITO图形;3、导电银浆线路;4、搭接处;5、绑定处。
具体实施方式
下面结合附图并通过具体实施方式来进一步说明本发明的技术方案。
请参阅图1所示,图1是本发明具体实施方式1提供的G+F结构的无边框触摸屏的结构示意图。
本实施例中,一种G+F结构的无边框触摸屏包括氧化铟锡导电膜1,所述氧化铟锡导电膜1上竖向布置有与其可视区域完全重合的若干个ITO图形2,所述ITO图形2为直角梯形结构,所述若干个ITO图形2中最外侧的两个ITO图形的直角边与氧化铟锡导电膜1的两横向侧边完全重合。且所述氧化铟锡导电膜1上于若干个ITO图形2的上方印刷有导电银浆线路3与若干个ITO图形2的上端的搭接处4搭接,并引出线路到顶端绑定处5绑定。
制作时,ITO图形2通过印刷、蚀刻的方式得到我们需要的竖向布置的直角梯形结构,然后印刷上导电银浆线路3与ITO图形2的上端搭接,并引出线路到顶端绑定位,然后取FPC用导电胶与氧化铟锡导电膜1绑定好,与钢化玻璃盖板贴合好之后,就得到我们的无边框电容式触摸屏。
以上实施例只是阐述了本发明的基本原理和特性,本发明不受上述事例限制,在不脱离本发明精神和范围的前提下,本发明还有各种变化和改变,这些变化和改变都落入要求保护的本发明范围内。本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。

Claims (3)

1.一种G+F结构的无边框触摸屏,其包括氧化铟锡导电膜,其特征在于,所述氧化铟锡导电膜上竖向布置有与其可视区域完全重合的若干个ITO图形,且所述氧化铟锡导电膜上于若干个ITO图形的上方印刷有导电银浆线路与若干个ITO图形的上端搭接,并引出线路到顶端绑定位。
2.根据权利要求1所述的G+F结构的无边框触摸屏,其特征在于,所述ITO图形为直角梯形结构,所述若干个ITO图形中最外侧的两个ITO图形的直角边与氧化铟锡导电膜的两横向侧边完全重合。
3.根据权利要求1或2所述的G+F结构的无边框触摸屏,其特征在于,所述ITO图形通过印刷后蚀刻得到。
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