CN104103612A - 一种应用于三维组件的垂直互连过渡结构 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种应用于三维组件的垂直互连过渡结构,其特征在于包括用LTCC制成的上层射频电路板和下层射频电路板、以及用于垂直互连焊接的BGA球;上下两层LTCC电路板内包括微带线传输向带状线传输的转变结构,以及带状线传输向类同轴传输的转变结构;将上层电路板平行设置于下层电路板的上方,使其类同轴结构相互对准,利用BGA球将上下电路板的类同轴结构进行焊接,实现整体结构的三维垂直互连。与现有技术相比,本发明结构简单、性能优良,通过微带线、带状线、类同轴结构、以及BGA球之间的过渡连接,实现了二维微波模块的三维垂直互连,解决了之前存在的差损大,宽带匹配差的缺点,并在Ku波段组件中表现出了良好的三维连接性能。
Description
技术领域
本发明属于属于微波技术领域,涉及一种多芯片组件的三维垂直互连方法,更准确的说是在三维LTCC中实现芯片在叠层式板间的垂直互连。
背景技术
随着通讯电子设备对小型化、高集成、低成本的需求越来越高,微波电路从传统的平面型结构向三维立体结构发展。其关键点在于实现二维微波电路的垂直互连,同时又要保证微波信号良好传输,以及结构的简单性。
发明内容
要解决的技术问题
为了避免现有技术的不足之处,本发明提出一种应用于三维组件的垂直互连过渡结构,可实现二维微波电路模块的高可靠性垂直互连,实现高性能的三维垂直传输。
技术方案
一种应用于三维组件的垂直互连过渡结构,其特征在于包括上层射频电路板5、下层射频电路板6、BGA球4、类同轴3、微带线2和带状线1;上层射频电路板5和下层射频电路板6上分别设有方形九芯结构的类同轴结构3,包括九个类同轴,中心的类同轴金属柱为微波信号垂直互连传输线,四周的类同轴金属柱为地信号连接线;两层之间的九个类同轴位置相互对准,采用BGA球实现垂直互连;所述类同轴通过微带线2;所述中心的类同轴金属柱连接带状线1,实现微带线传输向带状线传输的转变结构,以及带状线传输向类同轴传输的转变结构。
所述射频电路板5和射频电路板6采用LTCC制成。
所述微带线与带状线共面,微带线的地与带状线的下端地共面,并连成一体。
所述类同轴与BGA球采用焊接实现连接。
有益效果
本发明提出的一种应用于三维组件的垂直互连过渡结构,与现有技术相比,本发明提供了一种结构简单、性能优良、可靠性高的三维垂直互连微波传输结构,通过微带线、带状线、类同轴结构、以及BGA球之间的过渡连接,实现了二维微波模块的三维垂直互连,解决了之前存在的差损大,宽带匹配差的缺点,并在Ku波段组件中表现出了良好的三维连接性能。
附图说明
图1为本发明三维垂直互连结构示意图
图2为本发明三维垂直互连结构中上层射频电路板剖视示意图
图3为本发明所述LTCC内部微带线向带状线,再向类同轴的转变
图4为本发明所述LTCC电路板间的BGA球连接结构
1-带状线,2-微带线,3-类同轴结构,4-BGA球,5-上层射频电路板,6-下层射频电路板。
具体实施方式
现结合实施例、附图对本发明作进一步描述:
本发明采用的设计方案:应用于三维组件的新型垂直互连过渡结构,包括用LTCC制成的上层射频电路板和下层射频电路板、以及用于垂直互连焊接的BGA球;上下两层LTCC电路板内包括微带线传输向带状线传输的转变结构,以及带状线传输向类同轴传输的转变结构;将上层电路板平行设置于下层电路板的上方,使其类同轴结构相互对准,利用BGA球将上下电路板的类同轴结构进行焊接,实现整体结构的三维垂直互连。
所述微带线与带状线共面,微带线的地与带状线的下端地共面,并连成一体,同时在微带线与带状线转化处根据实际的传输效果进行匹配调节,其均采用LTCC基板加工。
类同轴结构采用方形九芯结构,中心的金属柱为微波信号垂直互连传输线,四周的金属柱为地信号连接线。
BGA球的排布采取方形九芯类同轴结构。
根据微波电路的工作频段,首先设计出合适的微带传输线传输结构和带状线传输结构,然后将微带线与带状线相连,微带线的地与带状线的下端地共面并连成一体,同时在微带线与带状线转化处根据实际的传输效果进行匹配调节,其均采用LTCC基板加工,如图2所示。类同轴结构采用方形九芯结构,中间金属柱作为同轴的内芯,LTCC介质作为同轴的填充材料,周围金属柱作为同轴结构的等效金属外皮。为实现良好的连接性能,内芯顶端与带状线等平面,并且使带状线从方形类同轴结构的某边中心位置伸入类同轴结构;为防止短路,带状线走线下端的类同轴的外芯作处理,使其顶端与带状线的下端地共面,类同轴的其余外芯顶端与带状线的上端地共面。BGA球与类同轴的垂直互连,采用类同轴结构与LTCC基板表面平齐,并依据类同轴结构的九芯位置在LTCC基板表面设置同心焊盘,然后将BGA与焊盘进行焊接,实现BGA球与类同轴结构的垂直互连,如图3所示。
Claims (4)
1.一种应用于三维组件的垂直互连过渡结构,其特征在于包括上层射频电路板(5)、下层射频电路板(6)、BGA球(4)、类同轴(3)、微带线(2)和带状线(1);上层射频电路板(5)和下层射频电路板(6)上分别设有方形九芯结构的类同轴结构(3),包括九个类同轴,中心的类同轴金属柱为微波信号垂直互连传输线,四周的类同轴金属柱为地信号连接线;两层之间的九个类同轴位置相互对准,采用BGA球实现垂直互连;所述类同轴通过微带线(2);所述中心的类同轴金属柱连接带状线(1),实现微带线传输向带状线传输的转变结构,以及带状线传输向类同轴传输的转变结构。
2.根据权利要求1所述应用于三维组件的垂直互连过渡结构,其特征在于:所述射频电路板(5)和射频电路板(6)采用LTCC制成。
3.根据权利要求1所述应用于三维组件的垂直互连过渡结构,其特征在于:所述微带线与带状线共面,微带线的地与带状线的下端地共面,并连成一体。
4.根据权利要求1所述应用于三维组件的垂直互连过渡结构,其特征在于:所述类同轴与BGA球采用焊接实现连接。
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