CN104022186A - 一种制造增强红外吸收黑硅材料的方法 - Google Patents

一种制造增强红外吸收黑硅材料的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN104022186A
CN104022186A CN201410275185.7A CN201410275185A CN104022186A CN 104022186 A CN104022186 A CN 104022186A CN 201410275185 A CN201410275185 A CN 201410275185A CN 104022186 A CN104022186 A CN 104022186A
Authority
CN
China
Prior art keywords
silicon substrate
predetermined pattern
array
microstructure unit
etching
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201410275185.7A
Other languages
English (en)
Inventor
李世彬
张鹏
余宏萍
王健波
李伟
吴志明
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
University of Electronic Science and Technology of China
Original Assignee
University of Electronic Science and Technology of China
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by University of Electronic Science and Technology of China filed Critical University of Electronic Science and Technology of China
Priority to CN201410275185.7A priority Critical patent/CN104022186A/zh
Publication of CN104022186A publication Critical patent/CN104022186A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/1804—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic Table
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02367—Substrates
    • H01L21/0237—Materials
    • H01L21/02373—Group 14 semiconducting materials
    • H01L21/02381—Silicon, silicon germanium, germanium
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02587—Structure
    • H01L21/0259—Microstructure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02656—Special treatments
    • H01L21/02664—Aftertreatments
    • H01L21/02667—Crystallisation or recrystallisation of non-monocrystalline semiconductor materials, e.g. regrowth
    • H01L21/02675—Crystallisation or recrystallisation of non-monocrystalline semiconductor materials, e.g. regrowth using laser beams
    • H01L21/02686—Pulsed laser beam
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

本发明实施例公开了一种制造增强红外吸收黑硅材料的方法，包括：在硅衬底上形成微米量级的微结构单元阵列，并且微结构单元阵列的周期和/或微结构单元的直径与探测目标的红外波长相同或者成比例；将硅衬底置于含硫气体中，并用激光脉冲辐照，获得增强红外吸收黑硅材料。本发明的实施例的方法中，在含硫气体环境中使用高能激光对硅衬底上周期性阵列结构进行辐照，形成微纳双重结构，并且在辐照过程中同时实现了硫元素掺杂。这样获得的黑硅材料的吸收波长得到扩展，吸收率更高，吸收波长范围更大；并且工艺步骤简单。

Description

一种制造增强红外吸收黑硅材料的方法
技术领域
本发明涉及光电敏感材料技术领域，尤其是涉及一种制造增强红外吸收黑硅材料的方法。
 
背景技术
硅材料是一种重要的半导体材料。由于其具有易于提纯、易掺杂、耐高温等特点，在微电子、光伏产业以及通讯产业等多个领域有着广泛的应用。但是由于其本身禁带宽度的限制，晶体硅材料不能吸收波长大于1100纳米（nm）的光波。当入射光波波长大于1100nm时，硅基探测器对光的吸收率和响应率会大幅降低，因此工作波长大于1100nm的光电探测器件一般使用锗、砷化镓铟等材料来制造。但是这些材料价格相对昂贵、热力学性能和晶体质量较差并且不能与目前已较为成熟的硅工艺兼容。这些特性都限制了其在硅基器件基础上的应用。
因此，采用硅材料来制备红外波段光电器件可以有效减少对此类材料的应用，克服这类材料制造工艺复杂、生产成本高昂造以及生产过程中含有铅、汞等有毒物质的缺点,可以有效地减小成本,降低环境污染。
黑硅材料作为一种对普通硅微结构化后得到的新型功能材料，其对从近紫外-近红外波段（250nm-2500nm）的光都能进行有效吸收。并且由于具有超高的光电导增益，黑硅材料产生的光电流是传统硅材料的几百倍。因此，黑硅材料能有效减少光传感器的硅材料的使用量，能有效地节省成本，使产品更加便宜、小巧和轻便。
黑硅材料卓越的光电性能使其成为制作高灵敏度红外探测器、高量子效率雪崩二极管、高响应度红外二极管及太阳能电池的理想材料，在遥感、光通讯及微电子等领域都具有重要的潜在应用价值。
 
发明内容
本发明的目的之一是提供一种制造吸收率更高、吸收波长范围更大的增强红外吸收黑硅材料的方法，并且其步骤简单，易于实现阵列化、集成化。
本发明的目的之一是提供一种能够在形成黑硅材料的同时实现硅掺杂的制造增强红外吸收黑硅材料的方法。
本发明公开的技术方案包括：
提供了一种制造增强红外吸收黑硅材料的方法，其特征在于，包括：在硅衬底上形成微结构单元阵列，所述微结构单元阵列中包括多个微结构单元，并且所述微结构单元阵列的周期和/或所述微结构单元的直径与探测目标的红外波长相同或者成比例；将形成了所述微结构单元阵列的所述硅衬底置于含硫气体中，并用激光脉冲辐照所述硅衬底，获得所述增强红外吸收黑硅材料。
本发明的一个实施例中，所述微结构单元阵列的周期为1至2微米和/或所述微结构单元的直径为1至2微米。
本发明的一个实施例中，所述微结构单元为立方体、锥体、圆柱体、椭圆柱体、矩形槽、圆形槽和/或椭圆形槽。
本发明的一个实施例中，所述在硅衬底上形成微结构单元阵列的步骤包括：在所述硅衬底上形成掩膜层；在所述掩膜层上光刻形成预定图形通孔阵列，获得图形掩膜硅衬底，其中所述预定图形通孔阵列中包括多个预定图形通孔；对所述图形掩膜硅衬底进行刻蚀，在所述图形掩膜硅衬底上形成预定图形凹槽阵列；从所述图形掩膜硅衬底上去除所述掩膜层。
本发明的一个实施例中，所述预定图形通孔阵列的周期和/或所述预定图形通孔的直径与探测目标的红外波长相同或者成比例。
本发明的一个实施例中，所述预定图形通孔阵列的周期为1至2微米和/或所述预定图形通孔的直径为1至2微米。
本发明的一个实施例中，所述含硫气体为六氟化硫气体或者硫化氢气体。
本发明的一个实施例中，所述激光波长为400纳米至1000纳米；所述激光脉冲为500至2100个；所述激光脉冲的宽度为100飞秒至10纳米；所述含硫气体的气压为60至70千帕。
本发明的一个实施例中，所述预定图形为圆形、矩形、正方形和/或椭圆形。
本发明的一个实施例中，对所述图形掩膜硅衬底进行刻蚀的步骤包括：用反应粒子刻蚀法、离子选择注入辅助电化学刻蚀法或者化学刻蚀法对所述图形掩膜硅衬底进行刻蚀。
本发明的实施例的方法中，在硅衬底上形成微米量级的周期性阵列结构，并且在含硫气体环境中使用高能激光对硅衬底上周期性阵列结构进行辐照，形成纳米量级的尖锥状微结构，从而形成微纳双重结构，并且在辐照过程中同时实现了硫元素掺杂，这样获得所需的黑硅材料。由于表面形成了纳米结构，使得周期结构表面反射率降低，并且硫元素引入杂质能级，使得获得的黑硅材料的吸收波长得到扩展，因此该微纳双重结构比单一的微米尺度阵列结构吸收率更高，吸收波长范围更大；比单纯的纳米结构表面更加规整。并且工艺步骤简单，与现有成熟的硅材料加工技术兼容良好，易于实现阵列化，集成化，在光传感器，高灵敏度红外探测器以及太阳能电池的领域有巨大的应用潜力。
 
附图说明
图1是本发明一个实施例的制造增强红外吸收黑硅材料的方法的流程示意图。
图2是本发明另一个实施例的制造增强红外吸收黑硅材料的方法的流程示意图。
图3是本发明一个实施例的增强红外吸收黑硅材料的截面示意图。
 
具体实施方式
下面将结合附图详细说明本发明的实施例的制造增强红外吸收黑硅材料的方法的具体步骤。
如图1所示，本发明一个实施例中，在步骤20中，在硅衬底上形成微米量级的微结构单元阵列。然后，在步骤22中，将形成了该微结构单元阵列的硅衬底置于含硫气体中，并用激光脉冲辐照该硅衬底，从而获得所需要的增强红外吸收黑硅材料。
本发明一个实施例中，在硅衬底上形成的微结构单元阵列中可以包括多个微结构单元，这些微结构单元按照一定的顺序排列成前述的微结构单元阵列，并且该微结构单元阵列可以是周期性的。
本发明的一个实施例中，微结构单元阵列的周期和/或微结构单元的直径可以与探测目标的红外波长相同或者成比例。
这里，微结构单元阵列的“周期”可以是指周期排列的相邻微结构单元之间的距离；微结构单元的“直径”可以是指微结构单元的横截面形状的外接圆的直径，例如，微结构单元的横截面为圆形时，这里的直径即为该横截面的直径；微结构单元的横截面为矩形或者正方形时，这里的直径即为该矩形或者正方形的外接圆的直径（也即对角线的长度）；微结构单元的横截面为椭圆形时，这里的直径即为该椭圆的外接圆的直径（也即椭圆的长轴）；微结构单元的横截面为其他形状时，其直径可以类似地定义。
这里，“探测目标”是指使用本发明的增强红外吸收黑硅材料的红外探测器将要探测的对象。
本发明的一个实施例中，微结构单元阵列的周期可以为1至2微米。
本发明的一个实施例中，微结构单元的直径可以为1至2微米。
本发明的一个实施例中，微结构单元可以为立方体、锥体、圆柱体、椭圆柱体、矩形槽、圆形槽和/或椭圆形槽，或者为其他适合的形状的微结构单元。
本发明的一个实施例中，前述的微结构单元阵列可以用反应粒子刻蚀法、离子选择注入辅助电化学刻蚀法、化学刻蚀法或者其他适合的方法在硅衬底上形成。
例如，如图2所示，本发明的一个实施例中，一种制造增强红外吸收黑硅材料的方法可以包括步骤10、步骤12、步骤14、步骤16和步骤18。
步骤10：在硅衬底上形成掩膜层。
本实施例中，首先在硅衬底上形成掩膜层。
本实施例中，这里的掩膜层可以是氮化硅掩膜层或者氧化硅掩膜层，其厚度可以为90至600纳米。氮化硅掩膜层或者氧化硅掩膜层可以通过沉积的方法形成在硅衬底上，例如等离子体增强化学气相沉积（PECVD）或者其他适合的气相沉积方法等等。
本发明的实施例中，这里的掩膜层也可以是金属掩膜层，例如铝层、钛层或者镍镉合金层等等，其厚度可以为1至2微米。金属掩膜层可以用电子束蒸发法、磁控溅射法、真空热蒸镀法等方法形成在硅衬底上。
步骤12：在掩膜层上光刻形成预定图形通孔阵列。
在硅衬底上形成了掩膜层之后，在步骤12中，可以使用光刻法在掩膜层上光刻形成预定图形通孔阵列，具有形成了预定图形通孔阵列的掩膜层的硅衬底本文中称之为“图形掩膜硅衬底”。
本发明的实施例中，这里的预定图形通孔阵列是指横截面为预定图形的通孔按照一定的顺序排列形成的阵列，该阵列可以是周期性的。
本发明的实施例中，这里的预定图形可以是圆形、矩形、正方形和/或椭圆形，也可以是任何其他适合的形状。
本发明的实施例中，预定图形通孔阵列的周期可以与近红外光波波长相近或成比例，例如，可以为1至2微米。这里，所说的预定图形通孔阵列的“周期”是指周期排列的预定图形通孔中相邻通孔之间的距离。
本发明的实施例中，预定图形通孔阵列中的通孔的直径可以与近红外光波波长相近或者成比例，例如，可以为1至2微米。
这里，通孔的“直径”是指通孔的横截面形状的外接圆的直径，例如，通孔的横截面为圆形是，这里的直径即为该横截面的直径；通孔的横截面为矩形或者正方形时，这里的直径即为该矩形或者正方形的外接圆的直径（也即对角线的长度）；通孔的横截面为椭圆形时，这里的直径即为该椭圆的外接圆的直径（也即椭圆的长轴）；通孔的横截面为其他形状时，其直径类似地定义。
步骤14：对硅衬底进行刻蚀。
步骤12中获得了图形掩膜硅衬底之后，在步骤14中，对该图形掩膜硅衬底（即具有形成了预定图形通孔阵列的掩膜层的硅衬底）进行刻蚀，使得硅衬底中暴露于掩膜层中的预定图形通孔阵列中的部分被刻蚀，这样使得在预定图形通孔阵列中的每个通孔处，硅衬底被刻蚀形成形状与该通孔形状对应的凹槽，从而在硅衬底上形成预定图形凹槽阵列。这些预定图形凹槽阵列即为前述的微结构单元阵列的一些具体实例。
本发明的实施例中，可以使用多种方法对图形掩膜硅衬底进行刻蚀，例如，可以使用反应粒子刻蚀法、离子选择注入辅助电化学刻蚀法或者化学刻蚀法对图形掩膜硅衬底进行刻蚀。
1）反应离子刻蚀（RIE）方法。
反应离子刻蚀（RIE）法是利用一定压强下刻蚀气体在高频电场的作用下，使气体辉光放电产生分子游离基(游离的原子、分子或原子团)，对有掩蔽的硅衬底进行离子轰击和化学反应生成挥发性气体形成刻蚀的一种刻蚀方法。其中刻蚀气体可选择氧基（O2），氟基（SF6，CF4，CHF3等），氯基（Cl2等）以及溴基（HBr等）气体。
例如，一个实施例中，将图形掩膜硅衬底放入真空腔内，抽至所需真空度，通入反应气体。通常反应气体可以选择为HBr/He、Cl2/O2、CF4/O2、SF6/Ar、Cl2/Ar、SiCl4/Ar等多种气体组合。刻蚀气体的选择、配比以及详细参数设置可以视所采用的设备以及具体所采用的掩膜材料的来确定。
2）离子选择注入辅助电化学刻蚀法。
离子注入辅助化学刻蚀是依据不同的掺杂浓度以及半导体类型的刻蚀速率不同以N型硅衬底为例，利用硼离子选择注入，在N 型硅片上的局部微区域，形成易于腐蚀的P 型硅，用电化学腐蚀方法制备出图形化的周期槽状结构。一般情况下，掺杂越重，电阻率越低，越容易刻蚀。据此，以N型硅衬底为例：在沉积好氮化硅或氧化硅掩膜的N型硅衬底上进行硼离子注入，去除掩膜并经过退火处理后，通过电化学刻蚀的方法获得所需图形。
3）化学刻蚀方法。
化学腐蚀采通常采用的方法是氮化硅，氧化硅等作为掩膜，使用各向异性腐蚀液，例如EPW（乙二胺、邻苯二芬和水）、联胺、KOH、NaOH、LiOH、CsOH 和NH4OH等，在一定条件下对硅进行刻蚀。
采用化学刻蚀方法一般不使用金属材料作为掩膜，通常采用氮化硅材料作为掩膜。因此，具体实施方法可以为：将带有氮化硅掩膜的硅片放入各向异性腐蚀液中在一定条件下进行反应。腐蚀液可以采用KOH、水、异丙醇按一定比例配置，实验中加热的温度为50-95℃, 温控误差±1℃。
步骤16：去除掩膜层。
对图形掩膜硅衬底进行刻蚀处理之后，在步骤16中，可以从硅衬底（即经过了刻蚀处理的该图形掩膜硅衬底）上去除掩膜层。
可以使用多种适合的方法从硅衬底上去除掩膜层。
步骤18：在含硫气体中用激光脉冲辐照硅衬底。
去除了掩膜层之后，在步骤18中，将硅衬底（即经过了刻蚀处理并且去除了掩膜层的硅衬底）置于含硫气体中，并用激光脉冲辐照该硅衬底，这样，可以在硅衬底上的微结构单元阵列（例如，前述的预定图形凹槽阵列）表面形成纳米量级的尖锥状微结构，同时由于在含硫气体中进行辐照，使得硫（S）元素掺杂在辐照过程中发生，即，在辐照形成尖锥状微结构的同时还进行了硫掺杂，这样，最终获得所需要的黑硅材料。
本发明的实施例中，这里的含硫气体可以为六氟化硫（SF6）气体或者硫化氢（H2S）气体，或者为其他适合的含硫气体。
本发明的实施例中，激光脉冲的波长可以为400纳米-1000纳米（nm），照射的激光脉冲的数量可以为 500-2100个，激光脉冲的宽度可以为100飞秒(fs)至10纳秒(ns)，含硫气体的气压（工作气压）可以为60-70千帕（KPa）。
如图3所示，本发明的实施例的方法中，在硅衬底60上形成周期性的微米级的微结构单元阵列62，并且在含硫气体环境中使用高能激光对硅衬底上的微结构单元阵列62进行辐照，在微结构单元阵列62上形成纳米级的尖锥状微结构64，从而形成微纳双重结构，并且在辐照过程中同时实现了硫元素掺杂，这样获得所需的黑硅材料。由于表面形成了纳米结构，使得周期结构表面反射率降低，并且硫元素引入杂质能级，使得获得的黑硅材料的吸收波长得到扩展，因此该微纳双重结构比单一的微米尺度阵列结构吸收率更高，吸收波长范围更大；比单纯的纳米结构表面更加规整。并且工艺步骤简单，与现有成熟的硅材料加工技术兼容良好，易于实现阵列化，集成化，在光传感器，高灵敏度红外探测器以及太阳能电池的领域有巨大的应用潜力。
按照本发明实施例中提供的方法制造的黑硅材料，在紫外-可见光-近红外波长范围（250nm-2500nm）吸收率高达90%，克服了传统硅探测器在波长大于1100nm的范围光吸收率和响应率低的问题，初步克服了硅材料本身对吸收波长的限制。比单纯的微米阵列结构或者纳米结构吸收率更高，吸收波长范围更大。
以上通过具体的实施例对本发明进行了说明，但本发明并不限于这些具体的实施例。本领域技术人员应该明白，还可以对本发明做各种修改、等同替换、变化等等，这些变换只要未背离本发明的精神，都应在本发明的保护范围之内。此外，以上多处所述的“一个实施例”表示不同的实施例，当然也可以将其全部或部分结合在一个实施例中。 

Claims (10)

1.一种制造增强红外吸收黑硅材料的方法，其特征在于，包括：
在硅衬底上形成微结构单元阵列，所述微结构单元阵列中包括多个微结构单元，并且所述微结构单元阵列的周期和/或所述微结构单元的直径与探测目标的红外波长相同或者成比例；
将形成了所述微结构单元阵列的所述硅衬底置于含硫气体中，并用激光脉冲辐照所述硅衬底，获得所述增强红外吸收黑硅材料。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述微结构单元阵列的周期为1至2微米和/或所述微结构单元的直径为1至2微米。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述微结构单元为立方体、锥体、圆柱体、椭圆柱体、矩形槽、圆形槽和/或椭圆形槽。
4.如权利要求1至3中任意一项所述的方法，其特征在于，所述在硅衬底上形成微结构单元阵列的步骤包括：
在所述硅衬底上形成掩膜层；
在所述掩膜层上光刻形成预定图形通孔阵列，获得图形掩膜硅衬底，其中所述预定图形通孔阵列中包括多个预定图形通孔；
对所述图形掩膜硅衬底进行刻蚀，在所述图形掩膜硅衬底上形成预定图形凹槽阵列；
从所述图形掩膜硅衬底上去除所述掩膜层。
5.如权利要求4所述的方法，其特征在于：所述预定图形通孔阵列的周期和/或所述预定图形通孔的直径与探测目标的红外波长相同或者成比例。
6.如权利要求4或者5所述的方法，其特征在于：所述预定图形通孔阵列的周期为1至2微米和/或所述预定图形通孔的直径为1至2微米。
7.如权利要求1至5中任意一项所述的方法，其特征在于：所述含硫气体为六氟化硫气体或者硫化氢气体。
8.如权利要求1至5中任意一项所述的方法，其特征在于：所述激光波长为400纳米至1000纳米；所述激光脉冲为500至2100个；所述激光脉冲的宽度为100飞秒至10纳米；所述含硫气体的气压为60至70千帕。
9.如权利要求4至6中任意一项所述的方法，其特征在于：所述预定图形为圆形、矩形、正方形和/或椭圆形。
10.如权利要求1至5中任意一项所述的方法，其特征在于，对所述图形掩膜硅衬底进行刻蚀的步骤包括：用反应粒子刻蚀法、离子选择注入辅助电化学刻蚀法或者化学刻蚀法对所述图形掩膜硅衬底进行刻蚀。
CN201410275185.7A 2014-06-19 2014-06-19 一种制造增强红外吸收黑硅材料的方法 Pending CN104022186A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410275185.7A CN104022186A (zh) 2014-06-19 2014-06-19 一种制造增强红外吸收黑硅材料的方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410275185.7A CN104022186A (zh) 2014-06-19 2014-06-19 一种制造增强红外吸收黑硅材料的方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN104022186A true CN104022186A (zh) 2014-09-03

Family

ID=51438847

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201410275185.7A Pending CN104022186A (zh) 2014-06-19 2014-06-19 一种制造增强红外吸收黑硅材料的方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN104022186A (zh)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105355702A (zh) * 2015-11-17 2016-02-24 国家纳米科学中心 用于增强红外光谱探测的石墨烯等离激元器件及制备方法
CN106276775A (zh) * 2015-05-12 2017-01-04 国家纳米科学中心 一种微纳米阵列结构、制备方法及应用
CN111704103A (zh) * 2020-05-19 2020-09-25 西安交通大学 一种多尺度结构超疏水性能表面的制备方法
CN114068753A (zh) * 2021-11-18 2022-02-18 中北大学 一种基于微纳米复合结构的黑硅紫外pin型光电传感器

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102842651A (zh) * 2012-09-18 2012-12-26 电子科技大学 一种黑硅结构及其制造方法
US8384179B2 (en) * 2010-07-13 2013-02-26 University Of Electronic Science And Technology Of China Black silicon based metal-semiconductor-metal photodetector
CN103681970A (zh) * 2013-12-18 2014-03-26 电子科技大学 一种制造黑硅材料的方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8384179B2 (en) * 2010-07-13 2013-02-26 University Of Electronic Science And Technology Of China Black silicon based metal-semiconductor-metal photodetector
CN102842651A (zh) * 2012-09-18 2012-12-26 电子科技大学 一种黑硅结构及其制造方法
CN103681970A (zh) * 2013-12-18 2014-03-26 电子科技大学 一种制造黑硅材料的方法

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106276775A (zh) * 2015-05-12 2017-01-04 国家纳米科学中心 一种微纳米阵列结构、制备方法及应用
CN106276775B (zh) * 2015-05-12 2019-01-08 国家纳米科学中心 一种微纳米阵列结构、制备方法及应用
CN105355702A (zh) * 2015-11-17 2016-02-24 国家纳米科学中心 用于增强红外光谱探测的石墨烯等离激元器件及制备方法
CN111704103A (zh) * 2020-05-19 2020-09-25 西安交通大学 一种多尺度结构超疏水性能表面的制备方法
CN111704103B (zh) * 2020-05-19 2022-12-09 西安交通大学 一种多尺度结构超疏水性能表面的制备方法
CN114068753A (zh) * 2021-11-18 2022-02-18 中北大学 一种基于微纳米复合结构的黑硅紫外pin型光电传感器

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Elbersen et al. Fabrication and doping methods for silicon nano‐and micropillar arrays for solar‐cell applications: a review
CN103681970A (zh) 一种制造黑硅材料的方法
Liu et al. Hierarchical robust textured structures for large scale self-cleaning black silicon solar cells
US8802486B2 (en) Method of forming emitters for a back-contact solar cell
Chen et al. Ultrahigh throughput silicon nanomanufacturing by simultaneous reactive ion synthesis and etching
CN103367476B (zh) 一种n+/n型黑硅新结构及制备工艺
CN104022186A (zh) 一种制造增强红外吸收黑硅材料的方法
US20150137304A1 (en) Structure and fabrication method of a high performance mems thermopile ir detector
US20100071765A1 (en) Method for fabricating a solar cell using a direct-pattern pin-hole-free masking layer
CN103207021B (zh) 高性能mems热电堆红外探测器结构及其制备方法
CN103400887B (zh) 一种背照式Si-PIN光电探测器的制备方法
Zeng et al. Preparation of composite micro/nano structure on the silicon surface by reactive ion etching: Enhanced anti-reflective and hydrophobic properties
CN103647000B (zh) 一种晶体硅太阳电池表面织构化工艺
CN103809376A (zh) 一种无机相变光刻胶和基于无机相变光刻胶的光刻工艺
CN103765603A (zh) 带凹凸结构膜的玻璃基板的使用干式蚀刻的制造方法、带凹凸结构膜的玻璃基板、太阳能电池及太阳能电池的制造方法
Soueiti et al. A review of cost-effective black silicon fabrication techniques and applications
CN106601836A (zh) 一种基于纳米颗粒的光伏电池表面陷光结构的制造工艺
CN103979485B (zh) 一种微纳多孔硅材料的制备方法
Barron Cost reduction in the solar industry
Yang et al. Mask-free fabrication of inverted-pyramid texture on single-crystalline Si wafer
CN105742176B (zh) 蓝宝石窗片上制备菲涅尔透镜的方法及其应用
CN104310305A (zh) 基于飞秒激光的大规模阵列石墨烯纳机电谐振器制备方法
CN104103716A (zh) 一种实现多晶硅太阳能电池蜂窝陷光绒面的方法
KR101076355B1 (ko) 태양 전지 및 그 제조 방법
CN105206557A (zh) 一种光刻对准标记的制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C12 Rejection of a patent application after its publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20140903