CN104007499A - 波长可变干涉滤波器、滤光器设备、光模块以及电子设备 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种波长可变干涉滤波器、滤光器设备、光学模块及电子设备。该波长可变干涉滤波器（5）具备一对基板（51、52）；设置在这些基板上的一对反射膜（54、55）；第一电极（561）；第二电极（562）；设置在第一基板（51）上、从第一电极起一直设置到第一基板的外周缘侧的第一导通电极（563）；设置在第二基板（52）上、与第一导通电极导通的第二导通电极（564）；以及接合基板的接合面的接合层。第一基板具有与第一导通电极与第二导通电极接触的接触面相对的第一导通电极面（516），第二基板具有与上述接触面相对的第二导通电极面（564A），从第一导通电极面到第二导通电极面的最小距离D1与从第一接合面（515）到第二接合面（524）的最小距离D2不同。

Description

波长可变干涉滤波器、滤光器设备、光模块以及电子设备

技术领域

本发明涉及波长可变干涉滤波器、滤光器设备、光学模块以及电子设备。

背景技术

目前，已知有在一对基板彼此相对的面上隔着规定的间隙分别相对配置反射膜、在各基板彼此相对的面上分别设置驱动电极的波长可变干涉滤波器。在该波长可变干涉滤波器上，通过向驱动电极间施加电压，从而通过静电引力调节反射膜间的间隙。

在这样的波长可变干涉滤波器上，必须在各基板上形成从各驱动电极伸出的第一导通电极，针对这些第一导通电极实施用于施加电压的布线。

例如，在专利文献1所述的波长可变干涉滤波器上，彼此相对的第一基板和第二基板通过接合膜接合。接合膜被设置在第一基板的第一接合面和第二基板的第二接合面上。此外，在第一基板上，在与第一接合面的同一个平面上设置第一电极面，在第一电极面上设置用于向第二驱动电极施加电压的第一导通电极。专利文献1所述的波长可变干涉滤波器通过该第一导通电极与从第二基板的驱动电极伸出的第二导通电极进行面接触，从而形成第一导通电极与第二导通电极导通的状态。

但是，在专利文献1所述的波长可变干涉滤波器上，由于第一接合面与第一电极面设置在同一个平面上，因此，第一导通电极与第二导通电极接触的基板间导通部上的基板间距离受到第一接合面与第二接合面的间隔的限制。因此，基板间导通部上的第一导通电极与第二导通电极的膜厚受到接合膜的膜厚的限制，自由度低。因此具有难以根据波长可变干涉滤波器所需要的规格和性能使电极膜厚大于或小于接合层的膜厚的问题。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：特开2012-168438号公报

发明内容

本发明的目的在于提供可以提高在基板间使电极接触的基板间导通部上的电极膜厚的自由度的波长可变干涉滤波器，以及具有该波长可变干涉滤波器的滤光器设备、光学模块以及电子设备。

本发明是一种波长可变干涉滤波器，具备：第一基板；第二基板，所述第二基板与上述第一基板相对；第一反射膜，所述第一反射膜设置在上述第一基板上，反射一部分入射光且透过一部分；第二反射膜，所述第二反射膜设置在上述第二基板上，与上述第一反射膜相对，反射一部分入射光且透过一部分；第一电极，所述第一电极设置在上述第一基板上；第一导通电极，所述第一导通电极设置在上述第一基板上，从上述第一电极起一直设置到比上述第一电极更位于上述第一基板的外周缘侧；第二电极，所述第二电极设置在上述第二基板上，与上述第一电极相对；第二导通电极，所述第二导通电极设置在上述第二基板上，通过上述第一导通电极与上述第一电极电连接；接合层，所述接合层接合上述第一基板的第一接合面和与上述第一接合面相对的上述第二基板的第二接合面，其中，上述第一基板具有与上述第一导通电极与上述第二导通电极接触的接触面相对的第一导通电极面，上述第二基板具有与上述接触面相对的第二导通电极面，从上述第一导通电极面到上述第二导通电极面的最小距离与从上述第一接合面到上述第二接合面的最小距离不同。

在本发明中，波长可变干涉滤波器具有第二导通电极与第二导通电极接触的接触面，在第一基板上，第一导通电极设置在与接触面相对的第一导通电极面上，在第二基板上，第二导通电极设置在与接触面相对的第二导通电极面上。并且，在本发明中，从第一基板的第一接合面到第二基板的第二接合面的最小距离被设定成与从第一基板的第一导通电极面到第二基板的第二导通电极面的最小距离不同。即，在本发明中，第一接合面与第一导通电极面不在同一个平面上，被分别设置在第一基板的厚度方向不同的平面上。因此，在第一导通电极与第二导通电极进行电连接的基板间导通部上，可以不受接合层的膜厚的限制地设定第一导通电极和第二导通电极的膜厚。因此，根据本发明，可以提高在基板间使电极接触的基板间导通部上的电极膜厚的自由度。因此，可以根据波长可变干涉滤波器所需要的规格和性能使电极膜厚大于接合层的膜厚或小于接合层的膜厚。

在本发明的波长可变干涉滤波器上，优选使从上述第一导通电极面到上述第二导通电极面的最小距离大于从上述第一接合面到上述第二接合面的最小距离。

在本发明中，由于使从第一导通电极面到上述第二导通电极面的最小距离大于从第一接合面到第二接合面的最小距离，因此，在基板间导通部可以不受接合层的膜厚的限制、将第一导通电极和第二导通电极的膜厚设定成更厚。因此可以减小电极的电阻。

另一方面，优选使从上述第一导通电极面到上述第二导通电极面的最小距离小于从上述第一接合面到上述第二接合面的最小距离。

在本发明中，由于使从第一导通电极面到第二导通电极面的最小距离小于从第一接合面到第二接合面的最小距离，因此，在基板间导通部可以不受接合层的膜厚的限制、将第一导通电极和第二导通电极的膜厚设定成更薄。因此可以减小电极的膜应力，可以抑制因该膜应力引起的基板的挠曲或翘曲。

在本发明的波长可变干涉滤波器上，优选上述第二基板的设置上述第二导通电极面的部位相对于该第二基板的厚度方向具有可挠性。

在本发明中，在第一导通电极与第二导通电极接触时，由于该接触压，应力有可能施加在第二基板上。尤其是，如果为了提高第一导通电极面上的第一导通电极和第二导通电极面上的第二导通电极的导通可靠性，对这些电极进行压接，有可能大的应力施加在第二基板上。在本发明中，第二基板的设置第二导通电极面的部位具有可挠性。因此，通过具有该可挠性的部位进行挠曲，可以释放第一导通电极与第二导通电极接触时的接触压引起的应力。其结果，第二基板不会由于接触压引起的应力而挠曲，可以抑制波长可变干涉滤波器上的分辨率降低。

在本发明的波长可变干涉滤波器上，优选上述第一基板的设置上述第一导通电极面的部位相对该第一基板的厚度方向具有可挠性。

在本发明中，在第一导通电极与第二导通电极接触时，由于该接触压，应力有可能施加在第一基板上。尤其是，如果为了提高第一导通电极面上的第一导通电极和第二导通电极面上的第二导通电极的导通可靠性，对这些电极进行压接，有可能大的应力施加在第一基板上。在本发明中，第一基板的设置第一导通电极面的部位具有可挠性。因此，通过具有该可挠性的部位进行挠曲，可以释放第一导通电极与第二导通电极接触时的接触压引起的应力。其结果，第一基板不会由于接触压引起的应力而挠曲，可以抑制波长可变干涉滤波器上的分辨率降低。

本发明的与上述不同方式的波长可变干涉滤波器，向外部射出与相对的反射膜间的距离相应的波长的光，通过第一电极和与上述第一电极相对的第二电极的电位差改变上述距离，具备：设置了上述第一电极和与上述第一电极电连接的第一导通电极的第一基板、设置了上述第二电极和通过上述第一导通电极与上述第一电极电连接的第二导通电极的第二基板以及接合上述第一基板和上述第二基板的接合层，其特征在于，上述第一导通电极与上述第二导通电极重叠接触的层叠部的厚度与上述接合层的厚度不同。

在本发明中，第一基板上的第一导通电极与第二基板上的第二导通电极重叠接触的层叠部的厚度与接合层的厚度不同。在本发明中，在层叠部在第一基板的第一导通电极与第二基板的第二导通电极之间实现导通，可以不受接合层的厚度的限制地设定层叠部的厚度。因此，根据本发明可以提高在基板间使电极接触的基板间导通部上的电极膜厚的自由度。因此，可以根据波长可变干涉滤波器所需要的规格和性能，使电极膜厚比接合层的膜厚更厚或更薄。

本发明是一种滤光器设备，具备波长可变干涉滤波器和壳体，所述波长可变干涉滤波器具备：第一基板；第二基板，所述第二基板与上述第一基板相对；第一反射膜，所述第一反射膜设置在上述第一基板上，反射一部分入射光且透过一部分；第二反射膜，所述第二反射膜设置在上述第二基板上，与上述第一反射膜相对，反射一部分入射光且透过一部分；第一电极，所述第一电极设置在上述第一基板上；第一导通电极，所述第一导通电极设置在上述第一基板上，从上述第一电极起一直设置到比上述第一电极更位于上述第一基板的外周缘侧；第二电极，所述第二电极设置在上述第二基板上，与上述第一电极相对；第二导通电极，所述第二导通电极设置在上述第二基板上，通过上述第一导通电极与上述第一电极电连接；接合层，所述接合层接合上述第一基板的第一接合面和与上述第一接合面相对的上述第二基板的第二接合面，其中，上述第一基板具有与上述第一导通电极与上述第二导通电极接触的接触面相对的第一导通电极面，上述第二基板具有与上述接触面相对的第二导通电极面，从上述第一导通电极面到上述第二导通电极面的最小距离与从上述第一接合面到上述第二接合面的最小距离不同。

在本发明中，与上述发明一样，可以提高在波长可变干涉滤波器的基板间使电极接触的基板间导通部上的电极膜厚的自由度。除此之外，由于波长可变干涉滤波器被收容在壳体内，因此可以保护波长可变干涉滤波器避免受到例如搬运时的撞击等。此外，可以防止异物附着在波长可变干涉滤波器的第一反射膜或第二反射膜上。该异物例如是水珠或带电物质等。

本发明是一种光学模块，具备波长可变干涉滤波器和检测部，所述波长可变干涉滤波器具备：第一基板；第二基板，所述第二基板与上述第一基板相对；第一反射膜，所述第一反射膜设置在上述第一基板上，反射一部分入射光且透过一部分；第二反射膜，所述第二反射膜设置在上述第二基板上，与上述第一反射膜相对，反射一部分入射光且透过一部分；第一电极，所述第一电极设置在上述第一基板上；第一导通电极，所述第一导通电极设置在上述第一基板上，从上述第一电极起一直设置到比上述第一电极更位于上述第一基板的外周缘侧；第二电极，所述第二电极设置在上述第二基板上，与上述第一电极相对；第二导通电极，所述第二导通电极设置在上述第二基板上，通过上述第一导通电极与上述第一电极电连接；接合层，所述接合层接合上述第一基板的第一接合面和与上述第一接合面相对的上述第二基板的第二接合面，其中，上述第一基板具有与上述第一导通电极与上述第二导通电极接触的接触面相对的第一导通电极面，上述第二基板具有与上述接触面相对的第二导通电极面，从上述第一导通电极面到上述第二导通电极面的最小距离与从上述第一接合面到上述第二接合面的最小距离不同。

在本发明中，与上述发明一样，可以提高在波长可变干涉滤波器的基板间使电极接触的基板间导通部上的电极膜厚的自由度。因此可以将波长可变干涉滤波器的基板间导通部上的电极膜厚设定成比接合层的膜厚更厚或更薄，从而可以利用光学模块实现高精度的光量检测。

本发明是一种电子设备，具备波长可变干涉滤波器和控制部，所述波长可变干涉滤波器具备：第一基板；第二基板，所述第二基板与上述第一基板相对；第一反射膜，所述第一反射膜设置在上述第一基板上，反射一部分入射光且透过一部分；第二反射膜，所述第二反射膜设置在上述第二基板上，与上述第一反射膜相对，反射一部分入射光且透过一部分；第一电极，所述第一电极设置在上述第一基板上；第一导通电极，所述第一导通电极设置在上述第一基板上，从上述第一电极起一直设置到比上述第一电极更位于上述第一基板的外周缘侧；第二电极，所述第二电极设置在上述第二基板上，与上述第一电极相对；第二导通电极，所述第二导通电极设置在上述第二基板上，通过上述第一导通电极与上述第一电极电连接；接合层，所述接合层接合上述第一基板的第一接合面和与上述第一接合面相对的上述第二基板的第二接合面，其中，上述第一基板具有与上述第一导通电极与上述第二导通电极接触的接触面相对的第一导通电极面，上述第二基板具有与上述接触面相对的第二导通电极面，从上述第一导通电极面到上述第二导通电极面的最小距离与从上述第一接合面到上述第二接合面的最小距离不同。

在本发明中，与上述发明一样，可以提高在波长可变干涉滤波器的基板间使电极接触的基板间导通部上的电极膜厚的自由度。因此可以将波长可变干涉滤波器的基板间导通部上的电极膜厚设定成比接合层的膜厚更厚或更薄，从而可以高精度地取出在第一反射膜和第二反射膜之间被多重干涉后所选择的波长的光。因此，在使用了电子设备中的被取出的光的各种处理中也可以实现高精度的处理。

附图说明

图1是示出本发明的第一实施方式的分光测量装置的简要构成的框图。

图2是示出本实施方式的波长可变干涉滤波器的简要构成的俯视图。

图3是示出本实施方式的波长可变干涉滤波器的简要构成的截面图。

图4是从第二基板侧看本实施方式的波长可变干涉滤波器的第一基板的俯视图。

图5是从第一基板侧看本实施方式的波长可变干涉滤波器的第二基板的俯视图。

图6是本发明的第二实施方式的波长可变干涉滤波器的截面图。

图7是本发明的第三实施方式的波长可变干涉滤波器的截面图。

图8是本发明的第四实施方式的波长可变干涉滤波器的截面图。

图9是本发明的第五实施方式的波长可变干涉滤波器的部分截面图。

图10是示出本发明的第六实施方式的滤光器设备的简要构成的截面图。

图11是示出作为本发明的电子设备的测色装置的一例的框图。

图12是示出作为本发明的电子设备的气体检测装置的一例的简图。

图13是示出图12的上述气体检测装置的控制系统的构成的框图。

图14是示出作为本发明的电子设备的食物分析装置的简要构成的图。

图15是示出作为本发明的电子设备的光谱相机的简要构成的示意图。

具体实施方式

[第一实施方式]

以下根据附图就本发明的第一实施方式进行说明。

[分光测量装置的结构]

图1是示出本发明的第一实施方式的分光测量装置的简要构成的框图。

分光测量装置1是本发明的电子设备，是根据被测量对象X反射的测量对象光，对测量对象光的光谱进行测量的设备。在本实施方式中表示了测量被测量对象X反射的测量对象光的例子，但如果测量对象X使用液晶面板等发光体，也可以将该发光体发出的光作为测量对象光。

如图1所示，该分光测量装置1具有光学模块10和控制部20。

[光学模块的构成]

以下就光学模块10的构成进行说明。

如图1所示，光学模块10由波长可变干涉滤波器5、检波器（detector）11、I-V转换器12、放大器13、A/D转换器14以及电压控制部6构成。

检波器11接收透过了光学模块10的波长可变干涉滤波器5的光，根据所接收的光的光强度输出检测信号（电流）。

I-V转换器12将从检波器11输入的检测信号转换成电压值后向放大器13输出。

放大器13根据从I-V转换器12输入的检测信号将电压（检测电压）进行放大。

A/D转换器14将从放大器13输入的检测电压（模拟信号）转换成数字信号后向控制部20输出。

关于电压控制部6的构成将在后面进行具体说明。

（波长可变干涉滤波器的构成）

图2是示出波长可变干涉滤波器5的简要构成的俯视图，图3是在图2的III-III线上的波长可变干涉滤波器5的简要构成的截面图。

如图2所示，本实施方式的波长可变干涉滤波器5是所谓的法布里-珀罗标准具。如图2所示，该波长可变干涉滤波器5具有固定基板51和可动基板52。在本实施方式中将固定基板51相当于第一基板，可动基板52相当于第二基板地进行说明。此外，也可以与本实施方式相反，第一基板是可动基板52，第二基板是固定基板51。

这些固定基板51和可动基板52分别由各种玻璃或水晶、硅树脂等形成。基板使用的玻璃的种类例如有苏打玻璃、水晶玻璃、石英玻璃、铅玻璃、钾玻璃、硼硅玻璃、无碱玻璃等。通过对厚度例如为500μm的石英玻璃基材进行蚀刻处理形成固定基板51。通过对厚度例如为200μm的玻璃基材进行蚀刻加工形成可动基板52。

固定基板51和可动基板52通过使用了等离子重合膜的硅氧烷接合等，通过接合层彼此接合形成一体。具体是，固定基板51具有的第一接合面515与可动基板52具有的第二接合面524通过接合层被接合。接合层由第一接合膜531和第二接合膜532形成。第一接合膜531设置在第一接合面515上，第二接合膜532设置在第二接合面524上。

在固定基板51上设置固定反射膜54，在可动基板52上设置可动反射膜55。在本实施方式中，固定反射膜54相当于第一反射膜，可动反射膜55相当于第二反射膜。固定反射膜54反射入射光的一部分且透过一部分。可动反射膜55也反射入射光的一部分且透过一部分。

这些固定反射膜54和可动反射膜55隔着反射膜间间隙G1相对配置。并且，在波长可变干涉滤波器5上设置用于调节该反射膜间间隙G1的大小（间隙尺寸）静电致动器56。

该静电致动器56由设置在固定基板51上的固定电极561和设置在可动基板52上的可动电极562构成。在本实施方式中，固定电极561相当于第一电极，可动电极562相当于第二电极。此外固定电极561和可动电极562形成相对的驱动电极。

这些固定电极561和可动电极562可以是被直接设置在各固定基板51和可动基板52的基板表面的结构，也可以是隔着其他膜部件设置的结构。

（固定基板的构成）

图4是从可动基板52侧看固定基板51的俯视图。

固定基板51的厚度尺寸被形成大于可动基板52的厚度尺寸，静电致动器56引起的静电引力或设置在固定基板51上的膜部件的内部应力不会使固定基板51挠曲。设置在固定基板51上的膜部件例如是固定反射膜54等。

如图3和图4所示，该固定基板51例如具有通过蚀刻形成的电极配置槽511、反射膜设置部512和突出部514B。

反射膜设置部512具有与可动基板52相对的反射膜设置面512A。该反射膜设置面512A在滤波器的俯视观察中，是与固定基板51的滤波器中心点O为中心的规定半径的圆形的平面，形成与可动基板52与固定基板51相对的面（可动面522A）平行的面。此外，在本实施方式中，示出了圆形的反射膜设置面512A的例子，但不局限于此，可以是八角形或六角形等多边形，也可以是椭圆形。

电极配置槽511在滤波器的俯视观察中设置在反射膜设置部512的外侧，被设置成以滤波器中心点O为中心的环形。此外，电极配置槽511上的与可动基板52相对的面与可动基板52的距离比反射膜设置面512A更长。该电极配置槽511具有与可动基板52和反射膜设置面512A平行的电极设置面511A。

在固定基板51的外周缘设置切口部51A和切口部51B。在本实施方式中，切口部51A和切口部51B在图4所示的固定基板51的俯视图中看，在四角形的四个角内，在对角线的两个角上设置切口部51A和切口部51B。此外，在图4中表示了固定基板51的虚拟顶点C1和顶点C2，在顶点C1侧和顶点C2侧四角形地切开固定基板51而形成切口部51A和切口部51B。

固定基板51具有从电极配置槽511的外周缘侧向着切口部51A设置的第一槽514和从电极配置槽511的外周缘向着切口部51B设置的第二槽517。

第一槽514具有从电极配置槽511的外周缘向着切口部51A设置的第一槽部514A和与第一槽部514A的切口部51A侧的前端部连续设置的突出部514B。

第一槽部514A是通过蚀刻而设置成与电极配置槽511相同深度尺寸的槽，在本实施方式中，在滤波器的俯视观察中，被设置成L字形。

突出部514B是通过蚀刻而设置成深度尺寸比电极配置槽511浅、比第一槽部514A更向可动基板52侧突出的部位。该突出部514B与可动基板52相对的面在与第一接合面515不同的平面上，形成第一导通电极面516。

在本实施方式中，如图3所示，如果将固定基板51与可动基板52不相对的面作为第一标准面F1，第一导通电极面516就相对该第一标准面F1比第一接合面515更位于第一标准面F1侧。

此外，在本实施方式中，第一导通电极面516与反射膜设置面512A在同一面内。

第二槽517也是通过蚀刻而设置成深度尺寸与电极配置槽511相同的槽，在本实施方式中，在滤波器的俯视观察中，被设置成L字形。

在电极配置面511A设置形成静电致动器56的固定电极561。该固定电极561优选被设置成以滤波器中心点O为中心的略环形，进一步优选被设置成环形。此外这里所说的环形也包括切掉一部分，例如形成C字形等的结构。

此外，在固定基板51上从固定电极561的外周缘侧向着固定基板51的外周缘设置第一导通电极563。在本实施方式中，第一导通电极563从固定电极561的外周缘侧起，沿着向着切口部51A的第一槽部514A被一直设置到突出部514B。第一导通电极563的切口部51A侧的前端部被设置在突出部514B的第一导通电极面516。设置在第一导通电极面516上的第一导通电极563与设置在可动基板52的第二导通电极面上的第二导通电极接触并电连接。此外，第一导通电极563与第二导通电极接触的面是接触面，第一导通电极面516和第二导通电极面分别与接触面相对。

作为该固定电极561和第一导通电极563，只要具有导电性，可以由任意的材料形成。具体是，固定电极561和第一导通电极563由对于金属膜或合金膜具有良好的紧贴性的金属氧化物形成，例如由ITO（Indium TinOxide：铟锡氧化物）膜或Cr层和Au层的层叠体等形成。

此外，也可以形成在固定电极561上层叠绝缘膜的结构，绝缘膜用于确保固定电极561与可动电极562之间的绝缘性。

此外，在本实施方式中示出了在电极配置面511A设置了一个固定电极561的结构，也可以形成设置以滤波器中心点O为中心的同心圆的两个电极的结构（双重电极结构）等。

在反射膜设置部512的反射膜设置面512A设置固定反射膜54。

固定反射膜54可以直接设置在反射膜设置部512，也可以在反射膜设置部512的上面设置其他薄膜（层），然后设置在该薄膜上。固定反射膜54例如可以使用Ag等金属膜或Ag合金等导电性的合金膜。如果使用Ag等金属膜，最好形成用于抑制Ag劣化的保护膜。

此外，也可以使用高折射层用TiO2、低折射层用SiO2、交错层叠高折射层和低折射层设置的电介质多层膜，也可以使用层叠了电介质多层膜和金属膜的反射膜或层叠了电介质单层膜和合金膜的反射膜等。

可以在固定基板51的光射入面（未设置固定反射膜54的面）上，在与固定反射膜54对应的位置形成反射防止膜。可以通过交替层叠低折射率膜和高折射率膜设置该反射防止膜。通过该反射防止膜可以降低固定基板51的表面的可见光的反射率，增加透过率。

并且，在固定基板51与可动基板52相对的面中，未设置电极配置槽511、反射膜设置部512、第一槽部514A、突出部514B以及第二槽517的面形成第一接合面515。该第一接合面515通过由第一接合膜531和第二接合膜532形成的接合层被与可动基板52的第二接合面524接合。

（可动基板的构成）

图5是从固定基板51侧看可动基板52的俯视图。

可动基板52在滤波器俯视观察中，设置以滤波器中心点O为中心的圆形的变位部521。如图2、图3和图5所示，该变位部521具有可向着固定基板51进退地移动的圆柱形的可动部522、在可动基板52的厚度方向可移动地保持该可动部522的连接保持部523以及被设置在连接保持部523的外侧的基板外周部526。在滤波器俯视观察中，连接保持部523被设置成与圆柱形的可动部522同轴的环形。

在可动基板52与固定基板51相对的面上，与固定基板51的第一接合面515相对的区域成为可动基板52上的第二接合面524。第二接合面524通过由第一接合膜531和第二接合膜532形成的接合层与第一接合面515接合。

此外与固定基板51一样，在可动部522与固定基板51相反侧的面也可以设置反射防止膜。

对可动基板52的形成材料即平板形的玻璃基板进行蚀刻形成槽，从而形成变位部521。即，在可动基板52不与固定基板51相对的面上通过蚀刻形成用于形成连接保持部523的圆环形的圆环槽部523A，从而形成变位部521。

可动部522的厚度被设置成大于连接保持部523的厚度，例如，在本实施方式中被设置成与可动基板52的基板外周部526的厚度尺寸相同的尺寸。

该可动部522在滤波器的俯视观察中，直径尺寸被设置成至少大于反射膜设置面512A的外周缘的直径尺寸。

可动部522与固定基板51相对的面是可动面522A。该可动面522A被保持与固定基板51的反射膜设置面512A平行。在该可动面522A上设置形成静电致动器56的可动电极562和可动反射膜55。可动电极562可以直接设置在可动面522A上，也可以在可动面A的上面设置其他的薄膜（层）后设置在其上面。

如图2、图3和图5所示，可动电极562是被设置在可动面522A上的环形电极。该可动电极562与固定电极561形成上述的静电致动器56。作为该可动电极562与固定电极561一样，具有导电性即可，例如可以使用ITO膜或在Cr层上层叠了Au层的层叠体等。

在图5中示出了可动基板52的顶点C3和顶点C4。在本实施方式中，一旦固定基板51与可动基板52接合，固定基板51的顶点C1就被与可动基板52的顶点C4相对地配置，固定基板51的顶点C2就被与可动基板52的顶点C3相对地配置。

在本实施方式中，从可动电极562的外周缘侧到顶点C3侧设置挠曲成L字形的第三导通电极562A。第三导通电极562A的顶点C3侧的前端部形成与电压控制部6连接的电极垫562P。该电极垫562P在从固定基板51侧看波长可变干涉滤波器5的俯视观察中，在固定基板51的切口部51B上露出。一旦接合固定基板51和可动基板52，第三导通电极562A就被配置在固定基板51的第二槽517上。

可动反射膜55在可动部522的可动面521A的中心部隔着反射膜间间隙G1被与固定反射膜54相对设置。该可动反射膜55使用与上述固定反射膜54相同结构的反射膜。

此外，在本实施方式中示出了固定电极561与可动电极562之间的电极间间隙G2大于反射膜54、55之间的反射膜间间隙G1的例子，但不局限于此。例如，作为测量对象光如果使用红外线或远红外线等，根据测量对象光的波长区域，也可以形成反射膜间间隙G1大于电极间间隙G2的结构。

连接保持部523是围住可动部522周围的膜片。这样的连接保持部523比可动部522更容易挠曲，稍微的静电引力就可以使可动部522向固定基板51侧移位。在本实施方式中，示出了膜片状的连接保持部523，例如也可以形成设置了具有多对梁结构的连接保持部的结构等，这些梁结构被设置在相对可动部522的中心形成点对称的位置。

如图5所示，在可动基板52的顶点C4侧设置电极垫564P。该电极垫564P在从固定基板51侧看波长可变干涉滤波器5的俯视观察中，在固定基板51的切口部51A露出。电极垫564P与电压控制部6连接。在可动基板52上设置从电极垫564P沿着可动基板52面向着内侧的第二导通电极564。

第二导通电极564是与可动电极562和第三导通电极562A绝缘的电极，通过设置在固定基板51侧的第一导通电极563与固定电极561电连接。

第二导通电极564的可动基板52内侧的前端部被设置到固定基板51的突出部514B与第一导通电极面516相对的区域。设置第二导通电极564的该前端部的面是第二导通电极面564A。第二导通电极面564A与上述的接触面相对，也与第一导通电极面516相对。第二导通电极面564A上的第二导通电极564与第一导通电极面516上的第一导通电极563接触并电连接。

第二导通电极面564A与可动面522A和第二接合面524在同一个面上。另一方面，固定基板51的第一导通电极面516相对于第一标准面F1比第一接合面515更位于第一标准面F1侧。因此，如图2所示，从第一导通电极面516到第二导通电极面564A的最小距离D1大于从第一接合面515到第二接合面524的最小距离D2。

如果接合固定基板51和可动基板52，如图2所示，在基板间导通部Cp上，设置于第二导通电极面564A上的第二导通电极564就与设置于第一导通电极面516上的第一导通电极563进行面接触。由此，第二导通电极564与固定电极561形成被导通的状态。此外，如图2所示，第一导通电极563与第二导通电极564重叠接触的部位相当于本发明的一个方式中的层叠部。

第二导通电极564和第一导通电极563的表面优选使用低电阻的材料。这是因为可以降低上述面接触的部分的接触电阻，不介入额外的电阻成分，得到可靠的导通。该低电阻的材料例如可以选择Au等金属膜或Au/Cr等金属层叠体，或者在ITO等金属氧化物的表面层叠了Au等金属材料或Au/Cr等金属层叠体的结构。此外，针对由ITO等金属氧化物形成的电极，也可以形成只在形成上述面接触的区域周边局部地层叠金属膜或金属层叠膜的结构。

电极垫562P和电极垫564P可以由与固定电极561和可动电极562相同的材质形成。

电极垫562P和电极垫564P与电压控制部6连接。在驱动静电致动器56时，通过电压控制部6，在电极垫562P和电极垫564P上被施加电压，从而在固定电极561和可动电极562上被施加电压。

（电压控制部的构成）

电压控制部6与波长可变干涉滤波器5的可动基板52连接。具体是，电压控制部6通过可动基板52的电极垫564P与第二导通电极564连接，通过电极垫562P与第三导通电极562A连接。如上所述，第二导通电极564形成通过第一导通电极563与固定基板51的固定电极561导通的状态。

电压控制部6一旦从控制部20接收与测量对象波长对应的电压指令信号，就向电极垫562P和电极垫564P之间施加相应的电压。由此，在波长可变干涉滤波器5的形成静电致动器56的固定电极561和可动电极562之间产生根据施加电压的静电引力。通过该静电引力，可动部522向固定基板51侧移位，反射膜间间隙G1的大小发生变化。

（控制部的构成）

控制部20例如通过组合CPU和存储器等形成，控制分光测量装置1的整体动作。如图1所示，该控制部20具有滤波器驱动部21、光量获取部22以及分光测量部23。

此外，控制部20具有存储各种数据的存储部（省略图示），存储部存储用于控制静电致动器56的V-λ数据。

该V-λ数据记录相对于施加在静电致动器56上的电压的透过波长可变干涉滤波器5的光的峰值波长。

滤波器驱动部21设定通过波长可变干涉滤波器5取出的光的目标波长。并且，滤波器驱动部21从存储在存储部的V-λ数据读取与所设定的目标波长对应的目标电压值。并且，滤波器驱动部21向电压控制部6输出使其施加所读取的目标电压值的内容的控制信号。由此，目标电压值的电压被从电压控制部6向静电致动器56施加。

光量获取部22根据检波器11获取的光量、获取透过波长可变干涉滤波器5的目标波长的光的光量。

分光测量部23根据光量获取部22获取的光量，对测量对象光的光谱特性进行测量。

作为分光测量部23的分光测量方法例如有把对测量对象波长通过检波器11所检测的光量作为该测量对象波长的光量来测量分光光谱的方法。作为其他的分光测量方法有根据多个测量对象波长的光量推测分光光谱的方法等。

作为推测分光光谱的方法例如通过把相对多个测量对象波长的光量的每一个作为矩阵元素、生成测量光谱矩阵，使规定的转换矩阵作用于该测量光谱矩阵，从而推测成为测量对象的光的分光光谱。这种情况下，利用分光测量装置1对分光光谱已知的多个试样光进行测量，以使转换矩阵作用于根据测量获取的光量生成的测量光谱矩阵后而得的矩阵与已知的分光光谱的偏差为最小的方式设定转换矩阵。

［第一实施方式的作用效果］

在本发明的波长可变干涉滤波器5上，固定基板51具有的第一导通电极面516上的第一导通电极563与可动基板52具有的第二导通电极面564A上的第二导通电极564进行面接触且电连接。而且，在波长可变干涉滤波器5上，从固定基板51的第一接合面515到可动基板52的第二接合面524的最小距离D2被设定为与从固定基板51的第一导通电极面516到可动基板52的第二导通电极面564A的最小距离D1不同。即，在波长可变干涉滤波器5上，第一接合面515与第一导通电极面516不在同一个平面上，而被分别设置在在固定基板51的厚度方向不同的平面上。因此，在电连接第一导通电极563与第二导通电极564的基板间导通部Cp上，对由第一接合膜531和第二接合膜532形成的接合层的膜厚没有限制，可以设置第一导通电极563和第二导通电极564的膜厚。因此，根据波长可变干涉滤波器5，可以提高在固定基板51和可动基板52之间使电极接触的基板间导通部Cp上的电极膜厚的自由度。

而且，在波长可变干涉滤波器5上，从第一导通电极面516到第二导通电极面564A的最小距离D1大于从第一接合面515到第二接合面524的最小距离D2，因此，在基板间导通部Cp上对接合层的膜厚没有限制，可以增加第一导通电极563和第二导通电极564的膜厚。因此在波长可变干涉滤波器5上，可以减少电极的电阻。

而且，在波长可变干涉滤波器5上，第一导通电极面516和反射膜设置面512A在同一面内。因此，在进行固定基板51的蚀刻处理时，以与反射膜设置部512形成相同深度的方式进行蚀刻，形成突出部514B即可。即，不增加蚀刻工序的数量就可以生产波长可变干涉滤波器5。

［第二实施方式］

以下参考图6就本发明的第二实施方式进行说明。图6是表示本实施方式的波长可变干涉滤波器5A的截面简图。在以下的说明中，与上述实施方式相同的组成元件标注相同的符号，简化或省略其说明。

本实施方式的波长可变干涉滤波器5A与第一实施方式的波长可变干涉滤波器5的不同点在于，具有高度尺寸大于第一实施方式的固定基板51的突出部514B的突出部514C。

突出部514C是向可动基板52侧突出的部位，突出部514Ｃ与可动基板52相对的第一导通电极面516比第一接合面515更靠近可动基板52侧。在本实施方式中，突出部514Ｃ是未被蚀刻的区域，通过蚀刻形成第一接合面515。如图6所示，如果将固定基板51不与可动基板52相对的面作为第一标准面F1，第一导通电极面516就位于相对该第一标准面F1高于第一接合面515的位置。因此，在本实施方式中，如图6所示，从第一导通电极面516到第二导通电极面564A的最小距离D3小于从第一接合面515到第二接合面524的最小距离D2。

［第二实施方式的作用效果］

根据波长可变干涉滤波器5A，由于从第一导通电极面516到第二导通电极面564A的最小距离D3小于从第一接合面515到第二接合面524的最小距离D2，因此在基板间导通部Cp，对接合层的膜厚没有限制，可以增加第一导通电极563和第二导通电极564的膜厚。因此波长可变干涉滤波器5A，可以减少电极的膜应力，抑制因该膜应力引起的基板挠曲或翘曲。

［第三实施方式］

以下参考图7就本发明的第三实施方式进行说明。图7是示出本实施方式的波长可变干涉滤波器5B的截面简图。在以下的说明中，与上述实施方式相同的组成元件标注相同的符号，简化或省略其说明。

在波长可变干涉滤波器5B上，与第一实施方式的波长可变干涉滤波器的不同，形成了固定基板51相当于第二基板，可动基板52相当于第一基板的对应关系。即，在波长可变干涉滤波器5B上，用于向可动电极562施加电压的第二导通电极565被设置在固定基板51侧。在本实施方式中，在固定基板51上不设置像第一实施方式那样的切口部51A和切口部51B，而由矩形的基板形成。在本实施方式中，在突出部514B的更外侧部分，即在第一实施方式中作为切口部51A的部分设置电极垫部565P。第二导通电极565被从电极垫部565P起设置到突出部514B的上面。该突出部514B的上面是与可动基板52相对设置的第二导通电极面516Ａ，与反射膜设置面512A成为同一个平面。

在本实施方式中，在与电极垫部565P相对的可动基板52侧的区域设置切口部52A。从可动基板52的可动电极562的外周缘侧起向着切口部52A设置第一导通电极562B。在可动基板52与固定基板51相对的面内，与第二导通电极面516Ａ相对的面是第一导通电极面566，第一导通电极562B的切口部52A侧被配置在第一导通电极面566上。

第一导通电极562B在固定基板51的第一接合面515与可动基板52的第二接合面524通过第一接合膜531和第二接合膜532接合的状态下，与设置在第二导通电极面516Ａ上的第二导通电极565进行面接触，从而导通。

在本实施方式中，由于第二导通电极面516A比第一接合面515更位于第一标准面F1侧，因此，如图7所示，从第二导通电极面516A到第一导通电极面566的最小距离D4比从第一接合面515到第二接合面524的最小距离D2更长。

［第三实施方式的作用效果］

根据波长可变干涉滤波器5B，可以得到与上述第一实施方式相同的作用效果。

［第四实施方式］

以下参考图8就本发明的第四实施方式进行说明。图8是表示本实施方式的波长可变干涉滤波器5C的截面简图。在以下的说明中，与上述实施方式相同的组成元件标注相同的符号，简化或省略其说明。

在波长可变干涉滤波器5C的可动基板52上，在与第二导通电极面564A对应的位置设置槽部527。波长可变干涉滤波器5C与第一实施方式的波长可变干涉滤波器5的不同点在于该槽部527的有无。

在波长可变干涉滤波器5C上，在第二导通电极面564A与槽部527的底面之间设置具有可挠性的薄壁部528。该薄壁部528具有弹性。如果在固定基板51与可动基板52的接合工序中层叠第一导通电极563和第二导通电极564，薄壁部528就向与固定基板51分离的方向翘曲。利用薄壁部528的弹力，压接第一导通电极563和第二导通电极564。

［第四实施方式的作用效果］

根据本实施方式，可以得到与上述第一实施方式相同的作用效果以外，还可以得到以下效果。

根据本实施方式，一旦固定基板51和可动基板52彼此通过第一接合膜531和第二接合膜532接合，薄壁部528就向与第一导通电极面516分离的方向翘曲。因此，通过薄壁部528的弹力，第二导通电极面564A被向第一导通电极面516侧加力。最终设置在第一导通电极面516上的第一导通电极563与设置在第二导通电极面564A上的第二导通电极564被压接，可以更可靠地导通。而且，薄壁部528向与第一导通电极面516分离的方向翘曲，从而可以减少向可动部522和连接保持部523传输的力，抑制可动基板52的挠曲或翘曲。

［第五实施方式］

以下参考图9就本发明的第五实施方式进行说明。图9是示出本实施方式的波长可变干涉滤波器5D的一部分截面的截面简图。在以下的说明中，与上述实施方式相同的组成元件标注相同的符号，简化或省略其说明。

如图9所示，波长可变干涉滤波器5Ｄ与第三实施方式的波长可变干涉滤波器5B相比，不同点在于第二导通电极565不设置到突出部514B的上面，而在比突出部514B更外侧的部分与第一导通电极562B接触。

在本实施方式中，设置第二导通电极565和电极垫部565P的固定基板51的面成为第二导通电极面516B。如图9所示，第二导通电极面516B相对第二标准面F1比第一接合面515更位于第一标准面F1侧。因此，从第二导通电极面516B到第一导通电极面566的最小距离D5比从第一接合面515到第二接合面524的最小距离D2更长。此外，由于最小距离D5大于第三实施方式中的最小距离D4，因此第二导通电极565的膜厚不受固定电极561膜厚的限制，可以增加膜厚。

［第五实施方式的作用效果］

根据本实施方式，可以得到与上述第三实施方式相同的作用效果。

［第六实施方式］

以下根据附图就本发明的第六实施方式进行说明。

在上述第一实施方式的分光测量装置1中形成了针对光学模块10直接设置波长可变干涉滤波器5的结构。但是，作为光学模块也有具有复杂结构的光学模块，尤其是对于小型化的光学模块，有时很难直接设置波长可变干涉滤波器5。在本实施方式中，在下面就可以容易地将波长可变干涉滤波器5设置于这样的光学模块的滤光器设备进行说明。

图10是示出本实施方式的滤光器设备的简要构成的截面图。在图10中示出了第一实施方式的波长可变干涉滤波器5被收容在壳体601内的状态。与上述实施方式相同的组成元件标注相同的符号，简化或省略其说明。

如图10所示，滤光器设备600具备波长可变干涉滤波器5和收容该波长可变干涉滤波器5的壳体601。

壳体601具备底部基板610、盖板620、底部侧玻璃基板630以及盖板侧玻璃基板640。

底部基板610例如由单层陶瓷基板构成。在该底部基板610上设置有波长可变干涉滤波器5的可动基板52。作为将可动基板52向底部基板610设置的方法，可以通过例如粘合层等配置，也可以通过嵌合于其他固定部件等来配置。此外，在底部基板610上开口形成光通过孔611。并且，为了覆盖该光通过孔611而接合底部侧玻璃基板630。底部侧玻璃基板630的接合方法例如可以采用玻璃粉接合以及通过环氧树脂等的粘合等，其中，玻璃粉接合使用以高温将玻璃原料熔解后进行淬火的玻璃碎片。

在该底部基板610的与盖板620相对的底部内侧面612，与波长可变干涉滤波器5的第三导通电极562A、第二导通电极564的每一个对应地设置内侧端子部615。第三导通电极562A、第二导通电极564与内侧端子部615的连接例如可以使用FPC615A，通过例如Ag膏，ACF（异方性导电膜）、ACP（异方性导电膏）等接合。在将内部空间650保持在真空状态的情况下，优选使用放气少的Ag膏。此外，不仅限于利用FPC615A的连接，也可以实施例如引线接合法等布线连接。

此外，在底部基板610与设有各内侧端子部615的位置相对应地形成有贯通孔614，各内侧端子部615通过被向贯通孔614填入的导电性部件与设置于底部基板610的底部内侧面612的相反侧的底部外侧面613的外侧端子部616连接。

并且，在底部基板610的外周部设有与盖板620接合的底部接合部617。

如图10所示，盖板620具备：与底部基板610的底部接合部617接合的盖板接合部624、从盖板接合部624起连续并向与底部基板610分离的方向立起的侧壁部625以及从侧壁部625起连续并覆盖波长可变干涉滤波器5的固定基板51侧的顶面部626。该盖板620可以由例如可伐合金（kovar）等合金或金属形成。

通过使盖板接合部624与底部基板610的底部接合部617接合，该盖板620被紧贴接合在底部基板610上。

作为该接合方法，例如，除了激光焊接以外，还可以例举出：使用了银焊料等的焊接、使用了共晶合金层的密封、使用了低熔点玻璃的熔敷、玻璃粘接、玻璃粉（glass frit）接合、环氧树脂的粘结等。可以根据底部基板610和盖板620的材料或者接合环境等适当地选择这些接合方法。

盖板620的顶面部626与底部基板610平行。在该顶面部626上开口形成光通过孔621。并且，为了覆盖该光通过孔621而接合盖板侧玻璃基板640。盖板侧玻璃基板640的接合方法与底部侧玻璃基板630的接合一样，例如可以使用玻璃粉接合、环氧树脂等的粘结等。

［第六实施方式的作用效果］

在上述的本实施方式的滤光器设备600中，由于通过壳体601保护波长可变干涉滤波器5，因此可以防止由于外因引起波长可变干涉滤波器5的破损。此外，由于形成滤光器设备600的内部被密封的结构，因此，可以防止水滴或带电物质等异物侵入，也可以防止这些异物附着在固定反射膜54或可动反射膜55上的问题。

［其他实施方式］

本发明并不局限于上述的实施方式，在可以实现本发明的目的的范围内的翘曲、改良等都包含于本发明内。

在上述的实施方式中，以通过形成在基板上的开口部，从而电极垫露在外部的结构为例进行了说明，但本发明不局限于这样的结构。也可以形成使未设置切口部的彼此大小不同的基板之间接合的结构。例如，如第一实施方式所示，如果是在可动基板侧设置电极垫的结构，就使用比不具有切口部的固定基板更大的可动基板。也可以形成通过使该可动基板比固定基板的外周缘更向外侧突出，在该突出部分上设置电极垫，从而该电极垫露在外部的结构。

在上述的实施方式中以第一导通电极面516与反射膜设置面512A在同一面内的方式和第二导通电极面516Ａ与反射膜设置面512A在同一面内的方式为例进行了说明，但不局限于这样的方式，也可以是不在同一面内，而分别设置在不同面上的方式的波长可变干涉滤波器。

在上述第四实施方式的波长可变干涉滤波器5C上，以在可动基板52侧上设置了薄壁部528的方式为例进行了说明，但不局限于这样的方式，可以在固定基板51的第一导通电极面516侧的部位设置具有可挠性的部位，也可以设置在双方。设置这样的薄壁部不局限于上述第四实施方式，也可以应用于在其他实施方式中说明的波长可变干涉滤波器或除此之外的本发明的波长可变干涉滤波器。

在上述实施方式中示出了通过由固定电极561和可动电极562形成的静电致动器56使反射膜间间隙G1的大小可变化的结构，但不受其限制。

例如，也可以形成使用设置在固定基板51上的第一感应线圈和设置在可动基板52上的第二感应线圈或永久磁铁形成的感应致动器的结构。

而且，也可以形成使用压电致动器来取代静电致动器56的结构。这种情况下，例如将下部电极层、压电膜和上部电极层层叠配置在连接保持部523，使向下部电极层和上部电极层之间施加的电压作为输入值可进行变化，从而可以使压电膜伸缩，使连接保持部523挠曲。

而且，不仅限于通过施加电压使反射膜间间隙G1的大小发生变化的结构，还可以示出例如，相对于波长可变干涉滤波器5的外部的气压，使固定基板51和可动基板52之间的气压进行变化，从而调整反射膜间间隙G1的大小的结构等。

此外，在上述各实施方式中，作为本发明的电子设备示出了分光测量装置1，除此之外，在各个领域也可以应用本发明的波长可变干涉滤波器、滤光器设备、光学模块以及电子设备。

例如，如图11所示，也可以将本发明的电子设备应用于测量颜色的测色装置。

图11是示出具备波长可变干涉滤波器5的测色装置400的一例的框图。

如图11所示，该测色装置400具备：向检查对象A射出光的光源装置410、测色传感器420（光学模块）以及控制测色装置400的整体动作的控制装置430（控制部）。并且，该测色装置400是使从光源装置410射出的光在检查对象A反射，通过测色传感器420接收所反射的检查对象光，根据从测色传感器420输出的检测信号来分析并测量检查对象光的色度、即检查对象A的颜色。

光源装置410具备光源411和多个透镜412（图11中仅示出了一个），对检查对象A例如射出基准光（例如白色光）。此外，在多个透镜412中也可以包含准直透镜，在这种情况下，光源装置410通过准直透镜使从光源411射出的基准光变为平行光，再从未图示的投射透镜向着检查对象A射出。此外，在本实施方式中虽然示出了具备光源装置410的测色装置400，但如果检查对象A是液晶面板等发光部件，也可以形成不设置光源装置410的结构。

如图11所示，测色传感器420具备：波长可变干涉滤波器5、接收透过波长可变干涉滤波器5的光的检波器11以及控制向波长可变干涉滤波器5的静电致动器56施加电压的电压控制部15。此外，测色传感器420在与波长可变干涉滤波器5相对的位置具备未图示的入射光学透镜，该入射光学透镜将被检查对象A反射的反射光（检查对象光）导光到内部。并且，该测色传感器420通过波长可变干涉滤波器5对从入射光学透镜入射的检查对象光中的规定波长的光进行分光，并通过检波器11接收分光后的光。

控制装置430是本发明的控制部，控制测色装置400的整体动作。

作为该控制装置430，可以使用例如通用个人计算机、便携式信息终端以及其他测色专用计算机等。并且，如图11所示，控制装置430被构成为包括光源控制部431、测色传感器控制部432以及测色处理部433等。

光源控制部431与光源装置410连接，根据例如用户的设定输入向光源装置410输出规定的控制信号，使其射出规定亮度的白色光。

测色传感器控制部432与测色传感器420连接，根据例如用户的设定输入设定由测色传感器420接收的光的波长，并将表示检测该波长的光的光接收量的指示信号输出至测色传感器420。由此，测色传感器420的电压控制部15根据控制信号，向静电致动器56施加电压，并使波长可变干涉滤波器5驱动。

测色处理部433根据由检波器11检测到的光接收量来分析检测对象A的色度。并且，测色处理部433也可以与上述第一实施方式一样，将通过检波器421得到的光量作为测量光谱D，利用估计矩阵MS推算分光光谱，从而分析检查对象A的色度。

此外，作为本发明的电子设备的其他例子，可以例举有用于检测指定物质存在的光基板的系统。作为这种系统，例如可以示出采用使用了本发明的波长可变干涉滤波器5的分光测量方式、高灵敏度地检测指定气体的车载用泄漏检测器或者呼吸检查用的光声稀有气体检测器等气体检测装置。

根据下面的附图就这样的气体检测装置的一例进行说明。

图12是示出具备波长可变干涉滤波器5的气体检测装置的一例的简图。

图13是示出图12的气体检测装置的控制系统的结构的框图。

如图12所示，该气体检测装置100被构成为包括传感器芯片110、具有吸引口120A、吸引流路120B、排出流路120C以及排出口120D的流路120以及本体部130。

本体部130由检测装置、处理被检测的信号并控制检测部的控制部138以及供电的供电部139等构成，其中，该检测装置包括：具有可装卸流路120的开口的传感器部盖131、排出单元133、壳体134、光学部135、滤波器136、波长可变干涉滤波器5以及光接收元件137（检测部）等。此外，光学部135被构成为包括：射出光的光源135A、将从光源135A射入的光向传感器芯片110侧反射并使从传感器芯片110侧射入的光向光接收元件137侧透过的光束分离器135B以及透镜135C、135D、135E。

此外，如图13所示，在气体检测装置100的表面上设置有操作面板140、显示部141、用于与外部的接口的连接部142以及供电部139。如果供电部139是蓄电池，也可以具备用于充电的连接部143。

而且，如图13所示，气体检测装置100的控制部138具备由CPU等构成的信号处理部144、用于控制光源135A的光源驱动电路145、用于控制波长可变干涉滤波器5的电压控制部146、接收来自光接收元件137的信号的光接收电路147、接收读取传感器芯片110的代码并检测有无传感器芯片110的传感器芯片检测器148的信号的传感器芯片检测电路149以及控制排出单元133的排出驱动电路150等。此外，气体检测装置100具有存储V-λ数据的存储部（省略图示）。

以下就上述的气体检测装置100的操作进行说明。

在本体部130的上部的传感器部盖131的内部设置有传感器芯片检测器148，并通过该传感器芯片检测器148检测有无传感器芯片110。信号处理部144一旦检测到来自传感器芯片检测器148的检测信号，就判断处于安装有传感器芯片110的状态，向显示部141发出表示能实施检测操作的显示信号。

然后，当例如通过使用者对操作面板140的操作，并将来自操作面板140的表示开始检测处理的指示信号输出给信号处理部144时，首先，信号处理部144就向光源驱动电路145输出光源动作的信号以使光源135A动作。一旦驱动光源136A，就从光源135A输出单波长且直线偏振的稳定的激光。此外，在光源135A中内置有温度传感器和光量传感器，该信息被输出给信号处理部144。然后，信号处理部144根据从光源135A输入的温度和光量，判断光源135A已稳定动作，就控制排出驱动电路150使排出单元133动作。由此，包括需要检测的目标物质（气体分子）的气体试样被从吸引口120A导向吸引流路120B、传感器芯片110内、排出流路120C、排出口120D。此外，在吸引口120A设置有灰尘过滤器120A1，除去比较大的粉尘和一部分水蒸气等。

此外，传感器芯片110是安装有多个金属纳米结构体，利用了局部表面等离子体共振的传感器。在这样的传感器芯片110中，通过激光在金属纳米结构体间形成增强电场，当气体分子进入该增强电场内时，会产生包括分子振动信息的拉曼散射光和瑞利散射光。

这些瑞利散射光和拉曼散射光通过光学部135入射到滤波器136，通过滤波器136分离瑞利散射光，从而拉曼散射光入射到波长可变干涉滤波器5。并且，信号处理部144向电压控制部146输出控制信号。由此，电压控制部146如上述第一实施方式所示地通过存储部读取与测量对象波长对应的电压值，向波长可变干涉滤波器5的静电致动器56施加该电压，通过波长可变干涉滤波器5使与作为检测对象的气体分子对应的拉曼散射光分光。然后，当通过光接收元件137接收到分光后的光时，与光接收量相应的光接收信号通过光接收电路147被向信号处理部144输出。这种情况下，可以高精度地从波长可变干涉滤波器5取出目标拉曼散射光。

信号处理部144将上述获得的与作为检测对象的气体分子相对应的拉曼散射光的光谱数据和存储于ROM中的数据进行比较，并判断是否是目标气体分子，从而指定物质。然后，信号处理部144在显示部141上显示该结果信息或从连接部142向外部输出。

在上述的图12和图13中示出了利用波长可变干涉滤波器5对拉曼散射光进行分光，并通过分光后的拉曼散射光进行气体检测的气体检测装置100，但作为气体检测装置，也可以用作通过检测气体固有的吸光度来指定气体种类的气体检测装置。在这种情况下，可以把使气体流入传感器内部且检测入射光中被气体吸收的光的气体传感器作为本发明的光学模块。并且，可以把通过该气体传感器分析、判断流入传感器内的气体的气体检测装置作为本发明的电子设备。即使在这样的结构中，也可以使用波长可变干涉滤波器检测气体成分。

此外，作为用作检测指定物质存在的系统，并不仅限于检测上述的气体，还可以示出基于近红外线分光的糖类的非侵入式测量装置或者食物或生物、矿物等信息的非侵入性测量装置等的物质成分分析装置。

以下作为上述物质成分分析装置的一例就食物分析装置进行说明。

图14是示出使用了波长可变干涉滤波器5的电子设备的一例即食物分析装置的简要构成的图。

如图14所示，该食物分析装置200包括检测器210（光学模块）、控制部220和显示部230。检测器210包括用于射出光的光源211、导入来自测量对象物的光的摄像透镜212、对从摄像透镜212导入的光进行分光的波长可变干涉滤波器5以及检测分光后的光的摄像部213（检测部）。

此外，控制部220包括光源控制部221，用于实施对光源211的点灯、灭灯控制、点亮时的亮度控制；电压控制部222，用于控制波长可变干涉滤波器5；检测控制部223，用于控制摄像部213并获取通过摄像部213拍摄到的分光图像；信号处理部224以及存储部225。

当驱动系统时，该食物分析装置200就通过光源控制部221控制光源211，从光源211向测量对象物照射光。并且，被测量对象物反射的光通过摄像透镜212入射到波长可变干涉滤波器5。波长可变干涉滤波器5在电压控制部222的控制下波长可变干涉滤波器5被驱动。由此可以高精度地通过波长可变干涉滤波器5取出目标波长的光。并且，通过例如CCD摄像机等构成的摄像部213对取出的光进行拍摄。并且将拍摄到的光作为分光图像存储在存储部225。此外信号处理部224控制电压控制部222使施加给波长可变干涉滤波器5上的电压值进行变化，并获取针对各波长的分光图像。

然后，信号处理部224对存储部225存储的各图像中的各像素的数据进行运算处理，以求得各像素中的光谱。并且，在存储部225中存储例如与光谱相对的有关食物成分的信息，信号处理部224根据存储部225所存储的与食物有关的信息对求得的光谱数据进行分析，并求得检测对象中含有的食物成分及其含有量。此外，也可以通过求得的食物成分和含有量计算出食物卡路里和新鲜度等。而且，通过分析图像内的光谱分布，也可以实施检查对象的食物中新鲜度降低部分的提取等，进而也可实施食物内所包括的异物等的检测。

并且，信号处理部224进行以下处理：在显示部230显示上述获得的检查对象的食物成分和含有量、卡路里和新鲜度等信息。

此外，在图14中虽然示出了食物分析装置200的例子，但通过大致相同的结构，也可以用作上述其他信息的非侵入式测量装置。例如可以用作进行血液等体液成分等的测量、分析等的分析生物成分的生物分析装置。作为这样的生物分析装置，例如作为对血液等的体液成分进行测量的装置，如果是检测乙醇的装置，则可用作检查驾驶员的饮酒状态的防止酒后驾驶装置。此外，也可用作具有这样的生物分析装置的电子内窥镜系统。

此外还可用作实施矿物成分分析的矿物分析装置。

作为本发明的波长可变干涉滤波器、滤光器设备、光学模块、电子设备还可以应用于以下的装置。

例如，通过使各波长的光的强度随着时间的变化而变化，从而还可以利用各波长的光传输数据，在这种情况下，通过设置在光学模块上的本发明的波长可变干涉滤波器对指定波长的光进行分光，并通过光接收部接收，从而可以提取出通过指定波长的光传输的数据，并可通过具有这样的数据选出用光学模块的电子设备处理各波长的光的数据，从而可以实施光通讯。

此外，作为电子设备，也可以应用于通过利用本发明的波长可变干涉滤波器5将光进行分光并拍摄分光图像的分光照相机、分光分析仪等。作为这样的分光照相机的一例，可以例举有内置了波长可变干涉滤波器5的红外线照相机。

图15是示出分光照相机的简要构成的示意图。如图15所示，分光照相机300包括照相机本体310、摄像透镜单元320以及摄像部330（检测部）。

照相机本体310是使用者把持和进行操作的部分。

摄像透镜单元320设置在摄像机本体310上，将入射的图像光导向摄像部330。并且，如图15所示，该摄像透镜单元320被构成为包括物镜321、成像透镜322以及设置在这些透镜间的波长可变干涉滤波器5。

摄像部330由光接收元件构成，其对通过摄像透镜单元320导入的图像光进行拍摄。

在这样的分光摄像机300中，通过波长可变干涉滤波器5使作为摄像对象的波长的光透过，从而可以对所需要的波长的光的分光图像进行拍摄。

而且，也可以将本发明的波长可变干涉滤波器作为带通滤波器使用。例如也可被用作仅将发光元件射出的规定波段的光中的以规定波长为中心的窄带光通过波长可变干涉滤波器进行分光并使其透过的光学式激光设备。

此外，也可以将本发明的波长可变干涉滤波器用作生物认证装置，例如可以应用于使用了近红外区域或可见区域的光的血管或指纹、视网膜、虹膜等的认证装置。

并且，可以将光学模块和电子设备用作浓度检测装置。在该情况下，利用波长可变干涉滤波器对从物质射出的红外能量（红外光）进行分光后分析，并测量采样中的被检体浓度。

如上所述，本发明的波长可变干涉滤波器、滤光器设备、光学模块和电子设备还可应用于从入射光中分光规定的光的任意装置。并且，如上所述，本发明的波长可变干涉滤波器由于可以通过一台设备对多个波长进行分光，所以可以高精度地实施对多个波长的光谱的测量、对多个成分进行检测。因此，与用多台设备取出想要的波长的现有的装置相比，可促进光学模块和电子设备的小型化，且可优选作为便携用或车载用的光学设备。

此外，本发明实施时的具体构造在能够达到本发明的目的的范围内，可以适当地变更为其他构造等。

Claims (9)

1.一种波长可变干涉滤波器，其特征在于，具备：

第一基板；

第二基板，所述第二基板与所述第一基板相对；

第一反射膜，所述第一反射膜设置在所述第一基板上；

第二反射膜，所述第二反射膜设置在所述第二基板上，与所述第一反射膜相对；

第一电极，所述第一电极设置在所述第一基板上；

第一导通电极，所述第一导通电极设置在所述第一基板上，从所述第一电极起一直设置到比所述第一电极更位于所述第一基板的外周缘侧；

第二电极，所述第二电极设置在所述第二基板上，与所述第一电极相对；

第二导通电极，所述第二导通电极设置在所述第二基板上，通过所述第一导通电极与所述第一电极电连接；以及

接合层，所述接合层接合所述第一基板的第一接合面和与所述第一接合面相对的所述第二基板的第二接合面，

所述第一基板具有与所述第一导通电极与所述第二导通电极接触的接触面相对的第一导通电极面，

所述第二基板具有与所述接触面相对的第二导通电极面，

从所述第一导通电极面到所述第二导通电极面的最小距离与从所述第一接合面到所述第二接合面的最小距离不同。

2.根据权利要求1所述的波长可变干涉滤波器，其特征在于，从所述第一导通电极面到所述第二导通电极面的最小距离大于从所述第一接合面到所述第二接合面的最小距离。

3.根据权利要求1所述的波长可变干涉滤波器，其特征在于，从所述第一导通电极面到所述第二导通电极面的最小距离小于从所述第一接合面到所述第二接合面的最小距离。

4.根据权利要求1所述的波长可变干涉滤波器，其特征在于，所述第二基板的设置所述第二导通电极面的部位相对于该第二基板的厚度方向具有可挠性。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的波长可变干涉滤波器，其特征在于，所述第一基板的设置所述第一导通电极面的部位相对于该第一基板的厚度方向具有可挠性。

6.一种波长可变干涉滤波器，其特征在于，向外部射出与相对的反射膜间的距离相应的波长的光，并通过第一电极和与所述第一电极相对的第二电极的电位差改变所述距离，所述波长可变干涉滤波器具备：

设置有所述第一电极和与所述第一电极连接的第一导通电极的第一基板；

设置有所述第二电极和通过所述第一导通电极与所述第一电极电连接的第二导通电极的第二基板；以及

接合所述第一基板和所述第二基板的接合层，

所述第一导通电极与所述第二导通电极重叠接触的层叠部的厚度与所述接合层的厚度不同。

7.一种滤光器设备，其特征在于，具备波长可变干涉滤波器和壳体，所述波长可变干涉滤波器具备：

第一基板；

第二基板，所述第二基板与所述第一基板相对；

第一反射膜，所述第一反射膜设置在所述第一基板上；

第二反射膜，所述第二反射膜设置在所述第二基板上，与所述第一反射膜相对；

第一电极，所述第一电极设置在所述第一基板上；

第一导通电极，所述第一导通电极设置在所述第一基板上，从所述第一电极起一直设置到比所述第一电极更位于所述第一基板的外周缘侧；

第二电极，所述第二电极设置在所述第二基板上，与所述第一电极相对；

第二导通电极，所述第二导通电极设置在所述第二基板上，通过所述第一导通电极与所述第一电极电连接；以及

接合层，所述接合层接合所述第一基板的第一接合面和与所述第一接合面相对的所述第二基板的第二接合面，

所述壳体收容所述波长可变干涉滤波器，

所述第一基板具有与所述第一导通电极与所述第二导通电极接触的接触面相对的第一导通电极面，

所述第二基板具有与所述接触面相对的第二导通电极面，

从所述第一导通电极面到所述第二导通电极面的最小距离与从所述第一接合面到所述第二接合面的最小距离不同。

8.一种光学模块，其特征在于，具备波长可变干涉滤波器和检测部，所述波长可变干涉滤波器具备：

第一基板；

第二基板，所述第二基板与所述第一基板相对；

第一反射膜，所述第一反射膜设置在所述第一基板上；

第二反射膜，所述第二反射膜设置在所述第二基板上，与所述第一反射膜相对；

第一电极，所述第一电极设置在所述第一基板上；

第一导通电极，所述第一导通电极设置在所述第一基板上，从所述第一电极起一直设置到比所述第一电极更位于所述第一基板的外周缘侧；

第二电极，所述第二电极设置在所述第二基板上，与所述第一电极相对；

第二导通电极，所述第二导通电极设置在所述第二基板上，通过所述第一导通电极与所述第一电极电连接；以及

接合层，所述接合层接合所述第一基板的第一接合面和与所述第一接合面相对的所述第二基板的第二接合面，

所述检测部检测射入所述第一反射膜与所述第二反射膜之间的光干涉后所选择的波长的光，

所述第一基板具有与所述第一导通电极与所述第二导通电极接触的接触面相对的第一导通电极面，

所述第二基板具有与所述接触面相对的第二导通电极面，

从所述第一导通电极面到所述第二导通电极面的最小距离与从所述第一接合面到所述第二接合面的最小距离不同。

9.一种电子设备，其特征在于，具备波长可变干涉滤波器和控制部，所述波长可变干涉滤波器具备：

第一基板；

第二基板，所述第二基板与所述第一基板相对；

第一反射膜，所述第一反射膜设置在所述第一基板上；

第二反射膜，所述第二反射膜设置在所述第二基板上，与所述第一反射膜相对；

第一电极，所述第一电极设置在所述第一基板上；

第一导通电极，所述第一导通电极设置在所述第一基板上，从所述第一电极起一直设置到比所述第一电极更位于所述第一基板的外周缘侧；

第二电极，所述第二电极设置在所述第二基板上，与所述第一电极相对；

第二导通电极，所述第二导通电极设置在所述第二基板上，通过所述第一导通电极与所述第一电极电连接；以及

接合层，所述接合层接合所述第一基板的第一接合面和与所述第一接合面相对的所述第二基板的第二接合面，

所述控制部控制所述波长可变干涉滤波器，

所述第一基板具有与所述第一导通电极与所述第二导通电极接触的接触面相对的第一导通电极面，

所述第二基板具有与所述接触面相对的第二导通电极面，

从所述第一导通电极面到所述第二导通电极面的最小距离与从所述第一接合面到所述第二接合面的最小距离不同。