CN103996448A - 信号传输电缆 - Google Patents

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Abstract

本发明公开一种信号传输电缆，包括：电缆，该电缆包括介电层和金属层；以及连接器，具有含端子的芯片。连接器包括具有有机层的基板，一部分有机层自基板延伸，以便形成电缆的介电层。金属层位于介电层上并直接连接至端子。

Description

信号传输电缆
相关申请的交叉参考
本申请要求于2013年2月19日提交日本优先专利申请JP2013-030402的优先权，其公开的内容通过引用结合于此。
技术领域
本技术涉及信号传输电缆，尤其涉及在不增加电缆的安装空间的情况下可实现优质、高速通信的信号传输电缆。
背景技术
近年来，移动电话、智能手机、笔记本计算机、数码相机等的功能已显著提高，且要求嵌入这些电子装置内的显示元件或摄像元件具有高分辨率和高清晰度，因此这些电子装置越来越复杂。
尤其，在移动电话、智能手机等中，要求内置照相机功能、显示单元的放大、高功能、重量减少尺寸减小、以及低耗电量。
在现有技术中，装置中用于传输和接收信号的若干信号线按并行提供，但做出了与装置重量减轻和尺寸减小有关联的减少信号线数量的努力。
例如，考虑执行并行至串行转换和串行至并行转换以及数据按序列传输，以减少信号线的数量，但因与近来装置复杂性有关联的高速传输要求，所以已超过了每根信号线的传输容量。
建议以下列方式提供调制电路，即降低待被传输的信号的特定频带且可使用传输路径的特征性平坦部，以及待被传输的全部数据被序列化以被传输（例如，参看日本未经审查的专利申请公开号2006-165951）。
发明内容
日本未经审查的专利申请公开号2006-165951并未提供多于电路配置的公开，且仅例举一些具体技术，因此难以确保信号完整性（SI）。
另外，因为许多基板设计者在串行传输方面并非专家，所以很难说根据日本未经审查的专利申请公开号2006-165951可广泛和全面提高通信能力。
另外，因为通信速度必须提高以应对通过电子设备处理的数据量的增加，以及载波频率变高的趋势继续发展，所以从无线电收发机到接收机的物理层设计的困难程度增加。例如，在该物理层设计中，类似地需要高技术能力以获得低偏移和并行通信的低同步切换噪音。
此外，出现高频载波频率噪音问题。总的来说，能够传输高频率的电缆是刚性的且电线卷较大。在基板上未提供电线；而是电缆具有增加的电线卷，且电缆的安装空间变得较大。因此，实际上难以在移动装置等上安装电缆。
在不增加电缆安装空间的情况下，理想地是实现优质、高速通信。
本技术的一个示例性方面，公开了信号传输电缆，其包括：电缆，该电缆包括介电层和金属层；以及连接器，具有含端子的芯片，所述连接器包括具有有机层的基板，一部分有机层自基板延伸，以便形成电缆的介电层，金属层位于介电层上并直接连接至端子。
本技术的另一示例性方面，公开了一种信号传输电缆的连接器，所述连接器包括：包括端子的芯片；以及包括有机层的基板，一部分有机层自基板延伸，以便形成电缆的介电层，金属层位于介电层上并直接连接至端子。
本技术的又一示例性方面，公开了一种信号传输电缆的连接器的基板，所述基板包括：有机层，一部分有机层自基板延伸，以便形成电缆的介电层；以及金属层位于介电层上并被配置成直接连接至芯片端子。
根据本技术，在不增加电缆的安装空间的情况下，可实现优质、高速通信。
附图说明
图1示出根据本技术实施方式的柔性平坦电缆的外部配置的实例；
图2示出发送侧连接器和接收侧连接器的内部配置；
图3是应用本技术的柔性平坦电缆的功能性配置的实例的框图；
图4是应用本技术的柔性平坦电缆的功能性配置的另一实例的框图；
图5示出多个信号在电缆上多路传输的实例；
图6是应用本技术的柔性平坦电缆的功能性配置的又一实例的框图；
图7示出一个UI中的逻辑电平；
图8A和图8B示出经由柔性平坦电缆执行传输的眼形图的实例；
图9A和图9B是示出应用本技术的柔性平坦电缆中的电缆配置的实例的截面图；
图10是应用本技术的柔性平坦电缆的功能性配置的又一实例的框图；
图11是应用本技术的柔性平坦电缆的功能性配置的又一实例的框图；
图12A和图12B示出了RF芯片的输出端子与电缆的末端之间的位置关系；以及
图13A至图13C示出应用本技术的柔性平坦电缆的发送侧连接器和接收侧连接器的其他形状。
具体实施方式
下文中，参考附图将描述本文所公开技术的实施方式。
图1示出根据本技术实施方式的柔性平坦电缆10的外部配置的实例。
如图1所示，柔性平坦电缆10被配置为经由电缆13连接发送侧连接器11和接收侧连接器12。
例如，在如移动电话、智能手机、笔记本计算机以及数码相机等的电子装置中，柔性平坦电缆10用作将基板彼此连接的电缆。
例如，发送侧连接器11连接至智能手机中的图像传感器模块的基板，且接收侧连接器12连接至智能手机中的信号处理模块的基板。另外，电缆13由可简单弯曲的材料形成。例如，电缆13根据智能手机中的基板的布置而自由弯曲。
图2示出发送侧连接器11和接收侧连接器12的内部配置。
如图2所示，发送侧连接器11被配置为具有在有机多层基板21-1上布置的BB芯片22-1和RF芯片23-1。发送侧连接器11具有设置在连接至基板的部分（图2左侧）中的输入端子31-1。
例如，输入端子31-1被配置为具有并行布置的多个金属端子，且信号电压分别被施加至每个端子，其中，信号电压从发送侧连接器11所连接的基板输出。例如，当输入端子31-1布置有20个金属端子时，最多20种信号被并行输入至发送侧连接器11。
有机多层基板21-1被配置为具有有机基板中的至少一层，且每个有机基板均具有不同于玻璃基板、陶瓷基板等的柔性。
BB芯片22-1将经由输入端子31-1并行输入的多个信号（并行信号）中的每个均转换为串行的信号（串行信号）。BB芯片22-1将已转换的串行信号输出至RF芯片23-1。例如，因为串行信号作为微分信号传输，所以生成由BB芯片22-1所输出的具有反相的两串行信号。
RF芯片23-1通过载体（载波）的方式调制由BB芯片22-1所输出的串行信号。因此，基带频率串行信号被调制为高频信号的载波频率。
图2下侧的放大图示出发送侧连接器11的RF芯片23-1附近。如放大图所示，电源（V）配线、接地（G）配线和信号（Sig）配线连接至RF芯片23-1。在该实例中，多条配线从放大图左侧按电源、接地、信号、信号和接地的顺序连接至RF芯片23-1。两条信号配线传输从BB芯片22-1所输出的作为微分信号的两个串行信号。
另外，例如，如放大图所示，电缆13通过有机基板21-1a形成介电层13a，该有机基板为有机多层基板21-1的一层且RF芯片23-1直接附接至该有机基板。也就是说，电缆13被配置为与发送侧连接器11的有机多层基板21-1的有机基板21-1a共享介电层13a。
另外，金属层13b被设置在电缆13内的介电层13a上。RF芯片23-1的信号输出端子被连接至金属层13b。也就是，金属层13b直接连接至从RF芯片23-1所输出的高频信号的输出端子。换言之，电缆13的金属层13b无缝连接至高频信号的RF芯片23-1的输出端子。
本文中，示出发送侧连接器11和电缆13之间的连接位置，而以相同方式形成接收侧连接器12和电缆13之间的连接位置。也就是，电缆13被配置为与接收侧连接器12的有机多层基板的有机基板共享介电层13a，且金属层13b直接连接至用于高频信号的RF芯片23-2的输入端子。
尤其，电缆13被配置为使用介电层13a和金属层13b作为信号线，且例如通过如树脂的保护构件来屏蔽信号线。
在该实例中，电缆13具有基板集成波导（SIW）结构。SIW是这样的结构，即，具有插入在两个金属层之间的介电层和沿纵向形成在电缆的两侧表面中的通孔。在图2中，在电缆13金属层13b的两端表面上并行显示多个小圈，这些圈代表通孔。另外，平面金属层甚至被提供在电缆的下端上，具有介电层13a插入。稍后将详细描述SIW结构。
另外，如图2所示，接收侧连接器12被配置为在有机多层基板21-2上布置BB芯片22-2和RF芯片23-2。接收侧连接器12在连接至基板的部分（图2右侧）中设置输入端子31-2。
RF芯片23-2解调经由电缆13所传输的高频信号。因此，高频信号的载波频率被解调为基带频率串行信号。此时，如上所述，生成反相的两个串行信号。串行信号被输出至BB芯片22-2。
BB芯片22-2将从RF芯片23-2输出的串行信号转换成并行信号，从而在发送侧生成与输入至BB芯片22-1的并行信号相同的信号。
例如，输出端子31-2被配置为具有并行布置的多个金属端子，且被输入至接收侧连接器12所连接的基板的信号电压分别被施加至每个端子。布置在输出端子31-2中的金属端子的数量与布置在输入端子31-1中的金属端子的数量相同。分别在输出端子31-2的多个金属端子内再生被施加至输入端子31-1的多个金属端子的信号电压。
应用本技术的柔性平坦电缆10具有该配置。如上所述，电缆13被配置为与发送侧连接器11的有机多层基板21-1的有机基板共享介电层13a，且金属层13b无缝连接至高频信号的RF芯片23-1的输出端子。以这种方式，例如，可抑制噪音并可提高信号完整性（SI），其中，在发送侧连接器11和电缆13之间的连接部分中反射高频信号时生成噪音。
图3是应用本技术的柔性平坦电缆10功能性配置的实例的框图。
如图3所示，发送侧连接器11具有并行至串行转换单元41，该转换单元将并行信号转换成串行信号；调制单元42，其通过载波的方式调制串行信号；以及PLL43，其生成载波频率信号。并行至串行转换单元41通过BB芯片22-1的功能实现，以及调制单元42和PLL43通过RF芯片23-1的功能来实现。
另外，如图3所示，接收侧连接器12具有串行至并行转换单元51，该转换单元将串行信号转换为并行信号；解调单元52，其将高频信号解调为基带频率串行信号；以及PLL53，其生成载波频率信号。串行至并行转换单元51通过BB芯片22-2的功能实现，以及调制单元52和PLL53通过RF芯片23-2的功能实现。
另外，柔性平坦电缆10可被配置为如图4所示。图4是应用本技术的柔性平坦电缆10的功能性配置的另一个实例的框图。
图4配置具有不同于图3的配置的设置在发送侧连接器中的编码单元44。例如，编码单元44通过8b/10b转换的方式对从并行至串行转换单元41所输出的串行信号进行编码。另外，图4的配置具有不同于图3的配置的被设置在接收侧连接器12中的解码单元54。解码单元54通过8b/10b转换的逆向方式对从解调单元52中所输出的信号进行解码。
如图4所示，当设置编码单元44和解码单元54时，可有效地利用传输频带，并且可减少数据的误码率，其中，误码率从发送侧基板传输至接收侧基板。因此，进一步提高传输信号的SI。
另外，图4的配置具有不同于图3的被设置在接收侧连接器12中的分离单元55。分离单元55仅将载波组件与经电缆13传输的高频信号分开，从而将总信号供应至PLL53。
如图4所示，提供分离单元55，因此与通过发送侧连接器的PLL43生成的信号的频率同步，解调单元52可正确地执行解调。因此，进一步提高传输信号的SI。
图4中的其他配置与上述参考图3的配置相同。
这样，因为根据应用本技术的柔性平坦电缆10可提高SI，例如，在维持传输质量的情况下可采用长于现有技术的电缆13。另外，根据应用本技术的柔性平坦电缆10，例如，可进一步减少信号传输的电力消耗量或可处理较大的数据量。
另外，因为在柔性平坦电缆10内完成高频信号生成、解调等处理，例如，即使缺乏高频信号的经验知识的工程师也可以容易地设计电子装置的电路。
在上述实施方式中，经由电缆13传输一个高频信号。也就是，一个串行信号（但是尤其是两各串行信号，因为串行信号作为微分信号被传输）由并行信号生成，其中，并行信号由与布置在输入端子31-1或输出端子31-2内的端子数量（例如20）相同的信号数量形成。串行信号被调制为高频信号以被传输。
然而，例如，可经由电缆13传输多个高频信号。例如，第一串行信号可自由十个信号所形成的并行信号生成，第二串行信号可自由另十个信号所形成的并行信号生成。这些串行信号可被调制为高频信号，以被多路传输和发送。
在该情况中，例如，调制第一串行信号时的载波频率不同于调制第二串行信号时的载波频率是优选的。在该情况中，例如，频率在30GHz至300GHz的毫米波被用作载波频率。以这种方式，例如可通过多个载波频率调制串行信号，其频率足以使彼此分开，以及当在电缆13上多路传输信号时可避免干扰。
例如，如图5所示，优选在电缆13上多路传输多个信号。图5的实例示出通过毫米波载波频率调制的第一串行信号的波形101-1、通过毫米波载波频率调制的第二串行信号的波形101-2、通过毫米波载波频率调制的第三串行信号的波形101-3以及通过毫米波载波频率调制的第四串行信号的波形101-4。
当调制和多路传输多个串行信号时，优选在发送侧连接器11的RF芯片23-1中设置多路复用单元且在接收侧连接器12的RF芯片23-2中设置带通滤波器。
图6是图5所示柔性平坦电缆的功能性配置的又一实例的框图。在图6配置中，已传输通过毫米波载波所调制的第一至第三串行信号多路传输。
图6的实例在发送侧连接器11内设置有并行至串行转换单元41-1至41-3；编码单元44-1至44-3；调制单元42-1至42-3；以及多路复用单元46。通过BB芯片22-1的功能实现并行至串行转换单元41-1至41-3和编码单元44-1至44-3，以及通过RF芯片23-1的功能实现调制单元42-1至42-3以及多路复用单元46。
并行至串行转换单元41-1至41-3中的每个将并行信号转换成串行信号。例如，由并行至串行转换单元41-1生成第一串行信号，由并行至串行转换单元41-2生成第二串行信号，以及由并行至串行转换单元41-3生成第三串行信号。
编码单元44-1至44-3通过8b/10b转换的方式分别对第一至第三串行信号进行编码，其中，从并行至串行转换单元41-1至41-3输出串行信号。
调制单元42-1至42-3通过载波方式分别对从编码单元44-1至44-3所输出的第一至第三串行信号进行编码。在图6中，未示出生成载波频率信号的PLL，但第一至第三载波信号分别被供应至调制单元42-1至42-3，其中，载波信号频率为毫米波带频率并且彼此不同。
多路复用单元46多路传输从调制单元42-1至42-3所调制的第一至第三串行信号，并生成高频信号。
另外，图6实例在接收侧连接器12内设置有串行至并行转换单元51-1至51-3；解码单元54-1至54-3；解调单元52-1至52-3；以及带通滤波器（BPF）56-1至56-3。通过BB芯片22-2的功能实现串行至并行转换单元51-1至51-3以及解码单元54-1至54-3，以及通过RF芯片23-2的功能实现解调单元52-1至52-3以及BPF 56-1至56-3。
BPF 56-1至56-3中的每个从所接收的高频信号中提取某些频率成分。因此，例如，分别提取对应于第一至第三载波信号的频率成分。因此，将通过多路复用单元46多路传输的信号分开。
解调单元52-1至52-3将各个频率成分的信号分别解调为基带频率串行信号，其中，从BPF 56-1至56-3中输出各个频率成分。在图6中，未示出生成载波频率信号的PLL，但第一至第三载波信号分别被供应至调制单元52-1至52-3，其中，载波信号频率为毫米波带频率并且彼此不同。
解码单元54-1至54-3通过8b/10b转换的逆向方式对从解调单元52-1至52-3输出的信号解码。
串行至并行转换单元51-1至51-3将串行信号转换成并行信号，其中，从解码单元54-1至54-3输出串行信号。
当如图6所示做出该配置时，可经单芯电缆13多路传输和发送多个串行信号。以这种方式，例如，可并行化更多信号，且可传输更大量的数据（例如，10Gbp或更高）。
载波优选具有30GHz至300GHz的频率，从而将传输容量设定为10Gbp以上。
幅移键控（ASK）调制通常用作发送侧连接器11内的调制。例如，如图7所示，ASK调制的信号在一个单位间隔（UI）内优选具有三点或更多点的逻辑电平，从而维持良好的SI。原因在于当取样点等于或少于2点时，难于增加数据恢复的可靠性。
在图7中，水平轴和垂直轴分别代表时间和信号电平，并示出高频信号的波形振幅。在图7的实例中，三周期信号用于确定逻辑电平（“0”或“1”）。在该情况中，需要30GHz或更高载波频率从而以10Gbp传输基带信号。
另外，载波频率的实际限制当前在300GHz范围内。例如，原因在于难以实现电线材料或应对超过300GHz区域的可用低耗技术。
另外，例如，使用30GHz至300GHz的毫米波带的载波频率时的传输路径可具有比使用现有技术中的柔性平坦电缆时的传输路径要窄的宽度和要薄的厚度，且可减少最小弯曲半径。
由于集肤效应，高频信号传输路径所需的金属层厚度随频率增加而变薄。例如，对于铜线，表皮厚度在30GHz时为0.4μm的范围内，因此优选金属层厚度为0.8μm。因此，在根据本技术的载波频率区域内，多路传输高频信号的传输路径可被设计成具有1μm或更小的金属层厚度。如上所述，由于电缆13的介电层13a由与有机基板的柔性材料相同的柔性材料形成，所以可增加的电缆13的柔性量与金属层13b的厚度变薄量一样。
在本技术中，因为使用毫米波带载波频率，所以金属层13b的厚度可被设计为1μm以下，并可获得高柔性。
另外，例如，当基板集成波导（SIW）的结构被采用为电缆13的信号线结构以实现高电磁兼容性（EMC）时，由最低多路传输频率（最长波长）确定电缆的外形尺寸。因此，电缆的外形尺寸可减少量与载波频率增加量一样。
在本技术中，因为使用毫米波带载波频率，所以可减小电缆外形（电缆宽）。
另外，介电层13a优选由足够低的介电常数和低介电损耗的材料形成，从而经由柔性平坦电缆10实现最大传输容量。如上所述，因为电缆13的介电层13a被配置为被发送侧连接器11的有机多层基板21-1的有机基板21-1a共享，所以有机多层基板21-1的有机基板21-1a还需要由与介电层13a相同的材料形成。
例如，因为被称为液晶聚合物（LCP）的一组材料具有低介电常数和低介电损耗且是柔性良好的材料，所以认为该材料适于介电层13a材料。例如，在Roger公司所制造的3000系列、Kuraray公司所制造的Bexter等中，有大量的材料种类且制造过程研发先进，因此材料被认为是大批量生产的。
图8A和图8B示出经柔性平坦电缆10在10Gbp时执行传输的眼形图的实例。图8A示出LCP用于介电层13a的材料时的眼形图，LCP的介电常数是2.9且介电损耗因子是0.002。图8B示出聚酰胺（PI）用于介电层13a的材料时的眼形图，PI的介电常数是3.4且介电损耗因子是0.02。
与图8B相比，图8A的眼形图具有较大开口且LCP用于介电层13a的材料，因此应理解，当传输大量数据时，SI会变得较好。
根据图8，应用本技术中的柔性平坦电缆10内的电缆13的介电层13a材料优选具有小于3.5的介电常数和小于0.003的介电损耗因子。
在基板之间也存在传输路径，其中，在基板中不仅传输信号还供应电源。甚至应用本技术中的柔性平坦电缆10优选被配置为不仅包括信号线还包括电源线。然而，当电源线被布置在传输弱信号电压的信号线附近时，肯定会出现噪音。
例如，如上所述，因为采用基板集成波导（SIW）结构，因此柔性平坦电缆10可实现高电磁兼容性（EMC），柔性平坦电缆10可被配置为抑制噪音出现且包括电源线。
图9A和图9B是示出应用本技术的柔性平坦电缆10中的电缆13的配置的实例的横截面图。
图9A是电缆13采用SIW结构时的实例的横截面图。如图9A所示，图9A中的电缆13的左侧为信号线区域，图9A中的电缆13的右侧为电源线区域。在该情况中，电缆13的介电层被配置为具有两层介电层13a-1和13a-2。介电层13a-1和13a-2被有机基板共享，在有机多层基板21-1中分别配置两层。
在信号线的区域内设置上GND 13b-1、通孔（TH）13b-2以及下GND13b-3。另外，在电源线区域内设置电源芯线13b-4。在图9A的配置中，金属层13b由上GND 13b-1至电源芯线13b-4形成。
在图9A的配置中，仅金属层13b内的上GND13b-1被直接连接至高频信号的RF芯片23-1的输出端子。也就是，电缆13的金属层13b内的上GND 13b-1无缝连接至高频信号RF的芯片23-1的输出端子。
如图9A所示，由于电缆13采用SIW结构，因此EMC性能等于或高于同轴电缆可获得的性能，柔性平坦电缆10可抑制噪音的出现并包括电源线。
另外，可采用图9B所示结构。图9B是电缆13采用SL结构时的实例的横截面图。如图9B所示，图9B中的电缆13的左侧是信号线区域，图9B中的电缆13的右侧是电源线区域。在该情况中，电缆13的介电层被配置为具有两层介电层13a-1和13a-2。介电层13a-1和13a-2被有机基板共享，其分别在有机多层基板21-1中配置两层。
在图9B的配置中，在信号线区域内设置上GND 13b-1、信号线13b-5的芯线以及下GND 13b-3。另外，在电源线区域内设置电源芯线13b-4。在图9A的配置中，金属层13b由上GND 13b-1至信号线13b-5的芯线形成。
例如，当采用图9B所示的该SL结构时，相比较采用SIW结构时的性能EMC性能劣化，但是柔性平坦电缆10可抑制噪音的出现并包括电源线。
在图9B的配置中，上GND 13b-1被直接连接至高频信号的RF芯片23-1的输出端子。也就是，电缆13的金属层13b内的上GND 13b-1无缝连接至高频信号RF芯片23-1的输出端子。然而，在图9B的配置中，信号线13b-5的芯线并非无缝连接至高频信号的RF芯片23-1的输出端子。
因此，例如，当图9B的配置与图9A的配置相比时，很有可能在发送侧连接器11和电缆13之间的连接部分中反射高频信号，因此SI稍被劣化。
图9A和图9B的实例示出这样的配置，即电源13b-4的芯线由单件形成，但是可设置多个电源芯线，以供应多个电压。
图10是应用本技术的柔性平坦电缆10的功能性配置的又一实例的框图。
在该实例中，在发送侧连接器11中设置并行至串行转换单元41、调制单元42、PLL 43、编码单元44和DC-DC转换器48。另外，在接收侧连接器12内设置串行至并行转换单元51、解调单元52和解码单元54。
DC-DC转换器48将直流电源电压转换为某一电压电平。例如，DC-DC转换器48接收5V电源电压，从而转换和输出1.1V、1.3V和2.5V的电源电压。另外，DC-DC转换器48将必要的电源电压分别供应至并行至串行转换单元41、调制单元42、PLL 43以及编码单元44。
例如，从DC-DC转换器48中输出的1.1V、1.3V以及2.5V的电源电压经每个分离的电源芯线被传输至接收侧连接器12，且分别被供应至串行至并行转换单元51、解调单元52和解码单元54。
此时，例如，1.1V、1.3V以及2.5V的电源电压经由电缆13传输，其中，电缆13具有其中布置了三根电源芯线的结构，并采用与上述参考图9A或图9B相同的配置。
图11是应用本技术的柔性平坦电缆10的功能性配置的又一实例的框图。
在该实例中，在发送侧连接器11内设置并行至串行转换单元41、调制单元42以及PLL 43。通过BB芯片22-1的功能实现并行至串行单元41，通过RF芯片23-1的功能实现调制单元42和PLL 43。另外，在接收侧连接器12内设置串行至并行转换单元51、解调单元52、分离单元55和注入锁（ILO）59。
ILO 59在接收侧连接器12中生成载波频率信号，所以ILO 59可移除相位噪音并且生成与发送侧连接器11的PLL 43所生成信号的频率完全同步的信号。
采用图11所示的此种配置，因此提高了传输电路和接收电路之间的时钟频率的一致性。以这种方式，例如，在接收侧连接器12内不安装高精度振荡器的情况下，可提高传输电路和接收电路之间的时钟频率的一致性。另外，例如，按这种方式，与高精度振荡器被安装在接收侧连接器12内时相比，可减少安装面积。
在上述实施方式中，可抑制噪音并可提高SI，其中，在发送侧连接器11（或接收侧连接器12）和电缆13之间的连接部分中反射高频信号时产生噪音。优选地，RF芯片23-1的输出端子（或RF芯片23-2的输入端子）和电缆13的末端彼此接近并直线布置。原因在于，以这种方式，不存在金属线肘形弯曲处所出现的回波损耗，并且可使SI改良效果达到最大，其中，在介电层13a被一部分有机多层基板21-1共享时可获得SI改良效果。
图12A和图12B示出RF芯片23-1的输出端子和电缆的末端之间的位置关系。
在图12A的实例中，BB芯片22-1和RF芯片23-1沿竖直方向并排布置。电缆13被布置为沿图12A的水平方向延伸，电缆13在图12A的左侧的末端部分连接至高频RF芯片23-1的输出端子（信号垫）23-1a。也就是，电缆13的金属层13b沿图12A的水平方向线性布置，且金属层13b的末端连接至输出端子23-1a。
在图12B的实例中，使用集成了BB芯片22-1和RF芯片23-1的功能的芯片（RF/BB混合芯片）25-1。电缆13被布置为沿图12B的水平方向延伸，电缆13在图12B的左侧的末端部分连接至高频信号的RF/BB混合芯片25-1的输出端子（信号垫）25-1a。也就是，电缆13的金属层13b沿图12B的水平方向线性布置，且金属层13b的末端连接至输出端子25-1a。
本文中，描述了发送侧连接器11的RF芯片23-1和电缆13的末端之间的位置关系，而接收侧连接器12的RF芯片23-2和电缆13的末端之间的位置关系与发送侧连接器11中的一样。
为了易于理解，在图12A和图12B中，示出金属层13b在图12A和图12B左侧的端部被放置在RF芯片23-1或者RF/BB混合芯片25-1上。然而，实际上，金属层13b在图12A和图12B的左侧的端部被放置在RF芯片23-1或RF/BB混合芯片25-1的下方，因此从上面难以看到金属层13b的端部。另外，实际上，输出端子（信号垫）23-1a被布置在有机多层基板21-1的表面上。
例如，当每个芯片和电缆如图12A和图12B所示的布置时，在金属线肘形弯曲处不会出现回波损耗，且可使SI改良效果达到最大，其中，在介电层13a被一部分有机多层基板21-1共享时可获得SI改良效果。
另外，例如，当每个芯片和电缆可按图12A和图12B所示布置时，可自由改变连接器的形状。
图13A至图13C示出应用本技术的柔性平坦电缆10的发送侧连接器11和接收侧连接器12的其他形状。
在图13A的配置中，发送侧连接器11的输入端子31-1和接收侧连接器12的输出端子31-2具有如与电缆13延伸相同的方向平行布置的多个金属端子。在图13A的配置中，发送侧连接器11的输入端子31-1和接收侧连接器12的输出端子31-2被设置在图13A的下侧上。
在图13B的配置中，发送侧连接器11的输入端子31-1和接收侧连接器12的输出端子31-2具有以与电缆13的延伸相同的方向平行布置的多个金属端子。在图13B的配置中，发送侧连接器11的输入端子31-1被设置在图13B下侧上，而接收侧连接器12的输出端子31-2被设置在图13B上侧上。
在图13C的配置中，发送侧连接器11的输入端子31-1和接收侧连接器12的输出端子31-2具有以矩阵布置的多个金属端子。
在图13A或图13B的配置中，输入端子31-1和输出端子31-2的布置是接点栅格阵列封装（land grid array）（LGA），而在图13C的配置中，输入端子31-1和输出端子31-2的布置是球形栅格阵列（BGA）。
如上所述，根据本技术，在不增加安装空间的情况下可实现优质、高速通信。
也就是，因高灵活性可增加设计自由。此外，因为确保了高EMC性能且无需注意绝缘，所以无需安装屏蔽部件。结果，在安装空间减少的情况下可确保数据容量。也就是，每线传输容量体积变小且可减少安装空间。
根据描述序列，当然，时间顺序执行说明书中的上述一系列过程。不仅可按时间序列还可平行或独立地执行一系列过程。
另外，本技术实施方式不局限于上述实施方式，而是在不背离本技术范围和精神的情况下可做出各种变化。
本技术可采用以下配置。
本技术一个配置是信号传输电缆，包括：电缆，其包括介电层和金属层；以及连接器，其具有含端子的芯片，所述连接器包括具有有机层的基板，一部分有机层自基板延伸，以便形成电缆的介电层，金属层位于介电层上并直接连接至端子。
本技术的另一配置是前述配置的信号传输电缆，其中，基板具有多个堆叠层，多个堆叠层中的一层为有机层。
本技术的又一配置是前述配置任一项中的信号传输电缆，其中，所有多个堆叠层均为有机层。
本技术的又一配置是前述配置任一项中的信号传输电缆，其中，基板具有多个堆叠层，多个堆叠层中的一层为介电层。
本技术的又一配置是前述配置任一项中的信号传输电缆，其中，电缆具有基板集成波导结构。
本技术的又一配置是前述配置任一项中的信号传输电缆，其中，电缆包括至少一个信号线层和至少一个电源线层。
本技术的又一配置是前述配置任一项中的信号传输电缆，其中，电缆被配置成传输由载波所调制的至少一个信号，该载波具有大于或等于30GHz的频率。
本技术的又一配置是前述配置任一项中的信号传输电缆，其中，电缆被配置成同步传输多个信号，所述多个信号分别通过多个不同载波调制，所述载波每个均具有大于或等于30GHz的频率。
本技术的又一配置是前述配置任一项中的信号传输电缆，其中，芯片被配置为在并行信号和串行信号之间转换。
本技术的又一配置是前述配置任一项中的信号传输电缆，其中，芯片被配置为对信号进行编码或解码。
本技术的又一配置是前述配置任一项中的信号传输电缆，其中，芯片被配置为对信号进行调制和解调。
本技术的又一配置是前述配置任一项中的信号传输电缆，其中，芯片被配置为多路传输或多路分配信号。
本技术的又一配置是前述配置任一项中的信号传输电缆，其中，介电层的介电常数小于3.5，且介电层的介电损耗因子小于0.003。
本技术的又一配置是前述配置任一项中的信号传输电缆，其中，连接器为发送侧连接器，芯片端子为输出端子，并进一步包括：接收侧连接器，其具有含输入端子的第二芯片，该接收侧连接器包括具有第二有机层的第二基板，一部分第二有机层从第二基板延伸，以便在接收侧形成电缆的介电层，所述金属层直接连接至输入端子。
本技术的又一配置是信号传输电缆的连接器，所述连接器包括：包括端子的芯片；以及包括有机层的基板，一部分有机层从基板延伸，以便形成电缆的介电层，金属层位于介电层上并直接连接至端子。
本技术的另一配置是前述配置的信号传输电缆，其中，基板具有多个堆叠层，多个叠层中的一层为有机层。
本技术的又一配置是前述配置任一项中的信号传输电缆，其中，所有多个堆叠层均为有机层。
本技术的又一配置是前述配置的信号传输电缆，其中，基板具有多个堆叠层，多个堆叠层中的一层为介电层。
本技术的又一配置是前述配置任一项中的信号传输电缆，其中，电缆具有基板集成波导结构。
本技术的又一配置是前述配置任一项中的信号传输电缆，其中，电缆被配置成传输由载波所调制的至少一个信号，该载波具有大于或等于30GHz的频率。
本技术的又一配置是前述配置任一项中的信号传输电缆，其中，电缆被配置成同步传输多个信号，所述多个信号分别通过多个不同载波调制，所述载波每个均具有大于或等于30GHz的频率。
本技术的又一配置是前述配置任一项中的信号传输电缆，其中，介电层的介电常数小于3.5，且介电层的介电损耗因子小于0.003。
本技术的又一配置是信号传输电缆的连接器的基板，所述基板包括：有机层，一部分有机层从基板延伸，以便形成电缆的介电层；以及金属层位于介电层上并被配置为直接连接至芯片端子。
本技术的另一配置是前述配置的信号传输电缆，其中，基板具有多个堆叠层，多个堆叠层中的一层为有机层。
本技术的又一配置是前述配置任一项中的信号传输电缆，其中，所有多个堆叠层均为有机层。
本技术的又一配置是前述配置的信号传输电缆，其中，基板具有多个堆叠层，多个堆叠层中的一层为介电层。
本技术的又一配置是前述配置任一项中的信号传输电缆，其中，电缆具有基板集成波导结构。
本技术的又一配置是前述配置任一项中的信号传输电缆，其中，电缆被配置成传输由载波所调制的至少一个信号，该载波具有大于或等于30GHz的频率。
本技术的又一配置是前述配置任一项中的信号传输电缆，其中，电缆被配置成同步传输多个信号，所述多个信号分别通过多个不同载波调制，所述载波每个均具有大于或等于30GHz的频率。
本技术的又一配置是前述配置任一项中的信号传输电缆，其中介电层的介电常数小于3.5，且介电层的介电损耗因子小于0.003。
本技术还可采用以下配置。
(1)一种信号传输电缆，包括：第一连接器；第二连接器；以及连接在第一连接器和第二连接器的电缆，其中，每个第一连接器和第二连接器具有至少一层有机基板，其中，电缆具有介电层和金属层，其中，第一连接器和第二连接器的有机基板部分延伸形成电缆介电层，其中，电缆金属层的末端直接连接至布置在第一连接器和第二连接器的有机基板上的芯片输入/输出端子。
(2)根据（1）的信号传输电缆，其中，第一连接器和第二连接器分别具有平行输入或输出多个信号的输入端子和输出端子，其中，第一连接器具有并行至串行转换单元和调制单元，所述并行至串行转换单元将并行信号转换成串行信号，该并行信号是并行输入的多个信号，调制单元通过载波的方式调制串行信号，从而生成高频信号，其中，第二连接器具有解调单元和串行至并行转换单元，所述解调单元对高频信号解调从而生成串行信号，而串行至并行转换单元将串行信号转换成并行信号，其中，电缆的金属层的末端的一侧被直接连接至构成调制单元的芯片内的高频信号的输出端子，并且其中，电缆的金属层的末端的另一侧被直接连接至芯片内的高频信号的输入端子，该芯片配置解调单元。
(3)根据（2）的信号传输电缆，其中，分别在电缆纵向延伸线上布置构成调制单元的芯片内的高频信号的输出端子和芯片内的高频信号的输入端子，其中，输入端子配置了解调单元。
(4)根据（2）或（3）的信号传输电缆，其中，载波频率被设定为等于或高于30GHz。
(5)根据（4）的信号传输电缆，其中，介电层的介电常数小于3.5，且介电损耗因子小于0.003。
(6)根据（4）或（5）的信号传输电缆，其中，高频信号在一个单元间隔（UI）内具有三个或更多个的逻辑电平。
(7)根据（2）至（6）任一项的信号传输电缆，其中，所述第一连接器具有多个并行至串行转换单元和多个调制单元以及多路复用单元，该多路复用单元可在电缆上多路传输多个高频信号并通过将多个调制单元的载波频率设定为彼此不同，传输多路传输的信号，且其中，第二连接器具有多个解调单元和串行至并行转换单元以及分离和提取在电缆上多路传输的多个高频信号的带通滤波器。
(8)根据（2）至（7）任一项的信号传输电缆，其中，电缆具有基板集成波导（SIW）结构。
(9)根据（2）至（8）任一项的信号传输电缆，其中，电缆具有用于传输高频信号的信号线的区域，以及用于传输电源电压的电源线区域。
(10)根据（9）的信号传输电缆，其中，电源线被设置为将电源电压提供至第一连接器，且第二连接器经由电缆从第一连接器所传输的电源电压来驱动。
本领域技术人员应理解，根据设计需要和其他因素，可以出现各种修正、组合、子组合和改变，只要它们在所附权利要求或等价物的范围内。

Claims (31)

1.一种信号传输电缆，包括：
电缆，包括介电层和金属层；以及
连接器，具有含端子的芯片，所述连接器包括具有有机层的基板，所述有机层的一部分从所述基板延伸，以便形成所述电缆的介电层，所述金属层位于所述介电层上并直接连接至所述端子。
2.根据权利要求1所述的信号传输电缆，其中，所述基板具有多个堆叠层，所述多个堆叠层之一为所述有机层。
3.根据权利要求2所述的信号传输电缆，其中，所述多个堆叠层均为有机层。
4.根据权利要求1所述的信号传输电缆，其中，所述电缆具有多个层，所述多个层之一为所述介电层。
5.根据权利要求4所述的信号传输电缆，其中，所述电缆具有基板集成波导结构。
6.根据权利要求4所述的信号传输电缆，其中，所述电缆包括至少一个信号线层和至少一个电源线层。
7.根据权利要求1所述的信号传输电缆，其中，所述电缆被配置为传输通过载波所调制的至少一个信号，所述载波具有大于或等于30GHz的频率。
8.根据权利要求7所述的信号传输电缆，其中，所述电缆被配置为同步传输多个信号，所述多个信号分别通过多个不同的载波进行调制，所述多个不同的载波均具有大于或等于30GHz的频率。
9.根据权利要求1所述的信号传输电缆，其中，所述芯片被配置为在并行信号与串行信号之间转换。
10.根据权利要求1所述的信号传输电缆，其中，所述芯片被配置为对信号进行编码或解码。
11.根据权利要求1所述的信号传输电缆，其中，所述芯片被配置为对信号进行调制或解调。
12.根据权利要求1所述的信号传输电缆，其中，所述芯片被配置为多路传输或多路分配信号。
13.根据权利要求1所述的信号传输电缆，其中，所述介电层的介电常数小于3.5，且所述介电层的介电损耗因子小于0.003。
14.根据权利要求1所述的信号传输电缆，其中，所述连接器为发送侧连接器，所述芯片的所述端子为输出端子，并进一步包括：
接收侧连接器，具有含输入端子的第二芯片，所述接收侧连接器包括具有第二有机层的第二基板，所述第二有机层的一部分从所述第二基板延伸，使得在所述接收侧形成所述电缆的所述介电层，所述金属层直接连接至所述输入端子。
15.根据权利要求1所述的信号传输电缆，其中，所述信号传输电缆为柔性平坦电缆。
16.一种信号传输电缆的连接器，所述连接器包括：
包括端子的芯片；以及
包括有机层的基板，所述有机层的一部分从所述基板延伸，使得形成电缆的介电层，金属层位于所述介电层上并直接连接至所述端子。
17.根据权利要求16所述的连接器，其中，所述基板具有多个堆叠层，所述多个堆叠层中的一层为所述有机层。
18.根据权利要求17所述的连接器，其中，所有所述多个堆叠层均为有机层。
19.根据权利要求16所述的连接器，其中，所述电缆具有多个层，所述多个层之一为所述介电层。
20.根据权利要求19所述的连接器，其中，所述电缆具有基板集成波导结构。
21.根据权利要求16所述的连接器，其中，所述电缆被配置为传输通过载波所调制的至少一个信号，所述载波具有大于或等于30GHz的频率。
22.根据权利要求21所述的连接器，其中，所述电缆被配置为同步传输多个信号，所述多个信号分别通过多个不同的载波进行调制，所述多个不同的载波均具有大于或等于30GHz的频率。
23.根据权利要求16所述的连接器，其中，所述介电层的介电常数小于3.5，且所述介电层的介电损耗因子小于0.003。
24.一种用于信号传输电缆的连接器的基板，所述基板包括：
有机层，所述有机层的一部分从所述基板延伸，以便形成电缆的介电层；以及
金属层，位于所述介电层上，且被配置为直接连接至芯片的端子。
25.根据权利要求24所述的基板，其中，所述基板具有多个堆叠层，所述多个堆叠层之一为所述有机层。
26.根据权利要求25所述的基板，其中，所述多个堆叠层均为有机层。
27.根据权利要求24所述的基板，其中，所述电缆具有多个层，所述多个层之一为所述介电层。
28.根据权利要求27所述的基板，其中，所述电缆具有基板集成波导结构。
29.根据权利要求24所述的基板，其中，所述电缆被配置为传输通过载波所调制的至少一个信号，所述载波具有大于或等于30GHz的频率。
30.根据权利要求29所述的基板，其中，所述电缆被配置为同步传输多个信号，所述多个信号分别通过多个不同的载波进行调制，所述多个不同的载波均具有大于或等于30GHz的频率。
31.根据权利要求24所述的基板，其中，所述介电层的介电常数小于3.5，且所述介电层的介电损耗因子小于0.003。
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