CN104040361B - 组件和用于制造组件的方法 - Google Patents
组件和用于制造组件的方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN104040361B CN104040361B CN201280065860.2A CN201280065860A CN104040361B CN 104040361 B CN104040361 B CN 104040361B CN 201280065860 A CN201280065860 A CN 201280065860A CN 104040361 B CN104040361 B CN 104040361B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- chamber
- mechanical structure
- micro mechanical
- gas pressure
- closing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 52
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 25
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 32
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 claims description 16
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 4
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 29
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 10
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 5
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 238000013016 damping Methods 0.000 description 3
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 2
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 238000009423 ventilation Methods 0.000 description 2
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 238000000708 deep reactive-ion etching Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010291 electrical method Methods 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 1
- 239000008187 granular material Substances 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 210000000056 organ Anatomy 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000003908 quality control method Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000009711 regulatory function Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
- B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
- B81C1/00015—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate for manufacturing microsystems
- B81C1/00261—Processes for packaging MEMS devices
- B81C1/00277—Processes for packaging MEMS devices for maintaining a controlled atmosphere inside of the cavity containing the MEMS
- B81C1/00293—Processes for packaging MEMS devices for maintaining a controlled atmosphere inside of the cavity containing the MEMS maintaining a controlled atmosphere with processes not provided for in B81C1/00285
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
- B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
- B81C1/00349—Creating layers of material on a substrate
- B81C1/00357—Creating layers of material on a substrate involving bonding one or several substrates on a non-temporary support, e.g. another substrate
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
- G01P15/00—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
- G01P15/02—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
- G01P15/08—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
- G01P15/0802—Details
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B2201/00—Specific applications of microelectromechanical systems
- B81B2201/02—Sensors
- B81B2201/0228—Inertial sensors
- B81B2201/0235—Accelerometers
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B2201/00—Specific applications of microelectromechanical systems
- B81B2201/02—Sensors
- B81B2201/0264—Pressure sensors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Micromachines (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
Abstract
本发明涉及一种组件和一种用于制造组件的方法。该组件具有基底(100)，该基底具有第一腔(112)和第二腔(113)，其中，在第一腔(112)中布置有第一微机械结构(117)并且在第二腔(113)中布置有第二微机械结构(118)。此外，第一腔(112)具有第一气体压力，第二腔(113)具有第二气体压力。在此，第一气体压力通过第一腔(112)的封闭而被提供，其中，第一通道(115)通入到第二腔(113)中，第二气体压力能够通过第一通道(115)调节第二气体压力与第一气体压力不同。
Description
技术领域
本发明涉及一种微机械结构组件/器件/模块和一种用于制造微机械结构组件的方法。
背景技术
这种组件理解为一种单元，该单元提供特定的功能。在此，二极管、晶体管、传感器可能构成一种单元，用于完成机械的以及电的测量任务。组件可以具有电极，以便能够在较大的单元、如电路中运行。组件也可以以芯片上的集成电路的形式被提供。在此可以例如在基底上形成微机械结构，该基底借助刻蚀方法划定边界。
如今，不同类型的微机械传感器、特别是惯性传感器、如旋转速率传感器和加速度传感器主要在不同的基底上被制造。因此提供了不同的组件，用于完成不同的测量任务。
为了制造这种电的、机械的或电机械的组件使用通常在半导体工业中采用的方法和技术。单独制造不同传感器的一个原因在于对这些传感器的不同的物理要求。因此通过不同的方式制造不同类型的传感器。
一种传感器类型例如是旋转速率传感器。旋转速率传感器通常在真空条件下被密封地封装，因此该传感器通过次临界阻尼的谐振激励获得高振幅，例如品质因数Q>0.5。在此然而同时提供了低的电驱动功率。
传感器类型的另一个例子是加速度传感器。相反地，加速度传感器和旋转速率传感器相比通常表现出一种超临界阻尼的结构，例如品质因数Q<0.5。典型地，加速度传感器由质量振荡器构成，其中，质量振荡器对低频率的加速度作出反应。在加速度和加速度传感器的质量偏差之间的关系在此应该是尽可能线性的并且不具有谐振放大。次临界阻尼在此也可能导致错误的测量。如果在加速度传感器的固有谐振附近的较高频率的干扰作用于传感器，则会导致这种情况发生，因此加速度传感器的激振质量被以其谐振频率激励，从而引起大振幅的振动。这可能导致高的输出信号，连接在下游的输出滤波器不再能够足够地使该输出信号衰减。
旋转速率传感器和加速度传感器经常对于测量任务是同时需要的，例如在机动车的电子稳定控制系统(ESP)或翻车保护系统中。
迄今为止提出了用于提供这两种传感器类型的不同方法：
一种可能性在于，在真空条件下把旋转速率传感器和加速度传感器的两个结构封装在一个公共的腔中的芯片上，其中，加速度传感器被人工地通过电学方法实现更高程度的衰减。
这种处理方法的缺点在于，除了实际的测量变换器结构之外还必须在加速度传感器中集成额外的结构，而这使得传感器体积变大。同样还必须把额外的电子电路块集成到信号处理器(例如专用集成电路ASIC＝Application Specific Integrated Circuit)中，这同样增大了集成电路(＝IC)的芯片尺寸。在这两种情况下由于增大的芯片尺寸而使得每个芯片的制造成本上升。因此，把两种类型的传感器集成在一个芯片上所带来的成本优势被抵消或者甚至会转化为劣势。
提供不同传感器类型的另一种可能性在于，在规定的压力下把两个传感器结构封装在一个公共的腔中的芯片上，其中，使加速度传感器受到超临界的衰减。在此，可以通过在旋转速率传感器结构内的提高的驱动功率和增加的驱动结构来调节所需要的振幅。
在这种处理方法中，由于驱动结构数量的增加而导致旋转速率传感器的芯片面积变大，并且由于提供了更高的驱动功率而导致ASIC的芯片面积变大。
为了提供两种传感器的组合还存在另一种可能性：在真空条件下把两个传感器结构封装在一个芯片上，其中，加速度传感器被安置在和旋转速率传感器分开的腔中，该腔具有通风口。该通风口例如在封装之后在对于加速度传感器需要的压力下在另一个方法步骤中被密封封闭。
为了在针对性地设定的压力下封闭该通风口，已知了均匀的层沉积技术，其把晶片作为整体封闭。这例如在应用反应溅射法或气相沉积技术，如化学气相沉积法(＝CVD)、等离子体增强的化学气相沉积法(＝PECVD)、低压CVD(＝LPCVD)等时提供。然而，该方法为了实现可靠地真空密封封闭通风口而需要低压，这限制了要调节的最大压力。也需要针对层侵入腔中的情况对经封装的结构加以保护。此外，在制造时提出了在过程技术方面的高要求，因此通风口的封闭不会由于颗粒或不充分的层生长而受到妨碍。此外也可以通过提供封闭材料来封闭通风口。然而这样的缺点是，必须单独封闭每个芯片并且封闭材料必须是密封地真空密闭的。
总的来说，迄今已知的方法的成本是非常高的。
发明内容
本发明的目的是，在一种组件中提供至少两个微机械结构，同时成本低廉地制造该组件。
该目的通过如下特征来实现：一种微机械结构组件，具有基底，该基底具有第一腔和第二腔；其中，在所述第一腔中布置有第一微机械结构；其中，在所述第二腔中布置有第二微机械结构；其中，所述第一腔具有第一气体压力；其中，所述第二腔具有第二气体压力；其中，通过经由晶片键合方法封闭第一腔提供第一气体压力；其中，第一通道通入到所述第二腔中，并且所述第二气体压力能够通过第一通道调节；以及第二气体压力与第一气体压力不同，其中，布置在第二腔中的所述第二微机械结构能够在封闭第一腔之后在晶片层面通过晶片键合方法被相继地封闭；以及一种用于制造微机械结构组件的方法，该方法包括以下步骤：提供基底，该基底具有第一腔和第二腔；把第一微机械结构布置在第一腔中；把第二微机械结构布置在第二腔中；通过经由晶片键合方法封闭第一腔设定第一腔中的第一气体压力；在第二腔布置第一通道；和通过封闭第一通道设定第二腔中的第二压力，其中，在封闭第一腔之后，通过晶片键合方法相继地执行所述第一通道的封闭。
本发明基于这样的构思：提供一种组件和一种用于制造该组件的方法，其中，在基底中集成微机械结构并且能够在不同的大气条件下运行该微机械结构。基底例如是微芯片的一部分，该微芯片能够在任意的环境、例如在车辆中使用。车辆特别是指机动车，其中需要不同的测量任务，用于例如提供气囊触发功能或驱动调节功能。
在此可以提供分别在各一个腔中的两个微机械结构。该微机械结构可以是组件中的不同传感器类型。在此可以通过相同的微机械技术来制造两种传感器类型，这使得能够在一个基底上同时进行生产。通过使用一通道、也就是说具有输送结构的孔，可以独立于一个腔中的第一压力调节第二压力，而无需在封闭之前产生低压。
在此有利的是降低了基底的制造成本。例如把硅片用作基底。在此生产一种单独的产品类型，因此在一个封装件中仅装配一个组件或芯片而不是两个组件或芯片，并且在校正和测试过程中把其作为一个单元进行处理。这简化了生产过程以及组件的质量控制。在生产和检验之后可以把组件集成到电子电路中，例如集成到印刷电路板(＝PCB)上。通过使用一个组件而不是多个组件则可以减少空间需求和安装开销。
根据本发明的组件的制造可以通过键合/粘合过程实施。在此可以使用传统的晶片基底和传统的键合/粘合过程，它们由微系统技术已知。通过这种方式可以成本低廉并且可靠地制造根据本发明的组件。因此根据本发明把结构简单和成本低廉地集成在基底上，这些结构在不同的大气条件下、特别是在不同的压力下运行。
存在用于制造根据本发明的组件的多种可能性。在此提供了微机械元件，其在基底上、例如在芯片上分别经受了气体压力，其中气体压力可以是不同的。在此，第一腔包含第一气体压力，并且第二腔包含第二气体压力，其中，在腔内分别布置有微机械元件或传感器。所述腔在此彼此密封隔离地布置。
制造方法提出，已经密封地封装了晶片的带有期望的第一气体压力的微机械元件，而同一晶片的所有其它的带有期望的第二气体压力的微机械元件还具有用于与外部环境交换气体或交换空气的通道。该通道可以在前述的过程步骤或方法步骤中在任意的位置上，例如在基底层面或晶片层面上，通过湿法刻蚀或干法刻蚀技术方法制造。在第二气体压力内的微机械元件的通道的排出口在此处于基底或晶片组合的同一侧上。这简化了生产方法。
带有第一气体压力的微机械元件的封装可以在前述的过程步骤中或作为方法步骤在任意的位置上例如借助晶片键合方法进行。在密封地封装被第一气体压力所包围的微机械元件时，可以通过常见的方法设定所期望的第一气体压力。
额外地，在晶片层面上借助晶片键合过程封装带有第二气体压力的其它的微机械元件。在此，在晶片键合器中选择所期望的气体压力，在该气体压力下通过以第二气体压力封闭微机械元件。在此，可以把所谓的封闭晶片持久地键合在晶片组合的一侧上，具有第二气体压力的微机械元件的通道的排出口处于该侧上。通过使用通道可以封闭组件的不同的基底层中的开口，因此在制造组件的过程中不需要采取其它措施来调节相应的通道所通入的腔中的压力。
附图说明
将结合下面的实施例说明参照附图以更容易理解的方式详细对本发明的上述性能、特征和优点以及如何实现这些性能、特征和优点的方式和方法加以说明。图中示出：
图1至图8示出根据本发明的、用于制造微机械结构的第一个实施例；和
图9至图14示出根据本发明的、用于制造微机械结构的第二个实施例。
在此，相同或近似的元件在图中使用相同的附图标记。
具体实施方式
在下面的图1至14中描述了基于硅-微机械结构提供过程或方法步骤的方面。也可以采用其它技术，其中可能的是在基底中局部定界的穿透和真空密封的基底到基底的连接技术。
图1至图8示出根据本发明的、用于制造微机械结构的第一个实施例。
图1示出基底100。在具有第一高度111的载体圆片/晶片110——在此为硅片——中为每个旨在被封闭在不同的气体压力下的结构引入彼此隔离的腔112、113、114，如在图1中所示。
随后，在基底100上借助真空密封的晶片键合方法、例如高温或低温熔融键合或阳极晶片键合，利用具有高度121的另一个硅片120封闭腔112、113、114，其中，第二晶片120用作结构晶片。图2示出了两个上下叠置的晶片110、120和所包围的腔112、113、114的结构。
图3示出接下来如何使得结构晶片120变薄到需要的厚度，也就是说把该结构晶片的初始高度121降低到高度123。现在，从腔侧借助各向异性刻蚀方法在晶片110中或结构100的下部区域中刻蚀通道115、116，如在图4中所示。在此，通道115、116分别到达旨在具有不同于第一腔112中的第一气体压力的压力的腔113、114中。现在借助各向异性结构化方法、例如借助深反应离子刻蚀(＝DRIE)的干法刻蚀、借助氢氧化钾溶液(＝KOH溶液)的刻蚀等，在变薄的结构晶片120中形成真正的结构117、118、119，如在图5中所示。这些结构117、118、119用作传感器的微机械结构。
在图6中，现在通过具有高度131的另一个晶片130——也称为盖晶片——真空密封地封闭结构117、118、119。该盖晶片130又针对每个结构117、118、119具有专用的腔132、133、134。另选地，借助于凹陷代替/重置结构晶片120中的结构132、133、134，从而能够把盖晶片130平坦地放置在结构晶片120上。
接下来在不同于第一气体压力的压力下把具有高度141的另一晶片140——也称为封闭晶片——键合到载体晶片110上，如在图7中所示。如果旨在设定不同于第一和第二气体压力的其它压力，则封闭晶片140在这样的位置处具有通道，在所述位置载体晶片110已经具有通到相应的元件/单元114、119、134的连接通道。具有高度151的第二封闭晶片150可以相对于第一封闭晶片140键合以便封闭期望的第三气体压力，如在图8中所示。
所示出的处理方法现在可以对于任意不同的气体压力重复进行。在此可以设计为，根据技术条件使得封闭晶片变薄，以便减小总体结构的厚度。例如可以借助研磨、抛光和/或化学机械抛光(＝CMP)实现总晶片高度的减小，例如达到小于大约20μm的厚度。
图9至图14示出根据本发明的、用于制造微机械结构的第二个实施例。
图9示出基底200的层状结构，该基底具有底部晶片210、第一嵌入层220、第二嵌入层230、结构层或结构晶片240和嵌入的能导电的电极层250。在此，第一嵌入层220和第二嵌入层230可以分别具有绝缘特性并且分别通过属于刻蚀技术的方法去除。
在底部晶片210中随后例如可以通过干法或湿法刻蚀方法在预先确定的位置上布置开口或通道216，从而得到与待产生的腔213内的元件的连接，之后再设定该腔的压力。在图10中示出了这种几何构造。
随后，如在图11中所示，在结构层中或者在结构晶片240中通过常见的微机械刻蚀技术提供微机械的几何构造218、219，如质量弹簧系统。质量弹簧系统218、219首先还机械地与嵌入层230相连。为了使微机械结构能够自由运动，还移除了嵌入层220和230，该嵌入层例如能够由二氧化硅制成。移除例如可以借助湿法化学刻蚀实现，使得一方面微机械结构218、219是能够自由运动的，另一方面但始终还保持微机械结构218、219锚定在底部晶片210上。
此外通过移除嵌入层220和230同时使得通过嵌入层220和230在其一个端部上被封闭的连接通道216打开，如在图12中所示。通过这种方式在通道216的端部上产生腔213。
随后能够在期望的压力下密封地封闭元件218和与其相邻的腔212、215、232，其方法例如是通过晶片键合方法把盖晶片260施加到晶片组合上。元件219和腔213、233还通过通道216与外部环境相连，如图13所示。
最后同样可以通过晶片键合方法将封闭晶片270在一特定的压力下这样与晶片堆垛相连，使得元件219和腔213、233的通道216被密封地封闭并且在那里形成了期望的压力，如图14所示。
附图标记列表：
第一实施例 图1至9：
100 基底
111、121、131 高度
110、120、130、140 晶片层
112、113、114、132、133、134 腔
115、116 通道
117、118、119 微机械结构
第二实施例 图10至14：
200 结构
210 底部晶片
212、213、215、232、233 腔
216 通道
218、219 微机械的几何构造
220、230 嵌入层
240 结构晶片
250 电极层
260、270 盖晶片
Claims (10)
1.一种微机械结构组件，具有：
-基底(100)，该基底具有第一腔(112)和第二腔(113)；
-其中，在所述第一腔(112)中布置有第一微机械结构(117)；
-其中，在所述第二腔(113)中布置有第二微机械结构(118)；
-其中，所述第一腔(112)具有第一气体压力；
-其中，所述第二腔(113)具有第二气体压力；
-其中，通过经由晶片键合方法封闭第一腔(112)提供第一气体压力；
-其中，第一通道(115)通入到所述第二腔(113)中，并且所述第二气体压力能够通过第一通道(115)调节；以及
-第二气体压力与第一气体压力不同，
其中，布置在第二腔(113)中的所述第二微机械结构(118)能够在封闭第一腔之后在晶片层面通过晶片键合方法被相继地封闭。
2.根据权利要求1所述的微机械结构组件，其中，所述基底(100)包括多个基底层(110、120、130、140、160、170)，所述基底层设计为晶片层的形式，并且至少一个基底层(110、120、130、140、160、170)包括封闭晶片。
3.根据权利要求1或2所述的微机械结构组件，其中，至少一个微机械结构(117、118)是惯性传感器。
4.根据权利要求1或2所述的微机械结构组件，其中，至少一个微机械结构(117、118)是加速度传感器或旋转速率传感器。
5.根据权利要求1或2所述的微机械结构组件，其中，所述基底(100)具有第三腔(114)，在所述第三腔(114)中布置有第三微机械结构(119)，并且在第三腔(114)中的第三气体压力能够通过第二通道(116)调节。
6.根据权利要求5所述的微机械结构组件，其中，所述第一通道(115)的第一端部在第一基底层(160)终止，所述第二通道(116)的第二端部在第二基底层(170)终止。
7.根据权利要求1或2所述的微机械结构组件，其特征在于，所述组件是微芯片，该微芯片能够应用在车辆中。
8.根据权利要求1或2所述的微机械结构组件，其特征在于，所述组件是微芯片，该微芯片能够应用在机动车中。
9.一种用于制造微机械结构组件的方法，该方法包括以下步骤：
-提供基底(100)，该基底具有第一腔(112)和第二腔(113)；
-把第一微机械结构(117)布置在第一腔(112)中；
-把第二微机械结构(118)布置在第二腔(113)中；
-通过经由晶片键合方法封闭第一腔(112)设定第一腔(112)中的第一气体压力；
-在第二腔(113)布置第一通道(115)；和
-通过封闭第一通道(115)设定第二腔(113)中的第二压力，
其中，在封闭第一腔之后，通过晶片键合方法相继地执行所述第一通道(115)的封闭。
10.根据权利要求9所述的用于制造微机械结构组件的方法，该方法包括以下步骤：
-在基底(100)中提供第三腔(114)；
-把第三微机械结构(119)布置在第三腔(114)中；
-通过封闭第三腔(114)设定第三腔(114)中的第三气体压力；
-在第三腔(114)布置第二通道(116)；和
-通过封闭第二通道(116)设定第三腔(114)中的第三压力。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE102011085723A DE102011085723A1 (de) | 2011-11-03 | 2011-11-03 | Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines Bauelements |
| DE102011085723.0 | 2011-11-03 | ||
| PCT/EP2012/071721 WO2013064632A1 (de) | 2011-11-03 | 2012-11-02 | Bauelement und verfahren zur herstellung eines bauelements |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN104040361A CN104040361A (zh) | 2014-09-10 |
| CN104040361B true CN104040361B (zh) | 2017-03-01 |
Family
ID=47222023
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201280065860.2A Active CN104040361B (zh) | 2011-11-03 | 2012-11-02 | 组件和用于制造组件的方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9862596B2 (zh) |
| EP (1) | EP2773970B1 (zh) |
| CN (1) | CN104040361B (zh) |
| DE (1) | DE102011085723A1 (zh) |
| WO (1) | WO2013064632A1 (zh) |
Families Citing this family (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5953252B2 (ja) * | 2013-03-08 | 2016-07-20 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | 物理量センサの構造 |
| US9481564B2 (en) | 2013-08-29 | 2016-11-01 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method of sealing and shielding for dual pressure MEMs devices |
| US20150102437A1 (en) * | 2013-10-14 | 2015-04-16 | Freescale Semiconductor, Inc. | Mems sensor device with multi-stimulus sensing and method of fabrication |
| CN103818868B (zh) * | 2014-02-22 | 2015-10-28 | 安徽北方芯动联科微系统技术有限公司 | 双压力mems芯片圆片级封装方法及其双压力mems芯片 |
| US9656857B2 (en) | 2014-11-07 | 2017-05-23 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Microelectromechanical systems (MEMS) devices at different pressures |
| US9567210B2 (en) | 2015-02-24 | 2017-02-14 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Multi-pressure MEMS package |
| CN106082104B (zh) * | 2015-04-29 | 2018-05-11 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 用于双压mems器件的密封和屏蔽的方法 |
| CN104891418B (zh) * | 2015-05-29 | 2016-09-21 | 歌尔股份有限公司 | Mems压力传感器、mems惯性传感器集成结构 |
| DE102015224545A1 (de) * | 2015-12-08 | 2017-06-08 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren zum Herstellen eines mikromechanisches Bauelements |
| DE102015224533A1 (de) * | 2015-12-08 | 2017-06-08 | Robert Bosch Gmbh | Reaktives Verschlussgas zur gezielten Anpassung des Kaverneninnendruckes |
| DE102015224520A1 (de) * | 2015-12-08 | 2017-06-08 | Robert Bosch Gmbh | Laserverschluss mit spezieller Membranstruktur |
| DE102016200497A1 (de) * | 2016-01-15 | 2017-07-20 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren zum Herstellen eines mikromechanischen Bauelements |
| DE102016214973A1 (de) * | 2016-08-11 | 2018-03-01 | Robert Bosch Gmbh | Kombiniertes Laserbohr- und Plasmaätz-Verfahren zur Herstellung einer mikromechanischen Vorrichtung und mikromechanische Vorrichtung |
| US10322928B2 (en) | 2016-11-29 | 2019-06-18 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Multi-layer sealing film for high seal yield |
| US10163660B2 (en) * | 2017-05-08 | 2018-12-25 | Tt Electronics Plc | Sensor device with media channel between substrates |
| CN115424943B (zh) * | 2022-11-04 | 2023-02-10 | 绍兴中芯集成电路制造股份有限公司 | 形成不同真空度空腔的方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1167979A2 (en) * | 2000-06-23 | 2002-01-02 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Composite sensor device and method of producing the same |
| CN101643193A (zh) * | 2008-08-04 | 2010-02-10 | 罗伯特.博世有限公司 | 具有带有不同大气内压力的空腔的微机械装置 |
| DE102009000048A1 (de) * | 2009-01-07 | 2010-07-08 | Robert Bosch Gmbh | Mikrotechnisches System und Verfahren zur Herstellung eines mikrotechnischen Systems |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102004027501A1 (de) * | 2004-06-04 | 2005-12-22 | Robert Bosch Gmbh | Mikromechanisches Bauelement mit mehreren Kavernen und Herstellungsverfahren |
-
2011
- 2011-11-03 DE DE102011085723A patent/DE102011085723A1/de not_active Withdrawn
-
2012
- 2012-11-02 EP EP12790810.1A patent/EP2773970B1/de active Active
- 2012-11-02 CN CN201280065860.2A patent/CN104040361B/zh active Active
- 2012-11-02 WO PCT/EP2012/071721 patent/WO2013064632A1/de active Application Filing
- 2012-11-02 US US14/355,464 patent/US9862596B2/en active Active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1167979A2 (en) * | 2000-06-23 | 2002-01-02 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Composite sensor device and method of producing the same |
| CN101643193A (zh) * | 2008-08-04 | 2010-02-10 | 罗伯特.博世有限公司 | 具有带有不同大气内压力的空腔的微机械装置 |
| DE102009000048A1 (de) * | 2009-01-07 | 2010-07-08 | Robert Bosch Gmbh | Mikrotechnisches System und Verfahren zur Herstellung eines mikrotechnischen Systems |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN104040361A (zh) | 2014-09-10 |
| DE102011085723A1 (de) | 2013-05-08 |
| WO2013064632A1 (de) | 2013-05-10 |
| EP2773970A1 (de) | 2014-09-10 |
| US20140306300A1 (en) | 2014-10-16 |
| EP2773970B1 (de) | 2015-10-14 |
| US9862596B2 (en) | 2018-01-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN104040361B (zh) | 组件和用于制造组件的方法 | |
| CN101643193B (zh) | 具有带有不同大气内压力的空腔的微机械装置 | |
| US9233834B2 (en) | MEMS device having a suspended diaphragm and manufacturing process thereof | |
| US8980668B2 (en) | Integrated getter area for wafer level encapsulated microelectromechanical systems | |
| US9067778B2 (en) | Method for manufacturing a hybrid integrated component | |
| US9708174B2 (en) | Process for manufacturing a packaged device, in particular a packaged micro-electro-mechanical sensor, having an accessible structure, such as a MEMS microphone and packaged device obtained thereby | |
| US9046546B2 (en) | Sensor device and related fabrication methods | |
| CN104249990B (zh) | 包含流体路径的mems器件及其制造工艺 | |
| US9885626B2 (en) | Micromechanical sensor system and corresponding manufacturing method | |
| CN109641741B (zh) | 用于制造微机械传感器的方法 | |
| CN105940287A (zh) | 微机械压力传感器装置以及相应的制造方法 | |
| US9981843B2 (en) | Chip package and a method of producing the same | |
| CN105097809B (zh) | 半导体器件中的机械应力去耦合 | |
| US20150344299A1 (en) | Fabrication method of wafer level package having a pressure sensor | |
| US20200002159A1 (en) | Stressed decoupled micro-electro-mechanical system sensor | |
| KR20080051084A (ko) | 방사선 센서 | |
| US7436076B2 (en) | Micromechanical component having an anodically bonded cap and a manufacturing method | |
| US10626012B2 (en) | Semiconductor device including a cavity lid | |
| US20070228499A1 (en) | MEMS device package with thermally compliant insert | |
| US20240182295A1 (en) | Pressure transducer device with hybrid barrier structure and method for manufacturing same | |
| KR102122037B1 (ko) | Mems 소자의 패키징 방법 | |
| EP4378881A1 (en) | Mems pressure transducer chip with hybrid integrated environmental barrier structure and method for manufacturing same |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| TR01 | Transfer of patent right | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20230201 Address after: Hannover Patentee after: Continental Automotive Technology Co.,Ltd. Address before: Frankfurt, Germany Patentee before: CONTINENTAL TEVES AG & Co. OHG |