CN104075651A - 电容性传感器 - Google Patents

电容性传感器 Download PDF

Info

Publication number
CN104075651A
CN104075651A CN201410119002.2A CN201410119002A CN104075651A CN 104075651 A CN104075651 A CN 104075651A CN 201410119002 A CN201410119002 A CN 201410119002A CN 104075651 A CN104075651 A CN 104075651A
Authority
CN
China
Prior art keywords
capacitive sensor
electric capacity
conduction region
magnetic head
disk
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201410119002.2A
Other languages
English (en)
Inventor
B·S·哈罗恩
R·穆胡帕一
P·M·埃默森
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Texas Instruments Inc
Original Assignee
Texas Instruments Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Texas Instruments Inc filed Critical Texas Instruments Inc
Publication of CN104075651A publication Critical patent/CN104075651A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B7/00—Measuring arrangements characterised by the use of electric or magnetic techniques
    • G01B7/14—Measuring arrangements characterised by the use of electric or magnetic techniques for measuring distance or clearance between spaced objects or spaced apertures
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B7/00—Measuring arrangements characterised by the use of electric or magnetic techniques
    • G01B7/02—Measuring arrangements characterised by the use of electric or magnetic techniques for measuring length, width or thickness
    • G01B7/023—Measuring arrangements characterised by the use of electric or magnetic techniques for measuring length, width or thickness for measuring distance between sensor and object

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Measurement Of Length, Angles, Or The Like Using Electric Or Magnetic Means (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Signal Processing (AREA)

Abstract

一种电容性传感器(100，400)至少具有第一和第二导电区(104，106；406，408)，使得第一电容(C1)被形成在第一导电区和表面(102，404)之间，并且第二电容(C2)被形成在第二导电区和该表面之间，并且第一电容与第二电容的比率仅当传感器与表面相距预定的距离时具有预定值。

Description

电容性传感器
背景技术
在许多电子系统中，电容的精确测量是必要的。例如，针对触摸屏使用电容性感测，用于测试电路板上的电连续性，并且用于检测接近度、位置、或位移。对于一些系统，被测量的电容极小，从而测量精度要求极低噪声精密电路。测量精度由于机械振动、电磁场和其它电子噪声而被复杂化。此外，如果在用于测量电容的传感器和电路之间需要传输线，则传输线的长度、传输线的阻抗、传播延迟和传输线的反射可以使得电容难以确定。因此不断需要改进的电容测量。
附图说明
图1A是示出磁盘和提供飞行高度的电容性测量的磁头的示例实施例的剖面图。
图1B是示出磁盘和提供飞行高度的电容性测量的磁头的替换性示例实施例的剖面图。
图1C是示出磁盘和提供飞行高度的电容性测量的磁头的替换性示例实施例的剖面图。
图2是示出用于与图1的磁盘和磁头一起使用的电路的示例实施例的框图。
图3是示出提供飞行高度的电容性测量和倾角的电容性测量的磁头的替换性示例实施例的框图。
图4是示出用于测量薄膜的特性的电容性探针的示例实施例的剖面图。
图5是示出方法的示例实施例的流程图。
具体实施方式
需要电容的精确测量的一个具体示例是动态测量磁盘驱动器中磁头与磁盘之间的距离。在转动的磁盘驱动器中(磁盘或光盘)，悬浮的变换器(磁头)非常接近旋转的磁盘。通常，磁头与磁盘之间的间距(称作“飞行高度”)只有几纳米。需要较低的飞行高度以维持数据信号的高信噪比。然而，如果飞行高度非常低，存在磁头可能接触磁盘的危险，导致数据缺失、磁头受损以及磁盘表面受损。对于飞行高度的闭环控制，需要动态测量飞行高度。
已经研发多种技术用于测试飞行高度，例如包括，监控信号谐波的幅值、测量信噪比、光干涉法以及电容性测量。例如，在第4,931,887号的美国专利中，电容是由磁头和磁盘上的导电图案形成的，并且该电容由RF电压驱动。在第7,394,611号的美国专利中，在磁头和磁盘之间的电容由具有恒定的电压转换速率的周期信号来驱动。在第7,719,786号的美国专利中，在磁头和磁盘之间的电容由调制的RF电压来驱动。在第7,450,333号的美国专利中，在磁头和磁盘之间的电容是相对于参考电容的。在这些现有技术中的某些示例中，单个电容的绝对值被测量。对于飞行高度的主动控制所需要的分辨率，需要被检测的电容中的相对变化可以约为0.25％，对于一些实施例，电容中的相对变化可以低至5fF。这要求极低噪声精密电路。电容测量由于磁头和驱动器的机械振动、磁头周围的磁场以及其它电子噪声而被复杂化。磁盘表面可能具有相对于接地的高阻抗，导致了磁盘表面处的大量电噪声。此外，如果在磁头和用于测量电容的电路之间需要传输线，则传输线长度、传输线阻抗、传播延迟和传输线反射可以使得绝对电容难以确定。
在下面描述的系统中，通过测量两个电容的比率，而非仅仅测量单个绝对电容来确定飞行高度。两个电压的差分测量抵消共模噪声和许多传输线的影响，其大大提高了电容测量的信噪比。在用于测量磁头飞行高度的系统的具体示例中，系统测量两个电压，所述两个电压仅当飞行高度在预期距离处时相等。两个电压仅当两个电容的比率处于预定值时相等，两个电容的比率处于预定值仅在飞行高度在预期距离处时发生。在所有其它距离处，电容的比率并非为预定值。两个电容的比率在预期距离处可以为1.0，或者可以为不同于1.0的预定值。
图1A示出提供飞行高度的电容性测量的磁头100的示例实施例。在图1中，磁头100可以为，例如，磁式变换器或光学变换器。将磁头100定位于接近旋转的磁盘102，其中箭头指示旋转的方向。如图1A所示，磁头100可以被故意倾斜或沿着旋转方向偏斜，以便磁头在空气的垫层上“飞行”。如果磁头没有沿着旋转方向被倾斜，则可以使用在图1B中示出的替换性设计。还可以无意地倾斜或在横向于旋转方向的方向上偏斜变换器(将在下面进一步讨论)。
磁头100包括至少两个导电区104和106。第一电容C1由导电区104和磁盘102的表面形成，并且第二电容C2由导电区106和磁盘102的表面形成。导电区106的中心相距磁盘102的表面的距离为“d”。导电区104的中心相距磁盘102的表面的距离为“d+h”。假设导电区104具有面积A1，并假设导电区106具有面积A2。则电容C1和C2如下：
C1＝εOA1/(d+h)    C2＝εOA2/(d)
其中εO是自由空间的电容率。
定义dD为从导电区106的中心到磁盘102的表面的期望距离，并且使h＝ndD，其中“n”是由倾角确定的。当d＝dD时，则：
C1/C2＝A1/[(n+1)A2]
即当磁头100在与磁盘102相距预期距离处时，C1与C2的比率是已知(预定)的量。
面积A1和A2可以被任选地设计，使得A1＝(n+1)A2，从而当磁头100在与磁盘102相距预期距离处时，C1＝C2。或者，当磁头100在与磁盘102相距预期距离处时，只要该比率是先验已知的，C1/C2的比率可以不同于1∶1。具体地，如果A1＝kA2，则：
C1/C2＝k/(n+1)
或者，可通过凹陷(或突出)导电区中的一个从而改变“h”和/或“d”来改变C1和C2。如果磁头不具有故意倾斜或者如果倾斜相对较小，则以上可能是需要的。例如，在图1B中，磁头108具有凹陷到磁头108中的一个导电区110。距离“h”仍然可以被定义为ndD，但是凹陷导电区110允许独立于磁头108的倾角确定参数“n”。
或者，可以通过改变至少一个导电区与磁盘102的表面之间的电容率来改变C1和C2。例如，在图1C中，磁头112包括导电区114以及在导电区114与磁盘102的表面之间的介电层116。介电层116具有与自由空间的电容率不同的电容率。
图2示出用于与图1A-1C的磁头(100，108，112)中的任一个一起使用的电路200的示例实施例。在图2的示例中，射频(RF)电压源202以电压“V”驱动电容性电桥204。电压“V”是相对于VREF的，其中VREF可以是，例如磁盘102的表面处的电压(其可以是浮动的或者位于高阻抗)。电容性电桥202包括两个参考电容(CREF1，CREF2)和图1A-1C中的两个磁头-磁盘电容(C1，C2)。可以在制造时修整CREF1和CREF2。在电容性电桥204内，电压V1是V*C1/(C1+CREF1)，并且电压V2是V*C2/(C2+CREF2)。可选电路206可以包括信号缓冲器和/或带通滤波器。例如如果在预期飞行高度处C1/C2＝k/(n+1)，可选放大器208可以具有(n+1)/k的增益。模拟比较器(或差分放大器)210比较V1和V2(由电路元件206和208任意修改)。假设CREF1＝CREF2，则比较器210的差分输出VOUT在距离“d”等于预期距离“dD”时为零。例如，如果飞行高度太高，VOUT可以是正的，如果飞行高度太低，VOUT可以是负的。
在图2中，电感LD和电阻RD表示磁盘102的表面到接地的阻抗。如果磁盘102的表面到接地的阻抗较高，则可能需要与电桥电路204并联的大电容(＞10*C1)CDC从而提供磁盘102的表面处的AC接地。
图1A-1C的示例示出带有两个导电区的磁头。可选地，磁头可以包括导电区阵列，用于测量飞行高度和/或横向于磁盘102的表面的方向上的磁头倾角。图3示出具有导电区阵列(302-316)的磁头300的表面。例如，导电区302和304和/或导电区306和308可以被成对地用于测量飞行高度。或者，导电区302和308和/或导电区304和306可以被成对地用于测量飞行高度。或者，导电区302和306和/或导电区304和308可以被成对地用于测量横向于磁盘102的旋转方向的倾角。或者，导电区310和312可以被用于测量飞行高度，并且导电区314和316可以被用于测量横向于磁盘102的旋转方向的倾角。整个阵列可以由大导电区318来包围，如图2所示，其形成电容CDC用于提供虚拟接地。
例如，考虑导电区314和316。假设导电区314和316处于如图1A中的磁头的表面。还假设导电区314和磁盘102的表面形成电容C1，并且导电区316和磁盘102的表面形成电容C2，并且使用如图2中的电桥电路。为了横向倾斜测量的目的，比较器210的输出在导电区314和316均与磁盘相距相同(预期)的距离时为零(即，比较器210的输出在没有横向于磁盘102的旋转方向的倾斜时为零)。
上述示例利用电容比率的测量来检验磁头靠近旋转的磁盘的合适的距离。测量电容比率的可替换示例是用于测量薄介电膜的厚度(和电容率或介电常数)的探针。图4示出用于检验在固定衬底404上的介电层402的厚度(和介电常数或电容率)的示例电容性探针400。在图4的示例中，探针400的表面与介电层402接触，但这不是必要的。探针400包括两个导电区406和408。在示出的示例中，一个导电区408凹陷到探针400的表面中。并且在示出的示例中，示例附加介电层410被制造在导电区408和探针400的表面之间。附加介电层410也是可选的。
第一探针电容被形成在导电区406和衬底404的表面之间，由导电区406的面积、介电层402的厚度和介电层402的电容率来确定第一探针电容。第二探针电容被形成在导电层408和衬底404的表面之间，由导电区408的面积、介电层402的厚度、导电区408和介电层402之间的距离以及在导电区408和衬底404之间的任何材料(包括，例如，空气)的有效电容率来确定第二探针电容。
图2的电路可以被用于图4的探针400。此外，两个电压的差分测量抵消共模噪声和传输线的许多影响，这大大地提高了电容测量的信噪比。在用于测量薄膜特性的系统的具体示例中，系统测量两个电压，所述两个电压仅当薄膜具有预期厚度(和电容率)时相等。两个电压仅当两个探针电容的比率是预定值时相等，两个探针电容的比率是预定值仅发生在薄膜(介电层402)具有预期厚度(和电容率)时。对于薄膜(介电层402)的所有其它的厚度(和电容率)，探针电容的比率不为预定值。两个探针电容的比率在薄膜(介电层)具有预期厚度(和电容率)时可以为1.0，或者可以为不同于1.0的预定值。导电区406和408的面积、导电区408和介电层402之间的距离以及可选层410的电容率都可以被调整，使得比较器210的输出仅当介电层402具有预期厚度(和电容率)时将为零。例如，此类探针可以被使用在生产环境中用于检验薄膜，例如，已经被适当地形成在太阳能电池上的薄膜。
图5示出利用电容性传感器检验距离的示例方法500，例如，测量飞行高度或薄膜厚度。在步骤502处，测量来自第一和第二电容的第一和第二电压，其中第一和第二电容被形成在表面和电容性传感器上的导电区之间。在步骤504处，当第一与第二电压的比率等于预定的比率时，确定电容性传感器与表面相距预期距离。
尽管已在本文详细描述本发明的说明性和目前优选实施例，应理解可以其它方式不同的方式体现和采用本发明的概念，并且，所附权利要求意在被解释为包括除了在由现有技术限制的范围之内的此类变化。

Claims (14)

1.一种电容性传感器，其包括：
至少第一和第二导电区，使得第一电容被形成在所述第一导电区和表面之间，并且第二电容被形成在所述第二导电区和所述表面之间；并且所述第一电容与所述第二电容的比率仅当所述电容性传感器在与所述表面相距预定距离处时具有预定值。
2.根据权利要求1所述的电容性传感器，其中所述第一电容与所述第二电容的所述比率的所述预定值在所述电容性传感器在与所述表面相距预定距离处时等于1。
3.根据权利要求1所述的电容性传感器，其中所述第一电容与所述第二电容的所述比率的所述预定值在所述电容性传感器在与所述传感器相距预定距离处时不等于1。
4.根据权利要求1所述的电容性传感器，进一步包括凹陷在所述电容性传感器的表面下方的所述第一和第二导电区中的至少一个。
5.根据权利要求1所述的电容性传感器，进一步包括在所述第一和第二导电区中的至少一个与所述表面之间的介电层。
6.根据权利要求1所述的电容性传感器，进一步包括所述电容性传感器上的至少四个导电区的阵列。
7.根据权利要求1所述的电容性传感器，其中所述电容性传感器在磁盘驱动器的磁头上。
8.根据权利要求7所述的电容性传感器，其中所述表面是磁盘的表面。
9.根据权利要求1所述的电容性传感器，其中所述预定距离是在衬底上的薄膜的预定厚度。
10.根据权利要求9所述的电容性传感器，其中所述表面是所述衬底上的表面。
11.一种电路，其包括：
电容性电桥，其包括与第一传感器电容串联的第一参考电容，以及与第二传感器电容串联的第二参考电容，其中所述第一和第二传感器电容被形成在电容性传感器上的导电区和表面之间；
比较器，其比较第一电压和第二电压，该第一电压来自所述第一参考电容与所述第一传感器电容的接合点，该第二电压来自所述第二参考电容与所述第二传感器电容的接合点。
12.根据权利要求11所述的电路，其中所述比较器的输出仅在所述第一与第二电压的比率等于预定值时为零。
13.根据权利要求11所述的电路，其中所述导电区在磁盘驱动器的磁头上，并且所述表面是磁盘的表面。
14.一种方法，其包括：
测量来自第一和第二电容的第一和第二电压，其中所述第一和第二电容被形成在表面和电容性传感器上的导电区之间；以及
当所述第一与第二电压的比率等于预定比率时，确定所述电容性传感器在与所述表面相距预期距离处。
CN201410119002.2A 2013-03-27 2014-03-27 电容性传感器 Pending CN104075651A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US13/851,484 2013-03-27
US13/851,484 US20140292354A1 (en) 2013-03-27 2013-03-27 Capacitive sensor

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN104075651A true CN104075651A (zh) 2014-10-01

Family

ID=51597090

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201410119002.2A Pending CN104075651A (zh) 2013-03-27 2014-03-27 电容性传感器

Country Status (2)

Country Link
US (1) US20140292354A1 (zh)
CN (1) CN104075651A (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107272947A (zh) * 2017-06-09 2017-10-20 奇酷互联网络科技（深圳）有限公司 触摸屏贴膜厚度的确定方法、装置和终端

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN86208635U (zh) * 1986-11-01 1988-03-16 闵浩 人体感应接近开关
US4931887A (en) * 1988-02-01 1990-06-05 International Business Machines Corporation Capacitive measurement and control of the fly height of a recording slider
CN1378288A (zh) * 2001-04-04 2002-11-06 华邦电子股份有限公司 凹陷型堆栈电容与其接触插塞及其制造方法
CN1479858A (zh) * 2000-11-30 2004-03-03 ������������ʽ���� 静电容式传感器
CN1488138A (zh) * 2001-01-25 2004-04-07 �����ι�˾ 集成型静电滑动臂飞行高度控制法
CN102735716A (zh) * 2011-04-08 2012-10-17 Nxp股份有限公司 电容性传感器、集成电路、电子设备和方法
US20120274141A1 (en) * 2010-01-28 2012-11-01 Murata Manufacturing Co., Ltd. Variable capacitance device

Family Cites Families (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
BE792405A (fr) * 1971-12-08 1973-03-30 Paratronic Ag Dispositif pour mesurer sans les detruire l'epaisseur de revetements electriquement non conducteurs sur des supports electriquement conducteurs
NL7709518A (nl) * 1977-08-30 1979-03-02 Philips Nv Elektronische kommuterende motor.
JPS6149518A (ja) * 1984-08-17 1986-03-11 Fuji Photo Film Co Ltd ゼロクロスポイントの検出回路
US4617606A (en) * 1985-01-31 1986-10-14 Motorola, Inc. Capacitive pressure transducer
DE4442711A1 (de) * 1994-12-01 1996-06-05 Claas Ohg Kapazitive Meßvorrichtung
US6879930B2 (en) * 2001-03-30 2005-04-12 Microsoft Corporation Capacitance touch slider
US7052829B2 (en) * 2001-03-30 2006-05-30 The Arizona Board Of Regents On Behalf Of The University Of Arizona Prevascularized constructs for implantation to provide blood perfusion
DE10133216B4 (de) * 2001-07-09 2005-01-27 Tecpharma Licensing Ag Positionsdetektion
US6967805B1 (en) * 2002-04-09 2005-11-22 Seagate Technology Llc In-situ monitoring of proximity and contact between a slider and a disc in a disc drive
US7369358B2 (en) * 2004-02-05 2008-05-06 Seagate Technology Llc Grounded writer core
US7924029B2 (en) * 2005-12-22 2011-04-12 Synaptics Incorporated Half-bridge for capacitive sensing
US7256957B1 (en) * 2006-01-04 2007-08-14 Marvell International Ltd. Circuits, systems, and methods for capacitive fly height measurement
WO2007086358A1 (ja) * 2006-01-24 2007-08-02 Shimadzu Corporation 接近及び接触センサ及びセンサ素子
CN101410690B (zh) * 2006-02-21 2011-11-23 赛博光学半导体公司 半导体加工工具中的电容性距离感测
US20070229469A1 (en) * 2006-03-31 2007-10-04 Ryan Seguine Non-planar touch sensor pad
US7450335B2 (en) * 2006-08-09 2008-11-11 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Reducing read/write head track misregistration
US7450333B2 (en) * 2006-12-29 2008-11-11 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Electrostatic fly-height control
JP4874910B2 (ja) * 2007-09-25 2012-02-15 株式会社東芝 センサ装置及び表示装置
KR101643996B1 (ko) * 2008-01-15 2016-07-29 픽써 마이크로일렉트로닉스 씨오., 엘티디. 전기 불균형의 수량화 장치 및 상기 장치를 포함하는 터치 검출 시스템
EP2177880A1 (en) * 2008-10-16 2010-04-21 Dialog Imaging Systems GmbH Distance measurement with capacitive sensor
AU2009318633B2 (en) * 2008-11-21 2012-04-12 Makoto Takahashi Capacitive dynamic quantity sensor element and dynamic quantity sensor
US7830634B2 (en) * 2008-12-23 2010-11-09 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands, B.V. Head-disk contact detection and work function difference determination
US7729079B1 (en) * 2009-01-21 2010-06-01 Western Digital Technologies, Inc. Disk drive estimating fly height using a PLL tuned by a fly height capacitance
CN101833387B (zh) * 2009-03-13 2013-09-11 宸鸿光电科技股份有限公司 感压式触控装置
CN102402354A (zh) * 2010-09-10 2012-04-04 敦泰科技有限公司 具有网状电极的电容式触摸屏
CN103649688B (zh) * 2011-06-30 2017-02-22 迈普尔平版印刷Ip有限公司 用于电容式测量系统的有源屏蔽
US8611035B1 (en) * 2012-02-06 2013-12-17 Western Digital (Fremont), Llc Capacitance sensor for determining a distance between a head and a magnetic storage medium
US10126883B2 (en) * 2012-07-03 2018-11-13 Sharp Kabushiki Kaisha Capacitive touch panel with height determination function

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN86208635U (zh) * 1986-11-01 1988-03-16 闵浩 人体感应接近开关
US4931887A (en) * 1988-02-01 1990-06-05 International Business Machines Corporation Capacitive measurement and control of the fly height of a recording slider
CN1479858A (zh) * 2000-11-30 2004-03-03 ������������ʽ���� 静电容式传感器
CN1488138A (zh) * 2001-01-25 2004-04-07 �����ι�˾ 集成型静电滑动臂飞行高度控制法
CN1378288A (zh) * 2001-04-04 2002-11-06 华邦电子股份有限公司 凹陷型堆栈电容与其接触插塞及其制造方法
US20120274141A1 (en) * 2010-01-28 2012-11-01 Murata Manufacturing Co., Ltd. Variable capacitance device
CN102735716A (zh) * 2011-04-08 2012-10-17 Nxp股份有限公司 电容性传感器、集成电路、电子设备和方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107272947A (zh) * 2017-06-09 2017-10-20 奇酷互联网络科技（深圳）有限公司 触摸屏贴膜厚度的确定方法、装置和终端
CN107272947B (zh) * 2017-06-09 2020-04-17 奇酷互联网络科技（深圳）有限公司 触摸屏贴膜厚度的确定方法、装置和终端

Also Published As

Publication number Publication date
US20140292354A1 (en) 2014-10-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7016572B2 (ja) 電磁誘導式エンコーダの巻線構成
CN204495495U (zh) 一种三维力电容式触觉传感器单元
US9267819B2 (en) Absolute position encoder scale having plates alternating with varying recesses
US5764066A (en) Object locating system
EP2918964B1 (en) Method, sensor, and printed circuit board for sensing position or motion of a shaft
RU2469336C2 (ru) Емкостной датчик, содержащий блоки периодических и абсолютных электродов
US9035662B2 (en) Method and device for accurate capacitive measured value acquisition
EP1792193B1 (en) System and method for measurement of small angles
CN103250350A (zh) 线性突出的单层电容传感器
KR102650918B1 (ko) 용량성 높이 감지 측정을 보정하기 위한 프로브 시스템 및 방법
Zhu et al. A simple capacitive displacement sensor
US7302762B1 (en) Plate type capacitive sensor for five-dimensional displacement measurement
CN103765235A (zh) 无接触式电容间距传感器
CN104781678A (zh) 静电容量型传感器以及非线性输出的校正方法
US7570066B2 (en) Simultaneous detection of in-plane and out-of-plane position displacement with capacitive sensors
CN104075651A (zh) 电容性传感器
CN104978073A (zh) 感应式触摸屏及其控制方法
KR101649750B1 (ko) 인접 오브젝트 검출 방법 및 이를 이용한 인접 오브젝트 검출 장치, 터치 검출 방법 및 이를 이용한 터치 검출 장치
US9851324B1 (en) Sensing apparatus and material sensing method
CN109253687B (zh) 一种基于柔性铰链机构的纳米级电容位移传感器测量装置
CN105158152A (zh) 微摩擦测试仪
Picotto et al. Differential readings of capacitance-based controls of attitude and displacements at the micro/nano scale
JP2019060667A (ja) 三次元容量式タッチセンサ
US8081005B2 (en) Capacitive sensors for nano-positioning and methods of using the same
Chakraborty et al. An innovative method for the measurement of liquid level of a conducting liquid

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20141001

WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication