CN104034775A - 一种聚吡咯/银@氯化银核壳结构纳米线、制备方法及其应用 - Google Patents

一种聚吡咯/银@氯化银核壳结构纳米线、制备方法及其应用 Download PDF

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Abstract

本发明提供了一种聚吡咯/银氯化银核壳结构纳米线、制备方法及其应用,本发明利用两步刻蚀法首次合成出银氯化银核壳结构纳米线。耦合银氯化银纳米线与聚吡咯,制备得到聚吡咯/银氯化银核壳结构纳米线,在光电化学传感器的发展中有着潜在的应用潜能。跟现有技术相比,本发明银纳米线核可以快速的转移电子并有效的阻碍电子与空穴的重组。聚吡咯拓宽了电极对可见光的吸收范围,提高光电流转化效率。通过对焦棓酸的检测,聚吡咯/银氯化银光电化学传感器表现出响应快速、灵敏度高、选择性好等优点。

Description

一种聚吡咯/银氯化银核壳结构纳米线、制备方法及其应用
技术领域
本发明属于聚合物/金属金属半导体核壳纳米异质结构的合成方法领域,特别涉及一种聚吡咯/银氯化银核壳纳米线电极、制备方法及其应用。
背景技术
金属基半导体纳米材料,在光催化、电催化、能量转化等领域受到众多的关注。因为大多数半导体光催化剂受制于其在可见光区的低光催化效率或其低的电荷转移能力。为了突破这些瓶颈,金属-半导体异质材料应运而生。
金属-半导体异质光催化剂能够有效地提高光催化效率,因为金属异质材料能够加快电子转移速度,疏散半导体材料表面的电荷并且有效的阻碍电子与空穴的重组。因其优越的光催化性能和银卓越的电子转移、运输能力,金属-半导体异质银氯化银纳米线材料得到广泛的关注。并且氯化银纳米颗粒均匀的分布在银纳米线的表面,可以加速材料表面电子的转移,有效的阻碍电子与空穴的重组。然而,氯化银的超宽能带限制了其对可见光的吸收,降低了对太阳光的利用率。
发明内容
为解决上述技术问题,本发明提供了一种聚吡咯/银氯化银核壳结构纳米线及其制备方法。
本发明还提供了一种聚吡咯/银氯化银核壳结构纳米线的应用。
本发明提供的一种聚吡咯/银氯化银核壳结构纳米线,有三层结构,第一层为光滑、均一的银纳米线,直径为20-30纳米;第二层为紧密包裹在银纳米线表面的氯化银小颗粒;第三层为在银氯化银核壳结构纳米线表面电沉积的聚吡咯。
本发明提供的一种聚吡咯/银氯化银核壳结构纳米线的制备方法,包括以下步骤:
(1)银纳米线的制备
将聚乙烯吡咯烷酮的乙二醇溶液加热至150-160℃,5-10min后,向其中加入硝酸盐的乙二醇溶液,随后加入0.25-0.1M的NaCl溶液,150-160℃反应10-20min,整个过程都需要搅拌,得到产物先用丙酮离心清洗3次,再用蒸馏水离心清洗3次,得到银纳米线;(2)银氯化银纳米线的制备
将步骤(1)制备的银纳米线加入到0.05-0.15M的NaCl溶液,,然后将稀盐酸处理过的铁片浸入其中,反应在20-35℃下放置30-75h后取出铁片,产物用乙醇、蒸馏水分别离心清洗3次,得到银氯化银纳米线;
(3)聚吡咯/银氯化银核壳结构纳米线的制备
将银氯化银纳米线修饰的玻碳电极上包裹聚吡咯薄膜作为参比电极,与铂辅助电极和银氯化银纳米线修饰的玻碳电极组成的三电极系统,在10-15mM吡咯和0.1-0.15M NaClO4溶液中利用循环伏安法,电压范围从-0.6V到0.8V,扫速为0.05-0.1V/s,做2-20个循环,制得聚吡咯/银氯化银核壳结构纳米线,得到的电极称为聚吡咯/银氯化银电极。
步骤(1)所述聚乙烯吡咯烷酮的乙二醇溶液中,聚乙烯吡咯烷酮的质量浓度为0.005-0.01g/mL。
步骤(1)所述硝酸盐的乙二醇溶液中,硝酸银的浓度为0.2-0.3mol/L。
步骤(1)中聚乙烯吡咯烷酮的乙二醇溶液、硝酸盐的乙二醇溶液与NaCl溶液的体积比为100-200:10-25:1-5。
步骤(2)中银纳米线在NaCl溶液的浓度1.0-1.5mol/L。
步骤(3)所述银氯化银纳米线修饰的玻碳电极制备方法为:玻碳电极超声清洗洁净后在室温下干燥,将步骤(2)制备的银氯化银纳米线溶解在N,N-二甲基甲酰胺中,银氯化银纳米线在N,N-二甲基甲酰胺的浓度5-10M,超声分散10分钟后用微升注射器吸取10微升溶液滴到玻碳电极上,干燥后得到银氯化银纳米线修饰的玻碳电极,为银氯化银材料电极。
本发明所制备的聚吡咯/银氯化银核壳结构纳米线在光电化学传感器方面的应用。
铁片在银氯化银核壳纳米线的制备过程中的作用至关重要,可以有下面的反应方程式来说明:
Fe+O2+H2O→Fe3++3OH-
Fe3++Ag→Ag++Fe2+
Ag++Cl-→AgCl
在水溶液中铁片会被腐蚀氧化产生Fe3+,生成的Fe3+可以将Ag氧化成Ag+,Ag+进一步与Cl-结合最终生成AgCl小颗粒(AgCl的沉淀溶解平衡常数为1.8×10-10)。AgCl/Ag和Fe3+/Fe2的标准还原电势不同,也说明最终产物是AgCl。在水溶液中,铁片表面的氧化腐蚀是一个非常微弱、缓慢的过程,生成的少量的Fe3+可以缓慢的刻蚀银纳米线得到银氯化银核壳结构而不是完全转化成氯化银。在银氯化银玻碳电极上电聚合上一层聚吡咯后,电极的阻抗显著降低,表明聚吡咯/银氯化银电极成功制备,得到了聚吡咯/银氯化银核壳结构纳米线。
本发明跟现有技术相比,本发明利用两步刻蚀法首次合成出银氯化银核壳结构纳米线。耦合银氯化银纳米线与聚吡咯,构建了一个新颖高效的光电化学传感器平台。银纳米线核可以快速的转移电子并有效的阻碍电子与空穴的重组。聚吡咯拓宽了电极对可见光的吸收范围,提高光电流转化效率。通过对焦棓酸的检测,聚吡咯/银氯化银光电化学传感器表现出响应快速、灵敏度高、选择性好等优点。所设计的聚吡咯/银氯化银核壳结构纳米线在光电化学传感器的发展中有着潜在的应用潜能。
附图说明
为进一步说明本发明的具体技术内容,下面根据附图和实施例对本发明进行详细说明;
图1为实施例1制备的银纳米线的扫描电子显微镜(SEM)图;
图2为实施例1制备的银氯化银高放大倍率的透射电子显微镜照片(HRTEM);
图3为实施例1制备的聚吡咯/银氯化银核壳结构纳米线修饰电极与银氯化银材料电极的电化学阻抗图;
图4为实施例1制备的聚吡咯/银氯化银核壳结构纳米线修饰电极与银氯化银材料电极对焦棓酸进行光电化学检测的光电流响应图;
曲线a0为实施例1制备的银氯化银材料电极在pH=7.4的磷酸缓冲溶液中未加焦棓酸的光电流响应曲线;
曲线b0为实施例1制备的聚吡咯/银氯化银核壳结构纳米线修饰电极在pH=7.4的磷酸缓冲溶液中未加焦棓酸的光电流响应曲线;
曲线a1为实施例1制备的银氯化银材料电极在pH=7.4的磷酸缓冲溶液中加入100μM焦棓酸的光电流响应曲线;
曲线b1为实施例1制备的聚吡咯/银氯化银核壳结构纳米线修饰电极在pH=7.4的磷酸缓冲溶液中加入100μM焦棓酸的光电流响应曲线;
图5为实施例1制备的为聚吡咯/银氯化银核壳结构纳米线修饰电极在加入不同焦棓酸时的光电流响应曲线;
图6为实施例1制备的为聚吡咯/银氯化银核壳结构纳米线修饰电极光电流与焦棓酸浓度的线性关系。
具体实施方式
实施例1
(1)银纳米线的合成
银纳米线是通过一种改进的多元醇还原法制备的,将聚乙烯吡咯烷酮质量浓度为0.0065g/ml的15ml的乙二醇溶液加入到三颈烧瓶中,并将其在160℃的油浴锅中加热5min。然后,向三颈烧瓶中加入AgNO3浓度为0.25M的2ml乙二醇溶液,随后加入0.3ml0.05MNaCl溶液,在160℃共热15分钟。整个过程都需要搅拌。产物先用丙酮清洗三遍,以除去乙二醇和剩余的聚乙烯吡咯烷酮,然后用蒸馏水清洗三遍以除去丙酮,离心机的转速为2000转/分钟。
(2)银氯化银纳米线的制备
将先前合成出的银纳米线加入到2ml0.1M NaCl溶液中,然后将稀盐酸处理过的Fe片(1cm×3cm)进入其中。反应在室温下放置60h后取出Fe片,产物用乙醇、蒸馏水分别离心清洗三遍,得到银氯化银纳米线。
(3)聚吡咯/银氯化银核壳结构纳米线的制备
将玻碳电极超声清洗洁净后在室温下干燥,将事先制备好的银氯化银纳米线溶解在5ml的N,N-二甲基甲酰胺中,超声分散10分钟后用微升注射器吸取10微升溶液滴到玻碳电极上,干燥后得到银氯化银纳米线修饰的玻碳电极。随后,再在修饰后的电极表面上包裹上一层聚吡咯薄膜。将Ag/AgCl参比电极,铂辅助电极和银氯化银纳米线修饰的玻碳电极组成的三电极系统在10mM吡咯和0.15M NaClO4溶液中利用循环伏安法,电压范围从-0.6V到0.8V,扫速为0.05V/s,做六个循环。这步得到的电极称为聚吡咯/银氯化银核壳结构纳米线修饰电极。
图1、2为本实施案例所制得的Ag和银氯化银纳米线的扫描电子显微镜(SEM)图,图3为聚吡咯/银氯化银核壳结构纳米线修饰电极与银氯化银材料电极的电化学阻抗图。在银氯化银玻碳电极上电聚合上一层聚吡咯后,电极的阻抗显著降低,表明聚吡咯/银氯化银核壳结构纳米线修饰电极成功制备。
实施例2
(1)银纳米线的合成
银纳米线是通过一种改进的多元醇还原法制备的,将聚乙烯吡咯烷酮质量浓度为0.005g/ml的15ml的乙二醇溶液加入到三颈烧瓶中,并将其在160℃的油浴锅中加热5min。然后,向三颈烧瓶中加入AgNO3浓度为0.25M的2ml乙二醇溶液,随后加入0.3ml0.05MNaCl溶液,在160℃共热15分钟。整个过程都需要搅拌。产物先用丙酮清洗三遍,以除去乙二醇和剩余的聚乙烯吡咯烷酮,然后用蒸馏水清洗三遍以除去丙酮,离心机的转速为2000转/分钟。
(2)银氯化银纳米线的制备
具体操作与实施例1中(2)银氯化银纳米线的制备相同。
(3)聚吡咯/银氯化银核壳结构纳米线的制备
具体操作与实施例1中(3)聚吡咯/银氯化银核壳结构纳米线的制备相同。
实施例3
(1)银纳米线的合成
银纳米线是通过一种改进的多元醇还原法制备的,将聚乙烯吡咯烷酮质量浓度为0.01g/ml的15ml的乙二醇溶液加入到三颈烧瓶中,并将其在160℃的油浴锅中加热5min。然后,向三颈烧瓶中加入AgNO3浓度为0.25M的2ml乙二醇溶液,随后加入0.3ml0.05M NaCl溶液,在160℃共热15分钟。整个过程都需要搅拌。产物先用丙酮清洗三遍,以除去乙二醇和剩余的聚乙烯吡咯烷酮,然后用蒸馏水清洗三遍以除去丙酮,离心机的转速为2000转/分。
(2)银氯化银纳米线的制备
具体操作与实施例1中(2)银氯化银纳米线的制备相同。
(3)聚吡咯/银氯化银核壳结构纳米线的制备
具体操作与实施例1中(3)聚吡咯/银氯化银核壳结构纳米线的制备相同。
实施例4
(1)银纳米线的合成
银纳米线是通过一种改进的多元醇还原法制备的,将聚乙烯吡咯烷酮质量浓度为0.0065g/ml的15ml的乙二醇溶液加入到三颈烧瓶中,并将其在160℃的油浴锅中加热5min。然后,向三颈烧瓶中加入AgNO3浓度为0.2M的2ml乙二醇溶液,随后加入0.3ml0.05MNaCl溶液,在160℃共热15分钟。整个过程都需要搅拌。产物先用丙酮清洗三遍,以除去乙二醇和剩余的聚乙烯吡咯烷酮,然后用蒸馏水清洗三遍以除去丙酮,离心机的转速为2000转/分钟。
(2)银氯化银纳米线的制备
具体操作与实施例1中(2)银氯化银纳米线的制备相同。
(3)聚吡咯/银氯化银核壳结构纳米线的制备
具体操作与实施例1中(3)聚吡咯/银氯化银核壳结构纳米线的制备相同。
实施例5
(1)银纳米线的合成
银纳米线是通过一种改进的多元醇还原法制备的,将聚乙烯吡咯烷酮质量浓度为0.0065g/ml的15ml的乙二醇溶液加入到三颈烧瓶中,并将其在160℃的油浴锅中加热5min。然后,向三颈烧瓶中加入AgNO3浓度为0.3M的2ml乙二醇溶液,随后加入0.3ml0.05MNaCl溶液,在160℃共热15分钟。整个过程都需要搅拌。产物先用丙酮清洗三遍,以除去乙二醇和剩余的聚乙烯吡咯烷酮,然后用蒸馏水清洗三遍以除去丙酮,离心机的转速为2000转/分钟。
(2)银氯化银纳米线的制备
具体操作与实施例1中(2)银氯化银纳米线的制备相同。
(3)聚吡咯/银氯化银核壳结构纳米线的制备
具体操作与实施例1中(3)聚吡咯/银氯化银核壳结构纳米线的制备相同。
实施例6
(1)银纳米线的合成
银纳米线是通过一种改进的多元醇还原法制备的,将聚乙烯吡咯烷酮质量浓度为0.0065g/ml的15ml的乙二醇溶液加入到三颈烧瓶中,并将其在160℃的油浴锅中加热5min。然后,向三颈烧瓶中加入AgNO3浓度为0.3M的2ml乙二醇溶液,随后加入0.3ml0.025MNaCl溶液,在160℃共热15分钟。整个过程都需要搅拌。产物先用丙酮清洗三遍,以除去乙二醇和剩余的聚乙烯吡咯烷酮,然后用蒸馏水清洗三遍以除去丙酮,离心机的转速为2000转/分钟,不宜过大。
(2)银氯化银纳米线的制备
具体操作与实施例1中(2)银氯化银纳米线的制备相同。
(3)聚吡咯/银氯化银核壳结构纳米线的制备
具体操作与实施例1中(3)聚吡咯/银氯化银核壳结构纳米线的制备相同。
实施例7
(1)银纳米线的合成
银纳米线是通过一种改进的多元醇还原法制备的,将聚乙烯吡咯烷酮质量浓度为0.0065g/ml的15ml的乙二醇溶液加入到三颈烧瓶中,并将其在160℃的油浴锅中加热5min。然后,向三颈烧瓶中加入AgNO3浓度为0.3M的2ml乙二醇溶液,随后加入0.3ml0.1MNaCl溶液,在160℃共热15分钟。整个过程都需要搅拌。产物先用丙酮清洗三遍,以除去乙二醇和剩余的聚乙烯吡咯烷酮,然后用蒸馏水清洗三遍以除去丙酮,离心机的转速为2000转/分钟。
(2)银氯化银纳米线的制备
具体操作与实施例1中(2)银氯化银纳米线的制备相同。
(3)聚吡咯/银氯化银核壳结构纳米线的制备
具体操作与实施例1中(3)聚吡咯/银氯化银核壳结构纳米线的制备相同。
实施例8
(1)银纳米线的合成
具体操作与实施例1中(1)银纳米线的合成相同。
(2)银氯化银纳米线的制备
将先前合成出的Ag纳米线加入到2ml0.05M NaCl溶液中,然后将稀盐酸处理过的Fe片(1cm×3cm)浸入其中。反应在室温下放置60h后取出Fe片,产物用乙醇、蒸馏水分别离心清洗三遍。将这步获得的产物表示为银氯化银纳米线。
(3)聚吡咯/银氯化银核壳结构纳米线的制备
具体操作与实施例1中(3)聚吡咯/银氯化银核壳结构纳米线的制备相同。
实施例9
(1)银纳米线的合成
具体操作与实施例1中(1)银纳米线的合成相同。
(2)银氯化银纳米线的制备
将先前合成出的Ag纳米线加入到2ml0.15M NaCl溶液中,然后将稀盐酸处理过的Fe片(1cm×3cm)浸入其中。反应在室温下放置60h后取出Fe片,产物用乙醇、蒸馏水分别离心清洗三遍。将这步获得的产物表示为银氯化银纳米线。
(3)聚吡咯/银氯化银核壳结构纳米线的制备
具体操作与实施例1中(3)聚吡咯/银氯化银核壳结构纳米线的制备相同。
实施例10
(1)银纳米线的合成
具体操作与实施例1中(1)银纳米线的合成相同。
(2)银氯化银纳米线的制备
将先前合成出的Ag纳米线加入到2ml0.1M NaCl溶液中,然后将稀盐酸处理过的Fe片(1cm×3cm)浸入其中。反应在室温下放置30h后取出Fe片,产物用乙醇、蒸馏水分别离心清洗三遍。将这步获得的产物表示为银氯化银纳米线。缩短刻蚀时间,Ag纳米线表面包裹的AgCl颗粒较少。
(3)聚吡咯/银氯化银核壳结构纳米线的制备
具体操作与实施例1中(3)聚吡咯/银氯化银核壳结构纳米线的制备相同。
实施例11
(1)银纳米线的合成
具体操作与实施例1中(1)银纳米线的合成相同。
(2)银氯化银纳米线的制备
将先前合成出的Ag纳米线加入到2ml0.1M NaCl溶液中,然后将稀盐酸处理过的Fe片(1cm×3cm)浸入其中。反应在室温下放置75h后取出Fe片,产物用乙醇、蒸馏水分别离心清洗三遍。将这步获得的产物表示为银氯化银纳米线。
(3)聚吡咯/银氯化银核壳结构纳米线的制备
具体操作与实施例1中(3)聚吡咯/银氯化银核壳结构纳米线的制备相同。
实施例12
(1)银纳米线的合成
具体操作与实施例1中(1)银纳米线的合成相同。
(2)银氯化银纳米线的制备
具体操作与实施例1中(2)银氯化银纳米线的制备相同。
(3)聚吡咯/银氯化银核壳纳米异质结构的制备
将玻碳电极超声清洗洁净后在室温下干燥,将事先制备好的银氯化银纳米线溶解在5ml的N,N-二甲基甲酰胺中,超声分散10分钟后用微升注射器吸取10微升溶液滴到玻碳电极上,干燥后得到银氯化银纳米线修饰的玻碳电极。随后,再在修饰后的电极表面上包裹上一层聚吡咯薄膜。将Ag/AgCl参比电极,铂辅助电极和银氯化银纳米线修饰的玻碳电极组成的三电极系统在10mM吡咯和0.15M NaClO4溶液中利用循环伏安法,电压范围从-0.6V到0.8V,扫速为0.1V/s,做六个循环。
实施例13
(1)银纳米线的合成
具体操作与实施例1中(1)银纳米线的合成相同。
(2)银氯化银纳米线的制备
具体操作与实施例1中(2)银氯化银纳米线的制备相同。
(3)聚吡咯/银氯化银核壳纳米异质结构的制备
将玻碳电极超声清洗洁净后在室温下干燥,将事先制备好的银氯化银纳米线溶解在5ml的N,N-二甲基甲酰胺中,超声分散10分钟后用微升注射器吸取10微升溶液滴到玻碳电极上,干燥后得到银氯化银纳米线修饰的玻碳电极。随后,再在修饰后的电极表面上包裹上一层聚吡咯薄膜。将Ag/AgCl参比电极,铂辅助电极和银氯化银纳米线修饰的玻碳电极组成的三电极系统在10mM吡咯和0.15M NaClO4溶液中利用循环伏安法,电压范围从-0.6V到0.8V,扫速为0.05V/s,做两个循环。
实施例14
(1)银纳米线的合成
具体操作与实施例1中(1)银纳米线的合成相同。
(2)银氯化银纳米线的制备
具体操作与实施例1中(2)银氯化银纳米线的制备相同。
(3)聚吡咯/银氯化银核壳纳米异质结构的制备
将玻碳电极超声清洗洁净后在室温下干燥,将事先制备好的银氯化银纳米线溶解在5ml的N,N-二甲基甲酰胺中,超声分散10分钟后用微升注射器吸取10微升溶液滴到玻碳电极上,干燥后得到银氯化银纳米线修饰的玻碳电极。随后,再在修饰后的电极表面上包裹上一层聚吡咯薄膜。将Ag/AgCl参比电极,铂辅助电极和银氯化银纳米线修饰的玻碳电极组成的三电极系统在10mM吡咯和0.15M NaClO4溶液中利用循环伏安法,电压范围从-0.6V到0.8V,扫速为0.05V/s,做二十个循环。
分析实验结果最佳的循环伏安圈数为6圈,此条件下有最好的光电化学性能是因为这时聚吡咯薄膜的厚度可以最大限度的吸收可见光,产生更多的光电子空穴来氧化焦棓酸。当聚吡咯薄膜的厚度低于最优厚度时,不能充分吸收可见光产生足够的光电子空穴来氧化焦棓酸。当聚吡咯薄膜的厚度大于最优厚度时,会阻碍电子从聚吡咯薄膜的最低控轨道转移到AgCl的导带,从而降低光电流。
实施例15(光电化学应用)
将实施例1制备好电极称为聚吡咯/银氯化银核壳结构纳米线修饰电极,与铂辅助电极、Ag/AgCl参比电极组成的三电极系统以pH=7.4的磷酸缓冲溶液作为电解质,对焦棓酸进行光电化学检测。
取5mL pH=7.4的磷酸缓冲溶液作为电解质放入电解槽中,将实施例1中制备的聚吡咯/银氯化银纳米线异质电极作为工作电极,连接好三电极体系,引入可见光,设定好相关参数,在未加入焦棓酸时测循环伏安曲线(图4中曲线b0),而后加入100μM焦棓酸,测量得图4中曲线b1。比较曲线b0和b1可发现,在有可见光激发,电势为0V时有相应的较大光电流变化,说明该电极对焦棓酸有光电化学响应。在连续加入不同浓度的焦棓酸,聚吡咯/银氯化银异质电极的光电流响应曲线如图5,说明响应光电流与焦棓酸浓度呈线性关系。在0V电势及可见光激发下光电传感器对焦棓酸的检测范围为20到300μM,检测线低至2μM,表明该电极可以作为焦棓酸的光电化学传感器。
为了验证聚吡咯能够有效提高光电流,本发明提供了对比实验。即将银氯化银材料电极作为工作电极检测焦棓酸,在加入100μM焦棓酸后得图4中曲线a1,比较a1与b1银氯化银,不难看出聚吡咯/银氯化银核壳结构纳米线修饰电极的光电流比银氯化银材料电极高得多。这清楚地证明本发明提供的电极称为聚吡咯/银氯化银核壳结构纳米线修饰电极能够有效提高光电流。

Claims (8)

1.一种聚吡咯/银氯化银核壳结构纳米线,其特征在于,所述聚吡咯/银氯化银核壳结构纳米线有三层结构,第一层为光滑、均一的银纳米线,直径为20-30纳米;第二层为紧密包裹在银纳米线表面的氯化银小颗粒;第三层为在银氯化银核壳结构纳米线表面电沉积的聚吡咯。
2.权利要求1所述的聚吡咯/银氯化银核壳结构纳米线的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括以下步骤:
(1)银纳米线的制备
将聚乙烯吡咯烷酮的乙二醇溶液加热至150-160℃,5-10min后,向其中加入硝酸盐的乙二醇溶液,随后加入0.25-0.1M的NaCl溶液,150-160℃反应10-20min,整个过程都需要搅拌,得到产物先用丙酮离心清洗3次,再用蒸馏水离心清洗3次,得到银纳米线;(2)银氯化银纳米线的制备
将步骤(1)制备的银纳米线加入到0.05-0.15M的NaCl溶液,,然后将稀盐酸处理过的铁片浸入其中,反应在20-35℃下放置30-75h后取出铁片,产物用乙醇、蒸馏水分别离心清洗3次,得到银氯化银纳米线;
(3)聚吡咯/银氯化银核壳结构纳米线的制备
将银氯化银纳米线修饰的玻碳电极上包裹聚吡咯薄膜作为参比电极,与铂辅助电极和银氯化银纳米线修饰的玻碳电极组成的三电极系统,在10-15mM吡咯和0.1-0.15M NaClO4溶液中利用循环伏安法,电压范围从-0.6V到0.8V,扫速为0.05-0.1V/s,做2-20个循环,制得聚吡咯/银氯化银核壳结构纳米线,得到的电极称为聚吡咯/银氯化银核壳结构纳米线修饰电极。
3.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于,步骤(1)所述聚乙烯吡咯烷酮的乙二醇溶液中,聚乙烯吡咯烷酮的质量浓度为0.005-0.01g/mL。
4.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于,步骤(1)所述硝酸盐的乙二醇溶液中,硝酸银的浓度为0.2-0.3mol/L。
5.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于,步骤(1)中聚乙烯吡咯烷酮的乙二醇溶液、硝酸盐的乙二醇溶液与NaCl溶液的体积比为100-200:10-25:1-5。
6.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于,步骤(2)中银纳米线在NaCl溶液的浓度1.0-1.5mol/L。
7.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于,步骤(3)所述银氯化银纳米线修饰的玻碳电极制备方法为:玻碳电极超声清洗洁净后在室温下干燥,将步骤(2)制备的银氯化银纳米线溶解在N,N-二甲基甲酰胺中,银氯化银纳米线在N,N-二甲基甲酰胺的浓度5-10M,超声分散10分钟后用微升注射器吸取10微升溶液滴到玻碳电极上,干燥后得到银氯化银纳米线修饰的玻碳电极,为银氯化银材料电极。
8.一种权利要求1所述的聚吡咯/银氯化银核壳结构纳米线的应用,其特征在于,在光电化学传感器方面的应用。
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