CN104009160B - 一种聚合物太阳电池及其制备方法 - Google Patents

一种聚合物太阳电池及其制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN104009160B
CN104009160B CN201410268150.0A CN201410268150A CN104009160B CN 104009160 B CN104009160 B CN 104009160B CN 201410268150 A CN201410268150 A CN 201410268150A CN 104009160 B CN104009160 B CN 104009160B
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
anode
polymer solar
solar cells
oxalic acid
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN201410268150.0A
Other languages
English (en)
Other versions
CN104009160A (zh
Inventor
谭占鳌
屠逍鹤
孙刚
侯旭亮
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
North China Electric Power University
Original Assignee
North China Electric Power University
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by North China Electric Power University filed Critical North China Electric Power University
Priority to CN201410268150.0A priority Critical patent/CN104009160B/zh
Publication of CN104009160A publication Critical patent/CN104009160A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN104009160B publication Critical patent/CN104009160B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H10K30/20—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising organic-organic junctions, e.g. donor-acceptor junctions
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H10K30/80—Constructional details
    • H10K30/81—Electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/60—Forming conductive regions or layers, e.g. electrodes
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Abstract

本发明属于光伏材料与器件制备领域，特别涉及一种聚合物太阳电池及其制备方法。本发明聚合物太阳电池采用依次层叠的方式，从底层依次为衬底、透明导电金属氧化物阳极层、阳极修饰层、光电活性层、阴极修饰层和低功函阴极层，所述的阳极修饰层和阴极修饰层为通过不同方式处理的草酸铌膜。阳极修饰层可以有效的实现空穴的收集，在提高ITO功函的同时不易腐蚀ITO；阴极修饰层可选择性地收集电子、阻挡空穴，从而增大开路电压；通过阳极和阴极同时修饰使聚合物太阳能电池表现优异的性能。

Description

一种聚合物太阳电池及其制备方法
技术领域
本发明属于光伏材料与器件制备领域，特别涉及一种聚合物太阳电池及其制备方法。
背景技术
目前人类利用太阳能的方式主要可以分为两大类，即太阳能热利用和太阳能光电利用。太阳电池的工作原理是通过光电效应或者光化学效应直接把光能转化成电能。聚合物太阳电池因具有成本低、制作工艺简单、可制备成大面积柔性器件等优点而受关注。有机材料种类繁多、可设计性强，可通过对材料的设计和对器件结构的优化来提高太阳电池的性能。
在聚合物太阳电池中阳极的功函数不能与大多数共轭聚合物光伏材料的最高占据分子轨道能级相匹配，因此需要在阳极与活性层之间添加一层用于提高阳极功函数的阳极修饰层。此前常用PEDOT：PSS做为阳极修饰层，但它有吸湿性较强、形貌重复性差、腐蚀阳极等缺点。
对于活性层和金属阴极之间的修饰界面，即阴极修饰层的作用是：加强活性层和电极之间的能级匹配，优化活性层和电极之间的界面，提高阴极收集和提取电子的效率。阴极修饰层需要较低的功函，常用的是低功函金属，如Ca,Mg等，这类材料对水、氧敏感，使器件性能不稳定。目前比较普遍的阴极修饰层如金属氟化物LiF，受制于本身的电绝缘性，膜的厚度要求较薄，不足以在蒸镀电极或者在空气中较好地保护活性层。
本专利选用一种材料经过不同的方法处理，可分别作为阳极修饰层和阴极修饰层，该材料为水合草酸铌。水合草酸铌为白色结晶性粉末，易溶于水，同时易溶于甲醇、乙醇、异丙醇和异辛醇等有机溶剂。其水溶液为无色液体。分子式为C10H5NbO20·xH2O，分子量为538.04，其结构如图2所示。
发明内容
针对常被用作阳极修饰层的材料存在腐蚀电极，常被用作阴极修饰层的材料对水、氧敏感等问题，本发明提供了一种聚合物太阳电池及其制备方法。本发明的突破在于寻找一种新型材料，通过不同手段处理之后既可以作为高功函的阳极修饰材料修饰阳极，又可作为低功函的阴极修饰材料修饰阴极。
一种聚合物太阳电池，所述聚合物太阳电池由共轭聚合物给体和富勒烯衍生物受体的共混活性层夹在透明导电金属氧化物阳极层和低功函阴极层之间所组成；所述聚合物太阳电池中，衬底、透明导电金属氧化物阳极层、阳极修饰层、光电活性层、阴极修饰层和低功函阴极层顺次相连。聚合物太阳电池以金属导线与负载或测试装置连接，入射光从衬底方向射入。
所述阳极修饰层为经UVO处理的水合草酸铌薄膜，所述阳极修饰层的厚度为
所述阴极修饰层为未经任何处理的水合草酸铌薄膜，所述阴极修饰层的厚度为
一种聚合物太阳电池的制备方法，其具体步骤如下：
a.清洗聚合物太阳能电池的透明导电金属氧化物阳极层，并通过UVO对其进行表面处理；
b.在透明导电金属氧化物阳极层上匀速旋涂水合草酸铌溶液直至甩干，经热退火和UVO处理后得到阳极修饰层；
c.在阳极修饰层上制备光电活性层，在光电活性层上旋涂水合草酸铌溶液得到阴极修饰层，再在阴极修饰层之上制备低功函阴极层，即得到所述聚合物太阳能电池。
所述水合草酸铌溶液的溶剂为超纯水、甲醇、乙醇和异丙醇中的一种或多种。
在制备过程中主要利用水合草酸铌溶液的浓度以及旋涂的转速来控制水合草酸铌薄膜的厚度，所述水合草酸铌溶液的浓度为0.1mg/mL～5mg/mL，旋涂转速为1000rpm～6000rpm。
所述热退火的温度为20℃～250℃，热退火时间为1分钟～48小时。
所述阳极修饰层进行UVO的时间为2～30分钟。
本发明的有益效果为：
本发明在聚合物太阳电池中引入经UVO处理的水合草酸铌作为阳极修饰材料，提高了ITO的功函数，实现了空穴的高效收集；与现有的PEDOT：PSS相比，本发明还具有修饰层不腐蚀阳极、光电转换效率高、工艺简单，成本低廉，实验重复性好、适合于大规模工业化生产等特点。
本发明在聚合物太阳电池中引入未经任何处理的水合草酸铌作为阴极修饰材料，具有良好的化学和空气稳定性，保护活性层；提高阴极收集和提取电子的效率。
附图说明
图1为聚合物太阳电池结构示意图；
图中标号：1-低功函阴极层；2-阴极修饰层；3-光电活性层；4-阳极修饰层；5-透明导电金属氧化物阳极层；6-衬底；7-金属导线；8-负载或测试装置；9-入射光；
图2为水合草酸铌结构式；
图3为本发明实施例1所得ITO/UVO处理草酸铌/P3HT：PC60BM/Ca/Al电流-电压特性曲线；
图4为本发明实施例2所得ITO/UVO处理草酸铌/P3HT：IC60BA/Ca/Al电流-电压特性曲线；
图5为本发明实施例3所得ITO/UVO处理草酸铌/PBDTTT-C-T：PC70BM/Ca/Al电流-电压特性曲线；
图6为本发明实施例4所得ITO/PEDOT：PSS/P3HT：PC60BM/未经任何处理草酸铌/Al电流-电压特性曲线；
图7为本发明实施例5所得ITO/PEDOT：PSS/P3HT：PC60BM/未经任何处理草酸铌/Al电流-电压特性曲线；
图8为本发明实施例6所得ITO/UVO处理水合草酸铌/P3HT：PC60BM/未经任何处理草酸铌/Al电流-电压特性曲线。
具体实施方式
本发明提供了一种聚合物太阳电池及其制备方法，下面结合具体实施方式对本发明做进一步说明。
一种聚合物太阳电池，所述聚合物太阳电池由共轭聚合物给体和富勒烯衍生物受体的共混活性层夹在透明导电金属氧化物阳极层5和低功函阴极层1之间所组成；所述聚合物太阳电池中，衬底6、透明导电金属氧化物阳极层5、阳极修饰层4、光电活性层3、阴极修饰层2和低功函阴极层1顺次相连。聚合物太阳电池以金属导线7与负载或测试装置8连接，入射光9从衬底6方向射入。
所述阳极修饰层4为经UVO处理的水合草酸铌薄膜，所述阳极修饰层4的厚度为
所述阴极修饰层2为未经任何处理的水合草酸铌薄膜，所述阴极修饰层2的厚度为
实施例1
将溅射有氧化铟锡(ITO)的透明导电玻璃依次用洗洁精、自来水、去离子水、丙酮、异丙醇超声清洗2次，氮气吹干。将清洗后的溅射有氧化铟锡(ITO)的透明导电玻璃衬底6在紫外臭氧表面处理设备(UVO)中进行处理，然后在3000rpm的转速下旋涂水合草酸铌质量分数为2mg/mL的水合草酸铌水溶液直至甩干，将其放在烘箱内，在150℃温度下热退火后，在紫外臭氧表面处理设备(UVO)中进行处理，得到阳极修饰层4。将总浓度为20mg/mL的P3HT与PC60BM(P3HT与PC60BM的质量比为1：1)的混合溶液在800rpm的转速下直接旋涂于阳极修饰层4上，得到光电活性层3，其厚度约为200nm。最后，在5×10-5Pa下真空蒸镀20nm厚的Ca和100nm厚的Al作为阴极。所得聚合物太阳电池中草酸铌薄膜的厚度为该器件在100mW/cm2模拟太阳光照射下开路电压为0.60V，短路电流为9.48mA/cm2，填充因子为63.57％，转换效率为3.65％。图3给出了该器件在未经光照射和经100mW/cm2的模拟太阳光照射下的I-V曲线。
实施例2
将溅射有氧化铟锡(ITO)的透明导电玻璃依次用洗洁精、自来水、去离子水、丙酮、异丙醇超声清洗2次，氮气吹干。将清洗后的溅射有氧化铟锡(ITO)的透明导电玻璃衬底6在紫外臭氧表面处理设备(UVO)中进行处理，然后在1000rpm的转速下旋涂水合草酸铌质量分数为2mg/mL的水合草酸铌水溶液直至甩干，经过热退火15分钟后再关闭空气源，在紫外臭氧表面处理设备(UVO)中对其进行处理，处理得到阳极修饰层4。将总浓度为17mg/mL的P3HT与IC60BA(P3HT与IC60BA的质量比为1：1)的混合溶液在800rpm的转速下直接旋涂于阳极修饰层4上，得到光电活性层3，其厚度约为200nm。最后，在5×10-5Pa下真空蒸镀20nm厚的Ca和100nm厚的Al作为阴极。所得聚合物太阳电池中草酸铌薄膜的厚度为该器件在100mW/cm2模拟太阳光照射下开路电压为0.83V，短路电流为8.25mA/cm2，填充因子为58.1％，转换效率为4.01％。图4给出了该器件在未经光照射和经100mW/cm2的模拟太阳光照射下的I-V曲线。
实施例3
将溅射有氧化铟锡(ITO)的透明导电玻璃依次用洗洁精、自来水、去离子水、丙酮、异丙醇超声清洗2次，氮气吹干。将清洗后的溅射有氧化铟锡(ITO)的透明导电玻璃衬底6在紫外臭氧表面处理设备(UVO)中进行处理，然后在3000rpm的转速下旋涂水合草酸铌质量分数为5mg/mL的水合草酸铌水溶液直至甩干，将其放在烘箱内，在120℃温度下热退火后，在紫外臭氧表面处理设备(UVO)中进行处理，得到阳极修饰层4。将总浓度为12.5mg/mL的PBDTTT-C-T与PC70BM(PBDTTT-C-T与PC70BM的质量比为1：1.5)的混合溶液(再加入占PBDTTT-C-T与PC70BM混合溶液质量分数3％的DIO(l,8-二碘辛烷))在900rpm的转速下直接旋涂于阳极修饰层4上，得到光电活性层3其厚度为80nm～100nm。最后，在5×10-5Pa下真空蒸镀20nm厚的Ca和100nm厚的Al作为阴极。所得聚合物太阳电池中草酸铌薄膜的厚度为该器件在100mW/cm2模拟太阳光照射下开路电压为0.74V，短路电流为12.14mA/cm2，填充因子为60.39％，转换效率为5.44％。图5给出了该器件在未经光照射和经100mW/cm2的模拟太阳光照射下的I-V曲线。
实施例4
将溅射有氧化铟锡(ITO)的透明导电玻璃依次用洗洁精、自来水、去离子水、丙酮、异丙醇超声清洗2次，氮气吹干。将清洗后的溅射有氧化铟锡(ITO)的透明导电玻璃衬底6在紫外臭氧表面处理设备(UVO)中进行处理，然后在2000rpm的转速下旋涂PEDOT:PSS溶液，将其放在烘箱内，在150℃温度下热退火15分钟，自然冷却得到阳极修饰层4，其厚度为30nm～40nm。将总浓度为20mg/mL的P3HT与PC60BM(P3HT与PC60BM的质量比为1：1)的混合溶液在800rpm的转速下直接旋涂于阳极修饰层4上，得到光电活性层3，其厚度约为200nm。接着在光电活性层3上以2000rpm的转速旋涂水合草酸铌浓度为2mg/mL的水合草酸铌乙醇溶液直至甩干。在氮气环境下，在100℃温度下热退火，得到阴极修饰层2。最后，在5×10-5Pa下真空蒸镀100nm厚的Al作为阴极。所得聚合物太阳电池中草酸铌薄膜的厚度为该器件在100mW/cm2模拟太阳光照射下开路电压为0.58V，短路电流为10.46mA/cm2，填充因子为60.65％，转换效率为3.72％。图6给出了该器件在未经光照射和经100mW/cm2的模拟太阳光照射下的I-V曲线。
实施例5
将溅射有氧化铟锡(ITO)的透明导电玻璃依次用洗洁精、自来水、去离子水、丙酮、异丙醇超声清洗2次，氮气吹干。将清洗后的溅射有氧化铟锡(ITO)的透明导电玻璃衬底6在紫外臭氧表面处理设备(UVO)中进行处理，然后在2000rpm的转速下旋涂PEDOT:PSS溶液，将其放在烘箱内，在150℃温度下热退火15分钟，自然冷却得到阳极修饰层4，其厚度为30nm～40nm。将总浓度为20mg/mL的P3HT与PC60BM(P3HT与PC60BM的质量比为1：1)的混合溶液在800rpm的转速下直接旋涂于阳极修饰层4上，得到光电活性层3，其厚度约为200nm。接着在光电活性层3上以4000rpm的转速旋涂水合草酸铌浓度为3mg/mL的水合草酸铌乙醇溶液直至甩干，得到阴极修饰层2。最后，在5×10-5Pa下真空蒸镀100nm厚的Al作为阴极。所得聚合物太阳电池中草酸铌薄膜的厚度为该器件在100mW/cm2模拟太阳光照射下开路电压为0.56V，短路电流为9.24mA/cm2，填充因子为56.78％，转换效率为2.92％。图7给出了该器件在未经光照射和经100mW/cm2的模拟太阳光照射下的I-V曲线。
实施例6
将溅射有氧化铟锡(ITO)的透明导电玻璃依次用洗洁精、自来水、去离子水、丙酮、异丙醇超声清洗2次，氮气吹干。将清洗后的溅射有氧化铟锡(ITO)的透明导电玻璃衬底6在紫外臭氧表面处理设备(UVO)中进行处理，然后在3000rpm的转速下旋涂水合草酸铌质量分数为1mg/mL的水合草酸铌的水溶液，在150℃温度下热退火后，在紫外臭氧表面处理设备(UVO)中进行10～20分钟处理，得到阳极修饰层4。将总浓度为20mg/mL的P3HT与PC60BM(P3HT与PC60BM的质量比为1：1)的混合溶液在800rpm的转速下旋涂于阳极修饰层4上得到光电活性层3，其厚度约为200nm。在光电活性层3上以2000rpm转速旋涂水合草酸铌浓度为2mg/mL的水合草酸铌乙醇溶液得到阴极修饰层2。最后，在5×10-5Pa下真空蒸镀100nm厚的Al作为阴极。聚合物太阳电池中阳极修饰层草酸铌薄膜的厚度为阴极修饰层草酸铌薄膜的厚度为该器件在100mW/cm2的模拟太阳光照射下开路电压为0.52V，短路电流为9.77mA/cm2，填充因子为53.35％，转换效率为2.74％。图8给出了该器件在未经光照射和经100mW/cm2的模拟太阳光照射下的I-V曲线。

Claims (8)

1.一种聚合物太阳电池，其特征在于：所述聚合物太阳电池由共轭聚合物给体和富勒烯衍生物受体的共混活性层夹在透明导电金属氧化物阳极层(5)和低功函阴极层(1)之间所组成；所述聚合物太阳电池中，衬底(6)、透明导电金属氧化物阳极层(5)、阳极修饰层(4)、光电活性层(3)、阴极修饰层(2)和低功函阴极层(1)顺次相连；所述阳极修饰层(4)为经紫外臭氧处理的水合草酸铌薄膜。
2.根据权利要求1所述的一种聚合物太阳电池，其特征在于：所述阳极修饰层(4)的厚度为
3.根据权利要求1所述的一种聚合物太阳电池，其特征在于：所述阴极修饰层(2)为未经任何处理的水合草酸铌薄膜，所述阴极修饰层(2)的厚度为
4.一种聚合物太阳电池的制备方法，其特征在于，具体步骤如下：
a.清洗聚合物太阳电池的透明导电金属氧化物阳极层(5)，并通过紫外臭氧对其进行表面处理；
b.在透明导电金属氧化物阳极层(5)上匀速旋涂水合草酸铌溶液直至甩干，经热退火和紫外臭氧处理后得到阳极修饰层(4)；
c.在阳极修饰层(4)上制备光电活性层(3)，在光电活性层(3)上旋涂水合草酸铌溶液得到阴极修饰层(2)，再在阴极修饰层(2)之上制备低功函阴极层(1)，即得到所述聚合物太阳电池。
5.根据权利要求4所述的一种聚合物太阳电池的制备方法，其特征在于：所述水合草酸铌溶液的溶剂为超纯水、甲醇、乙醇和异丙醇中的一种或多种。
6.根据权利要求4所述的一种聚合物太阳电池的制备方法，其特征在于：所述水合草酸铌溶液的浓度为0.1mg/mL～5mg/mL，旋涂转速为1000rpm～6000rpm。
7.根据权利要求4所述的一种聚合物太阳电池的制备方法，其特征在于：所述热退火的温度为20℃～250℃，热退火时间为1分钟～48小时。
8.根据权利要求4所述的一种聚合物太阳电池的制备方法，其特征在于：所述阳极修饰层(4)进行紫外臭氧表面处理的时间为2～30分钟。
CN201410268150.0A 2014-06-17 2014-06-17 一种聚合物太阳电池及其制备方法 Expired - Fee Related CN104009160B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410268150.0A CN104009160B (zh) 2014-06-17 2014-06-17 一种聚合物太阳电池及其制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410268150.0A CN104009160B (zh) 2014-06-17 2014-06-17 一种聚合物太阳电池及其制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN104009160A CN104009160A (zh) 2014-08-27
CN104009160B true CN104009160B (zh) 2017-01-18

Family

ID=51369737

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201410268150.0A Expired - Fee Related CN104009160B (zh) 2014-06-17 2014-06-17 一种聚合物太阳电池及其制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN104009160B (zh)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103165814A (zh) * 2013-03-21 2013-06-19 北京大学 基于卤化钙阴极缓冲层的有机光伏器件及其制备方法
CN103378298A (zh) * 2012-04-28 2013-10-30 海洋王照明科技股份有限公司 倒置顶发射有机电致发光器件及其制备方法

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101082910B1 (ko) * 2010-02-26 2011-11-11 재단법인대구경북과학기술원 접합고리계 화합물을 포함하는 유기태양전지

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103378298A (zh) * 2012-04-28 2013-10-30 海洋王照明科技股份有限公司 倒置顶发射有机电致发光器件及其制备方法
CN103165814A (zh) * 2013-03-21 2013-06-19 北京大学 基于卤化钙阴极缓冲层的有机光伏器件及其制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN104009160A (zh) 2014-08-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103236503B (zh) 一种聚合物太阳能电池及其制备方法
CN108336244A (zh) 一种基于界面修饰的钙钛矿发光二极管及其制备方法
CN100583489C (zh) 一种聚合物太阳能电池的制备方法
CN101997085A (zh) 一种反型结构的有机小分子太阳能电池
CN103746077A (zh) 一种有机无机复合的太阳能电池及其制备方法
CN105226190A (zh) 一种平面异质结钙钛矿太阳能电池及其制备方法
Oh et al. PEDOT: PSS-free organic photovoltaic cells using tungsten oxides as buffer layer on anodes
CN101901874B (zh) 一种聚合物太阳能电池阳极表面修饰方法
CN106480422A (zh) 一种制备多晶钙钛矿薄膜的方法及太阳能电池器件
Chen et al. Morphologic improvement of the PBDTTT-C and PC71BM blend film with mixed solvent for high-performance inverted polymer solar cells
Yu et al. Fabrication and optimization of polymer solar cells based on P3HT: PC 70 BM system
CN102005537A (zh) 一种以苯甲酸锂为阴极修饰层的有机光伏电池及其制备方法
CN109851571B (zh) 一种共轭有机小分子界面修饰材料、制备方法及其构成的有机太阳电池
CN102769102A (zh) 一种可溶液加工的太阳能电池阳极修饰材料及其修饰方法
Aziz et al. Electrical Conductivity of Chlorophyll with Polythiophene Thin Film on Indium Tin Oxide as P‐N Heterojunction Solar Cell
CN103296222B (zh) 一种聚合物太阳能电池阴极修饰材料
CN104009160B (zh) 一种聚合物太阳电池及其制备方法
CN106449983B (zh) 一种钒氧化物阳极缓冲层及其制备方法和应用
CN102790177A (zh) 聚合物太阳能电池及其制备方法
CN101901872B (zh) 一种聚合物太阳能电池光电活性层的处理方法
CN108695435A (zh) 一种基于超声波退火工艺的有机太阳能电池及其制备方法
CN104022167B (zh) 一种醇溶性聚合物太阳电池阴极修饰材料及其修饰方法
CN107369765A (zh) 一种基于有机小分子空穴传输材料的钙钛矿太阳能电池及其制备方法
CN107833970B (zh) 一种钙钛矿薄膜的表面修饰方法
CN102231425A (zh) 一种聚合物太阳能电池及其制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20170118

Termination date: 20170617