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Abstract

本发明的一种LTPS工艺，相对于传统工艺，包含以下步骤：根据晶体管类型在其源极或漏极掺杂P-或B+；S7、熔炉热处理以激活掺杂的杂质；S8、使用电子束蒸发器和掩模板蒸镀厚的氧化物的图案，用以形成栅极金属层等。有益效果在于，与背景技术中的LTPS工艺相比，降低成本的同时提高了生产性。省掉步骤“利用PECVD蒸镀厚度为的防止阳极和金属布线短路的钝化绝缘膜，通过光刻蚀刻形成阳极接触的接触孔图案”。将蒸镀>光刻>蚀刻以及PR工序简化为掩膜板制作工序，能够缩短制作TFT阵列组的时间，减少生产成本。本发明不只适用MIC，也适用MILC或MICC等结晶化法不同的情况。

Description

一种LTPS工艺
技术领域
本发明属于OLED平面显示面板工艺技术领域，具体涉及一种LTPS工艺。
背景技术
在平板显示技术中，有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)显示器以其轻薄、主动发光、快响应速度、广视角、色彩丰富及高亮度、低功耗和耐高低温等众多优点而被业界公认为是继液晶显示器(LCD)之后的第三代显示技术。主动式OLED(ActiveMatrix OLED，AMOLED)也称为有源矩阵OLED，AMOLED因通过在每个像素中集成薄膜晶体管(TFT)和电容器并由电容器维持电压的方法进行驱动，因而可以实现大尺寸、高分辨率面板，是当前研究的重点及未来显示技术的发展方向。
在现有的低温多晶硅(LTPS，Low Temperature Poly-silicon)制作工艺中，薄膜场效应晶体管(TFT，Thin Film Transistor)制作的主要步骤是在蒸镀材料之后，通过循环光刻蚀刻形成图案，最后PR脱膜。主要步骤包括：1、在玻璃基板(经600℃热处理)上以PECVD方式蒸镀阻止杂质渗透的厚为的缓冲氧化层；2、利用PECVD或LPCVD，蒸镀厚度为的单晶硅(a-Si)来作为晶体管(Transistor)的源极和漏极；3、为了完成LTPS非激光(Non laser)方式的硅结晶化，采用ALD设备以原子单位蒸镀Ni或溅射数十的Ni；4、采用熔炉(Furnace)在约600℃的条件下经过一小时硅结晶化形成多晶硅；5、利用光刻蚀刻工序形成TFT的源极和漏极图案(source/Drain patterning)；6、用PECVD制作晶体管(Transistor)的栅极绝缘层(Gate insulator)，厚度范围为7、通过溅射蒸镀厚度为的栅极金属层(Gate Metal)，可以通过筛选实验选择特性好、便宜的Gate Metal的金属材料，然后利用光刻蚀刻形成栅极金属层(Gate Metal)图形；8、根据晶体管的类型，用离子注入机(Ion implanter)进行数秒到数分钟的B+或P-离子注入；9、为激活经过掺杂的杂质，在450℃的熔炉里进行30分钟的活化作用；10、为保护晶体管和防止金属布线的短路，在PECVD设备里蒸镀的ILD(Inter Layer Dielectrics)，然后再经过光刻蚀刻工序制作布线接触用的接触孔(hole)图案；11、利用溅射蒸镀厚度为1500～2000的金属(通过实验选择特性好的金属材料)，通过光刻蚀刻工序形成源极和漏极金属图案以及金属布线图形；12、利用PECVD蒸镀厚度为的防止阳极和金属布线短路的钝化绝缘膜，通过光刻蚀刻形成阳极接触的接触孔图案；13、用溅射蒸镀厚为的透明金属ITO(功函数约4.8)，通过光刻蚀刻形成阳极图案；14、光刻蚀刻利用丙烯酸系列(acrylic affiliation)的PR做为保护发光领域以外的部分的图形。
此种工艺的缺陷是工序复杂和制作时间较长，并且可能成为不良率增加的原因，使良率下降。
发明内容
本发明的目的是为了解决现有的LTPS工艺工序复杂、制作时间长以及工艺会影响产品制作良率的不足，通过掩模板使循环反复的TFT制程的制作方法简单化，提出了一种LTPS工艺。
本发明的技术方案为：一种LTPS工艺，包括步骤：
S1、在玻璃基板上以PECVD方式蒸镀阻止杂质渗透的厚为的缓冲氧化层；
S2、利用PECVD或LPCVD，蒸镀厚度为的单晶硅来作为晶体管的源极和漏极；
S3、采用ALD设备以原子单位蒸镀Ni或溅射数十的Ni用以完成硅结晶化；
S4、采用熔炉在约600℃的条件下经过一小时硅结晶化形成多晶硅；
S5、利用光刻蚀刻工序形成TFT的源极和漏极图案；
其特征在于，还包括步骤：
S6、根据晶体管类型在其源极或漏极掺杂P-或B+；
S7、熔炉热处理以激活掺杂的杂质；
S8、使用电子束蒸发器和掩模板蒸镀厚的氧化物的图案，用以形成栅极金属层；
S9、使用电子束蒸发器和掩模板蒸镀厚度为的金属图案，用以形成栅极金属层、扫描线和电容；
S10、使用电子束蒸发器和掩模板蒸镀厚度为氧化物图案，用以形成电容的电介质，并防止栅极金属层的短路；
S11、选择能与硅粘接的金属，利用掩模板蒸镀形成电源线源极、漏极金属层和电容图案，蒸镀厚度为
S12、利用掩模板蒸镀厚为的阳极电极；
S13、通过光刻蚀刻利用丙烯酸的PR做为保护除发光区域以外的区域的保护层图案。
进一步的，步骤S6具体为：蚀刻形成半导体掩膜板，根据晶体管性质分别注入数秒至数分钟的杂质离子P-或B+，然后将PR脱膜。
进一步的，步骤S7的处理温度及时间为：熔炉内部环境温度为450℃，处理时间为30分钟。
本发明的有益效果：本发明的LTPS工艺与背景技术中的LTPS工艺相比，降低成本的同时提高了生产性。方案省掉了工艺步骤“利用PECVD蒸镀厚度为的防止阳极和金属布线短路的钝化绝缘膜，通过光刻蚀刻形成阳极接触的接触孔图案”。将蒸镀>光刻>蚀刻以及PR工序简化为掩膜板制作工序，能够缩短制作TFT阵列组的时间，减少生产成本。本发明不只适用MIC，也适用MILC或MICC等结晶化法不同的情况。
附图说明
图1为利用掩模板蒸镀栅极氧化层的原理图示；
图2为形成栅极金属层(Gate Metal)、扫描线及电容器的原理图示；
图3为形成内层介电材料(Inter Layer Dielectrics)图形的原理图示；
图4为形成源、漏极金属(Source&Drain Metal)、电容(Capacitor)、VDD和数据线图形的原理图示；
图5为蒸镀电极阳极图案的原理图示。
具体实施方式
本发明的以下实施例是根据本发明的原理而设计，下面结合附图和具体的实施例对本发明作进一步的阐述。
如图1至5所示，本实施例的LTPS工艺包括步骤如下：
S1、在玻璃基板(经600℃热处理)上以PECVD方式蒸镀阻止杂质渗透的厚为的缓冲氧化层；
S2、利用PECVD或LPCVD，蒸镀厚度为的单晶硅(a-Si)来作为晶体管(Transistor)的源极和漏极；
S3、为了完成LTPS非激光(Non laser)方式的硅结晶化，采用ALD设备以原子单位蒸镀Ni或溅射数十的Ni；
S4、采用熔炉(Furnace)在约600℃的条件下经过一小时硅结晶化形成多晶硅；
S5、利用光刻蚀刻工序形成TFT的源极和漏极图案(source/Drain patterning)；
以上步骤与现有技术/背景技术中的步骤方法一致，本实施例的工艺的不同点在于以下步骤：
S6、根据晶体管类型在其源极或漏极掺杂P-或B+；具体的，蚀刻形成半导体掩膜板，根据晶体管性质分别注入数秒至数分钟的杂质离子P-或B+，然后将PR脱膜。该步骤的目的是在硅的源极和漏极(Source&Drain)区域中注入杂质。
S7、使用熔炉(Furnace)热处理经过步骤S6掺杂后的基板，使掺如的杂质被激活。为了使杂质被有效快速激活，本实施例中熔炉内部环境温度采用450℃，并在此温度条件下热处理30分钟。
S8、使用电子束蒸发器和掩模板蒸镀厚的氧化物(Oxide)的图案，用以形成栅极金属层。
S9、如图2所示，使用电子束蒸发器和掩模板蒸镀厚度为的金属图案，用以形成栅极金属层、扫描线和电容；进行本步骤时最好进行一次筛选试验，筛选出特性好的物质。
S10、使用电子束蒸发器和掩模板蒸镀厚度为氧化物图案，用以形成电容的电介质，并防止栅极金属层的短路；
S11、选择能与硅粘接的金属，利用掩模板蒸镀形成电源线源极、漏极金属层和电容图案，蒸镀厚度为
S12、利用掩模板蒸镀厚为的阳极电极。
S13、通过光刻蚀刻利用丙烯酸的PR做为保护除发光区域以外的区域的保护层图案。
由于在上述步骤中涉及的掩膜板形状/结构均有产品的需求(如TFT的类型等)决定，属于本领域的公知常识，故在此不做详述。
本实施例可以省掉原来技术工艺中的蒸镀钝化物质的工序。将蒸镀>光刻>蚀刻和PRstrip工序简化为掩膜板工序，能够缩短TFT阵列的生产时间，减少成本。并且，本实施例的方案不只适用MIC，也适用MILC或MICC等结晶化法不同的情况。
本领域的普通技术人员将会意识到，这里所述的实施例是为了帮助读者理解本发明的原理，应被理解为本发明的保护范围并不局限于这样的特别陈述和实施例。本领域的普通技术人员可以根据本发明公开的这些技术启示做出各种不脱离本发明实质的其它各种具体变形和组合，这些变形和组合仍然在本发明的保护范围内。

Claims (3)

1.一种LTPS工艺，包括步骤：
S1、在玻璃基板上以PECVD方式蒸镀阻止杂质渗透的厚为的缓冲氧化层；
S2、利用PECVD或LPCVD，蒸镀厚度为的单晶硅来作为晶体管的源极和漏极；
S3、采用ALD设备以原子单位蒸镀Ni或溅射数十的Ni用以完成硅结晶化；
S4、采用熔炉在约600℃的条件下经过一小时硅结晶化形成多晶硅；
S5、利用光刻蚀刻工序形成TFT的源极和漏极图案；
其特征在于，还包括步骤：
S6、根据晶体管类型在其源极或漏极掺杂P-或B+；
S7、熔炉热处理以激活掺杂的杂质；
S8、使用电子束蒸发器和掩模板蒸镀厚的氧化物的图案，用以形成栅极金属层；
S9、使用电子束蒸发器和掩模板蒸镀厚度为的金属图案，用以形成栅极金属层、扫描线和电容；
S10、使用电子束蒸发器和掩模板蒸镀厚度为氧化物图案，用以形成电容的电介质，并防止栅极金属层的短路；
S11、选择能与硅粘接的金属，利用掩模板蒸镀形成电源线源极、漏极金属层和电容图案，蒸镀厚度为
S12、利用掩模板蒸镀厚为的阳极电极；
S13、通过光刻蚀刻利用丙烯酸的PR做为保护除发光区域以外的区域的保护层图案。
2.根据权利要求1所述的一种LTPS工艺，其特征在于，步骤S6具体为：蚀刻形成半导体掩膜板，根据晶体管性质分别注入数秒至数分钟的杂质离子P-或B+，然后将PR脱膜。
3.根据权利要求1所述的一种LTPS工艺，其特征在于，步骤S7的处理温度及时间为：熔炉内部环境温度为450℃，处理时间为30分钟。
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