CN104050432A - 非接触式集成电路读取器、检测方法、检测电路及其系统 - Google Patents

非接触式集成电路读取器、检测方法、检测电路及其系统 Download PDF

Info

Publication number
CN104050432A
CN104050432A CN201410093062.1A CN201410093062A CN104050432A CN 104050432 A CN104050432 A CN 104050432A CN 201410093062 A CN201410093062 A CN 201410093062A CN 104050432 A CN104050432 A CN 104050432A
Authority
CN
China
Prior art keywords
pulse
magnetic
contact
level
fringe time
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201410093062.1A
Other languages
English (en)
Other versions
CN104050432B (zh
Inventor
金俊镐
卢衡焕
宋壹种
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Electronics Co Ltd
Original Assignee
Samsung Electronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Electronics Co Ltd filed Critical Samsung Electronics Co Ltd
Publication of CN104050432A publication Critical patent/CN104050432A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN104050432B publication Critical patent/CN104050432B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06K—GRAPHICAL DATA READING; PRESENTATION OF DATA; RECORD CARRIERS; HANDLING RECORD CARRIERS
    • G06K7/00—Methods or arrangements for sensing record carriers, e.g. for reading patterns
    • G06K7/08—Methods or arrangements for sensing record carriers, e.g. for reading patterns by means detecting the change of an electrostatic or magnetic field, e.g. by detecting change of capacitance between electrodes
    • G06K7/082—Methods or arrangements for sensing record carriers, e.g. for reading patterns by means detecting the change of an electrostatic or magnetic field, e.g. by detecting change of capacitance between electrodes using inductive or magnetic sensors
    • G06K7/083—Methods or arrangements for sensing record carriers, e.g. for reading patterns by means detecting the change of an electrostatic or magnetic field, e.g. by detecting change of capacitance between electrodes using inductive or magnetic sensors inductive
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B5/00—Near-field transmission systems, e.g. inductive loop type
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06K—GRAPHICAL DATA READING; PRESENTATION OF DATA; RECORD CARRIERS; HANDLING RECORD CARRIERS
    • G06K17/00—Methods or arrangements for effecting co-operative working between equipments covered by two or more of main groups G06K1/00 - G06K15/00, e.g. automatic card files incorporating conveying and reading operations
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06K—GRAPHICAL DATA READING; PRESENTATION OF DATA; RECORD CARRIERS; HANDLING RECORD CARRIERS
    • G06K7/00—Methods or arrangements for sensing record carriers, e.g. for reading patterns
    • G06K7/10—Methods or arrangements for sensing record carriers, e.g. for reading patterns by electromagnetic radiation, e.g. optical sensing; by corpuscular radiation
    • G06K7/10009—Methods or arrangements for sensing record carriers, e.g. for reading patterns by electromagnetic radiation, e.g. optical sensing; by corpuscular radiation sensing by radiation using wavelengths larger than 0.1 mm, e.g. radio-waves or microwaves
    • G06K7/10019—Methods or arrangements for sensing record carriers, e.g. for reading patterns by electromagnetic radiation, e.g. optical sensing; by corpuscular radiation sensing by radiation using wavelengths larger than 0.1 mm, e.g. radio-waves or microwaves resolving collision on the communication channels between simultaneously or concurrently interrogated record carriers.
    • G06K7/10029—Methods or arrangements for sensing record carriers, e.g. for reading patterns by electromagnetic radiation, e.g. optical sensing; by corpuscular radiation sensing by radiation using wavelengths larger than 0.1 mm, e.g. radio-waves or microwaves resolving collision on the communication channels between simultaneously or concurrently interrogated record carriers. the collision being resolved in the time domain, e.g. using binary tree search or RFID responses allocated to a random time slot
    • G06K7/10039—Methods or arrangements for sensing record carriers, e.g. for reading patterns by electromagnetic radiation, e.g. optical sensing; by corpuscular radiation sensing by radiation using wavelengths larger than 0.1 mm, e.g. radio-waves or microwaves resolving collision on the communication channels between simultaneously or concurrently interrogated record carriers. the collision being resolved in the time domain, e.g. using binary tree search or RFID responses allocated to a random time slot interrogator driven, i.e. synchronous

Abstract

一种非接触式集成电路读取器、检测方法、检测电路及其系统。非接触式集成电路（IC）卡读取器的检测方法包括：计算在第一转变间隔期间的至少一个第一磁脉冲的第一转变时间；计算在第二转变间隔期间的第二磁脉冲的第二转变时间。在校准阶段中计算第一转变时间，并且在检测阶段中计算第二转变时间。基于第一转变时间和第二转变时间的比较来确定非接触式IC卡在读取器的通信范围之内。

Description

非接触式集成电路读取器、检测方法、检测电路及其系统
2013年3月13日提交的第10-2013-0026722号、名称为“Method OfOperating Contactless IC Card Reader,Detection Circuit Of Contactless IC CardReader,Contactless IC Card Reader and Card System Including The Same”的韩国专利申请通过引用全部合并于此。
技术领域
一个或更多个实施例涉及非接触式IC卡读取器。
背景技术
各种类型的集成电路（IC）卡已经被提出。一种类型的IC卡包括附着有薄半导体装置的塑料卡。卡可具有与信用卡相似的尺寸和厚度。通常，IC卡提供比磁条卡高的安全水平，并且不容易丧失存储的数据。
IC卡可被分类为接触式IC卡或非接触式IC卡。非接触式IC卡可被分类为非接触式IC卡（CICC）或远程耦合通信卡（RCCC）。对于CICC IC卡，通信范围在4.9157MHz的载波频率时为0至2mm。对于RCCC卡，通信范围在13.56MHz的载波频率时为0至10cm。
发明内容
根据一实施例，一种操作非接触式集成电路（IC）卡读取器的方法包括：在校准阶段中，计算在第一转变间隔期间的至少一个第一磁脉冲的第一转变时间，所述至少一个第一磁脉冲在第一转变间隔期间具有第一电平和参考电平；在检测阶段中，计算在第二转变间隔期间的第二磁脉冲的第二转变时间，第二磁脉冲在第二转变间隔中具有第二电平和参考电平；基于第一转变时间和第二转变时间的比较来确定非接触式IC卡是否在非接触式IC卡读取器的通信范围之内。
计算第一转变时间的步骤可包括：在第一转变间隔的第一开始点处触发计数操作；在第一转变间隔达到参考电平的第二结束点处将第一计数值锁存为第一数字代码；将第一数字代码存储在寄存器中。
计算第二转变时间的步骤可包括：在第二转变间隔的第二开始点处触发计数操作；在第二转变间隔达到参考电平的第二结束点处将第二计数值锁存为第二数字代码。
确定非接触式IC卡是否在非接触式IC卡读取器的通信范围之内的步骤可包括：将第一数字代码与第二数字代码进行比较；基于第一数字代码和第二数字代码的比较来提供检测信号，检测信号指示非接触式IC卡是否在非接触式IC卡读取器的通信范围之内。第一数字代码和第二数字代码可分别对应于在第一转变时间和第二转变时间期间的计数脉冲的数量。所述方法还可包括调整计数脉冲的周期。
非接触式IC卡读取器的操作模式可基于非接触式IC卡是否在非接触式IC卡读取器的通信范围之内的确定来被确定。所述方法还可包括当确定非接触式IC卡在通信范围之内时将非接触式IC卡读取器的操作模式从待机模式改变为激活模式。
所述至少一个第一磁脉冲包括多个第一磁脉冲，并且，计算第一转变时间的步骤包括：计算多个第一磁脉冲中的每一个的从第一电平到参考电平的第一子转变时间；对第一子转变时间进行平均，以提供与第一转变时间对应的平均值。所述方法还可包括：基于第一子转变时间的平均值来确定偏移，所述偏移与第一子转变时间的误差范围相应。
所述至少一个第一磁脉冲可包括多个第一磁脉冲。计算第一转变时间的步骤可包括：计算多个第一磁脉冲中的每一个的从第一正常电平到参考电平的第一子转变时间；基于第一子转变时间的分布来提供第一转变时间的范围。
确定非接触式IC卡是否在非接触式IC卡读取器的通信范围之内的步骤可包括：确定第二转变时间是否在第一转变时间的范围之内。
所述方法可包括：在校准阶段中，基于通过天线发送的至少一个第一原始磁脉冲来产生至少一个第一磁脉冲；在检测阶段中，基于通过天线发送的至少一个第二原始磁脉冲来产生第二磁脉冲，其中，第一电平对应于第一磁脉冲的峰值电平，并且第二电平对应于第二磁脉冲的峰值电平。
所述方法可包括：在校准阶段中，转换第一原始磁脉冲的电平；对电平转换的第一原始磁脉冲进行滤波，以提供第一磁脉冲。
所述方法可包括：在校准阶段中基于通过天线发送的至少一个第一原始磁脉冲来产生至少一个第一磁脉冲；在检测阶段中，基于通过天线发送的至少一个第二原始磁脉冲来产生第二磁脉冲，其中，第一电平对应于第一磁脉冲的谷底（bottom）电平，并且第二电平对应于第二磁脉冲的谷底电平。
所述方法可包括：在校准阶段中，转换第二原始磁脉冲的电平；对电平转换的第二原始磁脉冲进行滤波，以提供第二磁脉冲。
根据另一个实施例，一种非接触式集成电路（IC）卡读取器的检测电路包括第一计算单元和确定单元。第一计算单元被构造为：计算在第一转变间隔期间的至少一个第一磁脉冲的第一转变时间，所述至少一个第一磁脉冲在第一转变时间中具有第一电平和参考电平，第一计算单元在校准阶段中锁存与第一转变时间对应的第一数字代码；计算在第二转变间隔期间的第二磁脉冲的第二转变时间，第二磁脉冲在第二转变时间期间具有第二电平和参考电平，第一计算单元在检测阶段中锁存与第二转变时间相应的第二数字代码。确定单元被构造为基于第一转变时间和第二转变时间的比较来输出检测信号。检测信号指示非接触式IC卡是否在非接触式IC卡读取器的通信范围之内。
第一计算单元可包括：电平检测器，被构造为在第一磁脉冲和第二磁脉冲的电平转变的点处激活触发信号；比较器，被构造为将参考电平与第一磁脉冲和第二磁脉冲中的每一个进行比较来输出比较信号；计数器，被构造为在第一转变间隔和第二转变间隔期间执行计数操作，以分别提供第一计数值和第二计数值；锁存器，被构造为响应于比较信号的转变来将第一计数值和第二计数值分别锁存为第一数字代码和第二数字代码。
确定单元可包括：第二计算单元，被构造为基于与多个第一磁脉冲的第一子转变时间相应的第一子数字代码来计算第一子数字代码的平均值、偏移和范围；寄存器单元，被构造为存储第一数字代码，第一子数字代码的平均值、偏移和范围；数字比较器，被构造为将第二数字代码与第一数字代码、第一子数字代码的平均值或范围中的至少一个进行比较，以提供检测信号。
检测电路可包括再生块，该再生块被构造为在校准阶段中转换第一原始磁脉冲的电平，并且被构造为对电平转换的第一原始磁脉冲进行滤波，以提供第一磁脉冲，其中，再生块还被构造为在检测阶段中转换第二原始磁脉冲的电平，并且被构造为对电平转换的第二原始磁脉冲进行滤波，以提供第二磁脉冲，并且，第一原始磁脉冲通过天线被周期性地发送，并且，第二原始磁脉冲通过天线发送。
第一电平可对应于第一磁脉冲的峰值电平，并且，第二电平可对应于第二磁脉冲的峰值电平。
第一电平可对应于第一磁脉冲的谷底电平，并且，第二电平可对应于第二磁脉冲的谷底电平。
根据另一个实施例，一种非接触式集成电路（IC）卡读取器包括：检测电路，被构造为基于在第一转变间隔期间的第一磁脉冲的第一转变时间和在第二转变间隔期间的第二磁脉冲的第二转变时间的比较来产生检测信号；处理器，被构造为确定非接触式IC卡读取器的操作模式，所述操作模式对应于代码模式和激活模式中的一种。第一磁脉冲在校准阶段中在第一转变时间期间具有第一电平和参考电平。第二磁脉冲在检测阶段中在第二转变时间期间具有第二电平和参考电平。检测信号指示非接触式IC卡是否在非接触式IC卡读取器的通信范围之内。第二磁脉冲具有根据非接触式IC卡是否在非接触式IC卡读取器的通信范围之内而变化的振幅。处理器可调整参考电平。
根据另一个实施例，一种非接触式集成电路（IC）卡系统包括：非接触式IC卡非接触式IC卡读取器，被构造为与在通信范围之内的非接触式IC卡交换数据，非接触式IC卡读取器包括：检测电路，被构造为基于在第一转变间隔期间的第一磁脉冲的第一转变时间和在第二转变间隔期间的第二磁脉冲的第二转变时间的比较来产生检测信号；处理器，被构造为确定非接触式IC卡读取器的操作模式，所述操作模式对应于待机模式和激活模式中的一种。
在校准阶段中，第一磁脉冲在第一转变时间期间具有第一电平和参考电平。在检测阶段中，第二磁脉冲在第二转变时间期间具有第二电平和参考电平。检测信号指示非接触式IC卡是否在非接触式IC卡读取器的通信范围之内。第二磁脉冲具有根据非接触式IC卡是否在非接触式IC卡读取器的通信范围之内而变化的振幅。
根据另一实施例，一种用于对信息执行非接触式检测的方法包括：确定至少一个第一磁脉冲的第一转变时间；确定第二磁脉冲的第二转变时间；基于第一转变时间和第二转变时间来确定信息载体是否在非接触式读取器的通信范围之内。信息载体可包括耦合到卡的集成电路。
至少一个第一磁脉冲可在第一转变时间内从第一电平改变为第二电平，并且，第二磁脉冲在第二转变时间内从第一电平改变为第三电平，基于第二电平和第三电平的差来确定信息载体在非接触式读取器的通信范围之内。
在校准阶段中可确定第一转变时间，并且，在检测阶段中可确定第二转变时间。此外，所述方法可包括当信息载体在非接触式读取器的通信范围内时改变非接触式读取器的操作的模式。
附图说明
通过参照附图详细地描述示例性实施例，特征对于本领域的技术人员来说将变得明显，在附图中：
图1示出非接触式IC卡系统的实施例；
图2示出用于非接触式卡读取器的方法的实施例；
图3示出图2中的计算第一转变时间的操作；
图4示出图2中的计算第二转变时间的操作；
图5示出确定非接触式IC卡是否在非接触式IC卡读取器的通信覆盖区之内的操作；
图6示出图2中的计算第一转变时间的操作；
图7示出图2中的用于计算第一转变时间的另一操作；
图8示出确定非接触式IC卡是否在非接触式IC卡读取器的通信覆盖区之内的另一操作；
图9示出操作非接触式IC卡读取器的另一实施例；
图10示出用于非接触式卡读取器的方法的另一实施例；
图11A示出第一原始磁脉冲和第一磁脉冲的示例，并且，图11B示出第二原始磁脉冲和第二磁脉冲的示例；
图12A示出第一磁脉冲和在检测阶段中的第二磁脉冲的示例，并且，图12B示出第一磁脉冲和在检测阶段中的第二磁脉冲的示例；
图13A示出第一原始磁脉冲和第一磁脉冲的示例，并且，图13B示出第二原始磁脉冲和第二磁脉冲的示例；
图14A示出第一磁脉冲和在检测阶段中的第二磁脉冲的示例，并且，图14B示出第一磁脉冲和在检测阶段中的第二磁脉冲的示例；
图15示出非接触式IC卡读取器使用多个第一磁脉冲来计算第一转变时间的一种方法；
图16示出根据一些示例性实施例的图1中的非接触式IC卡读取器的示例的框图。
图17示出图16中的检测电路的示例；
图18示出图17中的再生块的示例；
图19示出图17中的再生块的另一示例；
图20示出图17中的第一计算单元的示例；
图21是图20的第一计算单元的时序图；
图22示出图17中的确定单元的示例；
图23示出图1中的非接触式IC卡的示例；
图24示出图20中的调节单元的示例；以及
图25示出移动系统的实施例。
具体实施方式
在下文中参照附图更加全面地描述示例性实施例，但是，这些示例性实施例可以以各种形式来实施，并不应该被解释为局限于本文中阐述的实施例。确切地说，提供这些实施例，使得本公开将是彻底的、完整的，并将示例性实施方式完全传达给本领域的技术人员。在全文中，相似的参考标号表示相似的元件。
图1示出包括非接触式IC卡读取器100和非接触式IC卡500的非接触式IC卡系统10的实施例。非接触式IC卡读取器100包括读取器芯片101和第一天线102。非接触式IC卡500包括卡芯片501和第二天线502。非接触式IC卡读取器100和非接触式IC卡500通过第一天线102和第二天线502交换数据。非接触式IC卡500可通过第二天线502从第一天线102接受接收电压。
非接触式IC卡读取器100使用短磁脉冲来确定非接触式IC卡500是否在非接触式IC卡读取器100的通信覆盖区（或范围）之内，并且基于该确定来改变非接触式IC卡读取器100的操作模式。当非接触式IC卡500被确定为在通信覆盖区之外时，非接触式IC卡读取器100以待机模式操作。因此，非接触式IC卡读取器100可最小化电流消耗。当非接触式IC卡500被确定为在通信覆盖区（或范围）之内时，非接触式IC卡读取器100改变到激活模式以与非接触式IC卡500交换数据。
图2示出图1中的非接触式IC卡读取器100的操作方法的实施例。参考图1和图2，在校准阶段中，非接触式IC卡读取器100计算在第一转变间隔期间的至少一个第一磁脉冲的从第一正常电平到参考电平的第一转变时间（S110）。该校准阶段可对应于确定非接触式IC卡500在非接触式IC卡读取器100的通信覆盖区之外的间隔。
在检测阶段中，非接触式IC卡读取器100计算在第二转变间隔期间的第二磁脉冲的从第二正常电平到参考电平的第二转变时间（S130）。该检测阶段可对应于非接触式IC卡500在非接触式IC卡读取器100的通信覆盖区之外是不确定的间隔期间。第二磁脉冲的幅度可根据非接触式IC卡500是否在非接触式IC卡读取器100的通信覆盖区之内而变化。非接触式IC卡读取器100基于第一转变时间和第二转变时间的比较，确定非接触式IC卡500是否在非接触式IC卡读取器100的通信覆盖区之内（S150）。
图3示出图2中的用于计算第一转变时间的操作的示例。参考图3，在第一转变间隔开始的第一开始点处触发计数器的计数操作（S111）。为了触发计数器的计数操作，非接触式IC卡读取器100可使用电平检测器来检测第一磁脉冲的转变，以触发计数器的计数操作。在一个实施例中，在第一磁脉冲的电平达到参考电平的第一转变间隔的第一结束点处，将第一计数值锁存为第一数字代码（S113）。为了将第一计数值锁存为第一数字代码，非接触式IC卡读取器100可使用例如比较器来将第一磁脉冲的电平与参考电平进行比较。非接触式IC卡读取器可在从比较器输出的比较信号的转变点处将第一计数值锁存为第一数字代码。第一数字代码可被存储在寄存器单元中（S115）。
图4示出图2中的用于计算第二转变时间的操作的示例。参考图4，计数器的计数操作在第二转变时间间隔开始的第二开始点处被触发（S131）。为了执行触发计数器的计数操作，非接触式IC卡读取器100可例如使用电平检测器来检测第二磁脉冲的转变，以触发计数器的计数操作。在第二磁脉冲的电平达到参考电平的第二转变间隔的第二结束点处，将第二计数值锁存为第二数字代码（S133）。为了将第二计数值锁存为第二数字代码，非接触式IC卡读取器100可使用比较器来将第二磁脉冲的电平与参考电平进行比较。然后，卡读取器可在从比较器输出的比较信号的转变点处将第二计数值锁存为第二数字代码。
图5示出图2中的用于确定非接触式IC卡是否在非接触式IC卡读取器的通信覆盖区（或范围）之内的操作的示例。
参考图5，为了确定非接触式IC卡500是否在非接触式IC卡读取器100的通信覆盖区之内，非接触式IC卡读取器100可使用数字比较器来比较第一数字代码和第二数字代码（S151）。基于比较，可将检测信号提供给非接触式IC卡100的中央处理单元（CPU）。该检测信号可指示非接触式IC卡500是否在非接触式IC卡读取器100的通信覆盖区之内（S153）。
例如，当基于比较结果第二数字代码不小于第一数字代码时，非接触式IC卡读取器100可确定非接触式IC卡500在非接触式IC卡读取器100的通信覆盖区之外。由此，非接触式IC卡读取器100可向CPU提供具有第一逻辑电平（逻辑低电平）的检测信号。CPU可响应于具有第一逻辑电平的检测信号，而将非接触式IC卡读取器100的操作模式保持为待机模式。
当基于比较结果第二数字代码小于第一数字代码时，非接触式IC卡500可被确定为在非接触式IC卡读取器100的通信覆盖区以内。因此，非接触式IC卡读取器100可向CPU提供具有第二逻辑电平（逻辑高电平）的检测信号。CPU响应于具有第二逻辑电平的检测信号，将非接触式IC卡读取器100的操作模式改变为激活模式，并初始化与非接触式IC卡500的通信。第一数字代码和第二数字代码可分别对应于在第一转变时间和第二转变时间期间的计数器的计数脉冲的数量。计数脉冲的周期可由CPU来调整。
图6示出图2中用于计算的第一转变时间的操作的示例。在图6中，假定至少一个第一磁脉冲包括多个第一磁脉冲。
参考图6，为了计算第一转变时间，非接触式IC卡读取器100计算多个第一磁脉冲中的每一个的从第一正常电平到参考电平的第一子转变时间（S121a）。非接触式IC卡读取器100对第一子转变时间进行平均，以将平均值提供为第一转变时间（S123a）。非接触式IC卡读取器100基于第一子转变时间的平均值来确定与第一子转变时间的误差范围对应的偏移（S125a）。当非接触式IC卡读取器100使用多个第一磁脉冲时，非接触式IC卡读取器100可通过确定第二数字代码是否在第一数字代码的偏移的范围之内，来确定非接触式IC卡500是否在非接触式IC卡读取器100的通信覆盖区之内。
图7示出图2中的用于计算第一转变时间的操作的示例。在图7中，与图6相同，假定至少一个第一磁脉冲包括多个第一磁脉冲。
参考图7，为了计算第一转变时间，非接触式IC卡读取器100计算多个第一磁脉冲中的每一个的从第一正常电平到参考电平的第一子转变时间（S121b）。非接触式IC卡读取器100基于第一子转变时间的分布来提供第一转变时间的范围（S121c）。
图8示出图2中的用于确定非接触式IC卡是否在非接触式IC卡读取器的通信覆盖区之内的操作的示例。在图8中，假定步骤（S110）包括步骤（S121b和S123b）。
参考图7和图8，在计算多个第一磁脉冲中的每一个的从第一正常电平到参考电平的第一子转变时间之后，非接触式IC卡读取器100可确定第二转变时间是否在第一转变时间的范围之内（S150a）。然后，非接触式IC卡读取器100可基于第一子转变时间的分布来提供第一转变时间的范围。也就是说，非接触式IC卡读取器100使用多个第一磁脉冲来计算第一子转变时间的分布，并且当确定第二转变时间在第一子转变时间的分布（第一转变时间的范围）之内时，初始化与非接触式IC卡500的通信。
图9示出操作图1中的非接触式IC卡读取器100的方法的实施例。在图9中，非接触式IC卡读取器100通过测量第一磁脉冲和第二磁脉冲的下降转变时间，来确定非接触式IC卡500是否在通信覆盖区之内。
参考图1和图9，在校准阶段中，非接触式IC卡读取器100转换至少一个第一原始磁脉冲的电平（S101a）。在校准阶段中，非接触式IC卡读取器100对电平转换的第一原始磁脉冲进行低通滤波，以提供第一磁脉冲（S103a）。在校准阶段中，非接触式IC卡读取器100计算在第一转变时间间隔期间的第一磁脉冲的从第一正常电平到参考电平的第一转变时间（S110a）。该校准阶段可对应于这样的间隔，在该间隔期间，非接触式IC卡500在非接触式IC卡读取器100的通信覆盖区之外是确定的。
在检测阶段，非接触式IC卡读取器100中转换第二原始磁脉冲的电平（S125a）。在检测阶段中，非接触式IC卡读取器100对电平转换的第二原始磁脉冲进行低通滤波，以提供第二磁脉冲（S127a）。在检测阶段中，非接触式IC卡读取器100计算在第二转变间隔期间的第二磁脉冲的从第二正常电平到参考电平的第二转变时间（S130）。该检测阶段可对应于这样的间隔，在该间隔期间，非接触式IC卡500在非接触式IC卡读取器100的通信覆盖区之外是不确定的。第二磁脉冲的振幅可根据非接触式IC卡500是否在非接触式IC卡读取器100的通信覆盖区之内而变化。
非接触式IC卡读取器100基于第一转变时间和第二转变时间的比较，确定非接触式IC卡500是否在非接触式IC卡读取器100的通信覆盖区内（S150）。也就是说，在校准阶段中，可从至少一个第一原始磁脉冲产生至少一个第一磁脉冲，并且在检测阶段中，可从至少一个第二原始磁脉冲产生第二磁脉冲。由于非接触式IC卡读取器100通过测量第一磁脉冲和第二磁脉冲的下降转变时间，来确定非接触式IC卡500是否在通信覆盖区之内，因此第一正常电平可对应于第一磁脉冲的峰值电平，并且第二正常电平可对应于第二磁脉冲的峰值电平。
图10示出用于操作例如诸如在图1中示出的非接触式IC卡的方法的另一个实施例。在图10中，非接触式IC卡读取器100通过测量第一磁脉冲和第二磁脉冲的上升转变时间，来确定非接触式IC卡500是否在通信覆盖区（或范围）内。
更具体地说，参考图1和图10，在校准阶段中，非接触式IC卡读取器100转换至少一个第一原始磁脉冲的电平（S101b）。在校准阶段中，非接触式IC卡读取器100对电平转换的第一原始磁脉冲进行高通滤波，以提供第一磁脉冲（S103b）。在校准阶段中，非接触式IC卡读取器100计算在第一转变间隔期间的第一磁脉冲的从第一正常电平到参考电平的第一转变时间（上升转变时间）（S110a）。该校准阶段可对应于这样的间隔，在该间隔期间，非接触式IC卡500在非接触式IC卡读取器100的通信覆盖区之外是确定的。
非接触式IC卡读取器100在检测阶段中转换第二原始磁脉冲的电平（S125b）。在检测阶段中，非接触式IC卡读取器100对电平转换的第二原始磁脉冲进行高通滤波，以提供第二磁脉冲（S127b）。在检测阶段中，非接触式IC卡读取器100计算在第二转变间隔期间的第二磁脉冲的从第二正常电平到参考电平的第二转变时间（上升转变时间）（S130）。该检测阶段可对应于这样的间隔，在该间隔期间，非接触式IC卡500在非接触式IC卡读取器100的通信覆盖区之外是不确定。第二磁脉冲的幅度可根据非接触式IC卡500是否在非接触式IC卡读取器100的通信覆盖区（或范围）之内而变化。
此外，非接触式IC卡读取器100可基于第一转变时间和第二转变时间的比较，确定非接触式IC卡500是否在非接触式IC卡读取器100的通信覆盖区之内（S150）。例如，在校准阶段中，可从至少一个第一原始磁脉冲产生至少一个第一磁脉冲。在检测阶段中，可从至少一个第二原始磁脉冲产生第二磁脉冲。由于非接触式IC卡读取器100通过测量第一磁脉冲和第二磁脉冲的上升转变时间来确定非接触式IC卡500是否在通信覆盖区之内，因此第一正常电平可对应于第一磁脉冲的谷底电平，并且第二正常电平可对应于第二磁脉冲的谷底电平。
更具体地说，基于由非接触式IC卡读取器100执行的针对参考电的在待机模式的校准阶段和检测阶段中的短磁脉冲的上升转变时间或下降转变时间的比较，非接触式IC卡500可被确定为在非接触式IC卡读取器100的通信覆盖区内。基于该比较，非接触式IC卡读取器100可将非接触式IC卡读取器100的操作模式保持在待机模式中，或者将操作模式改变为激活模式。
因此，当与比较在校准阶段与检测阶段中的磁脉冲的其它的提出的方法进行比较时，不要求非接触式IC卡读取器100包括模拟数字转换器和逻辑电路。因此，可简单地实现非接触式IC卡读取器100的结构，并且可减小所占区域和可显著减小功耗。
图11A示出第一原始磁脉冲和第一磁脉冲的示例，并且，图11B示出第二原始磁脉冲和第二磁脉冲的示例。
参考图11A，第一原始磁脉冲OMP1可具有作为峰值电平的第一正常电平LEV_01。第一磁脉冲MP11可从第一原始磁脉冲OMP1产生，并且可具有作为峰值电平的第一正常电平LEV1。在第一磁脉冲MP11的第一转变间隔期间，从第一正常电平LEV1到正常电平RLEV的转变时间可对应于第一转变时间TRT11。例如，第一磁脉冲MP11可通过图9中的操作S101a和S103a从第一原始磁脉冲OMP1产生。
参考图11B，第二原始磁脉冲OMP2可具有作为峰值电平的第二正常电平LEV_02。第二磁脉冲MP21可从第二原始磁脉冲OMP2产生，并且可具有作为峰值电平的第二正常电平LEV2。在第二磁脉冲MP21的第二转变间隔期间，从第二正常电平LEV2到正常电平RLEV的转变时间可对应于第二转变时间TRT21。例如，第二磁脉冲MP21可通过图9中的操作S125a和S127a从第二原始磁脉冲OMP2产生。
图12A示出在检测阶段中的第一磁脉冲和第二磁脉冲的示例，并且，图12B示出在检测阶段中的第一磁脉冲和第二磁脉冲的示例。更具体地讲，图12A示出当非接触式IC卡500在非接触式IC卡读取器100的通信覆盖区（或范围）之外时的第一磁脉冲MP11和第二磁脉冲MP21。图12B示出当非接触式IC卡500在非接触式IC卡读取器100的通信覆盖区之内时的第一磁脉冲MP11和第二磁脉冲MP21。
参考图12A，当非接触式IC卡500在非接触式IC卡读取器100的通信覆盖区之外时，第一磁脉冲MP11的第一电平LEV1与第二磁脉冲MP21的第二电平LEV2基本上相同。这是由于，第二磁脉冲MP21未被相互耦合到非接触式IC卡500的天线502。因此，第一转变时间TRT11基本上与第二转变时间TRT21相同。在这些情形下，非接触式IC卡500被确定为在非接触式IC卡读取器100的通信覆盖区之外。
参考图12B，当非接触式IC卡500在非接触式IC卡读取器100的通信覆盖区之内时，与第二磁脉冲MP21的第二电平LEV2相比，第一磁脉冲MP11的第一电平LEV1增加。这是由于，第二磁脉冲MP21相互地耦合到非接触式IC卡500的天线502。因此，第一转变时间TRT11大于第二转变时间TRT21。在这些情形下，非接触式IC卡500被确定为在非接触式IC卡读取器100的通信覆盖区之内。在这种情况中，非接触式IC卡读取器100将操作模式从待机模式改变为激活模式，并初始化与非接触式IC卡500的通信。
图11A到图12B示出非接触式IC卡读取器100使用第一磁脉冲MP11和第二磁脉冲MP21的下降转变时间来确定非接触式IC卡500是否在非接触式IC卡读取器100的通信覆盖区之内。如下所述，在其它实施例中，非接触式IC卡读取器100的通信覆盖区可按不同的方式来确定。
图13A示出第一原始磁脉冲和第一磁脉冲的示例，并且，图13B示出第二原始磁脉冲和第二磁脉冲的示例。
参考图13A，第一原始磁脉冲OMP1可具有作为峰值电平的第一正常电平LEV_01。第一磁脉冲MP12可从第一原始磁脉冲OMP1产生，并且可具有作为峰值电平的电平LEV1和作为谷底电平的第一正常电平LEV11。在第一磁脉冲MP12的第一转变间隔期间，从谷底电平LEV11到第一正常电平RLEV的转变时间可对应于第一转变时间TRT12。例如，第一磁脉冲MP12可通过图10中的操作S101b和S103b从第一原始磁脉冲OMP1产生。
参考图13B，第二原始磁脉冲OMP2可具有作为峰值电平的第二正常电平LEV_02。第二磁脉冲MP22可从第二原始磁脉冲OMP2产生，并且可具有作为峰值电平的电平LEV2和作为谷底电平的第二正常电平LEV21。在第二磁脉冲MP22的第二转变间隔期间，从谷底电平LEV21到正常电平RLEV的转变时间可对应于第二转变时间TRT22。例如，第二磁脉冲MP22可通过图10中的操作S125b和S127b从第二原始磁脉冲OMP2产生。
图14A示出在检测阶段中的第一磁脉冲和第二磁脉冲的示例，并且，图14B示出在检测阶段中的第一磁脉冲和第二磁脉冲的示例。更具体地说，图14A示出当非接触式IC卡500在非接触式IC卡读取器100的通信覆盖区（或范围）之外时的第一磁脉冲MP12和第二磁脉冲MP22。图14B示出当非接触式IC卡500在非接触式IC卡读取器100的通信覆盖区之内时的第一磁脉冲MP12和第二磁脉冲MP22。
参考图14A，当非接触式IC卡500在非接触式IC卡读取器100的通信覆盖区之外时，第一磁脉冲MP12的峰值电平LEV1与第二磁脉冲MP22的峰值电平LEV2基本上相同。这是因为第二磁脉冲MP21未相互耦合到非接触式IC卡500的天线502。因此，第一转变时间TRT12基本上与第二转变时间TRT22相同。在这些情形下，非接触式IC卡500被确定为在非接触式IC卡读取器100的通信覆盖区之外。
参考图14B，当非接触式IC卡500在非接触式IC卡读取器100的通信覆盖区之内时，第一磁脉冲MP12的峰值电平LEV1增加，并且与第二磁脉冲MP22的峰值电平LEV2不同。这是由于，第二磁脉冲MP22相互耦合到非接触式IC卡500的天线502。因此，第一转变时间TRT12大于第二转变时间TRT22。在这些情形下，非接触式IC卡500被确定为在非接触式IC卡读取器100的通信覆盖区之内。在这种情况中，非接触式IC卡读取器100将操作模式从待机模式改变为激活模式，并初始化与非接触式IC卡500的通信。
图13A到图14B的实施例使用第一磁脉冲MP12和第二磁脉冲MP22的上升转变时间来确定非接触式IC卡500是否在非接触式IC卡读取器100的通信覆盖区之内。其它实施例可按不同的方式来作出该确定。
图15示出非接触式IC卡读取器使用多个第一磁脉冲来计算第一转变时间的实施例。参考图15，非接触式IC卡读取器100计算在第一转变间隔期间周期性地发送的多个第一磁脉冲MP11_S1、MP11_S2和MP11_S3的每个第一子转变时间TRT11_S1、TRT11_S2和TRT11_S3。非接触式IC卡读取器100基于第一子转变时间TRT11_S1、TRT11_S2和TRT11_S3，确定非接触式IC卡500是否在非接触式IC卡读取器100的通信范围之内。
另外，然后，非接触式IC卡读取器100对第一子转变时间TRT11_S1、TRT11_S2和TRT11_S3进行平均，并计算平均值和基于平均值的偏移。当第二转变时间在相对于平均值的偏移范围之内时，非接触式IC卡读取器100确定非接触式IC卡在非接触式IC卡读取器100的范围之内。非接触式IC卡读取器100可通过图6中的操作来使用第一子转变时间TRT11_S1、TRT11_S2和TRT11_S3的平均值。
另外，非接触式IC卡读取器100可计算第一子转变时间TRT11_S1、TRT11_S2和TRT11_S3的分布。当第二转变时间在第一子转变时间TRT11_S1、TRT11_S2和TRT11_S3的分布的范围内时，非接触式IC卡读取器100确定非接触式IC卡在非接触式IC卡读取器100的范围内。非接触式IC卡读取器100可通过图7和图8中的操作来使用第一子转变时间TRT11_S1、TRT11_S2和TRT11_S3的分布。
图16示出图1中的包括非接触式IC卡读取器芯片101和谐振单元102a的非接触式IC卡读取器100的实施例。通过第一发送端子TX1和第二发送端子TX2以及接收端子RX，非接触式IC卡读取器芯片101连接到谐振单元102a。
谐振单元102a可包括：谐振电路，具有天线L和第一电容器C1；第一滤波器，包括第四电容器C4，其中，谐振电路通过第四电容器C4连接到接收端子RX；匹配单元，包括包含第二电容器C2和第三电容器C3的第二滤波器且执行阻抗匹配，谐振电路通过第二电容器C2和第三电容器C3连接到第一发送端子TX1和第二发送端子TX2。
非接触式IC卡读取器芯片101可通过第一发送端子TX1和第二发送端子TX2执行发送操作，并且可通过接收端子RX来执行接收操作。
非接触式IC卡读取器芯片101可包括：CPU（或处理器110）、存储器120、包括解调器131的接收块130、包括调制器141、振荡器142、混频器143、发送单元144的发送块140、磁脉冲生成器150和检测电路200。CPU110可控制非接触式IC卡读取器芯片101的整体操作。CPU110可通过从诸如电池的电源单元接收电源电压VDD来被操作。
当在激活模式中执行发送操作时，CPU110可从存储器120将输出数据读出到调制器141。调制器141可对输出数据进行调制以产生调制信号。另外，振动器142可产生具有与载波频率（例如，13.56MHz）对应的频率的载波信号CW。混频器143可将载波信号CW与调制信号组合以产生发送信号。
发送单元144可通过第一发送端子TX1和第二发送端子TX2向谐振单元102a提供发送信号。谐振单元102a可辐射与发送信号对应的电磁波。例如，发送单元144可连接在电源电压VDD与地电压GND之间。基于发送信号，发送单元144可允许第一发送端子TX1和第二发送端子TX2通过上拉负载（pull-up load）连接到电源电压VDD或通过下拉负载（pull-down load）连接到地电压GND。当以这种方式连接时，发送信号可通过第一发送端子TX1和第二发送端子TX2提供到谐振单元102a。
当在激活模式中执行接收操作时，解调器131可对从谐振单元102a通过接收端子RX提供的信号进行解调，以产生输入数据，并且可将该输入数据提供到CPU110。CPU110可将该输入数据存储在存储器120中。
在待机模式的校准阶段中，磁脉冲生成器150可响应于来自CPU110的第一控制信号CON1，而产生将通过发送单元144和谐振单元102a发送的第一原始磁脉冲OMP1。集成电路200可计算在第一转变间隔期间的基于通过谐振单元102a发送的第一原始磁脉冲OMP1的第一磁脉冲MP11和第二磁脉冲MP12的第一转变时间。计算的第一转变时间可存储为第一数字代码。
在待机模式的检测阶段中，磁脉冲生成器150可产生用于确定非接触式IC卡500是否在通信覆盖区之内的第二原始磁脉冲OMP2。响应于来自CPU110的第一控制信号CON1，第二原始磁脉冲OMP2可通过发送单元144和谐振单元102a发送。检测电路200可计算第二转变间隔期间的基于通过谐振单元102a发送的第二原始磁脉冲OMP2的第二磁脉冲MP21或MP22的第二转变时间，可将第一数字代码与对应于第二转变时间的第二数字代码进行比较，并且可确定非接触式IC卡500是否在通信覆盖区之内。
检测电路200可确定非接触式IC卡500是否在通信覆盖区之内，并且可产生指示非接触式IC卡500是否在通信覆盖区之内的检测信号DS并将该检测信号DS提供给CPU110。CPU110可接收检测信号DS，并且可根据检测信号DS的逻辑电平来确定非接触式IC卡读取器100的操作模式。
例如，当非接触式IC卡500在非接触式IC卡读取器100的通信覆盖区之外并且检测信号DS是逻辑低电平时，CPU110可将非接触式IC卡读取器100的操作模式保持为待机模式。当非接触式IC卡500在非接触式IC卡读取器100的通信覆盖区之内并且检测信号DS是逻辑高电平时，CPU110可将非接触式IC卡读取器100的操作模式改变为激活模式。
在激活模式中，CPU110提供第二控制信号CON2以启用（enable）发送块140并通过发送块140发送请求命令。CPU110提供第三控制信号CON3以启用接收块130,并且在预定时间间隔期间，接收块130可等待来自非接触式IC卡500的响应于请求命令的响应。当在预定时间间隔期间接收到响应于请求命令的响应时，非接触式IC卡读取器100初始化与非接触式IC卡500的数据发送/接收。
当在预定时间间隔期间未接收到响应于请求命令的响应时，CPU110提供第二控制信号CON2和第三控制信号CON3以分别停用（disable）发送块140和接收块130。此外，CPU110将第一控制信号CON1提供给检测电路200以执行上述检测操作。尽管CPU110通过第二控制信号CON2来停用了发送块140，但是发送单元144被启用以通过谐振单元102来发送磁脉冲。
第一控制信号到第三控制信号CON1～CON3可包括两位或更多位。例如，在待机模式中，第二控制信号CON2的一些位可被用于停用调制器141、振荡器142和混频器143。第二控制信号CON2的其它位可被用于启用发送单元144以发送磁脉冲。另外，第一控制信号CON1的一些位可被用于调整检测电路200中的时钟脉冲的周期或者用于重新设置计数器。第一控制信号CON1的其它位可被用于调整检测电路200中的参考电压生成器的参考电平RLEV。
图17示出根据一些示例性实施例的图16中的检测电路的示例。参考图17，检测电路200包括：再生块210、第一计算单元230和确定单元250。
在待机模式的校准阶段中，再生块210可通过对谐振单元102发送的第一原始磁脉冲OMP1进行再生，来提供第一磁脉冲MP1。待机模式的检测阶段中，再生块210可通过对谐振单元102发送的第二原始磁脉冲OMP2进行再生，来提供第二磁脉冲MP2。在待机模式的校准阶段中，第一计算单元230接收第一磁脉冲MP1，使用计数器计算第一磁脉冲MP1的第一转变时间TRT11或TRT12，锁存与第一转变时间TRT11或TRT12对应的第一数字代码DCD1，并且将第一数字代码DCD1提供给确定单元250。
另外，在待机模式的检测阶段中，第一计算单元230接收第二磁脉冲MP2，使用计数器计算第二磁脉冲MP2的第二转变时间TRT21或TRT22，锁存与第二转变时间TRT21或TRT22对应的第二数字代码DCD2，并且将第二数字代码DCD2提供给确定单元250。
确定单元250存储在校准阶段中的第一数字代码DCD1，比较第一数字代码DCD1与第二数字代码DCD2，并且根据检测阶段中的比较结果来提供检测信号DS。例如，当第二数字代码DCD2不小于第一数字代码DCD1时，非接触式IC卡500可被确定为在非接触式IC卡读取器100的通信覆盖区之外。因此，确定单元250可输出具有第一逻辑电平（逻辑低电平）的检测信号DS。当第二数字代码DCD2小于第一数字代码DCD1时，非接触式IC卡500可被确定为在非接触式IC卡读取器100的通信覆盖区之内。因此，确定单元250可输出具有第二逻辑电平（逻辑高电平）的检测信号DS。
图18示出根据一些示例性实施例的图17中的再生块的示例。图18示出，图17中的检测电路200使用如图11A和图11B所示的第一磁脉冲MP1的下降转变时间来确定非接触式IC卡500是否在非接触式IC卡读取器100的通信覆盖区之内的情况。
参考图18，再生块210a可包括电平转换器211和低通滤波器213。在校准阶段中，电平转换器211转换（例如，降低）第一原始磁脉冲OMP1的电平，以输出电平转换的第一原始磁脉冲COMP1。在检测阶段中，电平转换器211还可转换（例如，降低）第二原始磁脉冲OMP2的电平，以输出电平转换的第二原始磁脉冲COMP2。
低通滤波器213在校准阶段中对电平转换的第一原始磁脉冲COMP1进行低通滤波以输出第一磁脉冲MP1，并且在检测阶段中对电平转换的第二原始磁脉冲COMP2进行低通滤波以输出第二磁脉冲MP2。在一个实施例中，电平转换器211可将天线电平电压转换为检测电路200可感知并操作的电平。低通滤波器213可加强第一磁脉冲MP1和第二磁脉冲MP2的下降转变。
图19示出图17中的再生块的示例。更具体地说，图19示出，图17中的检测电路200使用如图13A和图13B所示的第一磁脉冲MP1的上升转变时间来确定非接触式IC卡500是否在非接触式IC卡读取器100的通信覆盖区之内的情况。
参考图19，再生块210b可包括电平转换器221和高通滤波器223。在校准阶段中，电平转换器221转换（例如，降低）第一原始磁脉冲OMP1的电平，以输出电平转换第一原始磁脉冲COMP1。在检测阶段中，电平转换器221还可转换（例如，降低）第二原始磁脉冲OMP2的电平，以输出电平转换第二原始磁脉冲COMP2。
在校准阶段中，高通滤波器223对电平转换的第一原始磁脉冲COMP1进行滤波以输出第一磁脉冲MP1。在检测阶段中，高通滤波器223也对电平转换的第二原始磁脉冲COMP2进行滤波以输出第二磁脉冲MP2。电平转换器221将天线电平电压转换为检测电路200可感知并操作的电平。高通滤波器223可加强第一磁脉冲MP1和第二磁脉冲MP2的上升转变。
图20示出如图17所示的第一计算单元230的示例。参考图20，第一计算单元230可包括：电平检测器231、比较器232、计数器233、锁存器234和参考电压生成器235。
当在校准阶段中第一磁脉冲MP1开始从第一正常电平上升或下降时，电平检测器231激活对计数器233的触发信号TGS。当在检测阶段中第二磁脉冲MP2开始从第二正常电平上升或下降时，电平检测器231激活对计数器233的触发信号TGS。响应于来自CPU110的重置信号RST，计数器233可被重置。响应于触发信号TRG，计数器233执行累加计数（counting-up）操作。
比较器232将第一磁脉冲MP1与参考电平RLEV进行比较并向锁存器234输出比较信号CS，其中，在校准阶段中，比较信号CS在第一磁脉冲MP1到达参考电平RLEV时的时刻处转变。比较器232还将第二磁脉冲MP2与参考电平RLEV进行比较并向锁存器234输出比较信号CS，其中，在检测阶段中，比较信号CS在第二磁脉冲MP2到达参考电平RLEV时的时刻处转变。
在校准阶段中，响应于比较信号CS，锁存器234将与第一磁脉冲MP1的第一转变时间对应的第一计数值CNT1锁存为第一数字代码DCD1。在检测阶段中，响应于比较信号CS，锁存器234将与第二磁脉冲MP2的第二转变时间对应的第二计数值CNT2锁存为第二数字代码DCD2。第一计数值CNT1可对应于图11A中的第一转变时间TRT11期间的计数器233的计数脉冲的数量。第二计数值CNT2可对应于图11B中的第二转变时间TRT21期间的计数器233的计数脉冲的数量。
检测电路200使用如图15所示的多个第一磁脉冲MP11_S1、MP11_S2和MP11_S3来确定非接触式IC卡500是否在非接触式IC卡读取器100的通信范围之内。计数器233分别对第一磁脉冲MP11_S1、MP11_S2和MP11_S3的第一子转变时间TRT11_S1、TRT11_S2和TRT11_S3的第一子计数值CNT1_S进行计数。在校准阶段中，锁存器（或数字锁存器）234可分别锁存与第一子计数值CNT1_S对应的第一子数字代码DCD1_S。
参考电压生成器235可产生具有参考电平RLEV的参考电压并将其提供给比较器232。响应于第一控制信号CON1，参考电压生成器235可调整参考电平RLEV。
图21示出与图20的第一计算单元的操作对应的时序图的示例。参考图20和图21，在校准阶段中的时刻T1处，第一磁脉冲MP1开始下降转变，触发信号TGS被激活，并且计数器233开始累加计数操作。计数器233执行累加计数操作直到第一磁脉冲MP1到达参考电平RLEV时的时刻T3。也就是说，由于比较信号CS在第一磁脉冲MP1到达参考电平RLEV的时刻T3处转变为高电平，因此计数器233输出在时刻T3的计数值作为第一计数值CNT1。锁存器234将与第一转变时间TRT1期间的计数脉冲的数量对应的第一计数值CNT1锁定为第一数字代码DCD1。
在检测阶段中的时刻T1处，第二磁脉冲MP2开始下降转变，触发信号TGS被激活，并且计数器233开始累加计数操作。计数器233执行累加计数操作直到第二磁脉冲MP2到达参考电平RLEV时的时刻T2。也就是说，由于比较信号CS在第二磁脉冲MP2到达参考电平RLEV时时刻T2处转变为高电平，因此计数器233输出在时刻T2的计数值作为第二计数值CNT2。锁存器234将与第二转变时间TRT2期间的计数脉冲的数量对应的第二计数值CNT2锁定为第二数字代码DCD2。
图22示出图17中的确定单元的示例。参考图22，确定单元250可包括：寄存器单元251、第二计算单元253和数字比较器255。寄存器单元251存储在校准阶段的第一数字编码DCD1。
当如图15所示，检测电路200使用多个第一磁脉冲MP11_S1、MP11_S2和MP11_S3来确定非接触式IC卡500是否在非接触式IC卡读取器100的通信范围之内时，第二计算单元253接收与第一子计数值CNT1_S对应的第一子数字代码DCD1_S。第二计算单元253对第一子数字代码DCD1_S进行平均以计算平均值DCD1_A和偏移DCD1_A_OFS，并且可将平均值DCD1_A和偏移DCD1_A_OFS提供给寄存器单元253。另外，第二计算单元253接收与第一子计数值CNT1_S对应的第一子数字代码DCD1_S，并计算第一数字代码的范围DCD1_R。然后，第一数字代码的范围DCD1_R被提供给寄存器单元253。
数字比较器255可将第二数字代码DCD2与第一数字代码DCD1、第一子数字代码DCD1_S的平均值DCD1_A或第一数字代码的范围DCD1_R中的一个进行比较。数字比较器255根据比较结果输出检测信号DS。
如参考图16到图22所述，为了确定非接触式IC卡500是否在非接触式IC卡读取器100的通信覆盖区之内，非接触式IC卡读取器100将针对参考电平的在待机模式的校准阶段和检测阶段中的短磁脉冲的上升转变时间或下降转变时间进行比较。基于该比较，非接触式IC卡读取器100可将非接触式IC卡读取器100的操作模式保持在待机模式中，或者将操作模式改变为激活模式。因此，非接触式IC卡读取器100不需要模拟数字转换器和逻辑电路，因此可被简单地实现。因此，可减小所占区域面积并且可大大地降低功耗。
图23示出图1中的非接触式IC卡的示例。参考图23，非接触式IC卡500可包括谐振单元502a和非接触式IC卡芯片501。非接触式IC卡芯片501可通过第一电源端子L1和第二电源端子L2连接到谐振单元502a。
谐振单元502a可包括：谐振电路，包括天线L11和第一电容器C11；第二电容器C12和第三电容器C13，响应于电磁波EMW而感应出的感应电压通过所述第二电容器C12和第三电容器C13传输到第一电源端子L1和第二电源端子L2；滤波器，包括第三电容器C13。谐振单元502a可将响应于电磁波EMW的感应电压作为第一电压V1传输到非接触式IC卡芯片501。
如图23所示的谐振单元502的构造仅仅是谐振单元可怎样被构造的一个示例。在其它实施例中，谐振单元可具有不同的构造。
非接触式IC卡芯片501可通过第一电源端子L1和第二电源端子L2从谐振单元502a接收第一电压V1。非接触式IC卡芯片501可包括：整流器510、调节单元520、CPU530、存储器540、解调器550和调制器560。
整流器510对第一电压V1进行整流以产生作为直流（DC）电压的第二电压。
调节单元520可产生用于非接触式IC卡芯片501中的具有正常电平的内部电压Vint，并将该电压提供给CPU530、解调器550和调制器560。
CPU530可控制非接触式IC卡芯片501的整体操作。当接收操作被执行时，解调器550可对从谐振单元502a通过第一电源端子L1和第二电源端子L2提供的信号进行解调，以产生输入数据。输入数据可被输入到CPU530，CPU530将该输入数据存储在存储器540中。
当发送操作被执行时，CPU530可从存储器540读出输出数据并将该输出数据提供给调制器560。调制器560可对该输出数据进行调制并将调制的信号提供给第一电源端子L1和第二电源端子L2。例如，调制器560可对该输出数据执行负载调制，以产生调制的信号。
图24示出图20中的调节单元的示例。参考图24，调节单元520可包括：串联调节器521、并联调节器523和电流镜524。
串联调节器521可从整流器521接收第二电压V2，并且并联调节器523可连接在串联调节器292的输出端子与地电压GND之间。由此，串联调节器521和并联调节器523可产生具有正常电平的内部电压Vint，该内部电压Vint可用于使用第二电压V2的非接触式IC卡芯片501中。电流镜522可产生内部电流Iint，该内部电流Iint具有与流经串联调节器521的电流的强度成比例的强度。
图25示出移动系统1000的实施例，该移动系统1000包括应用处理器1100、非接触式IC卡1200、存储器1310、用户接口1320、连接单元1330和电源1340。根据各种实施例，移动系统1000可以是任何移动系统，诸如但并不限于，移动电话、智能电话、个人数字助理（PDA）、便携式多媒体播放器（PMP）、数码相机、便携式游戏机、音乐播放器、摄像机、视频播放器、导航系统等。
非接触式IC卡1200可与非接触式IC卡读取器1210交换数据。非接触式IC卡读取器1210可采用图16的非接触式IC卡读取器100，以用于确定非接触式IC卡1200是否在非接触式IC卡读取器1210的通信覆盖区之内。卡读取器还可将针对参考电平的在待机模式的校准阶段和检测阶段中的一个或多个短磁脉冲的上升转变时间和下降转变时间进行比较。
基于该比较，非接触式IC卡读取器1210可将非接触式IC卡读取器1210的操作模式保持在待机模式中，或者可将操作模式改变为激活模式。因此，非接触式IC卡读取器1210可不需要模拟数字转换器和逻辑电路来保持或改变操作模式。由此，非接触式IC卡读取器1210可比其它的读取器类型具有更少的部件。此外，可显著减小读取器所占区域并且可大大降低功耗。
应用处理器1100可执行应用，诸如但并不限于，网络浏览器、游戏应用、视频播放器等。在一些实施例中，应用处理器1100可包括单核或多核。例如，应用处理器1100可以是多核处理器，诸如，双核处理器、四核处理器、六核处理器等。根据各种实施例，应用处理器1100可耦合到内部/外部高速缓存存储器。
存储器装置1310可以存储用于启动移动系统1000的启动图像，将被发送到外部装置的数据输出以及来自外部装置的输入数据。例如，存储装置1310可以是电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）、闪速存储器、相变随机存取存储器（PRAM）、电阻随机存取存储器（RRAM）、纳米浮栅存储器（NFGM）、聚合物随机存取存储器（PoRAM）、磁性随机存取存储器（MRAM）、铁电随机存取存储器（FRAM）等。
用户接口1130可包括至少一个输入装置（诸如小键盘、触摸屏等）和至少一个输出装置（诸如扬声器、显示装置等）。电源1340可为移动系统1000提供电源电压。
连接单元1330可与外部装置进行有线通信或无线通信。例如，连接单元1330可执行以太网通信、近场通信（NFC）、无线射频识别（RFID）通信、移动通信、存储卡通信、通用串行总线（USB）通信等。在一些实施例中，连接单元1330可包括基频芯片组，其支持诸如全球移动通讯系统（GSM）、通用分组无线业务（GPRS）、宽带码分多址（WCDMA）、高速下行链路/上行链路分组接入（HSxPA）等的通信。
在一些实施例中，移动系统1000还可包括相机图像处理器（CIS）和/或存储装置（诸如存储器卡、固态驱动器（SSD）、硬盘驱动器（HDD）、CD-ROM等）。
在一些实施例中，移动系统1000和/或移动系统1000的部件可按各种形式封装，所述形式诸如为，封装上封装（PoP)、球栅阵列（BGA)、芯片级封装(CSP)、塑料引线芯片载体（PLCC)、塑料双列直插式封装（PDIP)、窝伏尔封装件中芯片（Die in Waffle Pack)、晶片形式中的芯片(Die in Wafer Form)、板上芯片(COB)、陶瓷双列直插式封装（CERDIP)、塑料公制四方扁平封装（MQPF)、薄四方扁平封装（TQFP)、小外型IC(SOIC)、缩小外型封装（SSOP)、薄小外型封装（TSOP)、封装件中系统（SIP)、多芯片封装（MCP)、晶片级制造封装（WFP)或晶片级处理堆叠封装（WSP)。
根据一些示例性实施例，通过使用短磁脉冲的转变时间来检测非接触式IC卡，非接触式IC卡读取器可大大地减小所占区域和功耗。各种示例性实施例可被广泛地应用于各种非接触式IC卡和卡系统。
根据一个或多个实施例，提供一种用于操作占用减小的区域并且具有低功耗的非接触式集成电路（IC）卡读取器的方法。在这些或其它实施例中，提供了具有减小的电路复杂性的非接触式IC卡的检测电路。在这些或其它实施例中，非接触式IC卡读取器包括检测电路。根据另一个实施例，提供了包括非接触式IC卡读取器的非接触式IC卡系统。
本文中所描述的许多实施例涵盖卡本身的非接触式检测，并且更具体地涵盖装备有集成电路的卡。但是，在其它实施例中，非接触式检测可以针对任何类型的信息载体（例如，除信用卡大小的载体以外的载体）被执行。这些信息载体的示例包括耦合到商店中的产品的磁条或其它承载信息的介质、存储信息文件的压缩盘（CD）以及其它介质。
此外，虽然上面讨论的某些实施例涵盖对磁脉冲的检测，但是其它实施例可检测基于承载有信号和/或其它信息的光学介质是否在非接触式读取器的通信范围内产生的脉冲。
在本文中已经公开了示例实施例，并且，尽管采用了特定术语，但是它们仅仅在一般的、描述性的意义上被使用和将被解释，而不是出于限制的目的。在某些情形中，对于本申请所属领域的普通技术人员来说将显而易见的是，结合特定实施例描述的特征、特性和/或元件可被单独地使用或者与结合其它实施例描述的特征、特性和/或元件组合地使用，除非另有特定的说明。因此，本领域的技术人员将会理解，在不脱离在下面的权利要求中阐述的本发明的精神和范围的情况下，可以对形式和细节进行各种改变。

Claims (30)

1.一种非接触式集成电路IC卡读取器的检测方法，所述方法包括：
在校准阶段中，计算在第一转变间隔期间的至少一个第一磁脉冲的第一转变时间，所述至少一个第一磁脉冲在第一转变间隔期间从第一电平至参考电平之间变化；
在检测阶段中，计算在第二转变间隔期间的第二磁脉冲的第二转变时间，其中，第二磁脉冲在第二转变间隔期间从第二电平至参考电平之间变化；以及
基于第一转变时间和第二转变时间的比较来确定非接触式IC卡是否在非接触式IC卡读取器的通信范围之内，
其中，校准阶段对应于确定非接触式IC卡在非接触式IC卡读取器的通信覆盖范围之外的间隔。
2.如权利要求1所述的检测方法，其中计算第一转变时间的步骤包括：
在所述第一磁脉冲的电平开始变化的第一转变间隔的第一开始点处触发计数操作；
在所述至少一个磁脉冲的电平达到参考电平的第一转变间隔的第一结束点处将第一计数值锁存为第一数字代码；以及
存储第一数字代码。
3.如权利要求2所述的检测方法，其中计算第二转变时间的步骤包括：
在第二磁脉冲的电平开始变化的第二转变间隔的第二开始点处触发计数操作；以及
在第二磁脉冲的电平达到参考电平的第二转变时间间隔的第二结束点处将第二计数值锁存为第二数字代码。
4.如权利要求3所述的检测方法，其中，确定非接触式IC卡是否在非接触式IC卡读取器的通信范围之内的步骤包括：
将第一数字代码与第二数字代码进行比较；以及
基于第一数字代码和第二数字代码的比较来提供检测信号，其中，检测信号指示非接触式IC卡是否在非接触式IC卡读取器的通信范围之内。
5.如权利要求3所述的检测方法，其中，第一数字代码和第二数字代码分别对应于在第一转变间隔和第二转变间隔期间的计数脉冲的数量。
6.如权利要求5所述的检测方法，还包括：
调整计数脉冲的周期。
7.如权利要求1所述的检测方法，其中，基于非接触式IC卡是否在非接触式IC卡读取器的通信范围之内的确定,来被确定非接触式IC卡读取器的操作模式。
8.如权利要求7所述的检测方法，还包括：
当非接触式IC卡被确定为在通信范围之内时，将非接触式IC卡读取器的操作模式从待机模式改变为激活模式。
9.如权利要求1所述的检测方法，其中：
所述至少一个第一磁脉冲包括多个第一磁脉冲，并且
计算第一转变时间的步骤包括：
计算所述多个第一磁脉冲中的每一个的从第一电平到参考电平的第一子转变时间；以及
对第一子转变时间进行平均，以提供与第一转变时间对应的平均值并基于第一子转变时间的平均值确定确定偏移，所述偏移对应于第一子转变时间的误差范围。
10.如权利要求9所述的检测方法，其中，确定非接触式IC卡是否在非接触式IC读取器的通信范围之内的步骤包括：
确定第二转变时间是否在偏移之内。
11.如权利要求1所述的检测方法，其中：
所述至少一个第一磁脉冲包括多个第一磁脉冲，并且
计算第一转变时间的步骤包括：
计算所述多个第一磁脉冲中的每一个的从第一正常电平到参考电平的第一子转变时间；以及
基于第一子转变时间的分布来提供第一转变时间的范围。
12.如权利要求11所述的检测方法，其中，确定非接触式IC卡是否在非接触式IC卡读取器的通信范围之内的步骤包括：确定第二转变时间是否在第一转变时间的范围之内。
13.如权利要求1所述的检测方法，还包括：
在校准阶段中，基于通过天线发送的至少一个第一原始磁脉冲来产生至少一个第一磁脉冲；以及
在检测阶段中，基于通过天线发送的至少一个第二原始磁脉冲来产生第二磁脉冲，
其中，第一电平对应于第一磁脉冲的峰值电平，并且，第二电平对应于第二磁脉冲的峰值电平。
14.如权利要求13所述的检测方法，还包括：
在校准阶段中，转换第一原始磁脉冲的电平；以及
对电平转换的第一原始磁脉冲进行低通滤波，以提供第一磁脉冲。
15.如权利要求1所述的检测方法，还包括：
在校准阶段中，基于通过天线发送的至少一个第一原始磁脉冲来产生至少一个第一磁脉冲；以及
在检测阶段中，基于通过天线发送的至少一个第二原始磁脉冲来产生第二磁脉冲，其中，第一电平对应于第一磁脉冲的谷底电平，并且，第二电平对应于第二磁脉冲的谷底电平。
16.如权利要求15所述的检测方法，还包括：
在校准阶段中，转换第二原始磁脉冲的电平；以及
对电平转换的第二原始磁脉冲进行高通滤波，以提供第二磁脉冲。
17.一种非接触式集成电路IC卡读取器的检测电路，所述检测电路包括：
第一计算单元，被构造为：
(a)在校准阶段中，计算在第一转变间隔期间的至少一个第一磁脉冲的第一转变时间，并锁存与第一转变时间对应的第一数字代码，其中，所述至少一个第一磁脉冲在第一转变时间期间从第一电平变化值参考电平；以及
(b)在检查阶段中，计算在第二转变间隔期间的第二磁脉冲的第二转变时间并存与第二转变时间对应的第二数字代码，其中，第二磁脉冲在第二转变时间期间从第二电平变化至参考电平；以及
确定单元，被构造为基于第一转变时间和第二转变时间的比较来输出检测信号，检测信号指示非接触式IC卡是否在非接触式IC卡读取器的通信范围之内，
其中，校准阶段对应于确定非接触式IC卡在非接触式IC卡读取器的通信覆盖范围之外的间隔。
18.如权利要求17所述的检测电路，其中，第一计算单元包括：
电平检测器，被构造为在第一磁脉冲和第二磁脉冲的电平转变的时间点处激活触发信号；
比较器，被构造为将参考电平与第一磁脉冲和第二磁脉冲中的每一个进行比较来输出比较信号；
计数器，被构造为在第一转变间隔和第二转变间隔期间执行计数操作，以分别提供第一计数值和第二计数值；以及
锁存器，被构造为响应于比较信号的转变来将第一计数值和第二计数值分别锁存为第一数字代码和第二数字代码。
19.如权利要求17所述的检测电路，其中，确定单元包括：
第二计算单元，被构造为基于与多个第一磁脉冲的第一子转变时间对应的第一子数字代码来计算第一子数字代码的平均值、偏移和范围；
寄存器单元，被构造为存储第一数字代码，第一子数字代码的平均值、偏移和范围；以及
数字比较器，被构造为将第二数字代码与第一数字代码、第一子数字代码的平均值或范围中的至少一个进行比较，以提供检测信号。
20.如权利要求17所述的检测电路，还包括：
再生块，被构造为在校准阶段中转换第一原始磁脉冲的电平，并且被构造为对电平转换的第一原始磁脉冲进行滤波，以提供第一磁脉冲，
其中，再生块还被构造为在检测阶段中转换第二原始磁脉冲的电平，并且被构造为对电平转换的第二原始磁脉冲进行滤波，以提供第二磁脉冲，
其中，第一原始磁脉冲通过天线被周期性地发送，并且，第二原始磁脉冲通过天线发送。
21.如权利要求17所述的检测电路，其中：
第一电平对应于第一磁脉冲的峰值电平，并且
第二电平对应于第二磁脉冲的峰值电平。
22.如权利要求17所述的检测电路，其中：
第一电平对应于第一磁脉冲的谷底电平，并且
第二电平对应于第二磁脉冲的谷底电平。
23.一种非接触式集成电路IC卡读取器，包括：
检测电路，被构造为基于在校准阶段的第一转变间隔期间的第一磁脉冲的第一转变时间和在检测阶段的第二转变间隔期间的第二磁脉冲的第二转变时间的比较来产生检测信号；以及
处理器，被构造为确定非接触式IC卡读取器的操作模式，所述操作模式对应于待机模式或激活模式中的一种模式，其中：
在校准阶段中，第一磁脉冲在第一转变时间期间从第一电平变化至参考电平，
在检测阶段中，第二磁脉冲在第二转变时间期间从第二电平变化至参考电平，
检测信号指示非接触式IC卡是否在非接触式IC卡读取器的通信范围之内，并且
第二磁脉冲具有根据非接触式IC卡是否在非接触式IC卡读取器的通信范围之内而变化的幅度，
其中，校准阶段对应于确定非接触式IC卡在非接触式IC卡读取器的通信覆盖范围之外的间隔。
24.如权利要求23所述的非接触式IC卡读取器，其中，处理器调整参考电平。
25.一种非接触式集成电路IC卡系统，包括：
非接触式IC卡；以及
非接触式IC卡读取器，被构造为与在通信范围之内的非接触式IC卡交换数据，所述非接触式IC卡读取器包括：
检测电路，被构造为基于在校准阶段的第一转变间隔期间的第一磁脉冲的第一转变时间和在检测阶段的第二转变间隔期间的第二磁脉冲的第二转变时间的比较来产生检测信号；以及
处理器，被构造为确定非接触式IC卡读取器的操作模式，所述操作模式对应于待机模式和激活模式中的一种模式，其中：
在校准阶段中，第一磁脉冲在第一转变时间期间从第一电平变化至参考电平，
在检测阶段中，第二磁脉冲在第二转变时间期间从第二电平变化至参考电平，
检测信号指示非接触式IC卡是否在非接触式IC卡读取器的通信范围之内，
第二磁脉冲具有根据非接触式IC卡是否在非接触式IC卡读取器的通信范围内而变化的幅度,
其中，校准阶段对应于确定非接触式IC卡在非接触式IC卡读取器的通信覆盖范围之外的间隔。
26.一种用于对信息执行非接触式检测的方法，所述方法包括：
确定至少一个第一磁脉冲的第一转变时间；
确定第二磁脉冲的第二转变时间；以及
基于第一转变时间和第二转变时间来确定信息载体是否在非接触式读取器的通信范围之内。
27.如权利要求26所述的方法，其中，信息载体包括耦合到卡的集成电路。
28.如权利要求26所述的方法，其中：
所述至少一个第一磁脉冲在第一转变时间内从第一电平改变为第二电平，并且
第二磁脉冲在第二转变时间内从第一电平改变为第三电平，基于第二电平和第三电平之间的差来确定信息载体在非接触式读取器的通信范围之内。
29.如权利要求26所述的方法，其中：
第一转变时间在校准阶段期间被确定，并且
第二转变时间在检测阶段期间被确定。
30.如权利要求26所述的方法，还包括：
当信息载体在非接触式读取器的通信范围之内时，改变非接触式读取器的操作的模式。
CN201410093062.1A 2013-03-13 2014-03-13 非接触式集成电路读取器、检测方法、检测电路及其系统 Active CN104050432B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020130026722A KR102124444B1 (ko) 2013-03-13 2013-03-13 비접촉 ic 카드 리더의 동작 방법, 비접촉 ic 카드 리더의 탐지 회로, 이를 포함하는 비접촉 ic 카드 리더 및 카드 시스템
KR10-2013-0026722 2013-03-13

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN104050432A true CN104050432A (zh) 2014-09-17
CN104050432B CN104050432B (zh) 2018-07-06

Family

ID=51419307

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201410093062.1A Active CN104050432B (zh) 2013-03-13 2014-03-13 非接触式集成电路读取器、检测方法、检测电路及其系统

Country Status (4)

Country Link
US (1) US9218518B2 (zh)
KR (1) KR102124444B1 (zh)
CN (1) CN104050432B (zh)
DE (1) DE102014204615A1 (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107889086A (zh) * 2016-09-29 2018-04-06 意法半导体(鲁塞)公司 检测物体的可能存在的方法、以及相应的读取器
CN110050186A (zh) * 2016-12-20 2019-07-23 株式会社堀场制作所 测定装置、校正方法和测定装置用程序
CN114499589A (zh) * 2020-11-12 2022-05-13 意法半导体(鲁塞)公司 电路的激活持续时间的校准

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009006633A1 (en) * 2007-07-05 2009-01-08 Mastercard International Incorporated Method and system for simulating a proximity-based transaction device
US10212576B2 (en) 2016-09-08 2019-02-19 Samsung Electronics Co., Ltd. Near field communication device
KR102593912B1 (ko) 2018-01-09 2023-10-26 삼성전자주식회사 모드 변경이 가능한 전원 회로 및 그것을 포함하는 스마트 카드
AT523859A1 (de) * 2020-06-03 2021-12-15 Res Industrial Systems Engineering Rise Forschungs Entwicklungs Und Grossprojektberatung Gmbh Verfahren zum Kommunikationsaufbau zwischen einem Transaktionsterminal und einem mobilen Gerät unter Vermeidung eines automatischen Starts einer Applikation
KR102199126B1 (ko) * 2020-07-27 2021-01-06 에스트래픽 (주) Ｒｆｉｄ 리더, 및 ｒｆｉｄ 리더들간의 통신 충돌 회피를 위한 시분할 통신 제어방법

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05135221A (ja) * 1991-11-12 1993-06-01 Dainippon Printing Co Ltd 半導体記憶媒体におけるデータの非接触転送方法
CN1288546A (zh) * 1998-01-23 2001-03-21 艾普－特普格霍尔德科公司 用于识别真实电子ic卡的设备和方法
CN1611060A (zh) * 2001-12-28 2005-04-27 超波株式会社 无线鉴别系统
CN1620667A (zh) * 2001-12-18 2005-05-25 内部无接触技术公司 包括低耗电有效夜间警戒模式的无接点集成电路读出装置
CN102316413A (zh) * 2010-07-09 2012-01-11 数伦计算机技术（上海）有限公司 一种利用无线通讯技术判断收发机位置的方法及系统

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100516968B1 (ko) 2002-07-23 2005-09-26 (주)아이피에스 비접촉식 집적회로 카드에 사용되는 저전력 카드 리더 장치
KR100567809B1 (ko) 2003-06-13 2006-04-07 (주)아이피에스 절전형 비접촉식 아이씨카드리더 및 리딩방법
US7405659B1 (en) 2004-03-31 2008-07-29 Impinj, Inc. RFID tag switched capacitor slicer threshold
US7917088B2 (en) 2004-04-13 2011-03-29 Impinj, Inc. Adaptable detection threshold for RFID tags and chips
US7148804B2 (en) 2004-11-08 2006-12-12 Checkpoint Systems, Inc. System and method for detecting EAS/RFID tags using step listen
KR100659180B1 (ko) 2005-02-02 2006-12-19 쓰리에이로직스(주) 비접촉식 카드를 검출하기 위한 신호 발생방법과 신호발생장치, 비접촉식 카드에 저장된 정보를 판독하는방법과 장치
EP1859391B1 (en) 2005-03-14 2010-09-29 Samsung Electronics Co., Ltd. Portable device for caching rf-id tag data and method thereof
KR100792311B1 (ko) 2005-07-30 2008-01-07 엘에스전선 주식회사 충전전력 공급장치, 충전 장치, 배터리 장치, 무접점 충전 시스템 및 무접점 충전 방법
KR20090025630A (ko) 2007-09-06 2009-03-11 삼성전자주식회사 전력 소모를 줄일 수 있는 알에프아이디 시스템 및 그것의동작 방법
JP4945548B2 (ja) 2008-02-08 2012-06-06 ルネサスエレクトロニクス株式会社 検波回路とそれを含むｒｆ回路およびそれらを内蔵する携帯機器
US8174364B2 (en) 2008-10-17 2012-05-08 Michael Kenneth Pedigo Automatic means to trigger RFID transmitters
KR101105891B1 (ko) 2009-07-01 2012-01-16 쓰리에이로직스(주) Ｒｆｉｄ 리더 및 카드 탐지 방법
US20120083205A1 (en) 2010-10-04 2012-04-05 Qualcomm Incorporated Nfc device having a differential input envelope detector
KR101316607B1 (ko) 2011-09-06 2013-10-15 한국기초과학지원연구원 고효율 플라즈마 가스화기

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05135221A (ja) * 1991-11-12 1993-06-01 Dainippon Printing Co Ltd 半導体記憶媒体におけるデータの非接触転送方法
CN1288546A (zh) * 1998-01-23 2001-03-21 艾普－特普格霍尔德科公司 用于识别真实电子ic卡的设备和方法
CN1620667A (zh) * 2001-12-18 2005-05-25 内部无接触技术公司 包括低耗电有效夜间警戒模式的无接点集成电路读出装置
CN1611060A (zh) * 2001-12-28 2005-04-27 超波株式会社 无线鉴别系统
CN102316413A (zh) * 2010-07-09 2012-01-11 数伦计算机技术（上海）有限公司 一种利用无线通讯技术判断收发机位置的方法及系统

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107889086A (zh) * 2016-09-29 2018-04-06 意法半导体(鲁塞)公司 检测物体的可能存在的方法、以及相应的读取器
CN107889086B (zh) * 2016-09-29 2020-12-25 意法半导体(鲁塞)公司 检测物体的可能存在的方法、以及相应的读取器
CN110050186A (zh) * 2016-12-20 2019-07-23 株式会社堀场制作所 测定装置、校正方法和测定装置用程序
CN114499589A (zh) * 2020-11-12 2022-05-13 意法半导体(鲁塞)公司 电路的激活持续时间的校准
US11671146B2 (en) 2020-11-12 2023-06-06 Stmicroelectronics (Rousset) Sas Calibration of an activation duration of a circuit
CN114499589B (zh) * 2020-11-12 2023-08-18 意法半导体(鲁塞)公司 电路的激活持续时间的校准

Also Published As

Publication number Publication date
US9218518B2 (en) 2015-12-22
US20140263643A1 (en) 2014-09-18
KR20140112240A (ko) 2014-09-23
DE102014204615A1 (de) 2014-09-18
KR102124444B1 (ko) 2020-06-23
CN104050432B (zh) 2018-07-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104050432A (zh) 非接触式集成电路读取器、检测方法、检测电路及其系统
US9413430B2 (en) Measurement and reporting of received signal strength in NFC enabled devices
US8044774B1 (en) RFID tag chips and tags able to be partially killed and methods
US10116353B2 (en) Contactless communication device and electronic system having the same
US10204243B2 (en) Card reader and method of operating the same
CN110008151A (zh) 电子设备、数据传输装置和数据传输装置方法
CN105303228A (zh) 一种移动支付芯片、终端及方法
KR101739522B1 (ko) Nfc를 통해 펌웨어를 업데이트할 수 있는 장치 및 방법
Xu et al. Open-source software and hardware platforms for building backscatter systems
EP2782400A1 (en) NFC controller architecture for simultaneous emulation of multiple NFC technologies in one NFC listen device
CN204515806U (zh) 物品堆放位置自动定位系统
EP3498348B1 (en) Rfid orientation detection
Fuada et al. RTL Design and Testing Methodology for UHF RFID Passive Tag Baseband-Processor
CN203673490U (zh) 非接触cpu卡读卡器
Wang et al. A low-cost configurable ISO/IEC/IEEE 21451-7-compatible sensor tag
US8038071B2 (en) Smart card system and driving method thereof
US10083386B2 (en) Smart objects
Shi et al. A process-compatible passive RFID tag's digital design for subthreshold operation
Tang et al. Design of UHF RFID reader based on AS3991
CN106355122B (zh) 一种rf卡读卡器电路
Yuan et al. A fast and simple method for obtaining microcircuit card information
Guo et al. Design of UFH RFID reader based on ARM
Shi et al. Subthreshold passive RFID tag's baseband processor core design with custom modules and cells
Zhang et al. The design and simulation of ISO14443A RFID reader antenna matching circuit based on the MFRC500
Huang et al. The design of passive RFID reader system based on MF RC500

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant