CN103985787A - 一种透明导电氧化物薄膜的制绒方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种透明导电氧化物薄膜的制绒方法，由于采用等离子体浸没离子注入技术对透明导电氧化物薄膜进行反应离子刻蚀处理，可以得到具有绒面结构的透明导电氧化物薄膜，因此可以将该具有绒面结构的透明导电氧化物薄膜应用于太阳能电池的前电极，以起到较强的减反或陷光作用。此制绒方法不仅可以避免湿法刻蚀所引进的杂质沾污对太阳能电池性能的影响，并且采用等离子体浸没离子注入技术在透明导电氧化物薄膜上制作绒面结构，还可以灵活调整绒面结构，从而提升太阳能电池的光电转换性能。
Description
技术领域
本发明涉及太阳能电池技术领域，尤指一种透明导电氧化物薄膜的制绒方法。
背景技术
随着能源危机和环境污染问题的日益加重，人们对新能源的研究和应用开发更加关注。其中，太阳能光伏发电技术以其洁净、安全、可再生成为新能源领域的研究热点。
目前的太阳能电池一般包括由透明导电氧化物(TCO)薄膜组成的前电极和背电极，以及位于前电极和背电极之间的PN结。当太阳光照射到PN结时，内建电场使得光照产生的光生空穴电子对分离，从而形成非平衡载流子，产生电流。在太阳能电池的制备过程中，为了最大限度地减少光反射，增强陷光效应，提高光电转换效率，通常会在太阳能电池的受光面上制作绒面。
TCO薄膜作为太阳能电池的前电极，除了具有良好的光电性能，适当的绒面结构也可以起到减反或陷光的作用。然而，由于采用湿法刻蚀的方法对TCO薄膜进行制绒的可控性和重复性较差，即相同的工艺不同批次制绒后TCO薄膜的绒面结构差异较大，且在湿法刻蚀的过程中容易引进杂质污染，影响太阳能电池的光电转换效率。
因此，如何提供一种对太阳能电池的受光面进行制绒的新方法，以增强太阳能电池的减反效应或陷光效应，是本领域技术人员亟需解决的技术问题。
发明内容
本发明实施例提供的一种透明导电氧化物薄膜的制绒方法，可以实现在增强太阳能电池的减反效应或陷光效应的情况下避免湿法刻蚀所导致的可控性较差以及容易引进杂质沾污的问题。
本发明实施例提供的一种透明导电氧化物薄膜的制绒方法，包括：
在样品上形成透明导电氧化物薄膜；
将形成有所述透明导电氧化物薄膜的样品置于绒面制备装置的注入腔室中；
对放置有所述透明导电氧化物薄膜的样品的绒面制备装置的注入腔室进行抽真空处理；
向经过所述抽真空处理后的绒面制备装置的注入腔室内通入刻蚀所述透明导电氧化物薄膜所需的刻蚀气体；
在所述绒面制备装置的注入腔室中将所述刻蚀气体转换为等离子体后，采用等离子体注入的方式对所述透明导电氧化物薄膜进行反应离子刻蚀处理，得到具有绒面结构的透明导电氧化物薄膜。
本发明实施例提供的上述透明导电氧化物薄膜的制绒方法，由于采用等离子体浸没离子注入技术对透明导电氧化物薄膜进行反应离子刻蚀处理，可以得到具有绒面结构的透明导电氧化物薄膜，因此可以将该具有绒面结构的透明导电氧化物薄膜应用于太阳能电池的前电极，以起到较强的减反或陷光作用。此制绒方法不仅可以避免湿法刻蚀所引进的杂质沾污对太阳能电池性能的影响，并且采用等离子体浸没离子注入技术在透明导电氧化物薄膜上制作绒面结构，还可以灵活调整绒面结构，从而提升太阳能电池的光电转换性能。
较佳地，为了便于实施，在本发明实施例提供的上述制绒方法中，所述采用等离子体注入的方式对所述透明导电氧化物薄膜进行反应离子刻蚀处理，具体包括：
在所述绒面制备装置的等离子体电源的输出功率为1W-10000W、等离子体电源的频率为1KHz-50GHz、施加的偏置电压为-10000V-10000V、施加偏置电压的电源的脉冲宽度为1μs-1s、施加偏置电压的电源的占空比为1％-99％和刻蚀时间为1min-60min的条件下采用等离子体注入的方式对所述透明导电氧化物薄膜进行反应离子刻蚀处理。
较佳地，为了便于实施，在本发明实施例提供的上述制绒方法中，所述等离子体电源的输出功率为50W-1500W，所述等离子体电源的频率为1MHz-100MHz，所述施加的偏置电压为-5000V-0V，所述施加偏置电压的电源的脉冲宽度为1μs-0.1s，所述施加偏置电压的电源的占空比为10％-90％，所述刻蚀时间为1min-30min。
较佳地，为了便于实施，在本发明实施例提供的上述制绒方法中，向经过所述抽真空处理后的绒面制备装置的注入腔室内通入刻蚀所述透明导电氧化物薄膜所需的刻蚀气体，具体包括：
向所述绒面制备装置的注入腔室内通入刻蚀所述透明导电氧化物薄膜所需的刻蚀气体，使所述绒面制备装置的注入腔室的刻蚀压强为10-2Pa-103Pa。
较佳地，为了便于实施，在本发明实施例提供的上述制绒方法中，所述刻蚀压强为10-1Pa-500Pa。
较佳地，为了便于实施，在本发明实施例提供的上述制绒方法中，对所述绒面制备装置的注入腔室进行抽真空处理，具体包括:
对所述绒面制备装置的注入腔室进行抽真空处理，至所述绒面制备装置的注入腔室的本底压强为10-7Pa-103Pa。
较佳地，为了便于实施，在本发明实施例提供的上述制绒方法中，所述本底压强为10-7Pa-10-3Pa。
较佳地，为了便于实施，在本发明实施例提供的上述制绒方法中，所述透明导电氧化物薄膜的材料为掺锡氧化铟、掺铝氧化锌、掺镓氧化锌或掺氟氧化锡。
较佳地，为了便于实施，在本发明实施例提供的上述制绒方法中，刻蚀所述透明导电氧化物薄膜所需的刻蚀气体为三氯化硼、甲烷、乙烯、氢气、氯气和氩气中之一或任意组合。
较佳地，为了便于实施，在本发明实施例提供的上述制绒方法中，在得到具有绒面结构的透明导电氧化物薄膜之后，还包括：
采用湿法化学刻蚀方法对所述具有绒面结构的透明导电氧化物薄膜进行反应刻蚀处理。
较佳地，为了便于实施，在本发明实施例提供的上述制绒方法中，所述采用湿法化学刻蚀方法对所述具有绒面结构的透明导电氧化物薄膜进行反应刻蚀处理，具体包括：
将所述具有绒面结构的透明导电氧化物薄膜放入刻蚀溶液中，对所述具有绒面结构的透明导电氧化物薄膜进行反应刻蚀处理。
较佳地，为了便于实施，在本发明实施例提供的上述制绒方法中，所述刻蚀溶液为盐酸、硝酸、硫酸、磷酸、氯化铵和氯化铁中一种或任意组合。
附图说明
图1为本发明实施例提供的透明导电氧化物薄膜的制绒方法的流程图；
图2为本发明实例一提供的硅异质结太阳能电池的结构示意图；
图3为本发明实例二提供的硅薄膜太阳能电池的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图，对本发明实施例提供的透明导电氧化物薄膜的制绒方法的具体实施方式进行详细地说明。
本发明实施例提供的一种透明导电氧化物薄膜的制绒方法，如图1所示，具体包括以下步骤：
S101、在样品上形成透明导电氧化物薄膜；
S102、将形成有透明导电氧化物薄膜的样品置于绒面制备装置的注入腔室中；
S103、对放置有透明导电氧化物薄膜的样品的绒面制备装置的注入腔室进行抽真空处理；
S104、向经过抽真空处理后的绒面制备装置的注入腔室内通入刻蚀该透明导电氧化物薄膜所需的刻蚀气体；
S105、在绒面制备装置的注入腔室中将刻蚀气体转换为等离子体后，采用等离子体注入的方式对透明导电氧化物薄膜进行反应离子刻蚀处理，得到具有绒面结构的透明导电氧化物薄膜。
本发明实施例提供的上述透明导电氧化物薄膜的制绒方法，由于采用等离子体浸没离子注入技术对透明导电氧化物薄膜进行反应离子刻蚀处理，可以得到具有绒面结构的透明导电氧化物薄膜，因此可以将该具有绒面结构的透明导电氧化物薄膜应用于太阳能电池的前电极，以起到较强的减反或陷光作用。此制绒方法不仅可以避免湿法刻蚀所引进的杂质沾污对太阳能电池性能的影响，并且采用等离子体浸没离子注入技术在透明导电氧化物薄膜上制作绒面结构，还可以灵活调整绒面结构，从而提升太阳能电池的光电转换性能。
较佳地，在具体实施时，在本发明实施例提供的上述制绒方法中，透明导电氧化物薄膜的材料可以为掺锡氧化铟(ITO)、掺铝氧化锌(AZO)、掺镓氧化锌(GZO)或掺氟氧化锡(FTO)，当然也可以为能够实现本发明方案的其它材料，在此不作限定。
进一步地，为了便于实施，在本发明实施例提供的上述制绒方法中，刻蚀上述透明导电氧化物薄膜所需的刻蚀气体可以为三氯化硼(BCl3)、甲烷(CH4)、乙烯(C2H4)、氢气(H2)、氯气(Cl2)和氩气(Ar)中之一或任意组合，当然也可以为能够实现本发明方案的其它气体，在此不作限定。
较佳地，在具体实施时，在本发明实施例提供的上述制绒方法中，当透明导电氧化物薄膜的材料为掺锡氧化铟(ITO)或掺氟氧化锡(FTO)时，刻蚀上述透明导电氧化物薄膜所需的刻蚀气体可以为三氯化硼(BCl3)、甲烷(CH4)、乙烯(C2H4)、氯气(Cl2)和氩气(Ar)中之一或任意组合，在此不作限定。
较佳地，在具体实施时，在本发明实施例提供的上述制绒方法中，步骤S105采用等离子体注入的方式对透明导电氧化物薄膜进行反应离子刻蚀处理，具体可以包括：
在绒面制备装置的等离子体电源的输出功率为1W-10000W、等离子体电源的频率为1KHz-50GHz、施加的偏置电压为-10000V-10000V、施加偏置电压的电源的脉冲宽度为1μs-1s、施加偏置电压的电源的占空比为1％-99％和刻蚀时间为1min-60min的条件下采用等离子体注入的方式对透明导电氧化物薄膜进行反应离子刻蚀处理。具体地，在上述条件下，绒面制备装置中产生等离子体，产生的等离子体注入到透明导电氧化物薄膜内，注入到透明导电氧化物薄膜内的等离子体与透明导电氧化物薄膜发生反应，从而得到具有绒面结构的透明导电氧化物薄膜。
具体地，在本发明实施例提供的上述制绒方法中，可以通过调节施加偏置电压的电源的脉冲宽度和刻蚀时间来控制等离子体的注入量，通过调节刻蚀压强和施加的偏置电压来控制等离子体的注入深度。
较佳地，在本发明实施例提供的上述制绒方法中，等离子体电源的输出功率控制在50W-1500W之间，等离子体电源的频率控制在1MHz-100MHz之间，施加的偏置电压控制在-5000V-0V之间，施加偏置电压的电源的脉冲宽度控制在1μs-0.1s之间，施加偏置电压的电源的占空比控制在10％-90％之间，刻蚀时间控制在1min-30min之间效果较佳。
较佳地，在本发明实施例提供的上述制绒方法中，步骤S104向经过抽真空处理后的绒面制备装置的注入腔室内通入刻蚀透明导电氧化物薄膜所需的刻蚀气体，具体可以包括：
向绒面制备装置的注入腔室内通入刻蚀透明导电氧化物薄膜所需的刻蚀气体，使绒面制备装置的注入腔室的刻蚀压强为10-2Pa-103Pa。
需要说明的是，刻蚀压强是指上述绒面制备装置的注入腔室在通入刻蚀气体之后进行反应离子刻蚀处理时所需的工作压强。
较佳地，在本发明实施例提供的上述制绒方法中，刻蚀压强控制在10-1Pa-500Pa之间效果较佳。
较佳地，为了减少绒面制备装置的注入腔室中杂质气体的干扰，在本发明实施例提供的上述制绒方法中，步骤S103对绒面制备装置的注入腔室进行抽真空处理，具体可以包括:
对绒面制备装置的注入腔室进行抽真空处理，至绒面制备装置的注入腔室的本底压强为10-7Pa-103Pa。具体地，本底压强越小，即真空度越高，抗干扰效果越好，但是对抽真空设备的要求越高。
较佳地，在本发明实施例提供的上述制绒方法中，本底压强控制在10-7Pa-10-3Pa之间效果较佳。
具体地，在本发明实施例提供的上述制绒方法中，绒面制备装置可以是现有的等离子体浸没离子注入机，在此不作限定。
进一步地，在本发明实施例提供的上述制绒方法中，为了获得性能更佳，且更加适用于太阳能电池的绒面结构，在得到具有绒面结构的透明导电氧化物薄膜之后，还可包括：
采用湿法化学刻蚀方法对具有绒面结构的透明导电氧化物薄膜进行反应刻蚀处理。
具体地，在本发明实施例提供的上述制绒方法中，采用湿法化学刻蚀方法对具有绒面结构的透明导电氧化物薄膜进行反应刻蚀处理，具体包括：
将具有绒面结构的透明导电氧化物薄膜放入刻蚀溶液中，对该具有绒面结构的透明导电氧化物薄膜进行反应刻蚀处理。
进一步地，在具体实施时，在本发明实施例提供的上述制绒方法中，刻蚀溶液可以为盐酸(HCl)、硝酸(HNO3)、硫酸(H2SO4)、磷酸(H3PO4)、氯化铵(NH4Cl)和氯化铁(FeCl3)等溶液中一种或任意组合。
进一步地，本发明实施例提供的上述制绒方法，可以应用于前电极为透明导电氧化物薄膜的任何一种太阳能电池，例如硅异质结太阳能电池和硅薄膜太阳能电池等，在此不作限定。
下面通过两个具体的实例对本发明实施例提供的上述透明导电氧化物薄膜的制绒方法应用于太阳能电池时的具体实现方式进行详细说明。
实例一：
一种硅异质结太阳能电池，如图2所示，包括晶硅衬底100，依次位于晶硅衬底100背光侧的第一本征非晶硅层110、N型非晶硅层120和背电极130，以及依次位于晶硅衬底100入光侧的第二本征非晶硅层140、P型非晶硅层150、第一透明导电氧化物薄膜160和栅线电极170；其中，该第一透明导电氧化物薄膜160的入光侧具有绒面结构，背电极130由第二透明导电氧化物薄膜131和金属电极132组成。在具体实施时，上述硅异质结太阳能电池的制备方法，具体包括以下步骤：
(1)对晶硅衬底进行清洗，去除晶硅衬底的表面损伤和表面污染物；
具体地，在具体实施时，晶硅衬底可以为P型晶硅衬底，或者，也可以为N型晶硅衬底，在此不作限定；图2是以晶硅衬底为N型为例进行说明的。
(2)在晶硅衬底的背光侧形成第一本征非晶硅层；
(3)在第一本征非晶硅层上形成N型非晶硅层；
(4)在晶硅衬底的入光侧形成第二本征非晶硅层；
(5)在第二本征非晶硅层上形成P型非晶硅层；
(6)在N型非晶硅层上形成背电极；
具体地，在具体实施时，背电极包括形成在N型非晶硅层上的第二透明导电氧化物薄膜和形成在该第二透明导电氧化物薄膜上的金属电极。其中，第二透明导电氧化物薄膜的材料可以为ITO或AZO等，金属电极的材料可以为银(Ag)或铝(Al)等，并且，金属电极可以整面设置，或者，也可以为栅线结构，在此不作限定。
较佳地，第二透明导电氧化物薄膜的材料为掺锡氧化铟(ITO)，金属电极的材料为银(Ag)。
(7)在P型非晶硅层上形成作为前电极的第一透明导电氧化物薄膜；
(8)采用等离子体浸没离子注入技术对第一透明导电氧化物薄膜进行反应离子刻蚀处理，得到具有绒面结构的第一透明导电氧化物薄膜；
具体地，在具体实施，第一透明导电氧化物薄膜的材料可以与背电极中的第二透明导电氧化物的材料相同，也可以选取与第二透明导电氧化物的材料不同的材料，在此不作限定。
较佳地，作为前电极的第一透明导电氧化物薄膜的材料为掺锡氧化铟(ITO)，采用等离子体浸没离子注入技术对ITO薄膜进行反应离子刻蚀处理具体可以包括以下步骤：
a)将上述形成有ITO薄膜的样品置于绒面制备装置的注入腔室中；
b)对放置有上述样品的绒面制备装置的注入腔室进行抽真空处理，至绒面制备装置的注入腔室的本底压强控制在10-7Pa-10-3Pa之间；
c)向经过抽真空处理后的绒面制备装置的注入腔室内通入刻蚀ITO薄膜所需的刻蚀气体，使该绒面制备装置的注入腔室的刻蚀压强为10-1Pa-500Pa；
具体地，在具体实施时，刻蚀气体可以为三氯化硼(BCl3)、甲烷(CH4)、、乙烯(C2H4)、氯气(Cl2)和氩气(Ar)等气体中之一或任意组合，在此不作限定。
d)在绒面制备装置的注入腔室中，设置等离子体电源的输出功率为50W-1500W，等离子体电源的频率为1MHz-100MHz，施加的偏置电压为-5000V-0V，施加偏置电压的电源的脉冲宽度为1μs-0.1s，施加偏置电压的电源的占空比为10％-90％，将刻蚀气体转换为等离子体，等离子体注入ITO薄膜与ITO薄膜发生反应，刻蚀时间为1min-30min时，可得到具有绒面结构的ITO薄膜。
(9)在该具有绒面结构的透明导电氧化物薄膜上丝网印刷银材质的栅线电极。
采用本发明实施例提供的上述制绒方法制得的上述结构的硅异质结太阳能电池的表面反射率几乎为零，相对于传统的硅异质结太阳能电池的表面反射率5％，降低了将近5％。仅从电流提升角度考虑，假定传统的硅异质结太阳能电池的效率为20％，表面反射率降低5％可以使硅异质结太阳能电池的效率提高1％。并且，由于省去现有技术中对晶硅衬底的制绒工艺，表面较为平坦的晶硅衬底可以使后续形成的各膜层具有较高的质量，从而可以进一步地提升硅异质结太阳能电池的效率。
实例二：
一种硅薄膜太阳能电池，如图3所示，包括透明衬底200，依次位于透明衬底200一侧的第一透明导电氧化物薄膜210、非晶硅电池结构220、微晶硅电池结构230和背电极240；其中，该第一透明导电氧化物薄膜210背离透明衬底200的一侧具有绒面结构，该非晶硅电池结构220包括层叠设置的过渡层221、P型氢化非晶硅层(Pa-Si:H)222、本征氢化非晶硅层(Ia-Si:H)223和N型氢化微晶硅层(Nμc-Si:H)224，该微晶硅电池结构230包括层叠设置的P型氢化微晶硅层(Pμc-Si:H)231、本征氢化微晶硅层(Iμc-Si:H)232和N型氢化非晶硅层(Na-Si:H)233，该层叠设置的背电极240包括第二透明导电氧化物薄膜241和金属电极242。在具体实施时，上述硅薄膜太阳能电池的制备方法，具体可以包括以下步骤：
(1)对透明衬底进行清洗，去除透明衬底表面上的污染物；
具体地，在具体实施时，选取玻璃衬底作为透明衬底。
(2)在该透明衬底上形成作为前电极的第一透明导电氧化物薄膜；
(3)采用等离子体浸没离子注入技术对该第一透明导电氧化物薄膜进行反应离子刻蚀处理，形成具有绒面结构的第一透明导电氧化物薄膜；
具体地，第一透明导电氧化物薄膜的材料可以为掺铝氧化锌(AZO)，采用等离子体浸没离子注入技术对AZO薄膜进行反应离子刻蚀处理具体可以包括以下步骤：
a)将上述形成有AZO薄膜的样品置于绒面制备装置的注入腔室中；
b)对放置有上述样品的绒面制备装置的注入腔室进行抽真空处理，至绒面制备装置的注入腔室的本底压强控制在10-7Pa-10-3Pa之间；
c)向经过抽真空处理后的绒面制备装置的注入腔室内通入刻蚀AZO薄膜所需的刻蚀气体，使该绒面制备装置的注入腔室的刻蚀压强为10-1Pa-500Pa；
具体地，在具体实施时，刻蚀气体可以为三氯化硼(BCl3)、甲烷(CH4)、氢气(H2)、乙烯(C2H4)、氯气(Cl2)和氩气(Ar)等气体中之一或任意组合，在此不作限定。
d)在绒面制备装置的注入腔室中，设置等离子体电源的输出功率为50W-1500W，等离子体电源的频率为1MHz-100MHz，施加的偏置电压为-5000V-0V，施加偏置电压的电源的脉冲宽度为1μs-0.1s，施加偏置电压的电源的占空比为10％-90％，将刻蚀气体转换为等离子体，等离子体注入AZO薄膜与AZO薄膜发生反应，刻蚀时间为1min-30min时，得到具有绒面结构的AZO薄膜。
(4)在该具有绒面结构的第一透明导电氧化物薄膜上形成非晶硅电池结构；
具体地，在具体实施时，非晶硅电池结构包括：依次层叠设置的过渡层、P型氢化非晶硅层、本征氢化非晶硅层和N型氢化微晶硅层。具体地，非晶硅电池结构与现有技术中相同，在此不再赘述。
(5)在该非晶硅电池结构上形成微晶硅电池结构；
具体地，在具体实施时，微晶硅电池结构包括：依次层叠设置的P型氢化微晶硅层、本征氢化微晶硅层和N型氢化非晶硅层。具体地，微晶硅电池结构与现有技术中相同，在此不再赘述。
(6)在该微晶硅电池结构上形成背电极；
具体地，在具体实施时，背电极包括形成在微晶硅电池结构上的第二透明导电氧化物薄膜和形成在该第二透明导电氧化物薄膜上的金属电极。
具体地，第二透明导电氧化物薄膜的材料可以与作为前电极的第一透明导电氧化物薄膜的材料相同，也可以与第一透明导电氧化物的材料不同，在此不作限定。
较佳地，第二透明导电氧化物薄膜的材料与作为前电极的第一透明导电氧化物薄膜的材料相同，选为掺铝氧化锌(AZO)，金属电极的材料为银(Ag)。
本发明实施例提供的一种透明导电氧化物薄膜的制绒方法，由于采用等离子体浸没离子注入技术对透明导电氧化物薄膜进行反应离子刻蚀处理，可以得到具有绒面结构的透明导电氧化物薄膜，因此可以将该具有绒面结构的透明导电氧化物薄膜应用于太阳能电池的前电极，以起到较强的减反或陷光作用。此制绒方法不仅可以避免湿法刻蚀所引进的杂质沾污对太阳能电池性能的影响，并且采用等离子体浸没离子注入技术在透明导电氧化物薄膜上制作绒面结构，还可以灵活调整绒面结构，从而提升太阳能电池的光电转换性能。
显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。
Claims (12)
1.一种透明导电氧化物薄膜的制绒方法，其特征在于，包括：
在样品上形成透明导电氧化物薄膜；
将形成有所述透明导电氧化物薄膜的样品置于绒面制备装置的注入腔室中；
对放置有所述透明导电氧化物薄膜的样品的绒面制备装置的注入腔室进行抽真空处理；
向经过所述抽真空处理后的绒面制备装置的注入腔室内通入刻蚀所述透明导电氧化物薄膜所需的刻蚀气体；
在所述绒面制备装置的注入腔室中将所述刻蚀气体转换为等离子体后，采用等离子体注入的方式对所述透明导电氧化物薄膜进行反应离子刻蚀处理，得到具有绒面结构的透明导电氧化物薄膜。
2.如权利要求1所述的制绒方法，其特征在于，所述采用等离子体注入的方式对所述透明导电氧化物薄膜进行反应离子刻蚀处理，具体包括：
在所述绒面制备装置的等离子体电源的输出功率为1W-10000W、等离子体电源的频率为1KHz-50GHz、施加的偏置电压为-10000V-10000V、施加偏置电压的电源的脉冲宽度为1μs-1s、施加偏置电压的电源的占空比为1％-99％和刻蚀时间为1min-60min的条件下采用等离子体注入的方式对所述透明导电氧化物薄膜进行反应离子刻蚀处理。
3.如权利要求2所述的制绒方法，其特征在于，所述等离子体电源的输出功率为50W-1500W，所述等离子体电源的频率为1MHz-100MHz，所述施加的偏置电压为-5000V-0V，所述施加偏置电压的电源的脉冲宽度为1μs-0.1s，所述施加偏置电压的电源的占空比为10％-90％，所述刻蚀时间为1min-30min。
4.如权利要求1所述的制绒方法，其特征在于，向经过所述抽真空处理后的绒面制备装置的注入腔室内通入刻蚀所述透明导电氧化物薄膜所需的刻蚀气体，具体包括：
向所述绒面制备装置的注入腔室内通入刻蚀所述透明导电氧化物薄膜所需的刻蚀气体，使所述绒面制备装置的注入腔室的刻蚀压强为10-2Pa-103Pa。
5.如权利要求4所述的制绒方法，其特征在于，所述刻蚀压强为10-1Pa-500Pa。
6.如权利要求1所述的制绒方法，其特征在于，对所述绒面制备装置的注入腔室进行抽真空处理，具体包括:
对所述绒面制备装置的注入腔室进行抽真空处理，至所述绒面制备装置的注入腔室的本底压强为10-7Pa-103Pa。
7.如权利要求6所述的制绒方法，其特征在于，所述本底压强为10-7Pa-10-3Pa。
8.如权利要求1-7任一项所述的制绒方法，其特征在于，所述透明导电氧化物薄膜的材料为掺锡氧化铟、掺铝氧化锌、掺镓氧化锌或掺氟氧化锡。
9.如权利要求8所述的制绒方法，其特征在于，刻蚀所述透明导电氧化物薄膜所需的刻蚀气体为三氯化硼、甲烷、乙烯、氢气、氯气和氩气中之一或任意组合。
10.如权利要求1-7任一项所述的制绒方法，其特征在于，在得到具有绒面结构的透明导电氧化物薄膜之后，还包括：
采用湿法化学刻蚀方法对所述具有绒面结构的透明导电氧化物薄膜进行反应刻蚀处理。
11.如权利要求10所述的制绒方法，其特征在于，所述采用湿法化学刻蚀方法对所述具有绒面结构的透明导电氧化物薄膜进行反应刻蚀处理，具体包括：
将所述具有绒面结构的透明导电氧化物薄膜放入刻蚀溶液中，对所述具有绒面结构的透明导电氧化物薄膜进行反应刻蚀处理。
12.如权利要求11所述的制绒方法，其特征在于，所述刻蚀溶液为盐酸、硝酸、硫酸、磷酸、氯化铵和氯化铁中一种或任意组合。
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