CN104090692A - 一种ogs触摸屏的制作工艺 - Google Patents

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张吉
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Abstract

本发明公开了一种OGS触摸屏的制作工艺，属触摸屏领域，解决因油墨边框层厚度造成ITO膜质量低的问题。包括下述步骤，在玻璃基板的一面沉积金属化合物并蚀刻制成金属边框层；覆盖三氧化二铝作为表层；在玻璃基板的另一面沉积五氧化二铌；在五氧化二铌上覆盖二氧化硅构成消影膜；在消影膜上溅射形成ITO导电膜并蚀刻电路；覆盖OC绝缘层绝缘；在OC绝缘膜层上沉积金属膜层并蚀刻过桥和电路；在金属膜层上覆盖保护层；边框丝印以制成OGS触摸传感器；用OCA光学胶将显示屏贴合在OGS触摸传感器上制成OGS触摸屏。金属边框层设于玻璃基板上相对于消影膜、ITO导电层的另一面，沉积消影膜时可避免消影膜断裂。

Description

一种OGS触摸屏的制作工艺
技术领域
本发明涉及触摸屏领域，特别是一种OGS触摸屏的制作工艺。
背景技术
目前OGS电容式触摸屏普遍采用的边框工艺为丝网印刷或BM光阻剂(与ITO层在同一面)，可以基本满足OGS触摸屏的使用要求，但边框的均匀性较差、厚度较厚，对后续制造工艺带来难度，沉积ITO膜时容易因为油墨边框层的厚度形成的台阶效果造成膜层断裂，从产品的良品率不高。
发明内容
本发明所要达到的目的是提供一种OGS触摸屏的制作工艺，防止ITO膜断裂。
为了达到上述目的，本发明采用如下技术方案：一种OGS触摸屏的制作工艺，包括下述步骤，在玻璃基板的一面沉积金属化合物，使用蚀刻工艺制作形成金属边框层；在金属边框层上覆盖三氧化二铝作为表层；在玻璃基板的另一面沉积一层五氧化二铌；在五氧化二铌上覆盖一层二氧化硅与五氧化二铌共同构成消影膜；在消影膜上溅射氧化铟锡并使用340℃-360℃的温度退火处理形成ITO导电膜，在ITO导电膜上蚀刻电路；在ITO导电膜上覆盖OC绝缘层绝缘；在OC绝缘膜层上沉积一层金属膜层，在金属膜层上蚀刻过桥和电路；在金属膜层上覆盖一层保护层；进行一遍或两遍边框丝印制成OGS触摸传感器；使用OCA光学胶将显示屏贴合在OGS触摸传感器带有保护层的一面制成OGS触摸屏。
进一步的，在玻璃基板的一面反应溅射沉积金属化合物时温度在280℃-320℃。
进一步的，使用TiCN或TiN制作形成金属边框层。
进一步的，所述消影膜的沉积镀膜温度为215℃-225℃。
进一步的，在OC绝缘层上沉积金属膜层的温度为215℃-225℃。
进一步的，所述保护层的材料为二氧化硅。
采用上述技术方案后，本发明具有如下优点：
金属边框层设于玻璃基板上相对于消影膜、ITO导电层所在一面的另一面，沉积ITO膜时可避免ITO膜因油墨边框层厚度形成的台阶效果断裂。
具体实施方式
一种OGS触摸屏的制作工艺，包括下述步骤，在玻璃基板的一面使用300℃的温度(也可采用280℃、320℃或280℃-320℃中的其他取值)反应溅射沉积金属化合物TiCN(或TiN)并使用蚀刻工艺制作形成金属边框层；在金属边框层上覆盖三氧化二铝作为表层；在玻璃基板的另一面使用210℃的温度(也可采用215℃、225℃或215℃-225℃中的其他取值)沉积一层五氧化二铌；在五氧化二铌上覆盖一层二氧化硅与五氧化二铌共同构成消影膜；在消影膜上溅射氧化铟锡并使用350℃(也可采用340℃、360℃或340℃-360℃中的其他取值)的温度退火处理形成ITO导电膜，在ITO导电膜上蚀刻电路；在ITO导电膜上覆盖OC绝缘层绝缘；在OC绝缘膜层上使用210℃的温度(也可采用215℃、225℃或215℃-225℃中的其他取值)沉积一层金属膜层，在金属膜层上蚀刻过桥和电路；在金属膜层上覆盖一层二氧化硅作为保护层；进行两遍边框丝印制成OGS触摸传感器；使用OCA光学胶将显示屏贴合在OGS触摸传感器带有保护层的一面制成OGS触摸屏。
金属边框层设于玻璃基板上相对于消影膜、ITO导电层所在一面的另一面，沉积ITO膜时可避免ITO膜因油墨边框层厚度形成的台阶效果断裂。
除上述优选实施例外，本发明还有其他的实施方式，本领域技术人员可以根据本发明作出各种改变和变形，只要不脱离本发明的精神，均应属于本发明所附权利要求所定义的范围。

Claims (6)

1.一种OGS触摸屏的制作工艺，其特征在于：包括下述步骤，
(A)在玻璃基板的一面沉积金属化合物，使用蚀刻工艺制作形成金属边框层；
(B)在金属边框层上覆盖三氧化二铝作为表层；
(C)在玻璃基板的另一面沉积一层五氧化二铌；
(D)在五氧化二铌上覆盖一层二氧化硅与五氧化二铌共同构成消影膜；
(E)在消影膜上溅射氧化铟锡并使用340℃-360℃的温度退火处理形成ITO导电膜，在ITO导电膜上蚀刻电路；
(F)在ITO导电膜上覆盖OC绝缘层绝缘；
(G)在OC绝缘膜层上沉积一层金属膜层，在金属膜层上蚀刻过桥和电路；
(H)在金属膜层上覆盖一层保护层；
(I)进行一遍或两遍边框丝印制成OGS触摸传感器；
(J)使用OCA光学胶将显示屏贴合在OGS触摸传感器带有保护层的一面制成OGS触摸屏。
2.根据权利要求1所述的一种OGS触摸屏的制作工艺，其特征在于：在玻璃基板的一面反应溅射沉积金属化合物时温度在280℃-320℃。
3.根据权利要求2所述的一种OGS触摸屏的制作工艺，其特征在于：使用TiCN或TiN制作形成金属边框层。
4.根据权利要求1-3任一所述的一种OGS触摸屏的制作工艺，其特征在于：所述消影膜的沉积镀膜温度为210℃-230℃。
5.根据权利要求1-3任一所述的一种OGS触摸屏的制作工艺，其特征在于：在OC绝缘层上沉积金属膜层的温度为215℃-225℃。
6.根据权利要求1-3任一所述的一种OGS触摸屏的制作工艺，其特征在于：所述保护层的材料为二氧化硅。
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