CN104049097A - 用于高生产能力样品制备的到纳米操纵器的多样品附接 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种提取和处理多个样品用于S/TEM分析的改进的方法。本发明的优选实施例利用一种在堆叠形成中一次附接多个样品的显微操纵器和一种将每个样品放置到TEM栅格上的方法。通过使用一种允许加工多个样品的方法，样品制备的生产能力得到显著提高。

Description

用于高生产能力样品制备的到纳米操纵器的多样品附接

技术领域

本发明涉及用于透射电子显微镜和扫描透射电子显微镜的样品的提取和处理。

背景技术

半导体制造（如集成电路的生产）通常需使用光刻法。上面形成有电路的半导体衬底（通常为硅晶片）涂有如光致抗蚀剂等材料，该材料在曝露在辐射下时会改变溶解度。位于辐射源与半导体衬底之间的光刻工具（如掩模或光罩）投射出一个阴影以控制衬底的哪些区域曝露在辐射下。在曝露之后，将光致抗蚀剂从或者曝露区域或者未曝露区域中移除，从而在晶片上留下经图案化的光致抗蚀剂层，该光致抗蚀剂层在随后的蚀刻或漫射工艺过程中保护晶片的各部分。

光刻工艺允许在每个晶片上形成多个集成电路器件或机电器件，通常称为“芯片”。然后将晶片切成多个单独的裸片，每个裸片包括单个集成电路器件或机电器件。最终，这些裸片经受额外操作并且被封装到单独集成电路芯片或机电器件内。

在制造过程中，曝露和聚焦的变化要求连续监控或测量由光刻工艺形成的图案以确定这些图案的尺寸是否在可接受的范围内。通常被称为过程控制的这种监控的重要性随着图案尺寸变小而显著增加，尤其是当最小特征尺寸接近光刻工艺可获得的分辨率极限时。为了实现越来越高的器件密度，需要越来越小的特征尺寸。这可能包括互连线的宽度和间距、接触孔的间距和直径以及各种特征的表面几何形状例如角和边缘。晶片上的特征为三维结构，并且完整的表征不仅必须描述该特征的表面尺寸，例如线或沟槽的顶宽，而且还要描述该特征的完整三维轮廓。工艺工程师必须能精确地测量这种表面特征的临界尺寸（CD）以对制作过程进行微调并且确保获得所希望的装置几何形状。

典型地，使用例如扫描电子显微镜（SEM）等仪器来进行CD测量。在扫描电子显微镜（SEM）中，初级电子束聚焦到一个细斑点上以对有待观察的表面进行扫描。当该表面被初级射束冲击时，从该表面发出次级电子。检测到这些次级电子，随后形成一张图像，其中该图像中每个点处的亮度由射束冲击该表面上的相应斑点时检测到的次级电子的数量决定。然而，随着特征继续变得越来越小，会出现这样一个点，在该点处有待测量的特征对于普通SEM所提供的分辨率而言过小。

透射电子显微镜（TEM）允许观察者看到纳米级的极小特征。与只使材料的表面成像的SEM相比之下，TEM还允许分析样品的内部结构。在TEM中，宽束冲击样品并且透射穿过样品的电子被聚焦以形成样品的图像。样品必须足够薄以允许初级束中的许多电子行进穿过样品并在相反位置上射出。样品（也被称为薄层）厚度通常小于100 nm。

在扫描透射电子显微镜（STEM）中，初级电子束聚焦到一个细斑点上，并且跨样品表面对该斑点进行扫描。透射穿过工件的电子由位于样品远侧上的电子检测器收集起来，并且图像上每个点的强度对应于当初级束冲击表面上的相应点时所收集的电子的数量。

因为样品必须很薄以便用透射电子显微术观察（无论是TEM还是STEM），所以样品的制备会是一项精细、耗时的工作。此处所用的术语“TEM”是指TEM或STEM并且对制备用于TEM的样品的引用被理解成还包括制备用于在STEM上观察的样品。此处所用的术语“S/TEM”也是指TEM和STEM两者。

用于制备TEM试样的几种技术是众所周知的。这些技术会涉及到劈裂、化学抛光、机械抛光、或宽束低能离子研磨、或结合上述中的一种或多种。这些技术的缺点在于，它们不是位置特定的并且经常需要将起始材料分成越来越小的片，从而破坏大部分原始样品。

其他通常被称为“提出（lift-out）”技术的技术利用聚焦离子束从衬底上切割下样品或切割大块样品，而不破坏或损坏周围的衬底部分。此类技术对于对集成电路的生产中所用的工艺的结果以及对物理或化学科学常见的材料进行分析而言是有用的。这些技术可以用于在任何定向上（例如，或者在横截面或者在平面图上）对样品进行分析。一些技术提取足够薄的样品，以便直接用于TEM中；其他技术提取观察前需要额外打薄的“厚块”或大的样品。此外，除了TEM外，可以用其他分析工具直接分析这些“提出”试样。在FIB系统真空室内从衬底上提取样品的技术通常称为“原位”技术；样品移出真空室外（如当整个晶片被转移至另一个用于清除样品的工具上）被称为“非原位”技术。

在提取前被打得足够薄的样品经常被转移至并安装在用电子透明薄膜覆盖的金属栅格上，以便用于观察。图1示出了安装到现有技术TEM栅格10上的样品。典型的TEM栅格10由铜、镍或金制成。尽管尺寸会不同，但典型的栅格可以具有例如3.05 mm的直径以及具有由90 x 90 μm²大小的单元格14和35 μm宽的栅栏13组成的中间部分12。冲击电子束内的电子将能够穿过这些单元格14，但将会被栅栏13挡住。中间部分12被边缘部分16包围。该边缘部分的宽度为0.225 mm。除了定向标记18外，边缘部分16没有单元格。该电子透明薄支持膜的厚度15跨整个样品载体是均匀的，其值为大约20 nm。将有待分析的TEM试样放置或安装在单元格14内。

在提取工艺中，将包含完整薄层的晶片从FIB移除并将其放置在配备有显微操纵器的光学显微镜下。附装在该显微操纵器上的探针定位在该薄层上并小心地将其放低以接触该薄层。静电力会将薄层吸附在探针尖上。然后典型地将带有附接薄层的探针尖移动至TEM栅格上。可替代地，可以使用FIB沉积来完成薄层到探针尖上的附接。

典型地将观察前需要额外打薄的样品直接地安装到TEM样品支座上。图2示出了典型的TEM样品支座31，该支座包括一个部分是圆形的3 mm的环。在一些应用中，通过离子束沉积或者粘合剂将样品30附接到TEM样品支座的指状物32上。样品从指状物32延伸，从而使得在TEM中（未示出），电子束将具有一条穿过样品31到达该样品下方的检测器的自由路径。TEM样品典型地水平地安装到TEM中的样品支座上，其中TEM样品的平面垂直于电子束，并且观察该样品。

不幸地，使用此类样品提取的现有技术方法的TEM样品的制备是耗时的。传统的工作流程通常使使用者每次拾取一个样品并且将该样品放置在TEM样品支座上。首先，制备样品。使用显微操纵器提出样品。然后，将该样品移动到样品支座，定位并且然后放低，如此静电力将“放下”该样品。也可以通过物理地切断该连接来移除样品并将其放置在TEM样品支座的位置上。CD测量学经常需要多个来自晶片上的不同位置的样品，以便足够对具体过程进行表征和量化。在一些情况下，例如，将令人希望的是分析15到50个来自给定晶片的TEM样品。当使用已知的方法必须提取并分析这么多的样品时，加工来自一个晶片的样品的总时间会是几天或甚至几周。即使TEM分析可以发现的信息可能非常有价值，但创建和测量TEM样品的整个过程历史性地如此费力和耗时以至于使用此类型分析用于制造过程控制已不实际。对于将这些TEM样品中的每一个进行制备和移除的使用者来说,该使用者必须反复地执行这些步骤。换言之，使用者重复制备另一样品的步骤。然后，使用者重复将样品提出的步骤。然后，使用者每次将一个样品移动到TEM样品支座上。连续地执行用于大量TM薄层制备的此当前过程，并且该过程通常是耗时的并且费力的。

通过允许将半导体晶片更迅速地返回到生产线，加速样品提取和转移的过程在时间和潜在的收益两者上都将提供明显的优势。需要一种用于TEM样品分析的改进的方法，包括每次提取一个以上样品的新方式。

发明内容

因此，本发明的目的是提供一种用于TEM样品分析的改进方法，该方法提高了用于大量样品制备的生产能力。本发明的优选实施例提供了改进的方法，这些方法允许多次拾取和放下多个样品、允许对样品进行高效加工。本发明的优选实施例允许一种将多个样品相互堆叠和附接的方法，从而用更少的步骤将这些样本移动到TEM样品支座上。此工艺同样将台移动、注气系统（GIS）插入/收回动作以及操纵器插入/收回动作最小化。

为了可以更好地理解以下本发明的详细说明，上文已经相当广泛地概述了本发明的特征和技术优点。下文将描述本发明的附加特征和优点。本领域技术人员应认识到所披露的概念和具体实施例可容易地用作改进或设计用于实施本发明相同目的的其他结构的基础。本领域的技术人员还应认识到这些同等构造不脱离如所附权利要求书中所阐明的本发明的精神和范围。

附图说明

为了更加彻底地理解本发明和本发明的优点，现在结合附图参考以下说明，其中：

图1示出了一种典型的现有技术TEM栅格。

图2示出了一种典型的现有技术TEM样品支座。

图3示出了多个样品。

图4示出了通过操纵器拾取的一个样品。

图5示出了通过操纵器拾取的2个样品。

图6示出了通过操纵器拾取的3个样品。

图7示出了通过操纵器拾取的4个样品。

图8示出了通过操纵器拾取的5个样品。

图9示出了紧挨着TEM样品支座的5个样品。

图10示出了被焊接到支座（110）上的最后一个样品（105）。

图11示出了被附接到栅格上的样品（104）。

图12示出了被附接到栅格上的样品（103）。

图13示出了被附接到栅格上的样品（102）。

图14和图15示出了多个图表，这些图表示出了使用常规方法和根据本发明实施例的方法的5个样品的平均采样时间。

图16是根据本发明实施例的支持多个样品的微探针的图片。

图17示出了根据本发明实施例的在放下样品过程中的微探针的图片。

具体实施方式

本发明的优选实施例提供了一种拾取多个样品并且将其放到TEM样品支座或TEM栅格上的方法，完成该方法从而提高将涉及费力更少的过程的生产能力。

本发明的优选方法或装置具有许多新颖方面，并且出于不同的目的，因为本发明可以体现在不同的方法或装置中，所以不需要在每个实施例中介绍每个方面。而且，所述实施例的许多方面是可以单独获得专利的。

在本发明的优选实施例中，首先在晶片上或其他衬底上创建一个或多个薄层。图3示出了多个薄层100，这些薄层已经被研磨或加工用于准备从晶片上去除。优选地，可以使用自动化非原位工艺来创建多个薄层，如在布莱克伍德等人的美国临时申请号60/853,183的“用于S/TEM样品分析的方法（Method for S/TEM Sample Analysis）”（该申请通过引用结合于此）中所描述的，在该工艺中，在移除之前将薄层适当地打薄。可以在晶片或其他衬底上的不同位点处使用样品研磨工艺来创建一个或多个薄层。这种方法还可以用于向指状类型栅格进行多次厚块类型提取。

一旦已经创建和制备了所希望数目的薄层，使用显微操纵器来提取这些薄层。可以将用于每个晶片的所有薄层位点的列表（包括用于每个薄层位置的x-y坐标）从用于研磨薄层的FIB系统转移到提取工具。如图4中所示，显微操纵器101是静电/压力操纵器，在该操纵器中，静电力会将薄层102吸附到探针尖150上。优选地，该薄层提取过程是全自动化的。可替代地，该提取过程可以是完全地或者部分地手动控制的。

如图5中所示，然后将显微操纵器或者纳米操纵器移动到包含下一薄层103的不同位置，准备提取该薄层。显微操纵器101和所附接的薄层102将被放低从而使得薄层102与薄层103接触。静电力将薄层103吸附到薄层102（将薄层103附接到102上）上从而形成薄层堆。可替代地，可以通过使用FIB沉积或者电子束、摩擦拟合或者本行业中已知可以在其中进行键控式连接的技术来焊接这些薄层从而完成薄层之间的相互附接。如图6中所示，用下一薄层104重复该过程。其中，有待提取的样品具有一个竖直样品面，这导致也以相对于该样品面的45度角对探针进行定向。

如图7和图8中所示，重复该过程从而使得将每个后续薄层附接到所附接的前一薄层上。将薄层105附接到薄层104上。将薄层106附接到薄层105上。附接区域可以包括允许静电力进行附接并且还允许静电力大于旨在被附接的薄层总数的重量的小部分。

带有适当的软件的计算机或处理器可以接收用于有待从FIB系统提取的多个薄层的x-y坐标。一旦提取了这些样品并且将其转移到TEM样品支座或者TEM栅格（通常每个单元格一个薄层），然后可以将每个薄层的位置与相应的TEM样品支座位置进行匹配。这在整个过程中允许数据可追踪性，从而使得最终的TEM结果可以被自动地匹配回在原始晶片上的具体样品位点上。

由于使用静电引力将样品附着到探针尖上，微探针上成角度的斜面连同将探针尖围绕其长轴旋转180度的能力允许将薄层精确地放置在TEM样品支座上。当使用FIB沉积将样品焊接到探针尖或者相互焊接时，对角度也作出了特殊的考虑。

一旦以堆叠的形式拾取了所有的薄层，这些薄层被移到用于放置的TEM样品支座或者TEM栅格上。如图9中所示，这些薄层被放下到TEM样品支座110上。放低并定位有待拾取的最后的薄层（图10中的薄层106），从而使得薄层106在附接斑点120处形成一个到TEM样品支座110的附接。来自TEM样品支座110的静电力强于将薄层106和薄层105进行附接的静电力。因此，薄层106形成到TEM样品支座110的自愿附接。在替代方案中，可以通过切断连接并且通过将样品焊接到TEM样品支座110上来形成附接而物理地分离这些样品。根据图11至图13，将堆叠的薄层移动到TEM样品支座110上的不同位置上并且将其逐一移除，其中从该晶片提取的最后的薄层是有待放低并且附接到TEM样品支座110上的第一薄层。依次进行上述步骤直到将所有的薄层从显微操纵器101上移除并且附接到TEM样品支座110上。

可以用FIB系统来执行这些薄层的加工，该系统可以导航到每个附加的样品位点并且重复该过程来制备每个薄层。这会涉及研磨期望的样品位置的每一侧的过程。由于这种方法涉及大部分台和TEM样品支座或者TEM栅格之间更少的移动，所以该过程将台移动最小化，提高了生产能力并且将GIS插入/收回动作以及操作器插入收回动作最小化。随着这一过程的自动化的成熟，预期生产能力得到显著提高。

如图14和图15中所示，其示出了使用提取薄层所使用的常规方法的H450HP、H450ML、H450SF1NPC和H450SF1 PC以及根据本发明实施例的方法的5个样品的平均采样时间，使用当前的方法几乎每个采样减少2分钟。对于给定的具有5个薄层的样品，所保存的总的采样时间在从几分钟到超过10分钟的范围内。

图16示出了根据本发明的实施例已经成功地拾取四个薄层的显微操作器。图17示出了带有四个薄层的用于在该TEM样品支座上放置的显微操纵器的实际图片。

根据本发明的一些实施例，一种从衬底上提取多个薄层的方法包括：制备有待提取的至少两个薄层；移动操纵器与第一薄层接触，使得该第一薄层附接到该操纵器上；移动该操纵器从而使得该第一薄层与第二薄层接触，这将该第二薄层附接到该第一薄层上；以及用该操纵器提取该第一薄层和该第二薄层。

在一些实施例中，通过FIB沉积来完成该薄层到该操纵器的附接。在一些实施例中，通过FIB沉积来完成该第一薄层到该第二薄层的附接。在一些实施例中，这些步骤进一步包括：将该带有所附接的第一薄层和第二薄层的操纵器移动到TEM样品支座，从而使得该第二薄层与该TEM样品支座上的一个位置接触，其中静电力将该第二薄层附接到该TEM样品支座上的该位置并且将该第二薄层从该第一薄层上断开；以及将该带有所附接的第一薄层的操纵器移动到该TEM栅格上的另一个位置并且放置该第一薄层与该TEM样品支座上的第二位置接触，从而使得该第一薄层附接到该TEM样品支座上的该第二位置并且与该操纵器断开。

在一些实施例中，这些步骤进一步包括：将该带有所附接的第一薄层和第二薄层的操纵器移动到TEM样品支座，从而使得该第二薄层与该TEM样品支座上的一个位置接触，其中FIB沉积用于将该第二薄层焊接到该TEM样品支座上的该位置并且将该第二薄层从该第一薄层上断开；以及将该带有所附接的第一薄层的操纵器移动到该TEM栅格上的另一个位置并且放置该第一薄层与该TEM样品支座上的第二位置接触，其中FIB沉积用于将该第一薄层附接到该TEM样品支座上的该第二位置上，这将该第一薄层与该操纵器断开。

在一些实施例中，当该第二薄层附接到该TEM样品支座上时，通过切断该连接的力将该第二薄层与该第一薄层断开。在一些实施例中，该操纵器是纳米操纵器。在一些实施例中，这些步骤进一步包括：将该操纵器移动到第三薄层并且将该第二薄层与该第三薄层接触，从而使得该第二薄层附接到该第三薄层上。在一些实施例中，这些步骤进一步包括：将该带有所附接的第一薄层和第二薄层以及第三薄层的操纵器移动到该TEM样品支座上的第一位置，从而使得该第三薄层在该第一位置处与该TEM样品支座接触；将该第三薄层附接到该第一位置并且将该第三薄层从该第二薄层上分离开；将该带有所附接的第一薄层和第二薄层的操纵器移动到该TEM样品支座上的第二位置并且放置该第二薄层在该第二位置处与该TEM样品支座接触；在该第二位置处将该第二薄层附接到该TEM样品支座上并且将该第二薄层与该第一薄层分离开；将该带有所附接的第一薄层的操纵器移动到该TEM样品支座上的第三位置并且放置该第一薄层在该第三位置处与该TEM样品支座接触；以及在该第三位置处将该第一薄层附接到该TEM样品支座上。在一些实施例中，该TEM样品支座是TEM栅格。

根据本发明的一些实施例，一种从衬底上提取多个薄层的方法包括：制备有待提取的多个薄层；移动纳米操纵器与第一薄层接触，使得该第一薄层附接到该纳米操纵器上；将该纳米操纵器移动到接下来的多个薄层中的每个薄层，从而使得每个后续薄层被附接到最后的薄层上，该最后薄层被附接形成一薄层堆；将带有该薄层堆的纳米操纵器移动到TEM样品支座；移动该纳米操纵器从而使得在该薄层堆上的最后的薄层与该TEM栅格上的一个位置接触，从而使得该最后的薄层被附接到该位置上；将该纳米操纵器移动到该TEM样品支座上的其他位置，按照这些薄层被附接到该纳米操纵器上的相反的顺序逐个移除这些薄层。

在一些实施例中，该TEM样品支座是TEM栅格。在一些实施例中，通过静电力来附接该多个薄层。在一些实施例中，通过FIB沉积来附接该多个薄层。在一些实施例中，通过FIB沉积来进行该薄层到该TEM样品支座的附接。在一些实施例中，该薄层到该TEM样品支座的附接通过物理地切断该连接导致该薄层从上一个薄层上分离开。

本发明具有广泛的适用性并且可以提供如以上示例中所述和所示的许多效益。实施例根据特定应用将有很大不同，并且不是每个实施例将提供所有这些效益和满足本发明可以实现的所有目标。进一步地，尽管之前描述许多针对半导体晶片，但本发明可以应用于任何合适的衬底或表面。同样，尽管之前说明书的大部分是针对厚度小于100 nm的大体上为矩形的薄层，但本发明可以使用其他厚度的薄层以及具有其他形状的样品。附图旨在帮助理解本发明，并且除非另外指明，否则不按比例绘制。

尽管已经详细描述了本发明及其优点，但是应了解到，在不脱离如所附权利要求书所定义的本发明的精神和范围的情况下，可以在此进行各种变化、代替以及改变。而且，本发明的范围并非旨在局限于在本说明书中所述的工艺、机器、制造物、物质的组合物、手段、方法以及步骤的具体实施例。如本领域的普通技术人员将从本发明的披露中轻易认识到的，可以根据本发明利用现有的或往后要开发的、大体上执行相同功能或大体上实现和此处所述的对应实施例相同结果的工艺、机器、制造物、物质的组合物、手段、方法或步骤。相应地，所附权利要求书是旨在于将此类工艺、机器、制造物、物质的组合物、手段、方法或步骤包括在它们的范围内。

Claims (17)

1.一种从衬底上提取多个薄层的方法，包括：

制备有待提取的至少两个薄层；

移动操纵器与第一薄层接触，使得该第一薄层附接到该操纵器上；

移动该操纵器从而使得该第一薄层与第二薄层接触，这将该第二薄层附接到该第一薄层上；

用该操纵器提取该第一薄层和该第二薄层。

2.如权利要求1所述的方法，其中这些步骤进一步包括：

将该带有所附接的第一薄层和第二薄层的操纵器移动到TEM样品支座，从而使得该第二薄层与该TEM样品支座上的一个位置接触，其中静电力将该第二薄层附接到该TEM样品支座上的该位置并且将该第二薄层从该第一薄层上断开；

将该带有所附接的第一薄层的操纵器移动到该TEM样品支座上的另一个位置并且放置该第一薄层与该TEM样品支座上的第二位置接触，从而使得该第一薄层附接到该TEM样品支座上的该第二位置并且与该操纵器断开。

3.如权利要求1所述的方法，其中这些步骤进一步包括：

将该带有所附接的第一薄层和第二薄层的操纵器移动到TEM样品支座，从而使得该第二薄层与该TEM样品支座上的一个位置接触，其中FIB沉积被用于将该第二薄层焊接到该TEM样品支座上的该位置并且将该第二薄层从该第一薄层上断开；

将该带有所附接的第一薄层的操纵器移动到该TEM样品支座上的另一个位置并且放置该第一薄层与该TEM样品支座上的第二位置接触，其中FIB沉积被用于将该第一薄层附接到该TEM样品支座上的该第二位置上，这将该第一薄层与该操纵器断开。

4.如权利要求3所述的方法，其中当该第二薄层附接到该TEM样品支座上时，通过切断该连接的力将该第二薄层与该第一薄层断开。

5.如权利要求1至4中任一项所述的方法，其中通过FIB沉积来完成该薄层到该操纵器的附接。

6.如权利要求1至4中任一项所述的方法，其中通过FIB沉积来完成该第一薄层到该第二薄层的附接。

7.如权利要求5所述的方法，其中该操纵器是纳米操纵器。

8.如权利要求1至4中任一项所述的方法，其中这些步骤进一步包括：

将该操纵器移动到第三薄层并且将该第二薄层与该第三薄层接触，从而使得该第二薄层附接到该第三薄层上。

9.如权利要求8所述的方法，其中这些步骤进一步包括：

将该带有所附接的第一薄层和第二薄层以及第三薄层的操纵器移动到该TEM样品支座上的第一位置，从而使得该第三薄层在该第一位置处与该TEM样品支座接触；

将该第三薄层附接到该第一位置并且将该第三薄层从该第二薄层上分离开；

将该带有所附接的第一薄层和第二薄层的操纵器移动到该TEM样品支座上的第二位置并且放置该第二薄层在该第二位置处与该TEM样品支座接触；

在该第二位置处将该第二薄层附接到该TEM样品支座上并且将该第二薄层与该第一薄层分离开；

将该带有所附接的第一薄层的操纵器移动到该TEM样品支座上的第三位置并且放置该第一薄层在该第三位置处与该TEM样品支座接触；

在该第三位置处将该第一薄层附接到该TEM样品支座上。

10.如权利要求3或权利要求4所述的方法，其中该TEM样品支座是TEM栅格。

11.如权利要求9所述的方法，其中该TEM样品支座是TEM栅格。

12.一种从衬底上提取多个薄层的方法，包括：

准备有待提取的多个薄层；

移动纳米操纵器与第一薄层接触，使得该第一薄层附接到该纳米操纵器上；

将该纳米操纵器移动到接下来的多个薄层中的每个薄层，从而使得每个后续薄层被附接到最后的薄层上，该最后薄层被附接形成一堆薄层；

将该带有该薄层堆的纳米操纵器移动到TEM样品支座；

移动该纳米操纵器从而使得在该薄层堆上的最后的薄层与该TEM样品支座上的一个位置接触，从而使得该最后的薄层被附接到该位置上；

将该纳米操纵器移动到该TEM样品支座上的其他位置，按照这些薄层被附接到该纳米操纵器上的相反的顺序逐个移除这些薄层。

13.如权利要求12所述的方法，其中通过静电力来附接该多个薄层。

14.如权利要求12所述的方法，其中通过FIB沉积来附接该多个薄层。

15.如权利要求12至14中任一项所述的方法，其中该TEM样品支座是TEM栅格。

16.如权利要求12所述的方法，其中通过FIB沉积来进行该薄层到该TEM样品支座的附接。

17.如权利要求12至14中任一项所述的方法,其中该薄层到该TEM样品支座的附接通过物理地切断该连接导致该薄层从上一个薄层上分离开。