CN103959085B - 具有能够在阻挡状态与透明状态之间切换的射频屏蔽的mri线圈组件 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种用于采集磁共振数据（342）的磁共振成像系统（300、400）。所述磁共振成像系统包括被配置为辐射射频能量和/或从成像区接收射频能量的线圈组件（319）。所述线圈组件具有被配置为朝向所述成像区的第一表面（315）并且包括至少一个线圈元件（317）。所述线圈组件还包括可在RF阻挡状态（804）与RF透明状态（802）之间切换的射频屏蔽（319）。所述至少一个线圈元件在所述第一表面与所述射频屏蔽之间。所述可切换射频屏蔽包括至少两个传导元件（322）。所述射频屏蔽包括至少一个射频开关（324），所述射频开关被配置为在所述阻挡状态电连接所述至少两个传导元件并且在所述透明状态断开所述至少两个传导元件。

Description

具有能够在阻挡状态与透明状态之间切换的射频屏蔽的MRI 线圈组件

技术领域

本发明涉及磁共振成像，具体而言涉及具有可切换射频屏蔽的线圈组件。

背景技术

磁场被用于磁共振（MR）成像中，以使原子的核自旋对齐，作为用于产生患者身体内的图像的程序的部分。该磁场被称作B0场。在MR扫描期间，由发射器或放大器以及天线生成的射频（RF）脉冲造成对局部磁场的扰动，并且可以被用于操纵所述核自旋相对于所述B0场的取向。由所述核自旋发出的射频（RF）信号被接收器线圈探测到，并且这些RF信号被用于构建MRI图像。

在迄今为止的大多数MR系统中，体积线圈（例如正交体线圈，QBC）被用于发射用于自旋激励的高功率信号。对于全身成像，这是针对直到3T的标准设置。对于头部成像，体积发射器被应用于7T及以上。

在大多数这样的磁共振成像系统中，多通道接收阵列被用于改进的信号接收和加速的成像协议。对于所有的解剖结构和所有的场强度都是如此。

目前的多通道系统的缺点在于每个通道的天线或天线元件之间可能存在耦合。

发明内容

本发明在独立权利要求中提供一种磁共振成像系统、一种线圈组件以及一种计算机程序产品。在从属权利要求中给出了实施例。

本发明的实施例通过使用可切换射频屏蔽以减少被用于发射射频能量的天线元件之间的耦合，而可以解决该问题以及其他问题。

本发明的实施例可以采用可切换RF屏蔽，以屏蔽和/或解耦发射/接收（Tx-Rx）表面线圈。这可以提供对用于Tx-Rx操作的常规线圈或线圈阵列的几种改进：在发射阶段期间，所述RF屏蔽被切换到常规的RF阻挡模式，由此阻止所述线圈元件辐射其驱动RF功率的显著量。此外，附近的屏蔽允许更为容易地解耦相邻的线圈元件，这对于平行发射是有益的。所提及的两项在高场应用中均是尤为重要的。

在接收阶段期间，合适的开关（例如，PIN二极管）打开所述RF屏蔽改善每个元件的接收灵敏度。作为附带结果，在发射阶段期间出现的电场被成功抑制，得到弛豫的SAR性能。

一些实施例可以用如下方式将局部RF屏蔽使用到局部TxRx线圈，使得电子开关（例如，PIN二极管）允许改变这种屏蔽的行为。在发射模式期间，所述开关链接所述RF屏蔽的块（piece），从而实现RF阻挡行为。这些导致在发射期间所述线圈的抑制的辐射损失，并减少与相邻元件的耦合，所述耦合对于平行发射阵列而言是强制的。此外，所述电场被显著抑制，改善了这种线圈的SAR行为。所述电磁辐射被约束到所要求的视场（FOV）。

在所述接收模式期间，所述开关打开所述RF屏蔽，将其分割成几个小块，所述小块彼此电气隔离。所述线圈元件的灵敏度由此相比所述Tx阶段得以显著改善，允许加速的成像（例如，SENSE）。

本发明的实施例可以解决以下问题，尤其是在高场应用中（3T、7T）：

·线圈的辐射损失正变为主要问题

·对FOV外部的身体部分的辐射（后向折叠，SAR，额外损失，位于臂、肩部分和头的局部热点）

·线圈元件之间的耦合总是个大问题，尤其对于平行发射应用。

本文中使用的“计算机可读介质”包括可以存储能够由计算设备的处理器执行指令的任意有形存储介质。所述计算机可读存储介质可以被称作计算机可读非暂态存储介质。所述计算机可读存储介质也可以被称作有形计算机可读介质。在一些实施例中，计算机可读存储介质也可以能够存储被计算设备的处理器访问的数据。计算机可读存储介质的范例包括，但不限于：软盘、穿孔带、穿孔卡、磁性硬盘驱动器、固态硬盘、闪存、USB拇指驱动器，随机存取存储器（RAM）、只读存储器（ROM）、光盘、磁光盘以及处理器的寄存器文件。光盘的范例包括紧密盘（CD）和数字多用光盘（DVD），例如CD-ROM、CD-RW、CD-R、DVD-ROM、DVD-RW或DVD-R盘。术语计算机可读存储介质也指能够经由网络或通信链路被计算机设备访问的各种类型的记录介质。例如，数据可以在调制解调器上、互联网上或局域网上被检索。对计算机可读存储介质的引用应被解释为可能为多个计算机可读存储介质。程序或多个程序的各个可执行组件可以被存储在不同位置。所述计算机可读存储介质例如可以为相同计算机系统内的多个计算机可读存储介质。所述计算机可读存储介质也可以为分布在多个计算机系统或计算设备间的计算机可读存储介质。

“计算机存储器”或“存储器”为计算机可读存储介质的范例。计算机存储器为可由处理器直接访问的任意存储器。计算机存储器的范例包括，但不限于：RAM存储器、寄存器和寄存器文件。对“计算机存储器”或“存储器”的引用应被解释为可能为多个存储器。所述存储器例如可以为相同计算机系统内的多个存储器。所述存储器也可以为被分布在多个计算机系统或计算设备间的多个存储器。

“计算机存储设备”或“存储设备”为计算机可读存储介质的范例。计算机存储设备为任意非易失性计算机可读存储介质。计算机存储设备的范例包括，但不限于：硬盘驱动器、USB拇指驱动器、软盘驱动器、智能卡、DVD、CD-ROM，以及固态硬盘驱动器。在一些实施例中，计算机存储器也可以为计算机储存器，反之亦然。对“计算机存储设备”或“存储设备”的引用应尽被解释为可能为多个存储介质或设备。所述存储设备例如可以为相同计算机系统或计算设备内的多个存储设备。所述存储设备也可以为分布在多个计算机系统或计算设备间的多个存储设备。

本文中使用的“处理器”涵盖能够执行程序或机器可执行指令的电子器件。对包括“处理器”的计算设备的引用应尽可能地被解释为包含多于一个处理器或处理核。所述处理器例如可以为多核处理器。处理器也可以指单个计算机系统内或被分布在多个计算机系统间的处理器的集合。术语计算设备也应被解释为可能是计算设备的集合或网络，每个计算设备均包括处理器或多个处理器。许多程序都具有它们的由多个处理器执行的指令，所述多个处理器可以在相同的计算设备内或者它们甚至可以分布在多个计算设备上。

本文中使用的“用户接口”为允许用户或操作者与计算机或计算机系统交互的接口。“用户接口”也可以被称作“人机接口设备”。用户接口可以将信息或数据提供给操作者和/或从操作者接收信息或数据。用户接口可以使得来自操作者的输入能够被计算机接收，并且可以从所述计算机向所述用户提供输出。换言之，用户接口可以允许操作和控制或操纵计算机，并且所述接口可以允许所述计算机指示所述操作和的控制或操作的效果。数据或信息在显示器或图形用户界面上的显示是向操作者提供信息的范例。通过键盘、鼠标、轨迹球、触摸板、指示杆、图形输入板、操纵杆、手柄、网络摄像头、头戴式受话器、变速杆、舵轮、踏板、有线手套、跳舞毯、遥控器、一个或多个开关、一个或多个按钮以及加速度计都是实现从操作者的接收信息或数据的用户接口部件的范例。

本文中使用的“硬件接口”涵盖使得计算机系统的处理器能够与外部计算设备和/或装置交互和/或控制外部计算设备和/或装置的接口。硬件接口可以允许处理器将控制信号或指令发送到外部计算设备和/或装置。硬件接口也可以使得处理器能够与外部计算设备和/或装置交换数据。硬件接口的范例包括，但不限于：通用串行总线、IEEE1394端口、并行端口、IEEE1284端口、串行端口、RS-232端口、IEEE-488端口、蓝牙连接、无线局域网连接、TCP/IP连接、以太网连接、控制电压接口、MIDI接口、模拟输入接口，以及数字输入接口。

本文中将磁共振（MR）数据定义为在磁共振成像扫描期间通过磁共振装置的天线记录的对通过原子自旋发射的射频信号的测量结果。本文中将磁共振成像（MRI）图像定义为所述磁共振成像数据内包含的解剖结构数据的重建的二维或三维可视化。

在本发明的一个方面中，提供一种用于从受检者采集磁共振数据的磁共振成像系统。所述磁共振成像系统包括用于提供成像区的磁体。所述磁共振成像系统还包括线圈组件，其被配置为在所述磁共振成像数据的采集期间，将射频能量辐射到所述成像区中和/或从所述成像区接收射频能量。所述线圈组件具有被配置为朝向所述成像区的第一表面。所述第一表面例如可以为所述线圈组件的与所述受检者接触的外表面。所述线圈组件还包括至少一个线圈元件。所述线圈元件为射频线圈或天线元件，其被配置为辐射射频能量和/或接收射频能量。在一些实施例中，存在多个线圈元件。如果存在多个线圈元件，则所述线圈元件中的每个均可以被配置为辐射和/或接收射频能量，或者可以存在一些线圈元件被配置为辐射射频能量并且其他线圈元件被配置为接收射频能量的组合。

所述线圈组件还包括可在阻挡状态与透明状态之间切换的射频屏蔽。所述至少一个线圈元件处于所述第一表面与所述可切换射频屏蔽之间。所述可切换射频屏蔽包括至少两个传导元件。所述传导元件例如可以为传导材料的表面。它们例如可以为传导箔片的薄膜或层，或者可以为传导屏蔽的切面。所述射频屏蔽包括至少一个射频开关，所述至少一个射频开关被配置为在所述射频屏蔽处于所述阻挡状态时电连接所述至少两个传导元件。所述至少一个射频开关还被配置为在所述射频屏蔽处于所述透明状态时电断开所述至少两个传导元件。

在所述射频屏蔽处于所述透明状态时，所述射频能量的衰减小于当其处于所述阻挡状态时。本质上，处于所述透明状态的所述传导元件留在浮置状态或未连接状态。它们足够小，使得它们不显著衰减所述射频能量。然而，当所述开关被连接时，所述传导元件起更大的传导元件的作用或充当更大的传导元件。这更有效地阻挡射频能量，使得所述射频能量的衰减比其处于所述透明状态时更大。在一些实施例中，当所述射频屏蔽处于所述透明状态时，仍存在所述射频能量的一些衰减。

该实施例对于几种不同情况可以是有益的。所述射频屏蔽可以被用于保护敏感组织远离所述成像区或电子器件。在所述射频屏蔽处于所述阻挡状态时，所述组织和/或电子器件得到保护。如果存在多个线圈组件，则使用射频屏蔽可以是有益的，因为其可以造成各个线圈元件的更大解耦。

在另一实施例中，所述线圈组件被配置为在磁共振成像的所述采集期间，将射频能量辐射到所述成像区中以及用于从所述成像区接收射频能量。在一些实施例中，相同的线圈元件被用于两者，并且在其他实施例中，存在用于发射和用于接收的分别的线圈元件。所述磁共振成像系统还包括用于控制所述磁共振成像系统的操作的处理器。所述磁共振成像系统还包括用于存储用于由所述处理器执行的机器可执行指令的存储器。所述指令的执行令所述处理器通过控制所述磁共振成像系统采集所述磁共振数据。所述指令的执行还令所述处理器在通过所述线圈组件辐射射频能量时，将所述射频屏蔽切换到阻挡状态。所述指令的执行还令所述处理器在通过所述线圈组件对所述射频发射的接收期间，将所述射频屏蔽切换到所述透明状态。该实施例可能是有益的，因为当所述线圈组件正在辐射射频能量时，所述RF屏蔽包含所述线圈组件正向其中辐射的区域。将所述线圈组件切换到所述透明状态可以使所述线圈组件对所述射频发射更敏感。

在另一实施例中，所述线圈组件被配置为在磁共振成像的所述采集期间，将射频能量辐照到所述成像区。所述磁共振成像系统还包括至少一个接收器线圈，其被配置为在所述磁共振成像的所述采集期间，接收来自原子自旋的射频信号。在一些实施例中，所述接收器线圈与所述线圈组件分开。例如，所述接收器线圈可以为安装在磁共振磁体的膛内部的体线圈，并且所述线圈组件例如可以为被放置为与所述受检者接触的表面线圈。所述磁共振成像系统还包括用于控制所述磁共振成像系统的操作的处理器。所述磁共振成像系统还包括用于存储用于由所述处理器执行的机器可执行指令的存储器。所述指令的执行令所述处理器通过控制所述磁共振成像系统来采集所述磁共振数据。所述指令的执行还令所述处理器在经由所述线圈组件辐射射频能量时切换所述射频屏蔽到所述阻挡状态。所述指令的执行还令所述处理器在通过所述接收器线圈对所述射频线圈的所述接收期间，将所述射频屏蔽切换到所述透明状态。该实施例可以是有益的，因为所述射频屏蔽可能干扰通过所述接收器线圈对所述射频能量的所述接收。通过将其切换到所述透明状态，增加了通过所述射频屏蔽对所述射频能量的所述发射。

在另一实施例中，所述磁共振成像系统的所述存储器包含脉冲序列。本文中使用的所述脉冲序列包括以特定时间序列执行的一组指令，以操作所述磁共振成像系统采集磁共振数据。所述脉冲序列可以给出所述射频屏蔽何时被切换到所述透明状态以及其何时被切换到所述阻挡状态的具体信息。

在另一实施例中，至少一个线圈元件包括能控制匹配网络元件用于至少一个线圈元件的阻抗匹配。所述能控制匹配网络元件可以为用于阻抗匹配所述线圈元件的匹配网络或匹配网络的部分。可以在两种不同阻抗之间切换所述匹配网络，或者其可以为连续可调的。所述指令的执行还令所述处理器调节所述可控匹配网络，以补偿所述至少一个线圈元件的所述阻抗改变的影响，所述影响归因于在所述阻挡状态与所述透明状态之间切换所述射频屏蔽。

在另一实施例中，所述存储器还包括灵敏度编码脉冲序列。所述磁共振数据是通过执行所述灵敏度编码脉冲序列而被采集的。该实施例可以是有益的，因为所述射频屏蔽可以减小所述线圈组件中的多个元件之间的所述耦合。灵敏度编码脉冲序列通过确定所述多元件线圈的个体线圈元件的所述灵敏度而起作用。通过减小所述个体线圈元件之间的所述耦合，用所述灵敏度编码脉冲序列采集的所述磁共振数据可以更为准确。

在另一实施例中，所述线圈组件还包括至少一个接收器线圈，所述至少一个接收器线圈被配置为在所述磁共振数据的所述采集期间，接收来自所述成像区内的原子自旋的射频发射。所述射频屏蔽定位于所述至少一个线圈元件与所述至少一个接收器线圈之间。

在另一实施例中，所述线圈组件具有被配置为接收所述受检者的部分的第二表面。所述第二表面背向所述成像区。所述射频屏蔽处于所述第二表面与所述至少一个线圈元件之间。所述线圈组件具有至少两个外表面。一个表面朝向所述成像区并且一个背向它。所述受检者与所述第二表面接触或者位于所述第二表面方向上的部分将被屏蔽于由所述线圈组件生成的射频能量。这可以帮助减少所述受检者的被所述射频屏蔽屏蔽的部分中的射频加热。

在另一实施例中，所述射频切换包括至少一个电容器，所述至少一个电容器被配置为当所述射频屏蔽处于所述阻挡状态时，将所述射频屏蔽调谐到阻挡频率。这例如可以通过将所述电容器连接于传导元件与地平面之间，或者甚至是两个不同的传导元件之间而完成。该实施例可以是有利的，因为所述射频屏蔽可以被设计为非常有效地吸收特定的频率或频带。这可以得到更好地起作用的射频域。

在另一实施例中，所述射频开关包括PIN二极管。

在另一实施例中，所述射频开关包括微电子机械开关或MEMS开关。

在另一实施例中，所述射频开关包括机械继电器。

在另一实施例中，所述线圈组件还被配置为使得在所述射频屏蔽被切换到所述阻挡状态时所述至少一个线圈元件被切换到第一共振频率。所述线圈组件还被配置为使得在所述射频屏蔽被切换到所述透明状态时所述至少一个线圈元件被切换到第二共振频率。所述线圈元件与所述传导元件之间将存在电容耦合。电容的量将当然会在所述阻挡状态与所述透明状态之间变化。结果，所述线圈元件中的每个都可以被调谐到对应于所述切换状态的两个特定频率。在电容器被并入所述开关并且被用于调谐所述传导元件和/或线圈元件时，尤其如此。

在另一实施例中，所述线圈组件包括多个线圈元件。所述射频屏蔽包括多个屏蔽元件，每个都包括至少两个传导元件。所述多个屏蔽元件中的每个均被配置为独立地在所述阻挡状态与所述透明状态之间切换。该实施例是尤其有利的，因为所述线圈元件可以被独立使用，并且可以通过针对所述射频屏蔽与所述传导元件中的每个毗邻的部分，在所述阻挡状态与所述透明状态之间切换，来控制所述不同线圈元件之间的耦合程度。

在另一实施例中，至少一个线圈元件为环形线圈。

在另一实施例中，至少一个线圈元件为蝶形线圈。

在另一实施例中，所述至少一个线圈元件为带状线线圈。

在另一实施例中，所述至少一个线圈元件为TEM发射线圈。

在另一实施例中，所述至少一个线圈元件为TEM体积线圈。

在另一实施例中，所述至少一个线圈元件为TEM线圈。

在另一实施例中，所述至少一个线圈元件为鸟笼线圈。所述至少一个线圈元件也可以为鸟笼体积线圈。

在另一实施例中，所述线圈组件还包括电子部件。所述射频屏蔽处于所述至少一个线圈元件与所述电子部件之间。所述射频屏蔽被配置为当所述射频屏蔽处于所述阻挡状态时，使所述电子部件被屏蔽于所述至少一个线圈元件。该实施例可以是尤其有利的，因为其可以保护敏感的电子器件免受由所述至少一个线圈元件发射的射频能量影响。所述电子部件可以为正电子发射断层摄影探测器、调谐和匹配电路、阻抗匹配网络、前置放大器、模数转换器和/或功率放大器。

在本发明的另一方面中，提供一种线圈组件，用于在磁共振成像数据的采集期间辐射射频能量和/或接收射频能量。所述线圈组件具有被配置为朝向磁共振成像系统的成像区的第一表面。所述线圈组件还包括至少一个线圈元件。所述线圈组件还包括可在阻挡状态与透明状态之间切换的射频屏蔽。所述至少一个线圈元件处于所述第一表面与所述可切换射频屏蔽之间。所述可切换射频屏蔽包括至少两个传导元件。所述射频屏蔽包括射频开关，所述射频开关被配置为当所述射频屏蔽处于所述阻挡状态时，电连接所述至少两个传导元件。所述射频开关还被配置为当所述射频屏蔽处于所述透明状态时，电断开所述至少两个传导元件。该实施例的优点已在前面讨论过。

在本发明的另一方面中，提供一种包括机器可执行代码的计算机程序产品，所述机器可执行代码用于控制所述磁共振成像系统的所述处理器的执行。所述磁共振成像系统包括用于提供成像区的磁体。所述磁共振成像系统还包括根据本发明的实施例的线圈组件。所述线圈组件被配置为辐射射频能量以及用于接收射频能量。所述指令的执行令所述处理器通过控制所述磁共振成像系统采集所述磁共振数据。所述指令的执行还令所述处理器在由所述线圈组件辐射射频能量时，将所述射频屏蔽切换到所述阻挡状态。所述指令的执行还令所述处理器在由所述线圈组件对所述射频发射的接收期间，将所述射频屏蔽切换到所述透明状态。该实施例的优点已在前面讨论过。

附图说明

下面将仅通过举例的方式，并参考附图描述本发明的优选实施例，在附图中：

图1示出了图示根据本发明的实施例的方法的流程图；

图2示出了图示根据本发明的另外的实施例的方法的流程图；

图3图示了根据本发明的实施例的磁共振成像系统；

图4图示了根据本发明的另外的实施例的磁共振成像系统；

图5图示了根据本发明的实施例的线圈组件的范例；

图6示出了根据本发明的实施例的线圈组件的另外的实施例。

图7图示了所述射频屏蔽可以如何被用于将所述受检者的部分屏蔽于由所述线圈元件生成的射频能量；

图8a、图8b和图8c图示了用于模拟的射频屏蔽的几何结构；

图9示出了使用在图8a、图8b和图8c中图示的几何结构的模拟结果；

图10示出了使用在图8a、图8b和图8c中图示的几何结构的模拟结果；

图11示出了针对使用对在图8a、图8b和图8c中图示的几何结构的修改的模拟结果；

图12示出针了对使用对在图8a、图8b和图8c中图示的几何结构的修改的模拟结果；

图13图示了被用于模拟的射频屏蔽的可选几何结构；

图14示出了使用在图13中图示的几何结构的模拟结果；

图15示出了使用在图13中图示的几何结构的模拟结果；

图16图示了本发明的实施例可以如何被用于保护受检者的部分；

图17示出了根据本发明的实施例的射频屏蔽的可能的几何结构；

图18示出了根据本发明的另外的实施例的射频屏蔽的可能的几何结构；

图19示出了根据本发明的另外的实施例的射频屏蔽的可能的几何结构；

图20示出了根据本发明的另外的实施例的射频屏蔽的可能的几何结构；

图21图示了可以如何使用图案印刷电路板构建所述射频屏蔽。

图22示出了根据本发明的实施例的射频屏蔽2200的可选实施例；

图23图示了根据本发明的实施例的线圈组件；

图24图示了根据本发明的另外的实施例的线圈组件；

图25图示了根据本发明到另外的实施例的线圈组件；

图26图示了根据本发明到另外的实施例的线圈组件；并且

图27图示了根据本发明的实施例的线圈组件的内部部件的范例。

附图标记列表

300 磁共振成像系统

304 磁体

306 磁体的膛

308 成像区

310 磁场梯度线圈

312 磁场梯度线圈电源

314 线圈组件

315 第一表面

316 收发器

317 线圈元件

318 受检者

319 射频屏蔽

320 受检者支撑体

322 传导元件

324 射频开关

325 射频屏蔽控制器

326 计算机系统

328 硬件接口

330 处理器

332 用户接口

334 用户接口

336 计算机存储器

338 计算机存储器

340 脉冲序列（灵敏度编码脉冲序列）

342 磁共振数据

344 磁共振图像

350 控制模块

352 图像重建模块

400 磁共振成像系统

416 发射器

418 接收器

420 接收器线圈

500 线圈组件

502 接收器线圈元件

504 发射线圈元件

506 射频屏蔽

508 到接收器的连接

510 到发射器的连接

512 到射频屏蔽控制器的连接

514 第一表面

516 第二表面

600 线圈组件

602 匹配网络元件

604 到收发器的连接

700 线圈组件

702 线圈元件

704 射频屏蔽

706 成像区内的受检者的部分

708 受检者的被屏蔽部分

900 距离

902 磁场分量

904 无RF屏蔽

906 具有开放或透明RF屏蔽

908 具有闭合的RF屏蔽

1002 电场分量

1600 受检者

1602 接收器线圈段

1604 发射线圈段

1606 可切换射频屏蔽

1608 受检者的被屏蔽部分

1610 被RF屏蔽阻止的辐射

1700 射频屏蔽

1800 射频屏蔽

1900 射频屏蔽

2000 射频屏蔽

2100 图样印刷电路板

2102 低损耗基底

2104 铜

2200 射频屏蔽

2202 PIN二极管

2300 线圈组件

2302 TEM发射线圈

2304 分开的射频屏蔽

2400 线圈组件

2402 蝶形线圈

2500 线圈组件

2502 环形线圈

2600 线圈组件

2700 线圈组件

2702 线圈元件

2704 可切换RF屏蔽

2706 电子部件

具体实施方式

这些图中编号相似的元件或为等同的元件或执行相同的功能。如果功能等价的话，前面已讨论过的元件将不一定在后面的附图中讨论。

图1示出了图示根据本发明的实施例的方法的流程图。在步骤100中，采集磁共振数据。在步骤102中，在由所述线圈组件辐射射频能量时，将所述射频屏蔽切换到所述阻挡状态。在步骤104中，在由所述线圈组件接收所述射频能量时，将所述射频屏蔽切换到所述透明状态。应注意，步骤102和104每个均可以在磁共振数据100的所述采集期间被执行多次。

图2示出了图示根据本发明的方法的另外的实施例的流程图。在步骤200中，采集磁共振数据。在步骤202中，当由所述线圈组件辐射射频能量时，将所述射频辐射切换到所述阻挡状态。在步骤204中，当由所述线圈组件接收所述射频能量时，将所述射频屏蔽切换到所述透明状态。应注意，步骤202和204可以在磁共振数据200的所述采集期间被重复多次。

图3图示了根据本发明的实施例的磁共振成像系统300的范例。磁共振成像系统300包括磁体304。磁体304为带有通过其的膛306的超导圆柱型磁体304。磁体304具有液氦冷却的带有超导线圈的低温恒温器。也有可能使用永久磁体或常导磁体。不同类型的磁体的使用也是可能的，例如也有可能使用分离圆柱形磁体和所谓的开放式磁体两者。分离圆柱形磁体类似于标准圆柱形磁体，除了所述低温恒温器被分离成两部分，以允许接近所述磁体的等轴测平面，这样的磁体例如可以结合带电粒子束治疗使用。开放式磁体具有两个磁体部分，一个在另一个之上，它们之间具有足够大以接收受检者的空间：所述两部分区的布置类似于亥姆霍兹线圈。开放式磁体是流行的，因为所述受检者较少受约束。在所述圆柱形磁体的所述低温恒温器内部是超导线圈的集合。圆柱形磁体304的膛306内的是成像区308，其中的所述磁场足够强且均匀，以执行磁共振成像。

所述磁体的膛306内还有一组磁场梯度线圈310，其被用于磁共振数据的采集，以空间编码磁体304的成像区308内的磁自旋。磁场梯度线圈310连接到磁场梯度线圈电源312。磁场梯度线圈310意图为代表性的。典型地，磁场梯度线圈310包含三套独立的线圈，用于在三个正交空间方向编码。磁场梯度电源将电流供应到所述磁场梯度线圈。被供应到磁场梯度线圈310的所述电流根据时间控制，并且可以为斜坡的或脉冲的。

受检者318静卧在磁体304的膛306内的受检者支撑体320上。受检者318在空间上在成像区308内。在该实施例中，线圈组件314被示为在成像区308内。在其他实施例中，所述线圈组件可以在成像区308外部，面向所述成像区。

存在线圈组件314的第一表面316，其朝向成像区308。线圈组件314包括一个或多个线圈元件317以及通过射频开关324连接的两个传导元件322。传导元件322与射频开关324的组合形成射频屏蔽。线圈元件317被连接到收发器316。存在被配置为切换一个或多个射频开关324的射频屏蔽控制器325。线圈元件317可以表示多个线圈元件，其每一个均可以独立地由收发器316驱动。类似地，两个传导元件322可以表示多于两个传导元件。射频开关324也意图可能代表多个射频开关。磁场梯度线圈电源312、收发器316以及射频屏蔽控制器325全都可以被连接到计算机系统326的硬件接口328。计算机系统326还包括处理器330。处理器330被连接到硬件接口328、用户接口334、计算机存储器336和计算机存储器338。所述处理器被配置为使用硬件接口328控制所述磁共振成像系统的操作与功能。

计算机存储器336被示为包含脉冲序列340。本文中使用的脉冲序列包括可以被用于在时间上控制磁共振成像系统300以采集磁共振数据342的指令的集。计算机存储器336还被示为包含使用脉冲序列340采集的磁共振数据342。脉冲序列340在一些实施例中可以为灵敏度编码脉冲序列或SENSE脉冲序列。计算机存储器336还被示为包含已从磁共振数据342被重建的磁共振图像344。计算机存储器338还被示为包含控制模块350。控制模块350包括用于控制磁共振成像系统300的操作与功能的计算机可执行代码。其例如可以使用脉冲序列340以生成命令，以控制磁共振成像系统300采集磁共振数据342。计算机存储器338还被示为包含用于从磁共振数据342重建磁共振图像344的图像重建模块352。

图4图示了根据本发明的另外的实施例的磁共振成像系统400。图4中所示的磁共振成像系统400类似于图3的磁共振成像系统300。在该范例中，线圈组件314被略有不同构建。所述线圈组件被示为具有多个线圈元件317。这些线圈元件317被连接到发射器416。线圈元件317因此适于辐照或发射射频能量。在一些实施例中，所述发射器具有多个通道，用于分别将射频能量提供给线圈元件317中的每个。所述多个通道中的每个都可以具有单独可控的幅度和/或相位和/或频率和/或波形和/或脉冲形状。可选地，每个线圈元件317也都可以能够被连接到各自的发射器。所述发射器中的每个都可以具有各自可控的幅度和/或相位和/或频率和/或波形和/或脉冲形状。

在另一实施例中，仅有一个发射器并且功率组合器将所述RF能量分布到个体线圈元件。

射频屏蔽319也被示为包括单个传导元件322，它们是通过射频开关324连接的。再次，多个线圈元件317中的每个均可以代表多个线圈元件，并且传导元件322也可以代表另外的或更多的传导元件。类似地，射频开关324可以每个均代表多个射频开关。安装在磁体304的膛306中的是接收器线圈420。接收器线圈420被连接到接收器418。发射器416和接收器418两者均被连接到硬件接口328。当发射器416使用线圈元件317发射时，开关324闭合，并且传导元件322被连接。当接收器418使用接收器线圈420接收时，开关324打开，并且射频屏蔽319处于所述透明状态。接收器线圈420例如可以为体线圈或全身线圈。

图5图示了根据本发明的实施例的线圈组件500的范例。线圈组件500的外表面具有第一表面514和第二表面516。线圈组件500内的是一组接收器线圈元件502。现在示出各体线圈元件。在该实施例中，还有一组发射线圈元件504。未示出各自的发射线圈元件。接收器线圈元件502在所述发射线圈元件与第一表面514之间。在该实施例中，还示出了射频屏蔽506，其可以在阻挡状态与透明状态之间切换。未示出所述个体射频开关和包括射频屏蔽506的传导元件。发射线圈元件504在射频屏蔽506与接收器线圈元件502之间。接收器线圈元件502被示为被连接到接收器508的连接。发射线圈元件504被示为连接到到发射器510的连接。射频屏蔽506被示为被连接到射频屏蔽控制器512的连接。

图6示出根据本发明的实施例的线圈组件600的另外的实施例。再一次，该线圈组件具有第一表面514和第二表面516。所述第一表面意图朝向磁共振成像系统的成像区。线圈组件600内的是线圈元件317的集合。线圈元件317中的每个均被连接到其自己的各自匹配网络元件602。匹配网络元件602被连接到到收发器604的连接。可选地，它们每个也均可以被连接到发射器或接收器。可以有从每个匹配网络元件602到所述收发器、发射器或接收器的分开的连接。同样在线圈组件600内的是传导元件322的集合，它们被多个射频开关324连接。射频开关324被连接到到射频屏蔽控制器512的连接。线圈元件317处于所述第一表面与传导元件322之间。

图7图示了射频屏蔽704如何可以被用于将所述受检者708的部分屏蔽于由线圈元件702生成的射频能量。该图中有线圈组件700。其具有朝向磁共振成像系统的成像区308的第一表面514。其具有背向成像区308的第二表面516。存在部分处于成像区706内的受检者318。在线圈组件700中，存在处于第一表面514与射频屏蔽704之间的一个或多个线圈元件702。在该范例中未图示射频屏蔽704的个体传导元件和开关。受检者706的所述区域可以在磁共振成像系统中被成像。受检者318的区域708通过射频屏蔽704被屏蔽于线圈元件702。

图8a、图8b和图8c图示了用于模拟的几何结构。存在单个环形线圈800，其起到所述线圈元件的作用。这在图8a、图8b和图8c中示出。图8b还示出了四个传导元件802。所述射频屏蔽处于打开或透明模式。最终在图8c中，四个传导元件802被连接在一起，以使射频屏蔽804处于所述阻挡状态。

可以使用常用的基于PCB的技术容易地实现本发明的实施例。所述线圈元件除与不存在RF屏蔽的情况相比的恰当调谐以外，自身保持不变。也使用典型的线圈材料，引入所述RF屏蔽，例如覆铜的低损耗PCB基底，如FR4。所述屏蔽被构造为如图8中所示：在该实现方式中各段之间的槽是要用一个或多个PIN二极管以合适的方式桥接的。所述二极管在发射期间是正向偏压的，缩短了所述槽并因此从不同的片形成一个RF屏蔽。在接收模式期间，所述PIN二极管是反向偏压的，将所述片彼此隔离开。必须根据情况改变针对给定频率所需要的片的大小和数目以及线圈几何结构。

在对图8a、图8b和图8c中所示的实施例的可选实施例中，所述RF屏蔽中的所述槽被装配有预定值的集总电容，用PIN二极管切换激活所述集总电容。这么做得到共振RF-屏蔽。可以使用可调帽（例如可变电抗器）改变所述屏蔽的共振频率，或重置固定值。该设置允许调节RF屏蔽与线圈元件之间的耦合的量，并且经由该调节而调节B1场和E场的行为。在图8a、图8b和图8c中，使用图8中所示的所述几何结构，计算针对距所述线圈100mm距离处关于相同B1具有或没有RF屏蔽的表面线圈（非介电）的、在电容器之上10mm的代表性三角形中的局部电场。所述RF电流从469A/m增加到1237A/m，其对应于2.638的因数。电容器之上10mm的所述电场从3.98kV/m增加到6.54kV/m，因此所述增加仅为1.64的因数。结果示于图9和图10中。

图9和图10示出了使用在图8a、图8b和图8c中图示的所述几何结构的模拟结果。在图9中，针对没有射频屏蔽904、具有打开或透明射频屏蔽906，以及具有闭合或阻挡射频屏蔽908的三种情况，磁场分量902被示为的距离900的函数。

在图9中绘出了对于1W的等价激励功率，针对三种不同情境z轴上的H场的幅值。图9证明，裂缝的RF屏蔽没有显著抑制H场可达到的量值。打开的RF场将在接收期间被使用。图10示出沿所述z轴的对应的E场。在发射期间，所述RF屏蔽将被关闭，例如使用显著减小E场的PIN二极管。所述RF屏蔽定位于所述线圈以下20mm，所述中央开口处（参见图8为20x20mm）。

图11和图12示出类似于在图9和图10中所示的那些的结果，除了到所述射频屏蔽的模拟距离被减小到10mm以及所述射频屏蔽完全被关闭不包含如在图8b和图8c中所示在中心的孔。针对所述发射状态的所述电场的减小甚至比在图9和图10中所示的结果还要更好。

在图11和图12中，示出来自如在具有不同几何结构的图9和图10中的模拟的结果。到所述RF屏蔽的所述距离被减小到10mm，并且所述RF屏蔽被完全关闭，不包含在所述中心的所述孔（参见图8）。针对Tx在E场的减小甚至比图9和图10还要更好。

图13示出了不同的模拟几何结构。再次使用在图8a、图8b和图8c中示出的所述几何结构，除了在该情况中线圈800和可切换射频屏蔽804装载有介电体1300。线圈800位于毗邻介电体1300。介电体1300是要模拟定位于所述射频线圈附近10mm的人体组织的效果。

图14和图15类似于图9和图10，除了使用图13的模拟几何结构代替图8a、图8b和图8c的所述模拟几何结构。这些结果示出如上文所述的模拟，其中各向同性介电质具有定位于所述RF线圈之上10mm的人体组织的性质。发射期间接近所述线圈的E场的减小得到显著减少，同时针对相等磁场所要求的功率加倍。

图16图示了本发明的实施例如何可以被用于保护受检者1608的部分。在该图中，示出了受检者1600，受检者1600毗邻接收器线圈段602。接收器线圈段602处于所述受检者与发射线圈段1604之间。可切换射频屏蔽1606定位于在发射线圈段1604远离接收器线圈段1602的相反侧上。可切换射频屏蔽1606定位于受检者1608的部分与发射线圈段1604之间。当可切换射频屏蔽1606被切换到关闭或阻挡状态时，来自发射线圈段1604的辐射被阻挡而不能到达受检者1608的被屏蔽部分。

在图16中所示的实施例中，不同的线圈元件被用于发射（Tx）和接收（Rx）。尽管仅Tx线圈1604定位于接近所述屏蔽（如上文所述），但是所述仅RX线圈定位于更接近要被成像的所述受检者（并因此距所述RF屏蔽更远）。这得到改进的Rx灵敏度，但代价是更厚的线圈/屏蔽。

图17示出了根据本发明的实施例的射频屏蔽1700的可能的几何结构。在该实施例中，有四个彼此相邻布置的方形传导元件322。

图18示出了传导元件322的可选布置。在该图中，射频屏蔽1800通过16个方形传导元件322而形成。

图19示出了根据本发明的另外的实施例的射频屏蔽1900。在该实施例中，所述射频屏蔽为圆形，并且由扇形传导元件322构成。

图20示出了根据本发明的实施例的射频屏蔽200的可选实施例。在该实施例中，传导元件322被布置为靶形。

图17、图18、图19和图20中所示的范例仅为构造为射频屏蔽的几种可能设计，取决于对位于这样的屏蔽之上的所述射频线圈的期望影响。不规则形状也是可能的，并且针对某些应用可能是合乎期望的。

图21图示可以如何使用图案印刷电路板2100构建所述射频屏蔽。示出两块图案印刷电路板21。每一个均由低损耗基底2102组成。被附接到每个板2100上的低损耗基底2102的是图案化的铜2104。这样的铜条2104可以被用于构建所述线圈组件的所述天线元件和/或所述传导元件。

图22示出根据本发明的实施例的射频屏蔽的可选实施例。在该范例中，有四个传导元件322。用多行PIN二极管2202将所述传导元件连接在一起。PIN二极管2202起到所述射频开关的作用。可以使用具有用于切换开关的范例PIN二极管的印刷电路板构建该范例。在一些实施例中，所述开关可以由集总部件（如电容器）代替或伴随，用于进一步扩展射频屏蔽2200的调谐可能性。

图23图示了根据本发明的实施例的线圈组件2200。该线圈组件具有三个分开的射频屏蔽2304。分开的射频屏蔽2304中的每个均由四个传导元件322构成，传导元件322通过PIN二极管2202连接。对于分开的射频屏蔽2304中的每个，均有TEM发射线圈2302。所述TEM发射线圈没有解耦，并且具有分开的可切换射频屏蔽2304。发射期间，所述线圈与所述屏蔽连接，并且所述发射线圈是共振的。接收期间，分开的环形线圈位于所述屏蔽（其未被示出）之下。在所述线圈（例如经由交叠）的几何解耦的情况中，合适的屏蔽设计将更加进化。所述TEM发射线圈经由PIN二极管2202被连接到所述屏蔽。

图24示出了根据本发明的实施例的线圈组建的另一实施例。图24中所示的实施例与图23中所示的非常相似，除了使用蝶形线圈2402代替TEM发射线圈。用PIN二极管2202分离蝶形线圈2402。当蝶形线圈2402被用户发射或接收时，所述PIN二极管被用于连接蝶形线圈2402的两个部分。

图25示出了根据本发明的线圈组件2500的可选实施例。图25的范例类似于图24和图23的。然而，在该情况中，所述TEM线圈或蝶形线圈已被环形线圈2502代替。

图26示出了根据本发明的可选实施例的线圈组件。图26中所示的线圈组件2600类似于图25的，除了所有传导元件322均通过PIN二极管被连接。在该范例中没有分开的射频屏蔽，而仅有一个大的射频屏蔽。

图27示出了根据本发明的实施例的线圈组件2700的内部部件的范例。存在线圈元件2702的集合。也存在毗邻线圈元件2702的可切换射频屏蔽2704。还示出了敏感电子部件2706的几何结构。可切换射频屏蔽2704处于电子部件2706与线圈元件2702之间。在线圈元件2702被用于广播或发射射频能量的情况中，可切换射频屏蔽2704可以被置于关闭或阻挡状态中，以保护电子部件2706。所述射频线圈不是解耦的，并且可以具有分开的可切换射频屏蔽。电子部件或设备，例如S/R开关、前置放大器、局部射频放大器、PET或正电子发射断层摄影探测器，位于所述屏蔽之上。可切换屏蔽在发射期间保护所述电子器件。在所述线圈（例如经由重叠）的几何解耦的情况中，合适的屏蔽设计可以更加进化。

本发明的实施例可以具有以下特征中的一个或多个：

1、可切换RF屏蔽或导线图样，其造成对RF线圈的场图样的影响

2、包括PCB或导体材料并且被结构的RF屏蔽

3、屏蔽导体元件是被动的，或者可以使其为部分共振的，以提供更高的屏蔽效应。这通过串联电容器（离散或分布式的）来实现

4、所述线圈设置可以具有额外的接收器线圈层。

5、接收器线圈层可以在外部机械连接，并且经由常见的电流或光学或电感的无线连接提供。

6、个体RF屏蔽元件被电磁分离（低阻抗），以抑制波导效应以及因此不可控的模式图样和SAR值

7、PIN或MEM切换电子器件

8、具有所描述特性的布装置（例如Flex L、M、S）作为发射tx/rx阵列

9、具有针对由环路和TEM带状线结构组成的组合Tx/Rx阵列所描述的特性的装置。

10、具有电子重调谐设备的线圈元件，以补偿切换屏蔽效应。

11、双共振线圈元件，具有可切换屏蔽。所述线圈元件不需要PIN切换，因为第二共振是通过屏蔽而被调谐到MR共振频率的。

尽管已在附图和前文的描述中详细图示并描述了本发明，但是这样的图示和描述应被视为示例性或示范性而非限制性的；本发明不限于所公开的实施例。

本领域技术人员在实践要求保护的本发明时，根据对附图、公开内容以及权利要求书的研究，可以理解并实现对公开实施例的其他变型。在权利要求书中，词语“包括”不排除其他元件或步骤，并且定语“一”或“一个”不排除复数。单个处理器或其他单元可以完成权利要求书中记载的几个项目的功能。尽管在互不相同的从属权利要求中记载了特定措施，但是这并不指示不能有利地组合这些措施。计算机程序可以被存储/发布在合适的介质上，例如与其他硬件一起提供或为其他硬件的部分提供的光学存储介质或固态介质，但也可以以其他形式发布，例如经由互联网或其他有线或无线电信系统。权利要求书中的任意附图标记均不应被解释为对范围的限制。

Claims (13)

1.一种用于在磁共振数据(342)的采集期间辐射射频能量和/或接收射频能量的线圈组件(319、500、600、700、2700)，其中，所述线圈组件具有第一表面(315、514)，所述第一表面被配置为朝向磁共振成像系统(300、400)的成像区(308)，其中，所述线圈组件还包括至少一个线圈元件(317、504、702、800、1604、2302、2402、2502、2702)，其中，所述线圈组件还包括能够在射频阻挡状态(804)与射频透明状态(802)之间切换的射频屏蔽(319、506、704、1700、1800、1900、2000、2200、2304、2704)，其中，所述至少一个线圈元件处于所述第一表面与所述射频屏蔽之间，其中，所述射频屏蔽包括至少两个导电元件(322、802、804)，其中，所述射频屏蔽包括射频开关(324、2202)，所述射频开关被配置为在所述射频屏蔽处于所述射频阻挡状态时电连接所述至少两个导电元件，并且其中，所述射频开关还被配置为在所述射频屏蔽处于所述射频透明状态时电断开所述至少两个导电元件，其中，所述线圈组件还包括至少一个接收器线圈(502、1602)，所述接收器线圈被配置为在所述磁共振数据的所述采集期间接收来自所述成像区内的原子自旋的射频发射，其中，所述至少一个线圈元件定位于所述射频屏蔽与所述至少一个接收器线圈之间，其中，所述线圈组件具有第二表面(516)，所述第二表面被配置为接收受检者的部分(708)，其中，所述第二表面背向所述成像区，并且其中，所述射频屏蔽处于所述第二表面与所述至少一个线圈元件之间。

2.一种用于从受检者(318)采集磁共振数据(342)的磁共振成像系统(300、400)，其中，所述磁共振成像系统包括：

-磁体(304)，其用于提供成像区(308)；以及

-根据权利要求1所述的线圈组件(319、500、600、700、2700)，其被配置为在所述磁共振成像数据的所述采集期间，将射频能量辐射到所述成像区中和/或从所述成像区接收射频能量。

3.如权利要求2所述的磁共振成像系统，其中，所述线圈组件被配置为在磁共振成像的所述采集期间将射频能量辐射到所述成像区中并且从所述成像区接收射频能量，其中，所述磁共振成像系统还包括：

-处理器(330)，其用于控制所述磁共振成像系统的操作；

-存储器(338)，其用于存储供由所述处理器执行的机器可执行指令，其中，所述指令的执行令所述处理器：

-通过控制所述磁共振成像系统来采集(100)所述磁共振数据；

-在由所述线圈组件辐射射频能量时，将所述射频屏蔽切换(102)到所述射频阻挡状态；并且

-在由所述线圈组件接收所述射频发射期间，将所述射频屏蔽切换(104)到所述射频透明状态。

4.如权利要求2所述的磁共振成像系统，其中，所述线圈组件被配置为在磁共振成像的所述采集期间，将射频能量辐射到所述成像区中，其中，所述磁共振成像系统还包括：

-至少一个接收器线圈(420)，其被配置为在所述磁共振数据的所述采集期间，接收来自所述成像区内的原子自旋的射频信号；

-处理器(330)，其用于控制所述磁共振成像系统的操作；

-存储器(338)，其用于存储供由所述处理器执行的机器可执行指令，其中，所述指令的执行令所述处理器：

-通过控制所述磁共振成像系统来采集(200)所述磁共振数据；

-在由所述线圈组件辐射射频能量时，将所述射频屏蔽切换(202)到所述射频阻挡状态；并且

-在由所述接收器线圈接收所述射频能量期间，将所述射频屏蔽切换(204)到所述射频透明状态。

5.如权利要求3或4所述的磁共振成像系统，其中，至少一个线圈元件包括能控制匹配网络元件(602)，所述能控制匹配网络元件用于对至少一个线圈元件进行阻抗匹配，其中，所述指令的执行还令所述处理器调节所述能控制匹配网络，以补偿由于在所述射频阻挡状态与所述射频透明状态之间切换所述射频屏蔽而导致的所述至少一个线圈元件的阻抗改变的影响。

6.如权利要求3或4所述的磁共振成像系统，其中，所述存储器还包括灵敏度编码脉冲序列(340)，其中，所述磁共振数据是通过执行所述灵敏度编码脉冲序列而被采集的。

7.如权利要求2-4中的任一项所述的磁共振成像系统，其中，射频开关包括至少一个电容器，所述至少一个电容器被配置为在所述射频屏蔽处于所述射频阻挡状态时，将所述射频屏蔽调谐到阻挡频率。

8.如权利要求2-4中的任一项所述的磁共振成像系统，其中，所述射频开关包括以下中的任意一种：PIN二极管、微电机开关以及机械继电器。

9.如权利要求2-4中的任一项所述的磁共振成像系统，其中，所述线圈组件还被配置为使得在所述射频屏蔽被切换到所述射频阻挡状态时，所述至少一个线圈元件被切换到第一共振频率，并且其中，所述线圈组件还被配置为使得在所述射频屏蔽被切换到所述射频透明状态时，所述至少一个线圈元件被切换到第二共振频率。

10.如权利要求2-4中的任一项所述的磁共振成像系统，其中，所述线圈组件(2300、2400、2500)包括多个线圈元件(2302、2202、2502)，其中，所述射频屏蔽包括多个屏蔽元件，每个屏蔽元件包括至少两个传导元件，其中，所述多个屏蔽元件中的每个被配置为独立地在所述射频阻挡状态与所述射频透明状态之间切换。

11.如权利要求2-4中的任一项所述的磁共振成像系统，其中，所述至少一个线圈元件为以下中的任意一种：环形线圈(800)、蝶形线圈(2202)、带状线线圈、TEM发射线圈(2302)、TEM体积线圈、TEM线圈以及鸟笼线圈。

12.如权利要求2-4中的任一项所述的磁共振成像系统，其中，所述线圈组件还包括电子部件(2706)，其中，所述射频屏蔽处于所述至少一个线圈元件与所述电子部件之间，其中，所述射频屏蔽被配置为将所述电子部件屏蔽于所述至少一个线圈元件。

13.一种用于控制磁共振成像系统(300、400)的装置，其中，所述磁共振成像系统包括用于提供成像区(308)的磁体(304)，其中，所述磁共振成像系统还包括根据权利要求1所述的线圈组件，其中，所述线圈组件被配置为辐射射频能量和接收射频能量，并且其中，所述装置包括：

用于通过控制所述磁共振成像系统来采集所述磁共振数据的模块；

用于在由所述线圈组件辐射射频能量时，将所述射频屏蔽切换到所述射频阻挡状态的模块；以及

用于在由所述线圈组件接收所述射频发射期间，将所述射频屏蔽切换到所述射频透明状态的模块。