CN104063182A - 动态调整快取层级方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种动态调整快取层级方法，适于包含存储单元的电子装置，所述方法包括下列步骤。根据存储单元存取数据的历史记录，估计存储单元的估计使用期限，其中数据依照重要性区分为多个数据层级。判断估计使用期限是否超过预设使用期限。当估计使用期限未超过预设使用期限时，提高存储单元快取数据的快取层级，其中快取层级对应于重要性排序在前的至少一所述数据层级。

Description

动态调整快取层级方法

技术领域

本发明是有关于一种调整快取层级方法，且特别是有关于一种动态调整快取层级方法。

背景技术

随着半导体技术的进步，存储器的容量已大幅提升，而快闪存储器(flashmemory)因具有非易失性、省电、体积小等特性，特别适合使用于可携式电子装置。因此，近年来已出现一种使用反及快闪(NAND flash)存储器做为数据存储媒介的固态硬盘(solid state disk，SSD)。

固态硬盘的特别之处在于利用快闪存储器的特性来取代传统硬盘(harddisk drive，HDD)的机械结构，通过区块写入和抹除的方式进行数据存取，因此可大幅提升存储装置的读写效率。与传统的存储装置相较，固态硬盘具有低耗电、耐震、耐低温、稳定性高等优点。可携式电子装置为了体积考量，已逐渐采用固态硬盘作为数据的主要存储装置。

然而，固态硬盘的价格高昂，市面上消费电子产品所能配备的固态硬盘的容量相当有限。因此，由大容量传统硬盘与小容量高速固态硬盘所组成的双盘式系统日渐普及，其中主要的数据存取仍然来自于传统硬盘，固态硬盘则是被当成“快取空间”以及“休眠数据存储区”来使用。藉此，一方面将电脑平台的平均数据存取速度大幅提升，另一方面有效缩短自休眠回复的时间。而为了能够有效率地使用此块小容量固态硬盘，有必要根据现行操作系统的特性，设计出一种可实行且具有高效率的双盘式系统。

发明内容

有鉴于此，本发明提出一种动态调整快取层级(Cache level)方法，可适应性地调整用于快取数据的快取层级。

本发明提出一种动态调整快取层级方法，适于包含存储单元的电子装置，所述方法包括下列步骤。根据存储单元存取数据的历史记录，估计存储单元的估计使用期限，其中数据依照重要性区分为多个数据层级。判断估计使用期限是否超过预设使用期限。当估计使用期限未超过预设使用期限时，提高存储单元快取数据的快取层级，其中快取层级对应于重要性排序在前的至少一所述数据层级。

基于上述，通过本发明提出的动态调整快取层级方法，可在判断存储单元的估计使用期限无法达到预设使用期限时，提高存储单元快取数据的快取层级。如此一来，可使得存储单元使用寿命延长，进而让存储单元可达到其预设使用期限。

为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。

附图说明

图1是依据本发明的一实施例示出的动态调整快取层级方法；

图2是依据本发明的一实施例示出的动态调整快取层级方法；

图3是依据本发明的一实施例示出的动态调整快取层级的流程图；

图4是依据本发明的一实施例示出的依据快取层级快取数据至存储单元的方法流程图。

附图标记说明：

S110～S140、S210～S270、S310～S370、S410～S490：步骤。

具体实施方式

图1是依据本发明的一实施例示出的动态调整快取层级方法。本实施例提出的方法适用于具有存储单元的电子装置。所述存储单元例如是固态硬盘(Solid State Drive，SSD)，或是单层单元(Single Level Cell，SLC)NAND型快闪存储器等。以下将对本实施例的各个方法步骤进行详细说明。

首先，在步骤S110中，电子装置可根据存储单元存取数据的历史记录，估计存储单元的估计使用期限。在本实施例中，电子装置可通过存储单元(例如，固态硬盘)来快取数据，而所述数据可依照其重要性区分为多个数据层级。此外，电子装置可定义存储单元的一快取层级，以作为是否快取数据至存储单元的依据。详细而言，在一实施例中，存储单元(例如，固态硬盘)可与传统硬盘(Hard Drive Disk，HDD)整合为存储装置，以供使用者存储各种数据。其中，当电子装置欲存储一第一数据时，电子装置可先依据第一数据的重要性(与第一数据的档案类型相关)而找出其对应的数据层级。接着，电子装置可判断第一数据的数据层级是否高于所述快取层级。若是，则电子装置可将第一数据快取至存储单元中，以让电子装置之后可较快速地存取所述第一数据。另一方面，若第一数据的数据层级低于快取层级时，电子装置则可将第一数据存储至例如传统硬盘中，但本发明不限于此。换言之，当快取层级较高时，代表只有重要性较高的数据会被快取至存储单元中，因而可使得存储单元被存取的次数降低。而当快取层级较低时，代表具有较低重要性的数据亦会被快取至存储单元中，因而使得存储单元被存取的次数提高。

所述历史记录例如是关联于存储单元的累计抹除次数以及累计使用时间。其中，累计抹除次数可用以表示存储单元目前共被抹除了几次。详细而言，一般在存储单元中皆具有多个用于存储数据的区块(block)，而当电子装置欲在某个区块上写入数据时，必须先对此区块进行抹除的操作。然而，由于每个区块皆具有其物理特性上的限制，使得其个别可被抹除/写入的次数有限，而此抹除/写入次数上的限制一般称为程序化/抹除周期限制(Program/Erase cycle limit)。因此，记录存储单元的累计抹除次数可有助于了解存储单元的使用情形，进而依据累计抹除次数与所述程序化/抹除限制之间的关系来得知存储单元还可承受多少次的抹除/写入操作。此外，存储单元的累计使用时间则可以是存储单元总共的使用时间。

因此，电子装置即可依据例如累计抹除次数、累计使用时间以及程序化/抹除周期限制等资讯来估计存储单元的估计使用期限。首先，电子装置可先依据累计抹除次数以及累计使用时间计算存储单元的平均抹除次数。所述平均抹除次数可以是在每单位时间中，存储单元上发生的抹除次数。举例而言，假设累计抹除次数为A次，累计使用时间为B天，则平均抹除次数C可用A/B的方式来计算(即，C＝A/B(次/天))。亦即，从平均抹除次数可看出存储单元平均每天会发生几次抹除操作。举例而言，假设累计抹除次数(A)为300次，且累计使用时间(B)为50天时，则平均抹除次数(C)即为6次/天(即，300/50)，此即代表存储单元上平均每天会出现6次的抹除操作。本领域具通常知识者应可了解，累计使用时间的单位亦可用其他的时间单位(例如分钟及小时等)来表示，本发明可不限于此。

接着，电子装置可依据存储单元的程序化/抹除周期限制、累计抹除次数(A)以及平均抹除次数(C)估计存储单元的剩余寿命。所述剩余寿命可视为在当前的使用情形之下，存储单元达到其程序化/抹除周期限制还需多久的时间。而一旦存储单元达到其程序化/抹除周期限制，即可能出现损坏或是故障的情形。

假设程序化/抹除周期限制为D次，则存储单元的剩余寿命E可用(D-A)/C的方式来计算(即，E＝(D-A)/C(天))。若程序化/抹除周期限制(D)为3000次，则剩余寿命(E)即为450天(即，(3000-300)/6)。也就是说，依照目前的使用情形，存储单元在450天之后即会到达其程序化/抹除周期限制(即，损坏)。

之后，电子装置即可通过将累计使用时间(B)加上剩余寿命(E)的方式来估计存储单元的估计使用期限(以F表示)。在本实施例中，存储单元的估计使用期限(F)即为500天(即，F＝B+E＝50+450＝500)。换言之，所述估计使用期限可视为是在目前的运作情形下，存储单元从开始运作到损坏的整体估计寿命。

接着，在步骤S120中，电子装置可判断估计使用期限是否超过存储单元的预设使用期限(以G表示)。所述预设使用期限例如是存储单元的保固期(例如，600天)。或者，所述预设使用期限亦可视为是存储单元应有的使用寿命。当估计使用期限未超过预设使用期限时，在步骤S130中，电子装置可提高存储单元快取数据的快取层级。其中，所述快取层级对应于重要性排序在前的数据层级。

详言之，当估计使用期限(例如，500天)未超过预设使用期限(例如，600天)时，即代表若依照目前的使用情形，存储单元很可能会在到达其预设使用期限(即，保固期)之前即因到达其程序化/抹除周期限制而损坏。因此，为了使存储单元能顺利到达其预设使用期限，电子装置可通过提高快取层级的方式来减少快取数据的频率。随着快取层级的提高，将导致只有重要性较高的数据会被快取至存储单元中，因而可使得存储单元上出现抹除操作的频率降低。而在存储单元被抹除的频率降低之后，存储单元的寿命即可对应地延长。

然而，在其他实施例中，若电子装置判断估计使用期限超过存储单元的预设使用期限时，在步骤S140中，电子装置可降低存储单元快取数据的快取层级。详言之，当估计使用期限超过预设使用期限时，即代表若依照目前的使用情形，存储单元可正常地运作至其预设使用期限(即，保固期)之后。亦即，在存储单元在到达其预设使用期限之前，存储单元皆不会因到达其程序化/抹除周期限制而出现损坏的情形。此时，电子装置可通过降低快取层级的方式来增加快取数据的频率。随着快取层级的降低，将导致重要性较低的数据亦会被快取至存储单元中，因而可有效地提升电子装置存取数据的速度。在其他实施例中，当电子装置判断估计使用期限将超过存储单元的预设使用期限时，电子装置亦可维持存储单元的快取层级，以让存储单元可依据目前的快取层级而持续地运作。

通过本发明实施例提出的动态调整快取层级方法，可让电子装置依据存储单元的使用情形而适应性地调整存储单元在快取数据时的快取层级。当存储单元的使用情形将使得存储单元无法持续运作至其预设使用期限(即，保固期)时，电子装置可提高存储单元的快取层级，以使得存储单元快取数据的频率降低，进而有效地延长存储单元的使用寿命。而当存储单元的使用情形可使其持续运作至预设使用期限之后时，电子装置可降低存储单元的快取层级，以对应地提高电子装置存取数据的速度。

图2是依据本发明的一实施例示出的动态调整快取层级方法。本实施例提出的方法同样适用于具有存储单元的电子装置。为了方便说明，本实施例中所出现的用词皆与图1实施例具有相同的意义，且用以举例说明的代号以及数据皆相同。然而，本领域具通常知识者应可了解，本发明中出现的各个数据仅用以举例说明，并非用以限定本发明的可实施方式。以下将对本实施例的各个方法步骤进行详细说明。步骤S210的细节可参考图1实施例中的步骤S110，在此不再赘述。

在步骤S220中，电子装置可依据预设使用期限(G)以及累计使用时间(B)计算存储单元的应有剩余寿命(以H表示)。所述应有剩余寿命(H)可表示存储单元在到达其预设使用期限至少应能持续运作多久的时间。因此，存储单元的应有剩余寿命(H)可由预设使用期限减去累计使用时间而得(即，H＝G-B)。以先前所举例子中的数据而言，应有剩余寿命(H)应为550天(即，600-50)。

在步骤S230中，电子装置可依据程序化/抹除周期限制(D)以及累计抹除次数(A)计算存储单元的剩余可抹除次数(以I表示)。所述剩余可抹除次数(I)可表示存储单元在到达其程序化/抹除周期限制之前，还可承受多少次的抹除操作。因此，存储单元的剩余可抹除次数(I)可由程序化/抹除周期限制(D)减去累计抹除次数(A)而得(即，I＝D-A)。以先前所举例子中的数据而言，剩余可抹除次数(I)应为2700天(即，3000-300)。

在步骤S240中，电子装置可依据应有剩余寿命(H)以及剩余可抹除次数(I)计算存储单元的平均可抹除次数(以J表示)。所述平均可抹除次数(J)可表示在存储单元到达其预设使用期限时，每单位时间(例如，天)应有的抹除次数。因此，平均可抹除次数(J)可由剩余可抹除次数(I)除以应有剩余寿命(H)而得(即J＝I/H)。以先前所举例子中的数据而言，平均可抹除次数应为4.91次/天(即2700/550)。换言之，从当下至预设使用期限的这段期间中，存储单元平均每天能承受的抹除次数为4.91次。

在步骤S250中，电子装置可判断估计使用期限是否超过预设使用期限。此步骤的细节可参考图1实施例中的步骤S120，在此不再赘述。依据先前所用以举例的各项数据，在步骤S250后将会接续进行步骤S260(因估计使用期限(500天)未超过预设使用期限(600天))。

在步骤S260中，电子装置可提高存储单元的快取层级，以使得存储单元具有对应于平均可抹除次数(J)的快取层级。在一实施例中，电子装置可记录对应于各种不同快取层级的平均抹除次数(C)。接着，电子装置可在提高所述快取层级时，将快取层级调整至可对应于平均可抹除次数的层级。如此一来，即可达到让存储单元在到达其预设使用期限之前，皆能维持正常运作的效果。

此外，在其他实施例中，当估计使用期限超过预设使用期限，电子装置可接续进行步骤S270。步骤S270的细节可参考图1实施例中的步骤S140，在此不再赘述。

除了程序化/抹除周期限制之外，一般可用于衡量存储单元使用寿命的参数还包括总写入字节数(Total Byte Written，TBW)。当存储单元上的累计写入字节数到达总写入字节数时，存储单元即可能出现损坏的情形。以下即举例说明依据存储单元的总写入字节数以及累计写入字节数等参数来动态调整快取层级的详细步骤。

图3是依据本发明的一实施例示出的动态调整快取层级的流程图。本实施例提出的方法同样适用于具有存储单元的电子装置。本领域具通常知识者应可了解，本发明中出现的各个数据仅用以举例说明，并非用以限定本发明的可实施方式。以下将对本实施例的各个方法步骤进行详细说明。

在步骤S310中，电子装置可根据存储单元存取数据的历史记录，估计存储单元的估计使用期限。在本实施例中，所述历史记录包括累计抹除次数(以A1表示)以及累计使用时间(以B1表示)。详细而言，电子装置可依据累计抹除次数(A1)以及存储单元的容量大小(D1)来计算存储单元的累计写入字节数(E1)。累计写入字节数(E1)可表示目前存储单元总共被写入了多少数据量，其可由累计抹除次数(A1)乘以存储单元的容量大小(D1)而得(即，E1＝A1×D1)。

接着，电子装置可依据存储单元的总写入字节数(以F1表示)、累计写入字节数(E1)以及累计使用时间(B1)估计存储单元的剩余寿命(以G1表示)。所述剩余寿命(G1)例如可先用总写入字节数(F1)减去累计字节数(E1)来计算剩余可写入字节数(以H1表示，H1＝F1-E1)。所述剩余可写入字节数(H1)可视为是存储单元目前总共的写入字节数与其总写入字节数(F1)之间的差距。之后，再以累计写入字节数(E1)除以累计使用时间(B1)来计算平均写入字节数(以I1表示，I1＝E1/B1)。所述平均写入字节数(I1)可代表在每单位时间中，存储单元上平均写入的数据量。

继之，电子装置可将剩余可写入字节数(H1)除以平均写入字节数(I1)来计算存储单元的剩余寿命(G1＝H1/I1)。假设累计使用时间(B1)为50天，总写入字节数(F1)为15TB，累计写入字节数(E1)为1.5TB时，则可求出剩余可写入字节数(H1)为13.5TB(H1＝F1-E1＝15-1.5)，平均写入字节数(I1)为0.03TB/天(I1＝E1/B1＝1.5/50＝0.03)。因此，剩余寿命(G1)即为450天(G1＝H1/I1＝13.5/0.03)。

之后，电子装置可依据累计使用时间(B1)以及剩余寿命(G1)来计算存储单元的估计使用期限(以J1表示)。举例而言，电子装置可通过将累计使用时间(B1)与剩余寿命(G1)相加的方式来求得估计使用期限(即，J1＝B1+G1)。

在步骤S320中，电子装置可依据预设使用期限(以K1表示)以及累计使用时间(B1)计算存储单元的应有剩余寿命(以L1表示)。所述应有剩余寿命(K1)可表示存储单元在到达其预设使用期限(K1)至少应能持续运作多久的时间。因此，存储单元的应有剩余寿命(L1)可由预设使用期限(K1)减去累计使用时间(B1)而得(即，L1＝K1-B1)。此处仍假设预设使用期限(K1)为600天，因此若以先前所举例子中的数据而言，应有剩余寿命(L1)应为550天(即，L1＝K1-B1＝600-50)。

在步骤S330中，电子装置可依据总写入字节数(F1)以及累计写入字节数(E1)计算存储单元的剩余可写入字节数(H1)。依据步骤S310中的计算结果，剩余可写入字节数(H1)为13.5TB。

在步骤S340中，电子装置可依据应有剩余寿命(L1)以及剩余可写入字节数(H1)计算存储单元的平均可写入字节数(以M1表示)。所述平均可写入字节数(M1)可表示在存储单元到达其预设使用期限时，每单位时间(例如，天)应有的写入字节数。因此，平均可写入字节数(M1)可由剩余可写入字节数(H1)除以应有剩余寿命(L1)而得(即M1＝H1/L1)。以先前所举例子中的数据而言，平均可写入字节数(M1)应为0.025TB/天(即13.5/550)。换言之，从当下至预设使用期限的这段期间中，存储单元平均每天能承受的写入字节数约为0.025TB。

步骤S350的细节可参照图1实施例中，步骤S120的相关说明，在此不再赘述。同样地，步骤S370的细节亦可参照图1实施例中，步骤S140的相关说明。

在步骤S360中，电子装置可提高存储单元的快取层级，以使得存储单元具有对应于平均可写入字节数(M1)的快取层级。在一实施例中，电子装置可记录对应于各种不同快取层级的平均可写入字节数(M1)。接着，电子装置可在提高所述快取层级时，将快取层级调整至可对应于平均可写入字节数(M1)的层级。如此一来，即可达到让存储单元在到达其预设使用期限之前，皆能维持正常运作的效果。

图4是依据本发明的一实施例示出的依据快取层级快取数据至存储单元的方法流程图。本实施例的方法可接续执行于图1至图3的流程之后，以依据图1至图3所调整的快取层级来快取数据至存储单元。

首先，在步骤S410中，电子装置可监测其存取的一目前数据。并且，在步骤S420中，电子装置可判断所述目前数据的数据层级是否高于快取层级。若否，则在步骤S430中，电子装置可不快取所述目前数据至存储单元。若电子装置判断所述目前数据的数据层级高于快取层级，则电子装置可接续进行步骤S440～S490以快取数据至存储单元。

详细而言，在本实施例中，存储单元可包括快取分割区(Cache partition)以及休眠分割区(Hibernation partition)。当电子装置欲快取所述目前数据至存储单元时，首先可执行步骤S440，以判断快取分割区中是否具有足以存储所述目前数据的第一连续区域。若是，则电子装置可执行步骤S450，以存储所述目前数据至第一连续区域；若否，则电子装置可执行步骤S460，以判断休眠分割区中是否具有足以存储所述目前数据的第二连续区域。换言之，电子装置在欲快取所述目前数据时，可先判断快取分割区中是否有连续的存储空间，且足以存储所述目前数据。若是，则电子装置可将所述目前数据快取至快取分割区中；若否，则电子装置可进一步判断休眠分割区中是否有连续的存储空间，且足以存储所述目前数据。

在步骤S460中，若电子装置判断休眠分割区中具有所述第二连续区域时，电子装置可接续进行步骤S470。在步骤S470中，电子装置可存储所述目前数据至第二连续区域。然而，若电子装置判断休眠分割区中不具有足以存储所述目前数据的第二连续区域时，电子装置可接续进行步骤S480。在步骤S480中，电子装置可分散地存储所述目前数据至休眠分割区。

简言之，当电子装置判断休眠分割区中具有连续的存储空间，且足以存储所述目前数据时，电子装置可将所述目前数据快取至休眠分割区中的连续区域。相反地，若休眠分割区中的连续区域皆不足以存储所述目前数据，则电子装置可将所述目前数据分散地存储在休眠分割区中的各个区域。

接着，在步骤S490中，当快取分割区中出现第一连续区域时，电子装置可移动目前数据至第一连续区域。亦即，即使快取分割区以及休眠分割区中暂时皆不具有足以存储所述目前数据的连续空间，使得所述目前数据必须被分散地存储在休眠分割区中，一旦快取分割区中出现第一连续区域时，电子装置即可将所述目前数据存储至第一连续区域。如此一来，在快取所述目前数据至存储单元时，电子装置即可尽量地以连续的空间来存储所述目前数据，进而有效地降低存储单元的各个区块上出现写入操作的机率，并达到延长存储单元寿命的功效。

综上所述，通过本发明实施例提出的动态调整快取层级方法，可让电子装置在估计存储单元的估计使用期限之后，依据所述估计使用期限与预设使用期限(例如，存储单元的保固期)之间的关系来判断是否调整存储单元的快取层级。当电子装置判断存储单元的估计使用期限无法达到其预设使用期限时，电子装置可通过提高快取层级的方式来降低存储单元上出现抹除操作的机率。如此一来，存储单元的使用寿命即可有效地延长。并且，在选择适当的快取层级之后，存储单元的使用寿命可进一步延长至超过其预设使用期限，以让存储单元不会在其预设使用期限前即损坏。另一方面，当电子装置判断存储单元的估计使用期限将超过其预设使用期限时，电子装置可通过降低快取层级的方式来提高电子装置存取存储单元中数据的速度。

此外，存储单元可包括快取分割区以及休眠分割区。当电子装置欲快取一目前数据至存储单元中时，电子装置可适应性地将所述目前数据存储至快取分割区或是休眠分割区中，足以存储所述目前数据的连续区域。如此一来，存储单元的各个区块上出现写入操作的机率即可有效地降低，进而达到延长存储单元寿命的功效。

最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。

Claims (10)

1.一种动态调整快取层级方法，其特征在于，适于包含一存储单元的一电子装置，所述方法包括下列步骤：

根据该存储单元存取一数据的一历史记录，估计该存储单元的一估计使用期限，其中该数据依照一重要性区分为多个数据层级；

判断该估计使用期限是否超过一预设使用期限；以及

当该估计使用期限未超过该预设使用期限时，提高该存储单元快取该数据的一快取层级，其中该快取层级对应于该重要性排序在前的至少一所述数据层级。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该历史记录包括一累计抹除次数以及一累计使用时间，且根据该存储单元存取该数据的该历史记录，估计该存储单元的该估计使用期限的步骤包括：

依据该累计抹除次数以及该累计使用时间计算一平均抹除次数；

依据该存储单元的一程序化/抹除周期限制、该累计抹除次数以及该平均抹除次数估计该存储单元的一剩余寿命；以及

依据该累计使用时间以及该剩余寿命计算该估计使用期限。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在判断该估计使用期限是否超过该预设使用期限的步骤之前，还包括：

依据该预设使用期限以及该累计使用时间计算该存储单元的一应有剩余寿命；

依据该程序化/抹除周期限制以及该累计抹除次数计算该存储单元的一剩余可抹除次数；以及

依据该应有剩余寿命以及该剩余可抹除次数计算该存储单元的一平均可抹除次数。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，提高该存储单元快取该数据的该快取层级的步骤包括：

提高该存储单元的该快取层级，以使得该存储单元具有对应于该平均可抹除次数的该快取层级。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该历史纪录包括一累计抹除次数以及一累计使用时间，且根据该存储单元存取该数据的该历史记录，估计该存储单元的该估计使用期限的步骤包括：

依据该累计抹除次数以及该存储单元的一容量大小计算该存储单元的一累计写入字节数；

依据该存储单元的一总写入字节数、该累计写入字节数以及该累计使用时间估计该存储单元的一剩余寿命；以及

依据该累计使用时间以及该剩余寿命计算该估计使用期限。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，在判断该估计使用期限是否超过该预设使用期限的步骤之前，还包括：

依据该预设使用期限以及该累计使用时间计算该存储单元的一应有剩余寿命；

依据该总写入字节数以及该累计写入字节数计算该存储单元的一剩余可写入字节数；以及

依据该应有剩余寿命以及该剩余可写入字节数计算该存储单元的一平均可写入字节数。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，提高该存储单元快取该数据的该快取层级的步骤包括：

提高该存储单元的该快取层级，以使得该存储单元具有对应于该平均可写入字节数的该快取层级。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在判断该估计使用期限是否超过该预设使用期限之后，还包括：

当该估计使用期限超过该预设使用期限时，降低该存储单元快取该数据的该快取层级。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在提高该存储单元快取该数据的该快取层级的步骤之后，还包括：

监测该电子装置存取的一目前数据；

判断该目前数据的该数据层级是否高于该快取层级；

若是，快取该目前数据至该存储单元；以及

若否，不快取该目前数据至该存储单元。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，该存储单元包括一快取分割区以及一休眠分割区，且快取该目前数据至该存储单元的步骤包括：

判断该快取分割区中是否具有足以存储该目前数据的一第一连续区域；

若是，存储该目前数据至该第一连续区域；

若否，判断该休眠分割区中是否具有足以存储该目前数据的一第二连续区域；

若是，存储该目前数据至该第二连续区域；

若否，分散地存储该目前数据至该休眠分割区；以及

当该快取分割区中出现该第一连续区域时，移动该目前数据至该第一连续区域。