CN103996732A - 一种聚光太阳能电池芯片 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种聚光太阳能电池芯片，属太阳能发电技术领域。它包括负电极层，聚光太阳能电池基材层，正电极层和有效面积，所述聚光太阳能电池基材层一面覆上正电极层，另一面覆上负电极层，负电极之外的部分为有效面积。本发明的电池芯片在超过1000倍的聚光倍数和很强的光线地域条件下，能保证大电流很顺畅地通过正电极和负电极引导出来，而不损坏电池片；从菲涅尔透镜汇聚过来的焦斑会在一定时间段内都完全重合地汇聚在聚光太阳能电池片的有效面积上；设定一个时间段太阳能跟踪器的电机工作一次，这样就极大地减少了给电机的供电功率，从而更加的节能；该电池芯片U形负电极能迅速地将电流导出，减小电流对其他电池材料中离子的碰撞，达到提高电池芯片的转换效率的目的。
Description
技术领域
本发明涉及一种光伏发电部件，具体涉及一种聚光太阳能电池芯片，属太阳能发电技术领域。
背景技术
通常，高倍聚光光伏光电转换接收器所寻求的主要益处是在聚光太阳能电池芯片的有效面积上得到从菲涅尔透镜汇聚的高密度太阳辐射光。透镜的倍数越高，得到太阳辐射光的密度越高，相同面积上使用的聚光太阳能电池芯片越少，单位面积上的发电成本就越低。
目前通常从菲涅尔透镜汇聚过来的焦斑都为正方形，该焦斑的形状和大小也通常和聚光太阳能电池片的形状和大小一致，从而使菲涅尔透镜汇聚过来的焦斑完全汇聚到聚光太阳能电池片上。但是在实际应用中，太阳是随时在移动的，这样就会造成一个时间段后从菲涅尔透镜汇聚过来的焦斑不会完全和聚光太阳能电池片的有效面积重合，从而导致转换效率的降低；同时如果聚光太阳能电池片时时刻刻都跟随太阳移动的话，就必然会让跟踪器时时刻刻都跟随太阳移动，这样就会用很多电来驱动跟踪器的电机工作。
发明内容
本发明的目的是提供一种聚光太阳能电池芯片，该电池片在于克服现有技术的不足。
为了实现上述技术目的，本发明采取的技术方案是：一种聚光太阳能电池芯片，其特征是，它包括负电极层，聚光太阳能电池基材层，正电极层和有效面积，所述聚光太阳能电池基材层一面覆上正电极层，另一面覆上负电极层，负电极之外的部分为有效面积。
所述聚光太阳能电池基材层为GaInP/GaAs/Ge三层结合体。
所述正电极层面积形状和聚光太阳能电池基材层面积形状完全一样。
所述负电极层为U形状的电极层，并放置在聚光太阳能电池基材层的三个端面。
所述每个负电极层的宽度为0.5~1.5mm，厚度为0.2~1mm。
所述有效面积为一长方形形状，长和宽之差在0.01~1mm之间。
本发明的优点和积极效果是：1．宽度为0.5~1.5mm和厚度为0.2~1mm的负电极能够承受超过10~50安培的额定电流；2。从菲涅尔透镜汇聚过来的焦斑会在一定时间段内都完全重合地汇聚在聚光太阳能电池片的有效面积上；3. 设定一个时间段太阳能跟踪器的电机工作一次，这样就极大地减少了给电机的供电功率，从而更加的节能；4.该电池芯片U形负电极能迅速地将电流导出，减小电流对其他电池材料中离子的碰撞，能将电池芯片的转换效率整体提高。
附图说明
图1为一种聚光太阳能电池芯片主视图。
图2为一种聚光太阳能电池芯片侧视图。
图3为一种聚光太阳能电池芯片有效面积示意图。
其中：1、负电极层，2、聚光太阳能电池基材层，3、正电极层，4、有效面积，A、有效面积的长，B有效面积的宽。
具体实施方式
下面结合附图对本发明作进一步的说明。
一种聚光太阳能电池芯片，如图1～3所示，聚光太阳能电池基材层2一面覆上正电极层3，另一面覆上负电极层1，负电极之外的部分为有效面积4，其中有效面积4的长为A，有效面积4的宽为B，长和宽之差为0.01~1mm之间。
聚光太阳能电池基材层2通过特殊工艺将正电极3和负电极1巧妙地结合在一起，既能保证大电流很顺畅地通过正电极3和负电极1引导出来，同时也能保证各电极和连接线能承受10~50安培的额定电流。
在聚光太阳能电池基材层2上加工负电极1，负电极1的宽度为0.5~1.5mm，厚度为0.2~1mm，便于大电流的顺利导通。
负电极层1为U形电极，可以迅速地将电流导出，减小电流对其他电池材料中离子的碰撞概率。
具体操作如下：首先将聚光太阳能电池芯片有效面积的长边保持和东西方向一致，当太阳从东向西运动一段时间段时，能保证从菲涅尔透镜汇聚过来的太阳光焦斑完全汇聚到聚光太阳能电池芯片的有效面积上。
本发明中，作为变行实施例，有效面积的长和宽可以交换过来设定制作，聚光太阳能电池芯片的正、负电极也可以交换过来设定制作，U形负电极可以任意布局在电池表面的任何三端面。故本发明的权利保护范围以权利要求书限定的范围为准。
Claims (6)
1.一种聚光太阳能电池芯片，其特征是，它包括负电极层，聚光太阳能电池基材层，正电极层和有效面积，所述聚光太阳能电池基材层一面覆上正电极层，另一面覆上负电极层，负电极之外的部分为有效面积。
2.根据权利要求1所述的一种聚光太阳能电池芯片，其特征是，所述聚光太阳能电池基材层为GaInP/GaAs/Ge三层结合体。
3.根据权利要求1所述的一种聚光太阳能电池芯片，其特征是，所述正电极层面积形状和聚光太阳能电池基材层面积形状完全一样。
4.根据权利要求1所述的一种聚光太阳能电池芯片，其特征是，所述负电极层为U形状的电极层，并放置在聚光太阳能电池基材层的三个端面。
5.根据权利要求1和4所述的一种聚光太阳能电池芯片，其特征是，所述每个负电极层的宽度为0.5~1.5mm，厚度为0.2~1mm。
6.根据权利要求1所述的一种聚光太阳能电池芯片，其特征是，所述有效面积为一长方形形状，长和宽之差在0.01~1mm之间。
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