CN103956974A - 一种确认半成品电池片抗pid性能的测试方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种确认半成品电池片抗PID性能的测试方法，其特征在于该方法的步骤如下：a）取抗PID半成品电池片；b）将饱和的去离子水滴在抗PID半成品电池片的表面上；c）将经过步骤b）处理的抗PID半成品电池片倾斜成与水平面有一定角度的倾斜状；d）通过去离子水滴在抗PID半成品电池片上的形态判定该抗PID半成品电池片的抗PID性能是否合格：当去离子水滴在抗PID半成品电池片上不具有扩散趋势，则该抗PID半成品电池片的抗PID性能不合格；当去离子水滴在抗PID半成品电池片上有扩散趋势并且能够沿着倾斜方向顺势流下，则该抗PID半成品电池片的抗PID性能合格。本发明能够缩短判定电池片是否具有基本的抗PID能力的时间。
Description
技术领域
本发明涉及一种确认半成品电池片抗PID性能的测试方法，属于太阳能组件领域。
背景技术
目前，电池片PID失效原理：Na离子在EVA中受电场作用迁移，Na ion与电子结合后，所形成的钠元素沉积在银线上造成污染与短路的问题，从而造成PID失效，抗PID电池片，在emitter与ARC界面之间生成一层超薄氧化层，使隧穿效应最大化并取代原有的表面钝化，负偏压电场下，电子从emitter发射出来并顺利通过emitter与ARC界面，进入ARC从而使Na离子与电子结合后，所形成的的钠元素留在ARC内部，不再受负偏压电场的作用而往下进入emitter，解决污染与短路的问题。抗PID电池片，在半成品表面气相法生成的二氧化硅微粉，直接聚积、纯化、收集、压缩、包装，不经过其他化学试剂处理，在二氧化硅粒子表面保留有羟基，故而具有亲水性。现有电池片抗PID测试的优点：现有的电池片PID性能均通过组件成片测试确认，数据可靠性高，且可以溯源，组件PID测试以60℃、85％RH、-1000V电压、组件表面贴导电铝箔为测试条件(环境)，测试时间为96小时比较合适。按照IE61215标准相应规定来判断组件是否合格，缺点：测试时间过长，易造成电池片损失，缺乏实时性。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是克服现有技术的缺陷，提供一种确认半成品电池片抗PID性能的测试方法，它能够缩短判定电池片是否具有基本的抗PID能力的时间。
为了解决上述技术问题，本发明的技术方案是：一种确认半成品电池片抗PID性能的测试方法，该方法的步骤如下：
a)取抗PID半成品电池片；
b)将饱和的去离子水滴在抗PID半成品电池片的表面上；
c)将经过步骤b)处理的抗PID半成品电池片倾斜成与水平面有一定角度的倾斜状；
d)通过去离子水滴在抗PID半成品电池片上的形态判定该抗PID半成品电池片的抗PID性能是否合格：当去离子水滴在抗PID半成品电池片上不具有扩散趋势，则该抗PID半成品电池片的抗PID性能不合格；当去离子水滴在抗PID半成品电池片上有扩散趋势并且能够沿着倾斜方向顺势流下，则该抗PID半成品电池片的抗PID性能合格。
进一步，在步骤b)中，采用滴管吸取饱和的去离子水，并且保证滴管中的去离子水不小于0.25ml，并且距离抗PID半成品电池片的高度为2cm，滴下饱和的去离子水滴。
进一步为了更好地测试抗PID半成品电池片使其测试全面，在步骤b)中，去离子水滴在抗PID半成品电池片上共有5个点，四角分别设置有一个点，中心处具有一个点。
更进一步，在所述的步骤c)中，所述的倾斜角度为45°。
采用了上述技术方案后，抗PID半成品电池片表面的二氧化硅阻止Na离子进入emitter，解决污染与短路的问题，亲水性判定了抗PID半成品电池片表面是否形成二氧化硅，通过饱和的去离子水滴测试其亲水性，就能够很好判断其抗PID的能力，缩短了到组件端判定电池片是否具有抗PID的时间，减少了电池片报废，具有较大的经济价值。
具体实施方式
为了使本发明的内容更容易被清楚地理解，下面根据具体实施例，对本发明作进一步详细的说明。
一种确认半成品电池片抗PID性能的测试方法，该方法的步骤如下：
a)取抗PID半成品电池片；
b)将饱和的去离子水滴在抗PID半成品电池片的表面上；
c)将经过步骤b)处理的抗PID半成品电池片倾斜成与水平面有一定角度的倾斜状；
d)通过去离子水滴在抗PID半成品电池片上的形态判定该抗PID半成品电池片的抗PID性能是否合格：当去离子水滴在抗PID半成品电池片上不具有扩散趋势，则该抗PID半成品电池片的抗PID性能不合格；当去离子水滴在抗PID半成品电池片上有扩散趋势并且能够沿着倾斜方向顺势流下，则该抗PID半成品电池片的抗PID性能合格。
在所述的步骤b)中，采用滴管吸取饱和的去离子水，并且保证滴管中的去离子水不小于0.25ml，并且距离抗PID半成品电池片的高度为2cm，滴下饱和的去离子水滴。
在所述的步骤b)中，去离子水滴在抗PID半成品电池片上共有5个点，四角分别设置有一个点，中心处具有一个点。
在所述的步骤c)中，所述的倾斜角度为45°。
本发明的工作原理如下：
抗PID半成品电池片表面的二氧化硅阻止Na离子进入emitter，解决污染与短路的问题，亲水性判定了抗PID半成品电池片表面是否形成二氧化硅，通过饱和的去离子水滴测试其亲水性，就能够很好判断其抗PID的能力，缩短了到组件端判定电池片是否具有抗PID的时间，减少了电池片报废，具有较大的经济价值。
以上所述的具体实施例，对本发明解决的技术问题、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，所应理解的是，以上所述仅为本发明的具体实施例而已，并不用于限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (4)
1.一种确认半成品电池片抗PID性能的测试方法，其特征在于该方法的步骤如下：
a)取抗PID半成品电池片；
b)将饱和的去离子水滴在抗PID半成品电池片的表面上；
c)将经过步骤b)处理的抗PID半成品电池片倾斜成与水平面有一定角度的倾斜状；
d)通过去离子水滴在抗PID半成品电池片上的形态判定该抗PID半成品电池片的抗PID性能是否合格：当去离子水滴在抗PID半成品电池片上不具有扩散趋势，则该抗PID半成品电池片的抗PID性能不合格；当去离子水滴在抗PID半成品电池片上有扩散趋势并且能够沿着倾斜方向顺势流下，则该抗PID半成品电池片的抗PID性能合格。
2.根据权利要求1所述的一种确认半成品电池片抗PID性能的测试方法，其特征在于：在所述的步骤b)中，采用滴管吸取饱和的去离子水，并且保证滴管中的去离子水不小于0.25ml，并且距离抗PID半成品电池片的高度为2cm，滴下饱和的去离子水滴。
3.根据权利要求1或2所述的一种确认半成品电池片抗PID性能的测试方法，其特征在于：在所述的步骤b)中，去离子水滴在抗PID半成品电池片上共有5个点，四角分别设置有一个点，中心处具有一个点。
4.根据权利要求1或2所述的一种确认半成品电池片抗PID性能的测试方法，其特征在于：在所述的步骤c)中，所述的倾斜角度为45°。
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