CN104025279B - 一种用于等离子体处理的卡盘组件和用于给静电卡盘组件供电的方法 - Google Patents

一种用于等离子体处理的卡盘组件和用于给静电卡盘组件供电的方法 Download PDF

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Abstract

本发明公开的系统和方法用于对称的射频输送的外围射频供给及对称的射频返回。根据一个实施方式，提供了一种用于等离子体处理的卡盘组件。所述卡盘组件包括：静电卡盘，其在第一侧具有衬底支撑表面；设施板，其在与所述衬底支撑表面相反的第二侧连接到所述静电卡盘；外围射频供给件，其被配置为输送射频功率，所述外围射频供给件具有与所述设施板的外围接触的第一部分以及将所述外围射频供给件连接到射频源的射频带。

Description

一种用于等离子体处理的卡盘组件和用于给静电卡盘组件供 电的方法
技术领域
本发明的实施方式涉及晶片处理设备，并且更具体地讲，涉及在晶片处理设备中处理晶片的设备、方法和计算机程序。
背景技术
集成电路的制造包括将包含掺杂的硅区的硅衬底(晶片)浸没在化学反应性等离子体中，其中亚微米的器件特征(例如，晶体管、电容器等)被蚀刻在硅衬底的表面上。一旦制成了第一层，就在第一层的顶部建立几个绝缘(电介质)层，其中在材料中蚀刻孔(也被称为通孔)和沟槽，用于放置导电的内部连接物。
不均匀的蚀刻会不利地影响晶片的产率。此外，由于每个新一代器件的关键尺寸大小减小，并且由于晶片大小增大以便在同一个晶片上生产更多数量的器件，不均匀性的要求变得越来越严格。因此，控制不均匀性是以高性价比的方式大批量生产更先进的技术节点的关键。
在这种背景下提出了本发明的实施方式。
发明内容
本发明的实施方式提供了用于对称的射频输送的外围射频供给及对称的射频返回的设备、方法和计算机程序。应当理解，本实施方式能够以多种方式实施，这些方式如，过程、设备、系统、装置或计算机可读的介质上的方法。以下描述几个实施方式。
在一个实施方式中，提供了一种用于等离子体的卡盘组件。所述卡盘组件包括：静电卡盘，其在第一侧具有衬底支撑表面；设施板，其在与所述衬底支撑表面相反的第二侧联接到所述静电卡盘；外围射频供给件，其被配置为输送射频功率，所述外围射频供给件具有与所述设施板的外围接触的第一部分以及将所述外围射频供给件联接到射频源的射频带。
所述第一部分可以是碗形区段。所述卡盘组件还可以包括导电部件，所述导电部件联接到所述设施板上并且被限定在所述中空射频供给件的所述第一部分的内部。
所述卡盘组件还可以包括对称的接地罩，该接地罩基本上包围所述外围射频供给件。所述中空射频供给件的所述第一部分在被限定于与所述静电卡盘相反的所述设施板的一侧上的圆周处与所述设施板的外围接触，所述圆周的半径可以大于所述设施板的半径的约二分之一。
所述外围射频供给件的所述第一部分可以包括至少一个开口，该至少一个开口用于至少一个设施连接到所述设施板。所述设施板可以包括非导电的升降销(lift pin)系统。所述设施板可以包括与中空射频供给件和射频带电气隔离的升降销系统。
另一个实施方式提供了一种用于给用于等离子体处理的卡盘组件供电的方法。所述方法包括：使中空射频供给件的第一端与设施板的外围接触；以及使用射频带将射频功率联接到所述中空射频供给件的第二端，所述中空射频供给件将所施加的射频功率输送到所述设施板的外围。
通过所述中空射频供给件输送所述射频功率绕过联接有导电部件的所述设施板的中心部分，所述导电部件被限定在所述中空射频供给件的内部。所述导电部件可以是冷却系统部件或加热装置或静电夹持装置或升降销系统中的至少一种。
在所述中空射频供给件的所述第二端施加所述射频功率可以包括在所述卡盘组件的侧向位置与所述第二端接触。使所述中空射频供给件的所述第一端与所述设施板的所述外围接触可以包括在被限定于所述设施板下侧上的圆周处与所述外围接触，所述圆周的半径大于所述设施板的半径的二分之一。
所述方法还可以包括使用接地罩来屏蔽所述中空射频供给件的第一部分。所述方法还可以包括使用基本上对称的接地罩来屏蔽所述中空射频供给件的第一部分。使所述中空射频供给件的所述第一端与所述设施板的所述外围接触可以包括在被限定于所述设施板下侧上的圆周处与所述外围接触，所述圆周的半径大于所述设施板的半径的二分之一。通过所述中空射频供给件中的对应孔可以提供至少一个设施连接。
另一个实施方式提供了一种用于等离子体处理的卡盘组件。所述卡盘组件包括：静电卡盘，其在第一侧具有衬底支撑表面；设施板，其在与所述衬底支撑表面相反的第二侧联接到所述静电卡盘；外围射频供给件，其被配置为输送射频功率，所述外围射频供给件具有与所述设施板的外围接触的第一部分，其中所述中空射频供给件的所述第一部分在被限定于与所述静电卡盘相反的所述设施板的一侧上的圆周处与所述设施板的外围接触，其中所述外围射频供给件的所述第一部分包括至少一个开口，该至少一个开口用于至少一个设施连接到所述设施板；射频带，其将所述外围射频供给件联接到射频源；以及基本上对称的接地罩，其包围所述外围射频供给件。所述设施板可以包括与中空射频供给件以及射频带电气隔离的升降销系统。
结合附图，从以下详细描述会明白其他方面。
附图说明
通过结合附图参考以下描述可以最好地理解实施方式。
图1图示了根据本发明的实施方式的等离子体反应器的横截面。
图2图示了根据本发明的实施方式的卡盘组件18的横截面示意图。
图3图示了根据本发明的实施方式的连接到卡盘组件上的各种系统。
图4图示了根据本发明的实施方式的中空射频供给件和射频接地适配管的一部分的横截面。
图5图示了根据本发明的实施方式的卡盘组件的设备盘的下侧。
图6是根据本发明的实施方式的使用具有中心射频供给件的卡盘组件与具有中空射频供给件的卡盘组件处理的衬底的方位角不均匀性的比较图。
图7A图示了根据本发明的实施方式的包括接地罩的卡盘组件上的晶片的蚀刻速率。
图7B图示了根据本发明的实施方式的图7A中的晶片的蚀刻残余物扫描图。
图7C图示了卡盘组件上的晶片在没有接地罩的情况下的蚀刻速率。
图7D图示了图7C中的晶片的蚀刻残余物扫描图。
图8是用于实施本文所述的实施方式的计算机系统的简化示意图。
图9是根据本发明的实施方式的等离子体室。
图10是根据本发明的实施方式的静电卡盘组件的侧剖视图。
图11A至图11E是根据本发明的实施方式的外围射频供给件的视图。
图12是根据本发明的实施方式的通过使用外围射频供给件的性能增加的曲线图。
图13是图示了根据本发明的实施方式的应用外围射频供给件中执行的方法操作的流程图。
具体实施方式
以下实施方式描述了用于对称的射频输送的外围射频供给和对称的射频返回的设备和方法。应当明白，这些实施方式可以在没有这些具体细节的一些或全部的情况下实施。在其他情况下，为了不会不必要地模糊这些实施方式，没有描述公知的处理操作。
在两个电极之间激发电场是在蚀刻室中获得射频气体放电的方法之一。当在两个电极之间施加震荡电压时，获得的放电被称为电容耦合等离子体(CCP)放电。
可以通过以下方式产生等离子体：利用稳定的原料气体以通过电子与中性物质的碰撞所产生的多种分子的离解来获得种类繁多的化学反应性副产物。蚀刻的化学方面涉及中性气体分子及其离解的副产物与将被蚀刻的表面的分子的反应并且产生能够被抽走的挥发性分子。当产生了等离子体时，正离子从等离子体加速穿过使等离子体与壁分隔开的空间带电鞘，从而以足够的能量撞击晶片的表面以去除晶片表面的材料。
在一个实施方式中，例如CF4和C-C4F8等氟碳气体由于它们的各向异性和选择性蚀刻性能而用于电介质蚀刻处理，但是本文描述的原理可以应用于其他产生等离子体的气体。氟碳气体容易离解成较小的分子和原子自由基。这些化学反应性副产物侵蚀电介质材料，在一些实施方式中，对于低k设备，电介质材料可以是SiO2或SiOCH。
图1图示了根据本发明的实施方式的等离子体反应器的横截面。反应器包括有周围室壁12所限定的周围室10以及由顶电极组件16和下卡盘组件18所限定的等离子体约束室14。卡盘组件18包括静电卡盘18，该静电卡盘在其顶侧提供衬底支撑表面，并且设置用于将衬底静电夹紧到其衬底支撑表面上。设施板(facility plate)22联接到与衬底支撑表面相反的静电卡盘18的一侧上。多种设施部件联接到设施板22上，这些部件如，与加热、冷却、升降销的控制和静电夹紧有关的部件。
如图所示，顶电极组件16包括用于供应处理气体到等离子体限制室14中的喷头11。顶电极组件还包括护罩13，所述护罩与卡盘组件18接合以限定等离子体约束室14。穿孔15被限定用于从等离子体限制室14出来的气流。
中空射频供给件24联接到设施板22的外围部分上，以便输送射频功率到设施板22的边缘。这种配置能使射频电流绕过设施板22的内部，使得联接到设施板上的子部件不在射频电流的路径上。以此方式，输送到位于卡盘组件上的衬底的射频输送获得了很高的方位角均匀性。
中空射频供给件24包括与设施板22连接上的第一部分26A以及远离卡盘组件18侧向延伸的第二部分26B。如图示的实施方式所示，中空射频供给件24的一端联接到设施板22的外围，同时其相反端远离设施板延伸到射频源。联接到设施板上的第一部分26A是碗形区段，其直径比第二部分26B的大，第二部分是远离卡盘组件延伸的管状区段。第二部分26B联接到由第一部分26A在接口25处所限定的碗形区段的孔上。因此，联接到设施板上的多种子部件被包括在所述中空射频供给件的第一部分26A的内部中。
另外，接地罩28被设置为卡盘组件18的一部分。接地罩28有助于基本上对称的射频返回电流路径。接地罩28被限定为以便包围中空射频供给件24的第一部分26A和第二部分26B连接处的区域。因此，接地罩28限定中空射频供给件24的第一部分26A与第二部分26B之间的屏障。接地罩28连接到卡盘组件壁30上，射频接地适配管32从所述卡盘组件壁30延伸到接地。卡盘组件壁30、接地罩28和射频接地适配管32一起形成经由中空射频供给件24输送的射频电流的返回路径。应当注意到，中空射频供给件的第二部分26B的部分被限定在射频接地适配管32的内部。中空射频供给件的第二部分26B的所述部分和射频接地适配管32一起限定同轴区段。
图2图示了根据本发明的实施方式的卡盘组件18的横截面示意图。如图所示，多种子部件联接到包括冷却部件40、升降销系统42、加热部件44和夹紧部件46的设施板22上。加热部件和夹紧部件导电，因此在常规的等离子体处理系统中特别容易干扰对称射频的传输和返回。然而，甚至例如液体或气体基冷却部件和气动升降销系统等部件可以导电或不导电，并且在常规系统中所述部件中包括的导电液体或气体也可以减少输送到衬底的射频输送的对称性，因为与设施板的联接会要求改变设施板的表面结构。本文公开的中空射频供给件直接输送射频功率到设施板的外围，从而提供改进的射频功率对称性，因为子部件不在射频输送的路径中。
中空射频供给件的第一部分26A在被限定于设施板22下侧上的圆周27处联接到设施板22。圆周27被限定在设施板22的外围或边缘。圆周27与设施板22同心。在一个实施方式中，圆周27的半径大于设施板22的半径的二分之一，但是小于设施板22的整个半径。
静电卡盘18和设施板22通过电介质隔离物29与卡盘组件壁30分隔开。射频路径可以宽泛地被定义为到衬底的射频输送路径和射频返回路径。射频输送路径沿着中空射频供给件24使射频输送到设施板22的圆周27，并且绕着设施板22和静电卡盘18的边缘输送到衬底。射频返回路径顺着卡盘组件壁30和接地罩28，最终经由射频接地适配管32联接到接地。
在图示的实施方式中，用于分别联接到冷却部件40和升降销系统42的流体管41和43被允许穿过中空射频供给件24，因为它们不导电并且对射频输送的对称性造成很小的干扰。然而，分别用于加热部件44和夹紧部件46的设施线45和47被设置在中空射频供给件24的内部。
在包括加热部件44和夹紧部件46的最小系统中，每个部件有两根线材，总共至少四根线材。在一些实施方式中，可以有额外的加热部件线材。例如，在有四个加热区的一个实施方式中，每个加热区设有一对线材。在这个实施方式中，总共有十根线材，这些线材通过中空射频供给件24被供给到加热部件44和夹紧部件46。
在一个实施方式中，绝缘管48被设置在中空射频供给件的第二部分26B中。绝缘管48由例如之类的绝缘材料组成。
图3图示了根据本发明的实施方式连接到卡盘组件上的多个系统。如图所示，冷却部件40联接到冷却源60上，所述冷却源提供用于冷却静电卡盘18的液体或气态流体。升降部件42联接到气动源62上，气动源62提供压缩气体来控制升降销以便于衬底从静电卡盘18分离。
从射频发生器64经由射频滤波器65和射频匹配器66供应射频功率到中空射频供给件24。线材45从交流电源68提供电流到加热部件44。线材47从高压直流电源70提供电流到夹紧部件46。
图4图示了根据本发明的实施方式的中空射频供给件的一部分和射频接地适配管的横截面。如图所示，射频接地适配管32内部的中空射频供给件24的所述部分的配置限定在中空射频供给件24充当内导体并且射频接地适配管32充当外导体时的同轴段，以便在不对邻近的部件造成干扰的情况下促进射频功率的低损耗输送。
另外，绝缘管48被图示为在中空射频供给件24的内部。根据一个实施方式，绝缘管48是管。在图示的实施方式中，有联接到四个不同区的加热元件上的四对线材45，以及用于静电夹紧的一对高压线材47。在一个实施方式中，线材穿透射频供给件带。
图5图示了根据本发明的实施方式的卡盘组件的设施板的下侧。如图所示，设施板22具有与其联接上的多种设施部件，包括冷却部件40、升降部件42、加热部件44和夹紧部件46。中空射频供给件与在被限定在设施板22下侧外围处的圆周27处的设施板接触。如图所示，圆周27与设施板同心以便于从中空射频供给件对称地输送射频到设施板22的边缘。另外，所述圆周环绕多个设施部件在设施板22上的位置，使得设施部件不在射频输送路径中。在一个实施方式中，圆周27的半径是设施板22的半径的至少二分之一。在另一个实施方式中，圆周27的半径是设施板22的半径的至少三分之二。在其他实施方式中，圆周27可以具有将圆周27限定在设施板22的外围附近的任意半径。
图6是根据本发明的实施方式的使用具有中心射频供给件的卡盘组件与使用具有中空射频供给件的卡盘组件处理的衬底的方位角不均匀性的比较图。可以看出，使用具有本文所述的中空射频供给件的卡盘组件处理的衬底表现出明显低水平的方位角不均匀性。这在射频功率设置的整个范围内是真实的，相比于中心射频供给件，中空射频供给件在方位角不均匀性方面的改善程度总体上随着功率的增大而提高。
在300瓦与800瓦之间，中心射频供给件的方位角不均匀性大致翻倍。相比之下，中空射频供给件在整个相同的功率范围内表现出相当恒定的方位角不均匀性，并且整体的不均匀性水平较低。通过测量空白晶片的蚀刻速率并且减去径向的不均匀性来测量方位角的不均匀性。有关各种指标的测量的额外细节可以参考于2007年7月3日公布的题为“用于量化晶片的不均匀性并以图形探索显著性的用户界面”的美国专利No.7,239,737，该专利的公开内容通过引用的方式并入本申请中。
图7A至图7D图示了根据本发明的实施方式的接地罩对方位角不均匀性的影响。具体地讲，图7A图示了包括本文所述接地罩的卡盘组件上的晶片蚀刻速率。图7B图示了根据本发明的实施方式的图7A中的晶片的蚀刻残余物扫描图。如图所示，方位角的不均匀性是0.82％。然而，图7C图示了卡盘组件上的晶片在没有接地罩的情况下的蚀刻速率。图7D图示了图7C中的晶片的蚀刻残余物扫描图。在这种情况下，方位角的不均匀性显著增大到3.95％。因此可以看出，提供射频返回路径的改善的对称性的接地罩就减少方位角的均匀性而言提供了显著效果。
图8是用于实施本文所述的实施方式的计算机系统的简化示意图。应当理解，本文所述的方法可以用数字处理系统(例如，常规的通用计算机系统)来执行。在替代方式中，可以使用被设计成或被编程用于执行唯一一种功能的专用计算机。计算机系统包括中央处理器(CPU)1004，所述中央处理器通过总线1010联接到随机存取存储器(RAM)1028、只读存储器(ROM)1012和大容量存储器1014。相位控制程序1008存储在随机存取存储器(RAM)1028中，但是也可以存储在大容量存储器1014或ROM 1012中。
大容量存储器1014代表永久数据存储器，例如，本地或远程的硬盘驱动器或固定磁盘驱动器。网络接口1030经由网络1032提供连接通道，从而允许与其他设备进行通信。应当理解，CPU 1004可以实施为通用处理器、专用处理器或专门编程逻辑器件。输入/输出(I/O)接口提供与不同的外围设备的通信并且通过总线1010连接到CPU 1004、RAM 1028、ROM1012和大容量存储器1014。示例的外围设备包括显示器1018、键盘1022、光标控制器1024、可移动媒体设备1034等。
显示器1018被配置为显示本文所述的用户界面。键盘1022、光标控制器1024、可移动媒体设备1034和其他外围设备联接到I/O接口1020以便将命令选项中的信息通信到CPU1004。应该理解的是，到外部设备和来自外部设备的数据可以通过I/O接口1020进行通信。所述实施方式还可以在分布式计算环境中实施，在分布式计算环境中由通过有线或无线网络链接的远程处理设备来执行多个任务。
具有射频带输入的外围射频供给件
上述实施方式包括具有中空射频供给物(feedstock)的外围射频供给件。然而，需要对将要使用的室进行大量的重新设计。甚至在没有中空射频供给件(即，如上所述的第二部分26B)并且同时使用典型的带式射频输入的情况下仍然能够获得外围射频供给件(即，如上所述的第一部分26A)的一些有益效果。举例而言，外围射频供给件26A提供对称的射频供给到静电卡盘。对称的射频供给提高了形成在静电卡盘上方的等离子体的均匀性。对称的射频返回可以进一步提高形成在静电卡盘上方的等离子体的均匀性。
图9是根据本发明的实施方式的等离子体室900。图9的等离子体室包括具有射频频率f1的射频功率源922，所述射频功率源经由匹配网络M1联接到底电极108上。顶电极组件16经由开关944和匹配网络946联接到具有射频频率f4的第二射频功率源942。
另外，等离子体室包括开关944，所述开关944将顶电极组件16联接到接地电位亦或经由匹配网络946联接到射频功率源942。第一加热器918位于喷头11上方，并且第二加热器916位于接地电极948上方。加热器918、916通过硝酸铝材料层与喷头11和接地电极隔开，但也可以利用其他绝缘体。加热器916控制接地电极的外部区域中的温度，并且加热器918控制喷头11的温度。每个加热器918、916是可操作的以在衬底处理操作期间独立地开启或关闭。
晶片处理设备进一步包括系统控制器902、顶电极功率控制器906、加热器控制器908以及频率为f1的功率控制器912。系统控制器902接收等离子体配方904，所述等离子体配方包括用于在等离子体室内执行的不同操作的指令。晶片的处理可以在多个操作中进行，并且每个操作可以要求在等离子体室内有不同的设置。例如，在一个操作中应用射频功率源922、942两者，而在其他操作中，仅应用所述射频功率源中的一个。
基于配方904，系统控制器设置等离子体室的工作参数，包括开启或关闭那个射频功率源、它们的电压和功率设置、开关944的设置、加热器916和918的温度设置、等离子体室中使用的气体、等离子体室的压强、晶片处理操作的持续时间等。在一个实施方式中，系统控制器902发送指令到顶电极功率控制器906以配置顶电极的功率，所述指令包括设置开关944以连接喷头11到接地或射频功率，开启或关闭射频功率942以及设置射频功率942的功率电平。
系统控制器902与加热器控制器908相连接以调节喷头11的温度。加热器控制器908调节加热器916、918以控制喷头11的温度。温度传感器(未示出)将有关喷头11的一个或多个点处的上电极的温度的信息提供到加热器控制器908。因此，加热器控制器908可以通过开启或关闭加热器916、918来调节喷头11的温度以在晶片处理期间达到所需的温度。
系统控制器902还与功率控制器912相连接，所述功率控制器控制是开启还是关闭射频功率922，并且如果开启功率，则控制设置怎样的功率。在一个实施方式中，射频功率源942的频率是400kHz。在另一个实施方式中，频率在400kHz至2MHz的范围内，而在又另一个实施方式中，频率在100kHz至10MHz的范围内。在一些操作中，三个底部射频电源未被同时开启，这允许顶部射频具有更高的频率。在一个实施方式中，为了避免在等离子体室中产生谐振，f4不同于底部的频率f1。
在一个实施方式中，等离子体室中的压强在20毫托与60毫托之间。在另一个实施方式中，顶部功率源的电压可以在几百伏特的范围内(例如，100V至2000V或更大)，底部射频功率源可以具有高达6000V或更大的电压。在一个实施方式中，电压是1000V。在另一个实施方式中，顶部射频功率源的电压具有在100V与600V之间的值，并且底部射频功率源的电压具有在1000V与6000V之间的值。等离子体室中的压强可以具有在10毫托与500毫托之间的值。在一个实施方式中，等离子体室在15毫托的压强下工作。
要注意的是，图9图示的实施方式是示例性的。其他实施方式可以利用不同类型的等离子体室、不同的频率、基于配方对等离子体室配置的其他类型的调节、等离子体室中的不同压强等。例如在一个实施方式中，等离子体室是CCP等离子体室。此外，半导体晶片处理设备中的上述模块中的一些可以结合到单个模块中，或者单个模块的功能可以由多个模块来执行。例如，在一个实施方式中，功率控制器912集成到系统控制器902中，但其他的配置也是可能的。图9所图示的实施方式因此不应当被理解为排他性的或限制性的，而是示例性的或说明性的。
外围射频供给件26A提供对称的射频供给到静电卡盘18。到外围射频供给件26A的输入是射频带970。图10是根据本发明的实施方式的静电卡盘组件1090的侧剖视图。静电卡盘组件1090包括具有射频带输入970的外围射频供给件26A。静电卡盘组件1090还包括对称的射频返回路径1098以及用于供应设施到静电卡盘的子部件1094、1096，所述射频返回路径通过卡盘组件壁30到等离子体室壁1092。子部件1094可以是升降销系统，所述升降销系统是由不导电的材料制成的并且/或者与外围射频供给件电气绝缘。
图11A至图11E是根据本发明的实施方式的外围射频供给件26A的视图。射频带输入970通过安装凸缘1091上的多个螺栓联接到射频供给件26A上。射频带输入970的相反端970'联接到射频源922(未示出)。卡盘组件壁30被图示为与外围射频供给件26A基本上对称的物理形状。
外围射频供给件26A具有两个部分：输入板1111以及将输入板联接到上述卡盘组件的设施板的侧壁组件1112。侧壁组件1112上设有开口，以便设施(功率、冷却剂、气体、真空、仪器等)进入卡盘组件的内部。
图12是根据本发明的实施方式的通过使用外围射频供给件26A获得的性能增益的曲线图。实线代表针对外围射频供给件26A的测试数据。虚线代表针对现有技术的中心供给射频的测试数据。如两图所示，在功率设置的宽范围内，实线比虚线更平缓(变化更小)。
图13是图示了根据本发明的实施方式的在应用外围射频供给件中执行的方法操作1300的流程图。此处图示的操作只是举例性的，应当理解的是，一些操作可以具有子操作，并且在其他实例下，图示的操作可以不包括此处所述的某些操作。据此，现在描述方法和操作1300。
在操作1305中，射频源通过使用射频带970联接到外围供给件26A。在操作1310中，对称的射频返回联接到卡盘组件18。
在操作1315中，射频信号被应用于卡盘组件18的外围。在操作1320中，射频返回电流流过对称的射频返回路径，并且所述方法操作结束。
本文中描述的实施方式可以由各种计算机系统配置来实施，计算机系统配置包括手持式设备、微处理器系统、基于微处理器或可编程的消费电子产品、微型计算机、大型计算机等。实施方式还可以在分布式计算环境中实施，其中任务由通过网络连接的远程处理设备来执行。
考虑到上述实施方式，应当理解的是，实施方式可以采用涉及存储在计算机系统中的数据的各种计算机实施的操作。这些操作需要对物理量进行物理操作。本文中描述的组成实施方式的一部分的任何操作都是有用的机器操作。所述实施方式还涉及用于执行这些操作的设备或装置。这些设备可以专门被构造成用于所需目的，例如专用计算机。当被限定为专用计算机时，计算机还可以执行不是特殊用途的一部分的其他过程、程序执行或子程序，同时还能够作为特殊用途使用。可替代地，这些操作可以由被选择性地激活或者通过存储在计算机存储器、缓存中或通过网络获取的一个或多个计算机程序配置的专用计算机来处理。当通过网络获取数据时，这些数据可以由网络上的其他计算机(例如，云计算资源)来处理。
一个或多个实施方式还可以被制造为计算机可读的介质上的计算机可读的代码。计算机可读介质是可以存储数据的任何数据存储设备，这些数据随后可以被计算机系统读取。计算机可读介质的实例包括硬盘驱动器、网络附加存储器(NAS)、只读存储器、随机存取存储器、CD-ROM、CD-R、CD-RW、磁带和其他的光学和非光学数据存储设备。计算机可读的介质可以包括分布在网络耦合的计算机系统中的计算机可读的有形介质，使得计算机可读的代码按照分布的方式存储并执行。
虽然按照特定顺序描述了所述方法操作，但是应当理解的是，可以在操作之间执行其他的内务管理操作，或者可以调节操作使得它们在略不同的时间进行，或者可以分布在系统中，这种系统允许处理操作在与处理相关的各种间隔进行，只要按照希望的方式执行叠置操作的处理即可。
虽然为了清晰理解的目的描述了上述实施方式的一些细节，但是显而易见的是，可以在所附权利要求书的范围内进行某些变化和修改。因此，本实施方式应当被理解为说明性的而不是限制性的，并且这些实施方式应当不限于本文中给出的细节，但是可以在所附权利要求书的范围和等同形式内进行修改。

Claims (19)

1.一种用于等离子体处理的卡盘组件，其包括：
静电卡盘，其在第一侧具有衬底支撑表面；
设施板，其在与所述衬底支撑表面相反的第二侧联接到所述静电卡盘；
多个设施部件，所述多个设施部件耦合到所述设施板，所述多个设施部件是与加热、冷却、升降销的控制和静电夹紧有关的部件：
中空射频供给件，其被配置为输送射频功率，所述中空射频供给件具有与所述设施板的外围接触的第一部分，所述设施板将来自所述中空射频供给件的射频功率联接到所述静电卡盘；以及
射频带，其将所述中空射频供给件连接到射频源。
2.如权利要求1所述的卡盘组件，其中所述中空射频供给件的所述第一部分是碗形区段。
3.如权利要求1所述的卡盘组件，其进一步包括导电部件，所述导电部件联接到所述设施板上并且被限定在所述中空射频供给件的所述第一部分的内部。
4.如权利要求1所述的卡盘组件，其进一步包括对称的接地罩，所述接地罩包围所述中空射频供给件。
5.如权利要求1所述的卡盘组件，其中所述中空射频供给件的所述第一部分在被限定于与所述静电卡盘相反的所述设施板的一侧上的圆周处与所述设施板的外围接触。
6.如权利要求5所述的卡盘组件，其中所述圆周的半径大于所述设施板的半径的二分之一。
7.如权利要求1所述的卡盘组件，其中所述中空射频供给件的所述第一部分包括至少一个开口，该至少一个开口用于至少一个设施连接到所述设施板。
8.如权利要求1所述的卡盘组件，其中所述多个设施部件进一步包括非导电升降销系统。
9.如权利要求1所述的卡盘组件，其中所述多个设施部件进一步包括升降销系统，所述升降销系统与所述中空射频供给件和所述射频带电气隔离。
10.一种用于给用于等离子体处理的静电卡盘组件供电的方法，其包括：
使中空射频供给件的第一端与设施板的外围接触，多个设施部件，所述多个设施部件耦合到所述设施板，所述多个设施部件是与加热、冷却、升降销的控制和静电夹紧有关的部件；以及
通过射频带将射频功率供应到所述中空射频供给件的第二端，所述中空射频供给件将所施加的所述射频功率输送到所述设施板的外围；
所述设施板将来自所述中空射频供给件的射频功率联接到所述静电卡盘。
11.如权利要求10所述的方法，其中通过所述中空射频供给件输送所述射频功率绕过联接有导电部件的所述设施板的中心部分，所述导电部件被限定在所述中空射频供给件的内部。
12.如权利要求11所述的方法，其中所述导电部件包括冷却系统部件或加热装置或静电夹持装置或升降销系统中的至少一种。
13.如权利要求10所述的方法，其中在所述中空射频供给件的所述第二端施加所述射频功率包括在所述卡盘组件的侧向位置与所述第二端接触。
14.如权利要求10所述的方法，其中使所述中空射频供给件的所述第一端与所述设施板的所述外围接触包括在被限定于所述设施板下侧上的圆周处与所述外围接触，所述圆周的半径大于所述设施板的半径的二分之一。
15.如权利要求10所述的方法，其进一步包括使用接地罩来屏蔽所述中空射频供给件的第一部分。
16.如权利要求10所述的方法，其进一步包括使用对称的接地罩来屏蔽所述中空射频供给件的第一部分。
17.如权利要求10所述的方法，其进一步包括通过所述中空射频供给件的对应孔来提供至少一个设施连接。
18.一种用于等离子体处理的卡盘组件，其包括：
静电卡盘，其在第一侧具有衬底支撑表面；
设施板，其在与所述衬底支撑表面相反的第二侧联接到所述静电卡盘；
多个设施部件，所述多个设施部件耦合到所述设施板，所述多个设施部件是与加热、冷却、升降销的控制和静电夹紧有关的部件
中空射频供给件，其被配置为输送射频功率，所述中空射频供给件具有与所述设施板的外围接触的第一部分，其中所述中空射频供给件的所述第一部分在被限定于与所述静电卡盘相反的所述设施板的一侧上的圆周处与所述设施板的外围接触，其中所述中空射频供给件的所述第一部分包括至少一个开口，该至少一个开口用于至少一个设施连接到所述设施板，所述设施板将来自所述中空射频供给件的射频功率联接到所述静电卡盘；
射频带，其将所述中空射频供给件联接到射频源；以及
对称的接地罩，其包围所述中空射频供给件。
19.如权利要求18所述的卡盘组件，其中所述多个设施部件进一步包括升降销系统，所述升降销系统与所述中空射频供给件和所述射频带电气隔离。
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