CN104052945B - 相关双取样装置、信号处理装置以及信号处理方法 - Google Patents

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Abstract

一种相关双取样装置包含第一处理单元与第二处理单元。所述第一处理单元用以接收重置信号、数据信号及预定信号。于第一操作模式中,所述第一处理单元用来获得所述重置信号的重置准位以及所述数据信号的第一数据准位,而所述第二处理单元用以储存所述重置准位与所述第一数据准位。于第二操作模式中,所述第一处理单元用来获得所述数据信号的第二数据准位,并将所述第二数据准位与所述预定信号作比较以产生检测结果,而所述第二处理单元用以依据所述检测结果来选择性地校正输出信号,其中所述输出信号依据所述重置准位与所述第一数据准位之间的准位差来决定。

Description

相关双取样装置、信号处理装置以及信号处理方法
技术领域
本发明涉及图像传感器,尤其涉及一种用来检测或校正掩蚀/变暗(eclipse/darkle)现象(例如,暗阳(dark sun)现象)的信号处理装置,以及其相关的信号处理方法与相关双取样装置。
背景技术
许多可用来将光信号(optical signal)转换为电信号的光学传感图像感测系统(optical transducer image sensor system)使用了相关双取样(correlated doublesampling)的信号处理方法。上述相关双取样方法可藉由将光信号与重置信号(resetsignal)相减来产生像素数据(pixel data)。该重置信号指示出用于图像单元(例如,像素(pixel))的第一级读出电路(first stage readout circuitry)所对应的偏移量(offset)与初始值(initial value),而该光信号对应于该图像单元(例如,像素)的该第一级读出电路的操作结果。在光学传感图像感测系统用于感测强光的情形下,由于强光会扰动该重置信号,因此,降低了原本应该会呈现极大振幅的区域(亦即,相当明亮的区域)的信号强度,使得此区域呈现出强度是零(例如,呈现黑色或暗色)或强度减弱(例如,呈现灰色)的感测结果,而上述情形一般称为暗阳效应(dark-sun effect)。因此,需要一种创新的设计来检测并校正上述的暗阳效应。
发明内容
有鉴于此,本发明的目的之一在于提供一种用来检测或校正掩蚀/变暗现象(例如,暗阳现象)的信号处理装置,以及其相关的信号处理方法与相关双取样装置,来解决上述问题。
依据本发明的第一实施例/层面,其揭示一种相关双取样装置。该相关双取样装置包含第一处理单元以及第二处理单元。该第一处理单元用以接收重置信号、数据信号以及预定信号。于第一操作模式中,该第一处理单元用来获得该重置信号的重置准位以及该数据信号的第一数据准位。于第二操作模式中,该第一处理单元用来获得该数据信号的第二数据准位,并将该第二数据准位与该预定信号作比较以产生检测结果,其中该第一处理单元包含共用于该第一操作模式与该第二操作模式的至少一电路元件。该第二处理单元耦接于该第一处理单元,其中于该第一操作模式中,该第二处理单元用以储存该重置准位以及该第一数据准位,以及于该第二操作模式中,该第二处理单元用以依据该检测结果来选择性地校正输出信号,其中该输出信号依据该重置准位与该第一数据准位之间的准位差来决定。
依据本发明的第二实施例/层面,其揭示一种信号处理装置。该信号处理装置包含相关双取样单元以及处理单元。该相关双取样单元用以接收重置信号以及数据信号、获得该重置信号与该数据信号所分别对应的重置准位与第一数据准位,以及依据该重置准位与该第一数据准位之间的准位差来输出输出信号。该处理单元耦接于该相关双取样单元,用以接收预定准位以及该数据信号的第二数据准位,以及将该第二数据准位与该预定准位作比较以产生检测结果,其中该检测结果指示出该准位差的质量。
依据本发明的第三实施例/层面,其揭示一种用于相关双取样电路的信号处理方法。该相关双取样电路依据重置信号的重置准位与数据信号的第一数据准位之间的准位差来决定输出信号。该信号处理方法包含以下步骤:接收该数据信号的第二数据准位;以及将该第二数据准位与预定准位作比较以产生检测结果,其中该检测结果指示出该准位差的质量。
相较于光电二极管,浮动扩散节点的灵敏度较低,故由重置准位所得到的灵敏度也会比较低,因此,对于仰赖比较重置准位与固定门坎值的传统方法来说,本发明所提供的掩蚀/变暗检测机制具有较佳的灵敏度以及较佳的功效。
附图说明
图1为图5所示的读出电路的相关双取样装置的实施例的示意图;
图2为图1所示的相关双取样装置的实施范例的示意图;
图3为图2所示的相关双取样装置的时序图;
图4为本发明信号处理装置的实施例的功能方块示意图;以及
图5为本发明图像传感器的实施例的示意图。
具体实施方式
本发明所提供的用来检测并校正掩蚀/变暗现象(例如,暗阳效应)的装置与方法可适用于将任一形式的信号转换为电信号并将两信号准位(level)相减的传感系统(transducer system)。为了说明之需,本发明所揭示的实施例是参照光学图像感测系统(optical image sensor system)来说明的,以对本发明的技术特征有完整的了解。本领域技术人员应可了解由权利要求限定的特定实施方式可包含这些实施例中的一些或所有特征或者与下面描述的其它特征的结合,并且可进一步包含本文描述的特征或概念的修改和等价物以及采用近似本发明的概念的变化形式。
在将本发明所提供的用于检测并校正掩蚀/变暗现象的装置与方法应用于图像传感器的情形下,可将固定准位与于信号转换的结束(at the endof signal transferperiod)的信号值作比较,来检测/校正因为高亮度的物体(例如,太阳、星星、激光源(lasersource)或其它光源)而产生的暗阳(或黑阳(black sun))现象或灰阳现象(grey sunphenomenon)。
请参阅图5。图5为本发明图像传感器的实施例的示意图。图像传感器1包含传感器阵列(sensor array)20以及读出电路(readout circuit)10。传感器阵列20包含多个像素(pixel)(未显示于图5中),其还包含多个光电二极管(photodiode)(未显示于图5中),而该多个光电二极管用来检测光线以产生多个数据信号(data signal)。读出电路10可执行相关双取样(correlated double sampling,CDS)操作以接收多个重置信号与该多个像素的该多个数据信号,进而产生多个输出信号。
请参阅图1。图1为图5所示的读出电路10的相关双取样装置的实施例的示意图。于此实施例中,相关双取样装置100可以是行放大器(column amplifier),并可包含(但不限于)第一处理单元110以及耦接于第一处理单元的第二处理单元120。第一处理单元可用来接收重置信号S_R、数据信号S_D以及预定信号S_P。于第一操作模式中(将信号读出)(例如,一般的相关双取样操作),第一处理单元110自前一级电路(例如,包含光电二极管的像素)获得重置信号S_R的重置准位RL以及数据信号S_D的第一数据准位DL_1,而第二处理单元120则是用来储存重置准位RL以及第一数据准位DL_1。
于第二操作模式中(检测暗阳效应),第一处理单元110用来将数据信号S_D的第二数据准位DL_2与预定信号S_P作比较,以产生检测结果DR。接下来,第二处理单元120用以依据检测结果DR来选择性地校正输出信号S_OUT,其中输出信号S_OUT依据重置准位RL与第一数据准位DL_1之间的准位差来决定。请注意,于此实施例中,本发明所提供的掩蚀/变暗机制基于第二数据准位DL_2的比较(而不是仰赖将重置准位RL与固定门坎值(constantthreshold)作比较)来执行检测/校正。由于浮动扩散节点(floating diffusion node)的灵敏度(sensitivity)低于光电二极管的灵敏度,因此,本发明所提供的掩蚀/变暗检测机制具有较佳的功效。于另一实施例中,在该第二操作模式中,第一处理单元110也可将第一数据准位DL_1(而不是第二数据准位DL_2)与预定信号S_P作比较。
另外,第一处理单元110可包含共用于该第一操作模式与该第二操作模式的至少一电路元件。于实施例中,第一处理单元110可包含具有多功能的像素级(pixel level)或行级(column level)信号放大器,其可于将第二数据准位DL_2与预定信号S_P作比较以得到检测结果DR之后,用来检测与校正掩蚀/变暗效应(例如,暗阳/黑阳/灰阳(dark/black/grey sun)现象),其中检测结果DR可用来判断是否有产生掩蚀/变暗效应(例如,暗阳/黑阳/灰阳现象)。接下来,可经由不同的信号路径来将高信号准位施加于该像素级或行级信号放大器相对应的输出信号S_OUT(基于重置准位RL与第一数据准位DL_1之间的该准位差而得到),以校正掩蚀/变暗效应。更具体地说,当相关双取样装置100进入该第一操作模式时,第一处理单元110可作为放大器,以及当相关双取样装置100进入该第二操作模式时,第一处理单元110可作为比较器。于实施范例中,在相关双取样装置100的数据信号读出期间(亦即,在接收重置信号S_R之后),第一处理单元110会在接收第一数据准位DL_1之后,接收第二数据准位DL_2,如此一来,可更进一步提升检测掩蚀/变暗效应的灵敏度。
于一实施范例中,于该第二操作模式中,第一处理单元110可作为以门坎值为基准的比较器(threshold-based comparator),以及检测结果DR可指示出掩蚀/变暗效应(例如,暗阳/黑阳/灰阳现象),因此,基于重置准位RL与第一数据准位DL_1之间的该准位差而得到的输出信号S_OUT可依据检测结果DR的逻辑准位(logic level)(对应于数字值(digital value)0和1)来校正。举例来说,当检测结果DR具有预定逻辑准位时,第二处理单元120可直接调整输出信号S_OUT的信号准位以校正输出信号S_OUT。于设计变化中,第二处理单元120可依据检测结果DR来选择性地校正重置准位RL与第一数据准位DL_1的至少其一,以选择性地校正输出信号S_OUT,也就是说,可通过校正重置准位RL及/或第一数据准位DL_1来间接地调整输出信号S_OUT的该信号准位。举例来说,当检测结果DR具有预定逻辑准位时,第二处理单元120可通过提升重置信号S_R的重置准位RL来校正重置准位RL。于实施范例中,当检测结果DR具有预定逻辑准位时,第二处理单元120可通过降低数据信号S_D的第一数据准位DL_1来校正第一数据准位DL_1。
请一并参阅图2与图3。图2为图1所示的相关双取样装置100的实施范例的示意图,以及图3为图2所示的相关双取样装置200的时序图。由图2可知,相关双取样装置200包含(但不限于)第一处理单元210、第二处理单元220以及控制单元230,其中第一处理单元210可用来实施出图1所示的第一处理单元110,以及第二处理单元220可用来实施出图1所示的第二处理单元120。控制单元230耦接于第一处理单元210,并可用于产生多个控制信号S_C1~S_C7。第一处理单元210包含(但不限于)放大器212、多个电容C1与C2以及多个开关SW1~SW7。放大器212具有第一输入端IN1、第二输入端IN2以及输出端OUT,其中第二输入端IN2耦接于参考电压V_REF。电容C1耦接于特定端点N1与第一输入端IN1之间,以及电容C2耦接于第一输入端IN1与特定端点N2之间。
开关SW1用以依据控制信号S_C1来选择性地将重置信号S_R与数据信号S_D的其一耦接至特定端点N1;开关SW2用以依据控制信号S_C2来选择性地将预定信号S_P耦接至特定端点N1;开关SW3用以依据控制信号S_C3来选择性地将第一输入端IN1耦接至输出端OUT;开关SW4用以依据控制信号S_C4来选择性地将特定端点N2耦接至输出端OUT;开关SW5用以依据控制信号S_C5来选择性地将输出端OUT耦接至第二处理单元220,其中当开关SW5由控制信号S_C5所导通时,第二处理单元220会被允许接收检测结果DR;开关SW6用以依据控制信号S_C6来选择性地将输出端OUT耦接至第二处理单元220,其中当开关SW6由控制信号S_C6所导通时,第二处理单元220会被允许储存重置准位RL;以及开关SW7用以依据控制信号S_C7来选择性地将输出端OUT耦接至第二处理单元220,其中当开关SW7由控制信号S_C7所导通时,第二处理单元220会被允许储存第一数据准位DL_1。
由图3可知,于该第一操作模式中(例如,一般的相关双取样操作),开关SW3首先会在转换/转态(transition)T1导通、接着于转换T2关断,以重置放大器212。接下来,第一处理单元210会自前一级电路(例如,包含光电二极管的像素)接收重置信号S_R。在第一处理单元210接收重置信号S_R之后,开关SW6会于转换T3关断,以供第二处理单元220经由反馈放大器(feedback amplifier)(包含放大器212、电容C1与电容C2)来将重置信号S_R的重置准位RL储存至电容C3。经由光电二极管(未显示于图2中)所转换的数据信号S_D产生于转换T3与转换T4之间,其中于转换T4(亦即,开关SW7关断),会对数据信号S_D的第一数据准位DL_1进行取样,并储存于第二处理单元220的中的电容C4。在此时间点之前,上述时序系与利用行级/像素级放大器的传统相关双取样操作一致。
接下来,于该第二操作模式中,开关SW3会于转换T5再次导通以重置该反馈放大器(包含放大器212、电容C1与电容C2)。于该第二操作模式中,通过于转换T6与转换T7关断开关SW3与SW4,放大器212作为比较器,其中转换T6与转换T7的时间点是可对调的(interchangeable)。当开关SW1与开关SW2分别依序于转换T8关断、于转换T9导通时,前一级电路的光电二极管信号路径会与特定端点N1断开,以及预定信号S_P会连接至特定端点N1以供放大器212进行第二数据准位DL_2的比较。当开关SW5于转换T10导通时,在放大器212的输出端OUT所产生的检测结果DR(将第二数据准位DL_2与预定信号S_P作比较而得)可通过逻辑准位(例如,数字值)的形式来储存于开关SW5的下一级电路(例如,电容)。于一实施范例中,当检测结果DR指示出掩蚀/变暗现象发生时(例如,检测结果具有预定逻辑值),第二处理单元所储存的第一数据准位DL_1与重置准位RL可被调整至饱和准位(例如,最高或最低准位)以校正掩蚀/变暗现象(例如,暗阳现象)。
于此实施例中,图2所示的第二处理单元220包含(但不限于)多个电容C3与C4以及多个开关SW8~SW10。电容C3耦接于特定端点N3与参考电压V_REF1之间,并且用来储存重置准位RL。电容C4系耦接于特定端点N4与参考电压V_REF1之间,并且用来储存第一数据准位DL_1。另外,开关SW8用以选择性地将特定端点N3耦接至特定端点N4;开关SW9用以选择性地将特定端点N3耦接至参考电压V_REF2;以及开关SW10用以选择性地将特定端点N4耦接至参考电压V_REF1。于此实施例中,当相关双取样装置20操作于该第一操作模式时,多个开关SW8~SW10会关断,以及当相关双取样装置200操作于该第二操作模式时,会依据检测结果DR来控制多个开关SW8~SW10。
考虑参考电压V_REF2为高准位电压以及参考电压V_REF1为低准位电压的情形。假若检测结果DR具有第一预定准位(其指示出掩蚀/变暗现象并未发生),开关SW8会导通(亦即,转换T11),以及开关SW9与开关SW10会关断;假若检测结果DR具有不同于该第一预定准位的第二预定准位(其指示出发生了掩蚀/变暗现象),开关SW8会关断,以及开关SW9与开关SW10会导通(亦即,转换T12与转换T13)。换言之,开关SW9与开关SW10可用来取代开关SW8的动作以校正暗阳/黑阳/灰阳现象,其中当未有暗阳检测与校正机制时,开关SW8一般会用来获得偏移信号(offset signal)(对应于重置信号S_R与数据信号S_D)以供下一级电路(例如,减法电路(subtraction circuitry))之用。于此实施例中,当暗阳/黑阳/灰阳现象发生时,通过导通开关SW9与开关SW10(而不是导通开关SW8)来致使输出信号S_OUT的信号准位(对应于重置准位RL与第一数据准位DL_1之间的准位差)提升/饱和,转换T12与转换T13可用来取代转换T11以将信号转移至下一级电路(例如,减法电路)。于实施范例中,参考电压V_REF2可以是最高电位,以及参考电压V_REF1可以是最低电位。
值得注意的是,以上所述第二处理单元220的实施方式仅供说明之需。举例来说,只导通开关SW9与开关SW10的其中之一也是可行的,也就是说,任何可依据检测结果DR来调整输出信号S_OUT(对应于重置准位RL与第一数据准位DL_1之间的准位差)的电路均隶属本发明的范畴。另外,也可以对图3所示的信号时序进行些微的修改来达到相同的目的。再者,图3所示的信号时序仅供说明之需,其相关的信号信息(例如,信号持续时间、信号间隔、信号周期)并非用来作为本发明的限制。
由上可知,在完成一般的相关双取样操作之后,于放大运作中的像素级或行级电路(例如,放大器212)可重复使用以作为比较元件。于实施例中,采用行级或像素级比较元件也是可行的。请参阅图4,图4为本发明信号处理装置的实施例的功能方块示意图。信号处理装置400包含(但不限于)相关双取样单元410以及处理单元420。相关双取样单元410用以接收重置信号S_R以及数据信号S_D、获得重置信号S_R与数据信号S_D所分别对应的重置准位RL与第一数据准位DL_1,以及依据重置准位RL与第一数据准位DL_1之间的准位差来输出输出信号S_OUT,其中数据信号S_D可读取自前一级电路的像素单元。处理单元420耦接于相关双取样单元410,用以接收预定准位PL以及数据信号S_D的第二数据准位DL_2,以及将第二数据准位DL_2与预定准位PL作比较以产生检测结果DR,其中检测结果DR可指示出该准位差的质量。信号处理装置400所运用的掩蚀/变暗现象的检测原理主要是基于图1所示的相关双取样单元100/图2所示的相关双取样单元200的检测原理,而两者之间主要的差别在于信号处理装置400采用外接于相关双取样元件(例如,相关双取样单元410)的处理元件(例如,处理单元420)来执行掩蚀/变暗检测,而不是重复使用该相关双取样元件来执行掩蚀/变暗检测。相似地,为了提升掩蚀/变暗检测的灵敏度,在相关双取样单元410的数据信号读出期间,在相关双取样单元410接收第一数据准位DL_1之后,处理单元420会接收第二数据准位DL_2。
信号处理装置400也可以用来校正掩蚀/变暗效应(例如,暗阳/黑阳/灰阳现象)。举例来说(但本发明并不局限于此),处理单元420可包含电路元件以及切换设计,其中该电路元件可具有类似上述反馈放大器(包含图2所示的放大器212、电容C1与电容C2)的元件,以及该切换设计可致使输出信号S_OUT的信号准位(对应于重置准位RL与第一数据准位DL_1之间的准位差)提升/饱和。因此,于实施范例中,处理单元420另可依据检测结果DR来选择性地校正输出信号S_OUT,以及当检测结果DR具有预定逻辑准位时,处理单元420可直接调整输出信号S_OUT的信号准位以校正输出信号S_OUT。于设计变化中,处理单元420可依据检测结果DR来选择性地校正重置准位RL与第一数据准位DL_1的至少其一,以选择性地校正输出信号S_OUT。举例来说,当检测结果DR具有预定逻辑准位时,处理单元420可通过提升重置信号S_R的重置准位RL来校正重置准位RL,或是通过降低数据信号S_D的第一数据准位DL_1来校正第一数据准位DL_1。由于本领域技术人员经由阅读图1~图3所示的相关说明之后,应可轻易地了解信号处理装置400的操作细节,故进一步的说明在此便不再赘述。
综上所述,对于仰赖于比较重置准位的传统方法来说,本发明所提供的掩蚀/变暗检测机制具有较佳的灵敏度。
以上所述仅为本发明的优选实施例,凡依本发明权利要求所做的均等变化与修饰,皆应属本发明的涵盖范围。
参考符号

Claims (28)

1.一种相关双取样装置,包含:
第一处理单元,用以接收重置信号、数据信号以及预定信号;于第一操作模式中,所述第一处理单元用来获得所述重置信号的重置准位以及所述数据信号的第一数据准位;以及于第二操作模式中,所述第一处理单元用来获得所述数据信号的第二数据准位,并将所述第二数据准位与所述预定信号作比较以产生检测结果,其中所述第一处理单元包含共用于所述第一操作模式与所述第二操作模式的至少一电路元件;以及
第二处理单元,耦接于所述第一处理单元,其中于所述第一操作模式中,所述第二处理单元用以储存所述重置准位以及所述第一数据准位,以及于所述第二操作模式中,所述第二处理单元用以依据所述检测结果来选择性地校正输出信号,其中所述输出信号依据所述重置准位与所述第一数据准位之间的准位差来决定。
2.如权利要求1所述的相关双取样装置,其中当所述相关双取样装置进入所述第一操作模式时,所述第一处理单元作为放大器,以及当所述相关双取样装置进入所述第二操作模式时,所述第一处理单元作为比较器。
3.如权利要求1所述的相关双取样装置,其中在所述相关双取样装置的数据信号读出期间,所述第一处理单元会在接收所述第一数据准位之后,接收所述第二数据准位。
4.如权利要求1所述的相关双取样装置,其中当所述检测结果具有预定逻辑准位时,所述第二处理单元直接调整所述输出信号的信号准位以校正所述输出信号。
5.如权利要求1所述的相关双取样装置,其中所述第二处理单元依据所述检测结果来选择性地校正所述重置准位与所述第一数据准位的至少其一,以选择性地校正所述输出信号。
6.如权利要求5所述的相关双取样装置,其中当所述检测结果具有预定逻辑准位时,所述第二处理单元通过提升所述重置信号的所述重置准位来校正所述重置准位。
7.如权利要求5所述的相关双取样装置,其中当所述检测结果具有预定逻辑准位时,所述第二处理单元通过降低所述数据信号的所述第一数据准位来校正所述第一数据准位。
8.如权利要求1所述的相关双取样装置,还包含:
控制单元,耦接于所述第一处理单元,用以产生多个控制信号,其中所述多个控制信号至少包含第一控制信号、第二控制信号、第三控制信号、第四控制信号、第五控制信号、第六控制信号以及第七控制信号;
其中所述第一处理单元包含:
放大器,具有第一输入端、第二输入端以及输出端,其中所述第二输入端耦接于参考电压;
第一电容,耦接于第一特定端点与所述第一输入端之间;
第二电容,耦接于所述第一输入端与第二特定端点之间;
第一开关,用以依据所述第一控制信号来选择性地将所述重置信号与所述数据信号的其一耦接至所述第一特定端点;
第二开关,用以依据所述第二控制信号来选择性地将所述预定信号耦接至所述第一特定端点;
第三开关,用以依据所述第三控制信号来选择性地将所述第一输入端耦接至所述输出端;
第四开关,用以依据所述第四控制信号来选择性地将所述第二特定端点耦接至所述输出端;
第五开关,用以依据所述第五控制信号来选择性地将所述输出端耦接至所述第二处理单元,其中当所述第五开关由所述第五控制信号所导通时,所述第二处理单元会被允许接收所述检测结果;
第六开关,用以依据所述第六控制信号来选择性地将所述输出端耦接至所述第二处理单元,其中当所述第六开关由所述第六控制信号所导通时,所述第二处理单元会被允许储存所述重置准位;以及
第七开关,用以依据所述第七控制信号来选择性地将所述输出端耦接至所述第二处理单元,其中当所述第七开关由所述第七控制信号所导通时,所述第二处理单元会被允许储存所述第一数据准位。
9.如权利要求8所述的相关双取样装置,其中当所述相关双取样装置操作于所述第一操作模式时,所述第三开关、所述第六开关以及所述第七开关会依序关断。
10.如权利要求8所述的相关双取样装置,其中当所述相关双取样装置操作于所述第二操作模式时,所述第三开关与所述第四开关会关断,接着依序是所述第一开关会关断、所述第二开关会导通以及所述第五开关会导通。
11.如权利要求1所述的相关双取样装置,其中所述第二处理单元包含:
第一电容,耦接于第一特定端点与第一参考电压之间,用以储存所述重置准位;
第二电容,耦接于第二特定端点与所述第一参考电压之间,用以储存所述第一数据准位;
第一开关,用以选择性地将所述第一特定端点耦接至所述第二特定端点;
第二开关,用以选择性地将所述第一特定端点耦接至第二参考电压;以及
第三开关,用以选择性地将所述第二特定端点耦接至所述第一参考电压;
其中当所述相关双取样装置操作于所述第一操作模式时,所述第一开关、所述第二开关以及所述第三开关会关断,以及当所述相关双取样装置操作于所述第二操作模式时,会依据所述检测结果来控制所述第一开关、所述第二开关以及所述第三开关。
12.如权利要求11所述的相关双取样装置,其中当所述相关双取样装置操作于所述第二操作模式时:
当所述检测结果具有第一预定逻辑准位时,所述第一开关会导通,以及所述第二开关与所述第三开关会关断;以及
当所述检测结果具有第二预定逻辑准位时,所述第一开关会关断,以及所述第二开关与所述第三开关会导通。
13.一种信号处理装置,包含:
相关双取样单元,用以接收重置信号以及数据信号、获得所述重置信号与所述数据信号所分别对应的重置准位与第一数据准位,以及依据所述重置准位与所述第一数据准位之间的准位差来输出输出信号;以及
处理单元,耦接于所述相关双取样单元,用以接收预定准位以及所述数据信号的第二数据准位,以及将所述第二数据准位与所述预定准位作比较以产生检测结果,其中所述检测结果指示出所述准位差的质量。
14.如权利要求13所述的信号处理装置,其中在所述相关双取样单元的数据信号读出期间,在所述相关双取样单元接收所述第一数据准位之后,所述处理单元会接收所述第二数据准位。
15.如权利要求13所述的信号处理装置,其中所述处理单元另依据所述检测结果来选择性地校正所述输出信号。
16.如权利要求15所述的信号处理装置,其中当所述检测结果具有预定逻辑准位时,所述处理单元直接调整所述输出信号的信号准位以校正所述输出信号。
17.如权利要求15所述的信号处理装置,其中所述处理单元依据所述检测结果来选择性地校正所述重置准位与所述第一数据准位的至少其一,以选择性地校正所述输出信号。
18.如权利要求17所述的信号处理装置,其中当所述检测结果具有预定逻辑准位时,所述处理单元通过提升所述重置信号的所述重置准位来校正所述重置准位。
19.如权利要求17所述的信号处理装置,其中当所述检测结果具有预定逻辑准位时,所述处理单元通过降低所述数据信号的所述第一数据准位来校正所述第一数据准位。
20.如权利要求13所述的信号处理装置,其中所述数据信号读取自像素单元。
21.一种用于相关双取样电路的信号处理方法,所述相关双取样电路依据重置信号的重置准位与数据信号的第一数据准位之间的准位差来决定输出信号,所述信号处理方法包含:
接收所述数据信号的第二数据准位;以及
将所述第二数据准位与预定准位作比较以产生检测结果,其中所述检测结果指示出所述准位差的质量。
22.如权利要求21所述的信号处理方法,其中在所述相关双取样单元的数据信号读出期间,接收所述数据信号的所述第二数据准位的步骤执行于所述相关双取样单元接收所述第一数据准位之后。
23.如权利要求21所述的信号处理方法,还包含:
依据所述检测结果来选择性地校正所述输出信号。
24.如权利要求23所述的信号处理方法,其中依据所述检测结果来选择性地校正所述输出信号的步骤包含:
当所述检测结果具有预定逻辑准位时,直接调整所述输出信号的信号准位以校正所述输出信号。
25.如权利要求23所述的信号处理方法,其中依据所述检测结果来选择性地校正所述输出信号的步骤包含:
依据所述检测结果来选择性地校正所述重置准位与所述第一数据准位的至少其一。
26.如权利要求25所述的信号处理方法,其中依据所述检测结果来选择性地校正所述重置准位与所述第一数据准位的至少其一的步骤包含:
当所述检测结果具有预定逻辑准位时,通过提升所述重置信号的所述重置准位来校正所述重置准位。
27.如权利要求25所述的信号处理方法,其中依据所述检测结果来选择性地校正所述重置准位与所述第一数据准位的至少其一的步骤包含:
当所述检测结果具有预定逻辑准位时,通过降低所述数据信号的所述第一数据准位来校正所述第一数据准位。
28.如权利要求21所述的信号处理方法,其中所述数据信号读取自像素单元。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10419697B2 (en) 2016-09-08 2019-09-17 Gvbb Holdings S.A.R.L. System and method for high dynamic range digital double sampling
TWI702848B (zh) * 2018-11-28 2020-08-21 恆景科技股份有限公司 數位雙重取樣電路

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012032801A1 (ja) * 2010-09-09 2012-03-15 コニカミノルタエムジー株式会社 放射線画像撮影装置および放射線画像撮影システム

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6518910B2 (en) * 2000-02-14 2003-02-11 Canon Kabushiki Kaisha Signal processing apparatus having an analog/digital conversion function
US7719583B1 (en) * 2004-09-07 2010-05-18 Melexis Tessenderlo Nv Active pixel image sensor with selectable source follower and common source amplifier modes
EP4020976A1 (en) * 2008-04-07 2022-06-29 Cmosis NV Pixel array
KR101566003B1 (ko) * 2009-04-20 2015-11-16 삼성전자주식회사 아날로그-디지털 변환 방법, 아날로그-디지털 변환기, 및 이를 포함하는 이미지 센서
KR20110021426A (ko) * 2009-08-26 2011-03-04 삼성전자주식회사 아날로그-디지털 컨버터, 및 이를 포함하는 이미지 처리 장치
KR101930755B1 (ko) * 2012-03-21 2018-12-19 삼성전자주식회사 이미지 센서의 구동 방법

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012032801A1 (ja) * 2010-09-09 2012-03-15 コニカミノルタエムジー株式会社 放射線画像撮影装置および放射線画像撮影システム

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