CN103997197B - 保护器件、系统及其方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种保护器件、系统及其方法,所述器件及方法提供一种用于不管电源中的波动而维持栅极驱动器端子上的稳定输出的保护器件,所述保护器件包括:低压检测电路,其监测所述电源并检测所述电源中的波动;以及栅极隔离电路,其在所述低压检测电路检测到所述电源中的波动时将所述栅极驱动器端子与所述电源隔离,其中在所述栅极被隔离时,所述栅极驱动器端子的电压维持在预选范围内。

Description

保护器件、系统及其方法
技术领域
本发明涉及一种电源保护系统,尤其涉及用于高压应用的栅极保护电路。
背景技术
在汽车电子系统中,点火线圈(ignition coil)通常诱发数百伏电压以驱动起动器电机。点火线圈通常由高压开关(例如,IGBT、MOSFET等)控制以将点火线圈耦合至电池电压。如果电池电压存在瞬间跌落(momentary drop),所述瞬间跌落可导致高压开关的栅极放电并断开,这又可导致点火线圈处的浮动高压状态。浮动高压状态通常引起从点火线圈初级到点火线圈次级的火花,这可危害和/或损坏附近的电子部件。解决这种火花问题的常规方法包括使用大电容器以基本上用作电池,并使高压开关在电池电压的瞬间跌落期间维持接通及导通。但是,这个方法要求使用相对较大的电容器,这就要求额外的成本及物理空间来实现。
发明内容
根据一些示例性实施例,提供了一种用于不管电源中的波动而维持栅极驱动器端子上的稳定输出的保护器件,所述保护器件包括低压检测电路,其监测电源并检测电源中波动的低压检测电路,以及栅极隔离电路,其在低压检测电路检测到电源中波动时将栅极驱动器端子与电源隔离,其中在栅极被隔离时,栅极驱动器端子的电压维持在预选范围内。
保护器件可包括高侧驱动器电路、低侧驱动器电路、用以控制高侧驱动器电路和低侧驱动器电路的三态控制器电路,所述三态控制器电路包括栅极隔离电路。
高侧驱动器电路可包括耦合至电源的第一晶体管,耦合至第一晶体管的第二晶体管,耦合在第二晶体管与栅极驱动器端子之间的电阻器。
保护器件可包括耦合在栅极驱动器端子与第一晶体管的栅极之间的第三晶体管,第三晶体管的栅极耦合至低压检测电路,其中低压检测电路在低压检测电路检测到电源中的波动时将第三晶体管控制为导通,并且栅极驱动器端子的电压使第一晶体管断开,从而将栅极驱动器端子与电源隔离。
高侧驱动器电路可包括第一二极管,其具有耦合至栅极驱动器端子的阳极以及耦合至第一晶体管的本体区域和第二晶体管的本体区域的阴极;以及第二二极管,其具有耦合至电源的阳极以及耦合至第一晶体管的本体区域和第二晶体管的本体区域的阴极。
当电源发生波动时,第二二极管可被防止栅极驱动器端子的电压对电源放电。
低侧驱动器电路可包括耦合至低基准电位的第四晶体管,所述第四晶体管的栅极耦合至低压检测电路;耦合在第四晶体管与栅极驱动器端子之间的第五晶体管。
保护器件可包括模拟及数字电路,其控制第二晶体管和第五晶体管。
低压检测电路可在低压检测电路检测到电源中的波动时将第一晶体管和第四晶体管控制为不导通。
保护器件可包括限流控制电路,其控制耦合至栅极驱动器端子的外部开关中的电流。
限流控制电路可包括将所需电压与跟外部开关中的电流成正比的感测电压相比较的放大器以及耦合在放大器与栅极驱动器端子之间的开关。
根据一些示例性实施例,提供了一种包括感应器线圈、外部开关以及保护器件的系统,所述保护器件包括监测电源并检测电源中波动的低压检测电路,以及栅极隔离电路,其在低压检测电路检测到电源中波动时将栅极驱动器端子与电源隔离,其中栅极驱动器端子耦合至外部开关的栅极,并且在栅极被隔离时,栅极驱动器端子的电压维持在预选范围内。
保护器件可包括耦合至电源的第一晶体管,耦合至第一晶体管的第二晶体管,耦合在第二晶体管与栅极驱动器端子之间的电阻器,耦合至低基准电位的第三晶体管,耦合在第三晶体管与栅极驱动器端子之间的第四晶体管,其中低压检测电路在低压检测电路检测到电源中波动时将第一晶体管和第三晶体管控制为不导通。
保护器件可包括控制外部开关中的电流的限流控制电路,所述限流控制电路包括,将所需电压与跟外部开关中的电流成正比的感测电压相比较的放大器以及耦合在放大器与栅极驱动器端子之间的开关。
根据一些示例性实施例,提供了一种用于不管电源中的波动而维持栅极驱动器端子上的稳定输出的方法,所述方法包括监测电源以检测电源中的波动,以及当监测检出电源中波动的时将栅极驱动器端子与电源隔离,其中在隔离期间,栅极驱动器端子的电压维持在预选范围内。
栅极驱动器端子可通过第一晶体管和第二晶体管耦合至电源,并且所述隔离可包括当监测检出电源中波动时使第一晶体管断开。
第一晶体管的本体区域可耦合至所述电源、第二晶体管的本体区域及栅极驱动器端子,并且所述方法可包括防止栅极驱动器端子的电压对电源放电。
所述方法可包括防止栅极驱动器端子的电压对电源放电。
所述方法可包括控制耦合至栅极驱动器端子的外部开关中的电流,所述控制包括将所需电压与跟外部开关中的电流成正比的感测电压相比较,以及基于电源的监测来控制开关使得在监测检测到电源中波动时开关不导通。
所述方法可包括基于使能信号来控制第一晶体管和第二晶体管,使得在第二晶体管不导通的同时使第一晶体管导通且在第一晶体管不导通时使第二晶体管导通,其中所述隔离包括基于电源的监测来控制第三晶体管和第四晶体管,使得当监测未检测到电源中的波动时使第三晶体管和第四晶体管为导通,并且使得当监测检测到电源中波动时使第三晶体管和第四晶体管为不导通。
附图说明
从下面对与要求保护的主题相符的一些示例性实施例的详细描述中,要求保护的主题的特征和优点将变得清楚,应该参照附图来理解这些详细描述,其中:
图1示出与本发明的各个示例性实施例相符的电源保护系统的方框图;
图2示出根据本发明的一个示例性实施例的电源保护系统的电路图;
图3示出图2的电路图的模拟波形;
图4示出根据本发明的一些示例性实施例的操作的流程图;以及
图5示出根据本发明的一些示例性实施例的隔离栅极驱动器端子的操作的流程图。
虽然下面的具体实施方式将参照图示示例性实施例进行,但是这些实施例的替代形式、修改形式和变型对于本领域技术人员来说将是清楚的。
具体实施方式
图1示出与本发明的各个示例性实施例相符的电源保护系统100的方框图。图1示出的电源保护系统100可与通用型或定制型集成电路(IC)(例如半导体集成电路芯片、片上系统(SoC)等)包括在一起或者形成通用型或定制型集成电路(IC)的部分。以下描述将以汽车起动器线圈为例,但是,从一开始就应当理解,这仅是非限制性实例,可在期待或需要不间断开关导通的任何系统中利用本发明的教导内容。此外,下面的具体实施方式将描述开关电路的某些具体类型,例如FET、BJT、IGBT、SiC等,但是,应当理解,这些开关类型对于某些应用可互换(按照本领域技术人员的理解),并且因此本发明不限制于可能在附图中示出和/或文中描述的任何具体开关类型。
电源保护系统100包括栅极控制器106,栅极控制器106通常在电池电压102跌至低于正常操作值时提供不间断栅极控制信号104。栅极控制信号104可用于控制耦合至外部高压电路(本图中未示出,例如,起动器线圈)的开关(图中未示出)。栅极控制器106通常包括内部电源电路108,内部电源电路108生成内部电压109(例如,Vdd电压)以向栅极控制器106的一些或所有功能性部件提供电源。内部电源电路108通常基于电池电压102而生成内部电压109。栅极控制器106还可包括低压检测电路110,低压检测电路110检测内部电压109的低压状况。高侧驱动器电路114和低侧驱动器电路116通常在不同操作状况下提供栅极控制信号,如下文将详细描述。还可提供三态控制器电路112,三态控制器电路112生成控制信号113以控制高侧驱动器电路114和/或低侧驱动器电路116的操作,进而在各种操作状况下提供栅极控制信号104。三态控制器电路112一般用以接收指示栅极控制信号104的所需状态的使能信号111(即,控制信号111指示栅极控制信号104应为高还是低)。
在一个实例中,如果使能信号111为低,则三态控制器电路112生成控制信号113以控制高侧驱动器电路114和/或低侧驱动器电路116,使得栅极控制信号104也为低。在另一实例中,如果使能信号111为高,则三态控制器电路112生成控制信号113以控制高侧驱动器电路114和/或低侧驱动器电路116,使得栅极控制信号104也为高。在又一实例中,如果使能信号111为高但电池电压102瞬间跌至低于阈值,则三态控制器电路112生成控制信号113以控制高侧驱动器电路114和/或低侧驱动器电路116,使得栅极控制信号104维持为高。因此,栅极控制器106使栅极控制信号104维持在一状态,该状态允许耦合至栅极控制信号104的开关为有源状态,从而使得负载处不存在电源输送的中断。这些实例假设,栅极控制信号104耦合至开关,所述开关可用低栅极控制信号控制成断开并用高栅极控制信号控制成闭合(导通)。当然,本领域技术人员将认识到,其他开关类型可以用高栅极控制信号来断开并且用低栅极控制信号来闭合,并且因此,栅极控制器电路可被修改以为栅极控制信号104生成适当的电平,如熟知的那样。
图2示出根据本发明的一个示例性实施例的电源保护系统200的电路图。在本示例性实施例中,栅极控制信号104被用于控制开关224的导通状态。点火线圈(示出为感应器线圈226)的初级侧耦合在开关224的集电极与电池电压102之间。使能信号生成电路202包括在本示例性实施例中以生成使能信号111’。在一个实例中,使能信号生成电路202可包括汽车电子控制电路。本示例性实施例的栅极控制器106’基于使能信号111’的状态以及基于电池电压102的状态而生成栅极控制信号104,如将在下文更详细地说明。
本示例性实施例的内部电源108’包括耦合至电池电压102和电容器214的稳压电路212。稳压电路生成内部电压(例如,Vdd)109’。电容器214耦合至内部电源轨109’并提供电源109’的滤波。
本示例性实施例还包括耦合至使能信号111’和内部电源109’的模拟及数字电路(analog and digital circuit)204。模拟及数字电路204可包括(例如)超时电路,以防止使能信号111’在超过所需时间阈值的情况下被断定(assert)。模拟及数字电路204可耦合至基准电位(例如,地电位)201且可生成主驱动信号203以控制三态控制电路112’、高侧驱动器电路114’和低侧驱动器电路116’的操作,如下文将更详细地描述。本示例性实施例还包括低压检测电路110’,低压检测电路110’耦合至内部电源109’且生成指示内部电源109’的状态的第一驱动信号207。在本例中,如果电池电压102处于标称操作电平(例如,12伏直流)且内部电压109’处于标称操作电平,则第一驱动信号207将为“高”。低压检测电路110’将内部电源109’与参考电压(未示出)相比较,并且参考电压通常被选为低于内部电源109’的电压。如果内部电源109’跌至低于参考电压,则说明电池电压102已跌至低于正常操作电压(例如,12伏),并且第一驱动信号207改变状态(例如,从“高”改变至“低”)。示例性实施例不限于此,并且低压检测电路110’可以被或可以不被包括和/或可如果电池电压102处于标称操作电平且内部电压109’处于标称操作电平则将第一驱动信号207控制为“低”。
本示例性实施例的三态控制电路112’包括逆变器电路,所述逆变器电路包括由第一驱动信号207控制的P型开关208和N型开关210。逆变器电路(208和210)生成第二驱动信号209。第二驱动信号209为信号207的逆变型式。开关208和210的栅极耦合至第一驱动信号207,开关208和210的漏极耦合在一起以生成第二驱动信号209。开关208的源极耦合至栅极控制信号104,并且开关210的源极耦合至基准电位201。
本示例性实施例的高侧驱动器电路114’包括P型开关212、P型开关214、二极管D1和二极管D2。开关212的源极耦合至内部电源109’,开关212的漏极耦合至开关214的源极,并且开关212的栅极耦合至第二驱动信号209。开关214的源极耦合至开关212的漏极,开关214的漏极耦合至低侧驱动器电路116’(下文所述),并且开关214的栅极耦合至主驱动信号203。开关212和214的本体区域在“本体”节点处耦合在一起,如图所示。二极管D2以相对“本体”节点正向偏置的方式耦合至内部电源109’,二极管D1以相对“本体”节点正向偏置的方式耦合至栅极控制信号104。
本示例性实施例的低侧驱动器电路116’包括N型开关218和N型开关220。开关218的漏极经由电阻器R4耦合至开关214的漏极,并且耦合至栅极控制信号104。开关218的源极耦合至开关220的漏极,并且开关218的栅极耦合至主驱动信号203。开关220的漏极耦合至开关218的源极,开关220的源极耦合至基准电位201(例如,地电位),并且开关220的栅极耦合至第一驱动信号207。开关218和220的本体区域耦合在一起且耦合至基准电位201。
为限制通过感应器线圈226的初级侧的电流,本示例性实施例还可包括限流控制电路,所述限流控制电路可包括放大器222及耦合至栅极控制信号104的N型开关216。放大器222可将内部参考电压与跟开关224和/或点火线圈226中的电流成正比的感测电压相比较。可(例如)使用感测电阻器电路228(Rsense)来生成感测电压。放大器222的输出可用于基于经由感测电阻器电路228(Rsense)的感测信号来控制开关224中的电流。开关216的源极耦合至放大器222的输出,开关216的漏极耦合至栅极控制信号104,并且开关216的栅极耦合至第一驱动信号207。开关216的本体区域可耦合至开关218和220的本体区域。栅极控制器106’的操作详述如下。
使能信号已被断定一正常电池电压
在操作中,当使能信号生成电路202断定使能信号111’时,这便指示栅极控制信号104应处于控制开关224导通的状态,即,使得电流可从电池102流动通过感应器线圈226的初级侧。出于该实例的目的,使能信号111’被断定为“高”,并且电池电压102处于标称操作电平(例如,12伏直流),这被视为正常。在电池电压102为正常的情况下,稳压电路212生成内部电源(Vdd)109’。如果内部电源109’高于阈值,则低压检测电路110’生成“高”第一驱动信号207。由于开关208为断开且开关210为接通,因此三态控制器电路112’生成“低”第二驱动信号209。由于主栅极控制信号203为“低”(由模拟及数字电路204生成),因此开关214为接通且开关218为断开。由于第一驱动信号207为“高”,因此开关216和220接通,而由于第二驱动信号209为“低”,因此开关212接通。因此,栅极控制信号104为“高”(来自Vdd,通过开关212、214和216)且开关224接通以导通。
使能信号已被断定一电池电压跌至大约零
在已断定使能信号111’的情况下,可能存在电池电压102的瞬间跌落(例如,约10微秒)的情况。在不具有本发明的栅极控制器106’的情况下,电池电压102中的这种瞬间跌落可导致栅极控制信号104放电,从而断开开关224并让高压状态存在于开关224的集电极。这种高压状态可导致从感应器线圈226的初级到起动器线圈(未示出)的次级的危险的或具破坏性的火花。因此,本示例性实施例的栅极控制器106’用以维持栅极控制器信号104的状态,尽管电池电压102发生这种瞬间跌落。在操作中,如果电池电压102跌至低于标称操作电平(大约12伏直流),例如跌至大约0伏,则内部电源109’可跌至一电平使得低压检测电路110’可生成“低”第一驱动信号207。这会接通开关208并断开开关210使得第二驱动信号209为“高”。由于第一驱动信号207为“低”,因此开关216和220断开。由于第一驱动信号207为“低”,因此开关208为接通,并且开关208的源极维持在栅极控制器信号(“高”)的电压处,开关208的漏极和开关212的栅极因此维持在大约栅极控制器信号(“高”)的电压处,进而断开开关212。由于开关212为断开,二极管D2阻止栅极控制器信号104的电压对Vdd轨109’(其在该低压状况期间可明显低于栅极控制信号104)放电,因此即使电池电压102已跌至零,开关224也维持在导通状态中。因此,在栅极被隔离时,栅极控制器信号104处的电压维持在预选范围内。
由于开关212和220为断开,从而将栅极控制信号104与基准电位201(例如,地电位)或电源轨109’隔离,因此开关214和218的状态无关紧要。在电池电压上升至正常操作电压时,控制器106’如上文关于“使能信号已被断定一正常电池电压”所述的那样操作。
使能信号已解除断定(de-asserted)
在当电池电压102为正常时使能信号生成电路202对使能信号111’解除断定时,主控制信号203为“高”,第一驱动信号207为“高”且第二驱动信号209为“低”。因此,由于第二驱动信号209为“高”,因此开关212为断开,由于主控制信号203为“高”,因此开关214为断开,由于第一驱动信号207为“高”,因此开关216和220为接通,并且由于主控制信号203为“高”,因此开关218为接通。二极管D1将电压轨Vdd109’与栅极控制信号104阻隔,并且栅极控制信号104经由开关218和220对基准电位201放电。因此,栅极控制信号104为“低”,并且开关224不导通。
图3示出图2的电路图的模拟波形300。波形302示出栅极控制信号104,波形304示出开关224的集电极电压,波形306示出通过感应器线圈226的初级的电流,波形308示出电池电压102,波形310示出至稳压电路212的输入电压,波形312示出使能信号111’,并且波形314示出内部电压轨109’的电压。在使能信号312被断定(低至高)时,栅极控制信号302改变状态(低至高)且集电极电压304跌落。通过起动器线圈306的初级的电流上升并达到正常操作值。在电池电压308的瞬间跌落(316)期间,内部电压轨314也跌落(318),但由于上文参照栅极控制器106’所描述的操作,在相同时间段内栅极控制信号中仅有极小跌落(320)。另外,在电池电压308的瞬间跌落316期间,电流306仅有极小跌落,并且集电极电压304保持在正常操作参数内。
图4示出根据本发明的一些示例性实施例的操作的流程图。在操作410处,基于使能信号控制第一晶体管和第二晶体管,使得在第二晶体管不导通的同时第一晶体管导通且在第一晶体管不导通时第二晶体管导通。在操作420处,监测电源以检测电源中的波动。在操作430处,当所述监测检出电源中波动时将栅极驱动器端子与电源隔离。
图5示出根据本发明的一些示例性实施例的隔离栅极驱动器端子的操作的流程图。在操作510处,基于电源的监测来控制第三晶体管和第四晶体管,使得当所述监测未检测到电源中波动时第三晶体管和第四晶体管为导通,并且使得当所述监测的确检测到电源中波动时第三晶体管和第四晶体管为不导通。在操作520处,防止栅极驱动器端子的电压经由第三晶体管的本体区域对电源放电。
如本文的任何示例性实施例中所用的术语“电路”例如可以单独地或以任意组合的形式包括硬连线电路、可编程电路、状态机电路和/或在较大系统中存在的电路,例如可作为集成电路的一部分被包括的分立元件。另外,本文所述的任何开关器件可包括任何类型的已知或后开发的开关电路,诸如例如,MOS晶体管、BJT、SiC晶体管、IGBT等。
本文中采用的术语和表达方式作为描述而非限制的术语使用,并且在使用这种术语和表达方式的过程中,不旨在排除示出和描述的特征(或其一部分)的任何等同物,并且认识到,各种修改形式可落入权利要求书的范围内。因此,权利要求书旨在涵盖所有这种等同物。本文描述了各个特征、方面及一些示例性实施例。这些特征、方面和示例性实施例容许存在相互组合以及变型形式和修改形式,如本领域技术人员将理解的那样。因此,应该认为本发明涵盖这种组合、变型形式和修改形式。

Claims (20)

1.一种保护器件,用于不管电源中的波动而维持栅极驱动器端子上的稳定输出,所述保护器件包括:
低压检测电路,其监测所述电源并检测所述电源中的波动;以及
栅极隔离电路,其在所述低压检测电路检测到所述电源中的波动时将所述栅极驱动器端子与所述电源隔离,
其中在所述栅极驱动器端子被隔离时,所述栅极驱动器端子的电压维持在预选范围内。
2.根据权利要求1所述的保护器件,还包括:
高侧驱动器电路;
低侧驱动器电路;
三态控制器电路,其控制所述高侧驱动器电路和所述低侧驱动器电路,所述三态控制器电路包括所述栅极隔离电路。
3.根据权利要求2所述的保护器件,其中所述高侧驱动器电路包括:
第一晶体管,其耦合至所述电源;
第二晶体管,其耦合至所述第一晶体管;
电阻器,其耦合在所述第二晶体管与所述栅极驱动器端子之间。
4.根据权利要求3所述的保护器件,还包括:第三晶体管,其耦合于所述栅极驱动器端子与所述第一晶体管的栅极之间,所述第三晶体管的栅极耦合至所述低压检测电路,
其中所述低压检测电路在所述低压检测电路检测到所述电源中的波动时将所述第三晶体管控制为导通,以及
所述栅极驱动器端子的所述电压使所述第一晶体管断开,将所述栅极驱动器端子与所述电源隔离。
5.根据权利要求3所述的保护器件,其中所述高侧驱动器电路还包括:
第一二极管,其具有耦合至所述栅极驱动器端子的阳极以及耦合至所述第一晶体管的本体区域和所述第二晶体管的本体区域的阴极;以及
第二二极管,其具有耦合至所述电源的阳极以及耦合至所述第一晶体管的所述本体区域和所述第二晶体管的所述本体区域的阴极。
6.根据权利要求5所述的保护器件,其中当所述电源发生波动时,所述第二二极管防止所述栅极驱动器端子的所述电压对所述电源放电。
7.根据权利要求3所述的保护器件,其中所述低侧驱动器电路包括:第四晶体管,其耦合至低基准电位,所述第四晶体管的栅极耦合至所述低压检测电路;第五晶体管,其耦合在所述第四晶体管与所述栅极驱动器端子之间。
8.根据权利要求7所述的保护器件,还包括:模拟及数字电路,其控制所述第二晶体管和所述第五晶体管。
9.根据权利要求7所述的保护器件,其中所述低压检测电路在所述低压检测电路检测到所述电源中的波动时将所述第一晶体管和所述第四晶体管控制为不导通。
10.根据权利要求1所述的保护器件,还包括:限流控制电路,其控制耦合至所述栅极驱动器端子的外部开关中的电流。
11.根据权利要求10所述的保护器件,其中所述限流控制电路包括:放大器,其将所需电压与跟所述外部开关中的电流成正比的感测电压相比较;以及开关,其耦合在所述放大器与所述栅极驱动器端子之间。
12.一种电源保护系统,包括:
感应器线圈;
外部开关;以及保护器件,其包括:
低压检测电路,其监测电源并检测所述电源中的波动,以及栅极隔离电路,其在所述低压检测电路检测到所述电源中的波动时将栅极驱动器端子与所述电源隔离,
其中所述栅极驱动器端子耦合至所述外部开关的栅极,并且在所述栅极驱动器端子被隔离时所述栅极驱动器端子的电压维持在预选范围内。
13.根据权利要求12所述的电源保护系统,其中所述保护器件还包括:
第一晶体管,其耦合至所述电源;
第二晶体管,其耦合至所述第一晶体管;
电阻器,其耦合在所述第二晶体管与所述栅极驱动器端子之间;
第三晶体管,其耦合至低基准电位;
第四晶体管,其耦合在所述第三晶体管与所述栅极驱动器端子之间,
其中所述低压检测电路在所述低压检测电路检测到所述电源中的波动时将所述第一晶体管和所述第三晶体管控制为不导通。
14.根据权利要求12所述的电源保护系统,其中所述保护器件还包括:限流控制电路,其控制所述外部开关中的电流,所述限流控制电路包括:
放大器,其将所需电压与跟所述外部开关中的电流成正比的感测电压相比较;以及开关,其耦合在所述放大器与所述栅极驱动器端子之间。
15.一种用于不管电源中的波动而维持栅极驱动器端子上的稳定输出的方法,所述方法包括:
监测所述电源以检测所述电源中的波动;以及当所述监测检出所述电源中的波动时将所述栅极驱动器端子与所述电源隔离,其中在所述栅极驱动器端子的隔离期间,所述栅极驱动器端子的电压维持在预选范围内。
16.根据权利要求15所述的方法,其中所述栅极驱动器端子通过第一晶体管和第二晶体管耦合至所述电源,并且所述隔离还包括:当所述监测检出所述电源中的所述波动时使所述第一晶体管断开。
17.根据权利要求16所述的方法,其中所述第一晶体管的本体区域耦合至所述电源、所述第二晶体管的本体区域及所述栅极驱动器端子,所述方法还包括:防止所述栅极驱动器端子的所述电压对所述电源放电。
18.根据权利要求15所述的方法,还包括:防止所述栅极驱动器端子的所述电压对所述电源放电。
19.根据权利要求15所述的方法,还包括:控制耦合至所述栅极驱动器端子的外部开关中的电流,所述控制包括将所需电压与跟所述外部开关中的电流成正比的感测电压相比较,以及基于所述电源的所述监测来控制开关,使得当所述监测检出所述电源中的波动时使所述开关不导通。
20.根据权利要求15所述的方法,还包括:基于使能信号来控制第一晶体管和第二晶体管,使得在所述第二晶体管不导通的同时使所述第一晶体管导通且在所述第一晶体管不导通时使所述第二晶体管导通,
其中所述隔离包括基于所述电源的所述监测来控制第三晶体管和第四晶体管,使得当所述监测未检测到所述电源中波动时使所述第三晶体管和所述第四晶体管为导通,并且使得当所述监测检测到所述电源中波动时使所述第三晶体管和所述第四晶体管为不导通。
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