CN103934741A - 表面粗糙度达到零点一纳米级的超光滑抛光工艺 - Google Patents

表面粗糙度达到零点一纳米级的超光滑抛光工艺 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种表面粗糙度达到零点一纳米级的超光滑抛光工艺，该工艺包含四个抛光阶段，达到不同的抛光效果：以机械磨削为主要作用的，以去除研磨破坏层为主要目的的粗抛阶段、以物理作用为主要特征的，以实现一定表面平面度为主要目的的精抛阶段、以化学作用为主要特征的，以去除亚表面损伤层为目的的初超抛阶段、以流变作用为主要特征的，以实现低表面粗糙度（RMS)抛光为目的的超抛阶段，从而实现光学材料表面原子重新排列在一个水平面上，达到超精密光学元件表面粗糙度RMS≤0.1nm的抛光要求。本发明提出的表面粗糙度RMS≤0.1nm的超光滑抛光工艺，产品质量稳定性好，可实现批量生产。

Description

表面粗糙度达到零点一纳米级的超光滑抛光工艺
技术领域
本发明涉及光学零件加工技术领域，尤其涉及表面粗糙度RMS≤0.1nm超精密光学元件的超光滑抛光工艺技术领域。
背景技术
当前超光滑抛光技术的发展呈现多样性，有采用基于古典抛光技术创新的超光滑抛光技术，如：浴法抛光、浮法抛光、水合抛光等；也有采用新抛光原理的超光滑抛光技术，如离子束抛光、利用高速水流的抛光等；还有的采用场效应辅助的超光滑抛光技术，如磁流变抛光；甚至有的采用非接触式抛光，如激光抛光。
经过对中国专利信息中心、万方数据库、中国期刊全文数据库、中国科技
成果数据库等的检索，显示：中科院长春光学精密机械与物理研究所的《超高精度光学元件加工技术》，采用了微射流超光滑加工技术和离子束高精度面形修正技术，开展了超光滑抛光技术的探索性研究，实验样品的中频粗糙度由原来的0.389 nm 改善到0.309nm，但是无法实现0.1nm 粗糙度的精度，也没有批量生产数据。
中科院长春光学精密机械与物理研究所的《一种高精度光学元件的装配装
置及无应力装配方法》，仅仅是解决了现有光学元件的装配过程中采用柔性支撑结构容易产生附加内应力的问题，没有涉及超光滑抛光技术。
国防科学技术大学的《光学元件磁流变抛光去损伤加工工艺研究》，针对超光滑抛光中的亚表面损伤控制进行了研究，文章从磁流变抛光原理的角度，
认为磁流变抛光可以实现减小亚表面损伤的目的，但没有相关实验和批生产数据。
《光电工程》文章《单晶硅镜面超光滑表面工艺技术研究》，介绍了基于古典抛光原理，通过改变抛光沥青硬度、抛光液酸碱度和环境温度对单晶硅开展了超光滑抛光的实验，实验结果为产品表面粗糙度可以达到0.37nm 的。
目前无论是离子束抛光、利用高速水流的抛光、磁流变抛光，还是激光抛光都无法走出实验室，存在制造设备昂贵、成本高、操作要求高、效率低等问题，无法满足高端装备的要求；基于古典抛光技术创新的超光滑抛光技术，相比上述新的技术，虽然可以实现小批量的生产，但是仍存在表面粗糙度无法达到高端装备所需的0.1nm 要求、生产效率不高、质量稳定性不好等缺点，无法实现表面粗糙度RMS≤0.1nm 超精密光学元件的批量化生产。
发明内容
本发明的目的在于：针对现有超光滑技术无法实现表面粗糙度RMS≤0.1nm超精密光学元件的批量化生产的问题提出解决方案。
为了实现上述目的，本发明公开了一种表面粗糙度达到零点一纳米级的超光滑抛光工艺，该工艺分为四个阶段：以机械磨削为主要作用的，以去除研磨破坏层为主要目的的粗抛阶段、以物理作用为主要特征的，以实现一定表面平面度为主要目的的精抛阶段、以化学作用为主要特征的，以去除亚表面损伤层为目的的初超抛阶段、以流变作用为主要特征的，以实现表面粗糙度RMS≤0.1nm抛光为目的的超抛阶段，从而实现光学材料表面原子重新排列在一个水平面上，达到超精密光学元件表面粗糙度RMS≤0.1nm的抛光要求。本发明中每个阶段为一整套超光滑抛光工艺，具有各个阶段不同的加工工艺参数，不同的阶段强化了光学元件与抛光模之间各自不同的主导作用。
上述各阶段的具体工艺如下：
一、本发明中所述以机械磨削为主要作用的，以去除研磨破坏层为主要目的的粗抛阶段，主要目的是去除前道研磨工序在光学元件表面产生的破坏层深度。在这个粗抛阶段抛光的主要任务是尽可能快速地去除光学元件表面前道留下的破坏层深度，同时还需避免本道工序留下新的抛光破坏层，并保证一定的面型精度。
本阶段技术方案：所述粗抛阶段具体工艺如下：采用JP040.2C研磨抛光机，把JP040.2C研磨抛光机的主轴转速设定为150-200rpm,摇摆摆速设定为80-100rpm，然后将固定有待加工零件的零件盘放到与JP040.2C研磨抛光机主轴连接的抛光模具上,所述零件盘为设有中心孔的平盘，所述抛光模具的直径大于零件盘的直径，把JP040.2C研磨抛光机的摇摆摆臂放下，插入零件盘的中心孔内，向抛光模具上添加粗抛抛光液，在摇摆摆臂上放上15-20Kg的铁块，启动JP040.2C研磨抛光机，完成粗抛阶段加工；通过粗抛抛光液的磨料磨削作用和压块重力作用，实现快速研磨去除零件表面的破坏层的目的；
作为优选方案，为使所述粗抛阶段的抛光效果更优异，所述JP015.4P研磨抛光机主轴转速和摇摆摆速分别设定为150-200rpm和80-100rpm。
而本阶段中，所述粗抛抛光液可采用一般市售的抛光液；但本发明中所述粗抛抛光液优选采用包含通过筛选的晶体颗粒粒度为2.0-3.0µm、具有棱形结构的市售氧化铝抛光液3T的抛光液；所述优选的粗抛抛光液的配制方法为：将所述3T与纯净水按照1:（1~5）的质量比配制，并通过逐步添加3T或纯净水的方式，直至配置的混合液酸碱度PH值达到9-12；
同样，为了达到更优异的粗抛效果，所述粗抛阶段优选采用的去除量和面型精度分别设定为：用千分表测量，去除量达到前道研磨工序最后一道研磨砂中径粒度的2-5倍；用Zygo干涉仪检测，面型精度为≤1/2λ（λ=632.8nm）。
二、本发明中所述以物理作用为主要特征的，以实现一定表面平面度为主要目的的精抛阶段，主要目的是在前道研磨破坏层已经去除的基础上，继续对光学元件表面进行加工，并确保一定的面型精度。
本阶段技术方案：采用JP015.4P研磨抛光机，将JP015.4P研磨抛光机的主轴转速设定为100-160rpm，摇摆摆速设定为70-100rpm，然后将固定有已完成粗抛阶段零件的零件盘放到与JP015.4P研磨抛光机主轴连接的抛光模具上，将JP015.4P研磨抛光机的摇摆摆臂放下，插入零件盘的中心孔内，向抛光模具上添加精抛抛光液，在JP015.4P研磨抛光机的摇摆摆臂上放上12-16Kg的铁块；启动JP015.4P研磨抛光机，完成精抛阶段；通过精抛抛光液的磨料平整表面作用，达到把零件表面抛光所需平面度的目的。
作为优选方案，为使精抛阶段的抛光效果更好，所述精抛阶段中JP015.4P研磨抛光机的主轴转速和摇摆摆速分别设定为100-160rpm和70-100rpm。
而本阶段中，所述精抛抛光液可采用一般市售的抛光液；但本发明中所述精抛阶段优选采用包含通过筛选的晶体颗粒粒度为1.0-1.8µm、具有四边形结构的市售氧化铈抛光液QT500的精抛抛光液；所述优选精抛抛光液的配制方法为：将所述QT500与纯净水按照1:（3~10）的质量比配制，并通过逐步添加QT500或纯净水的方式，直至配制的混合液的酸碱度PH值达到8-10；
作为优选方案，为使所述精抛阶段产生更好的抛光效果，所述精抛阶段的去除量和面型精度分别设定为：用千分表测量，去除量为5-100µm；用Zygo干涉仪检测，面型精度为≤1/5λ（λ=632.8nm）。
三、本发明中所述的以化学作用为主要特征的，以去除亚表面损伤层为目的的初超抛阶段，主要目的是在第二阶段抛光的基础上，对光学元件表面的亚表面破坏层进行修复，使光学元件表面达到所需的面型精度。
本阶段技术方案：采用JP015.4P研磨抛光机，将JP015.4P研磨抛光机的主轴转速设定为40-100rpm，摇摆摆速设定为30-80rpm，然后把固定着精抛好的零件的零件盘放到与JP015.4P研磨抛光机主轴连接的抛光模具上，把JP015.4P研磨抛光机的摇摆摆臂放下，插入零件盘的中心孔内，向抛光模具上添加初超抛抛光液，并在JP015.4P研磨抛光机的摇摆摆臂上放上8-10Kg的铁块，启动JP015.4P研磨抛光机，完成初超抛阶段，通过初超抛抛光液的与零件表面的化学、水解作用，达到去除零件亚表面损伤层的目的。
作为优选方案，为使所述初超抛阶段的抛光效果更优异，所述JP015.4P研磨抛光机主轴转速和摇摆摆速分别设定为40-100rpm和30-80rpm。
而本阶段中，所述初超抛抛光液可采用一般市售的抛光液；但本发明中所述初超抛抛光液优选采用通过筛选的晶体颗粒粒度为0.5-1.2µm、具有立方结构的市售氧化铈抛光液1650的抛光液；所述优选的初超抛抛光液的配制方法为：将所述氧化铈抛光液1650与电阻率为10MΩ的去离子水按照1:（5~15）质量比配制，并通过逐步添加1650或去离子水的方式，直至配制的混合液酸碱度PH值达到7-9；。
同样，为了达到更优异的初超抛效果，所述初超抛阶段优选采用的去除量和面型精度分别设定为：用千分表测量，去除量为5-60µm；用Zygo干涉仪检测，面型精度为≤1/8λ（λ=632.8nm）。
四、本发明中所述的以流变作用为主要特征的，以实现低表面粗糙度（RMS)抛光为目的的超抛阶段，主要目的是在光学元件表面亚表面损伤层已经去除后，按照本发明提出的加工工艺，采用本发明提出的抛光液，使光学材料表面原子重新排列在一个水平面上，实现表面粗糙度RMS≤0.1nm 的超光滑抛光。
本阶段技术方案：采用JMP020.4P研磨抛光机，将JMP020.4P研磨抛光机的主轴转速设定为1-30rpm，摇摆摆速设定为1-20rpm，然后将固定着前道初超抛好零件的零件盘放到与JMP020.4P研磨抛光机主轴连接的抛光模具上，把JMP020.4P研磨抛光机摇摆摆臂放下，插入零件盘的中心孔内，向抛光模具上添加超抛抛光液，并在JMP020.4P研磨抛光机摇摆摆臂上放上1-5Kg的铁块，启动JMP020.4P研磨抛光机，完成超抛阶段；通过超抛抛光液与零件表面原子的相互作用，促使零件表面原子的流变，达到使光学材料表面原子重新排列在一个水平面上，零件表面粗糙度RMS≤0.1nm抛光的目的。
作为优选方案，为了使所述超抛阶段的抛光效果更优异，所述JMP020.4P研磨抛光机主轴转速和摇摆摆速分别设定为1-30rpm和1-20rpm。
而本阶段中，所述超抛抛光液可采用一般市售的抛光液；但本发明中所述超抛抛光液优选包含筛选的晶体颗粒粒度为10-100nm、具有立方结构的市售纳米氧化锆抛光液NanoSP-Zr050的超抛抛光液；所述优选的超抛抛光液的配制方法为：将所述纳米氧化锆抛光液NanoSP-Zr050、电阻率为15MΩ的去离子水和Add-PS1按照1:（3～4）:（1～2）质量比配制，并通过逐步向15MΩ的去离子水中添加NanoSP-Zr050和Add-PS1的方式，直至配制的混合液酸碱度PH值达到6-7；本发明中Add-PS1为成都菲尔普光学科技有限公司生产的1#抛光液添加剂,对应该公司的机械化学抛光液添加剂。
同样，为了达到更优异的超抛效果，所述超抛阶段的去除量和面型精度分别设定为：用千分表测量，去除量为1-20µm；用Zygo干涉仪检测，面型精度为≤1/10λ（λ=632.8nm）。
与现有超光滑抛光技术相比，本发明的有益效果：
本发明通过把超光滑抛光分明确分为四个阶段，并为每个阶段提出了不同的加工工艺参数、抛光液特性、抛光去除量和面型精度的要求，从而强化了各个阶段光学元件与抛光模之间各自不同的主导作用。
通过本发明提出的不同阶段的加工工艺参数、抛光液特性、抛光去除量和面型精度要求，可以使光学材料表面原子重新排列在一个水平面上，实现表面粗糙度RMS≤0.1nm 的超光滑抛光。
本发明与现有超光滑抛光技术相比，具有以下优点：
1、目前无论是离子束抛光、利用高速水流的抛光、磁流变抛光，还是激光抛光等新原理超光滑抛光技术都无法走出实验室，存在制造设备昂贵、成本高、操作要求高、效率低、无法产业化等问题，而本发明则是一种基于古典抛光技术创新的超光滑抛光技术，其所用的抛光设备成本低、操作简单，实用性强，使表面粗糙度RMS≤0.1nm 的超精密光学元件的实现产业化生产。
2、目前其它采用基于古典抛光技术创新的超光滑抛光技术，在批量生产时产品表面粗糙度RMS 无法达到0.1nm 的要求，而基于本发明所提出的超光滑四个阶段及其各个阶段的加工工艺参数、抛光液、抛光去除量和面型精度的要求，在批量生产时，产品表面粗糙度RMS 达到了0.1nm 的水平。
附图说明
图1 为本发明的工艺流程图；
图2是本发明超光滑抛光四个阶段的工艺参数表。
图3是本发明中携带零件的零件盘的示意图。
图4是本发明中抛光模具的示意图。
图5是本发明中零件盘与抛光模具配合使用的示意图。
图6是实施例1产品表面粗糙度检测结果图（RMS=0.077nm)。
图7是实施例2产品表面粗糙度检测结果图（RMS=0.0854nm)。
图8是实施例3产品表面粗糙度检测结果图（RMS=0.0822nm)。
图9是实施例4产品表面粗糙度检测结果图（RMS=0.0847nm)。
（注：单位换算0.1nm=1Å，Sq即RMS）。
具体实施方式
本实施例公开了一种表面粗糙度达到零点一纳米级的超光滑抛光工艺，该工艺分为四个阶段：粗抛阶段、精抛阶段、初超抛阶段和超抛阶段，以达到超精密光学元件表面粗糙度RMS≤0.1nm的抛光要求。
本实施例所述工艺的具体步骤如下：
（1）将前道研磨好的光学元件固定在零件盘上（如图3所示，其中01为零件盘主体、02为固定蜡、03为零件、04为中心孔），然后用清水把零件清洗干净，进入超光滑抛光的四个阶段；
（2）粗抛阶段：采用JP040.2C研磨抛光机，把JP040.2C研磨抛光机的主轴转速设定为150-200rpm,摇摆摆速设定为80-100rpm，然后将固定有待加工零件的零件盘放到与JP040.2C研磨抛光机主轴连接的抛光模具上（如图5所示）,所述零件盘为设有中心孔的平盘，所述抛光模具的直径大于零件盘的直径，把JP040.2C研磨抛光机的摇摆摆臂放下，插入零件盘的中心孔内，向抛光模具上添加粗抛抛光液，在摇摆摆臂上放上15-20Kg的铁块，启动JP040.2C研磨抛光机，完成粗抛阶段加工；本实施例中所述粗抛抛光液的配制方法为：将所述3T与纯净水按照1:（1~5）的质量比配制，并通过逐步添加3T或纯净水的方式，直至配置的混合液酸碱度PH值达到9-12左右；所述粗抛阶段中抛光去除量和面型精度的要求为：用千分表测量，去除量达到前道研磨工序最后一道研磨砂中径粒度的2-5倍；用Zygo干涉仪检测，面型精度为≤1/2λ；其中λ=632.8nm；
（3）精抛阶段：采用JP015.4P研磨抛光机，将JP015.4P研磨抛光机的主轴转速设定为100-160rpm，摇摆摆速设定为70-100rpm，然后将固定有已完成粗抛阶段零件的零件盘放到与JP015.4P研磨抛光机主轴连接的抛光模具上，将JP015.4P研磨抛光机的摇摆摆臂放下，插入零件盘的中心孔内，向抛光模具上添加精抛抛光液，在JP015.4P研磨抛光机的摇摆摆臂上放上15Kg的铁块；启动JP015.4P研磨抛光机，完成精抛阶段；所述精抛抛光液的配制方法为：将所述QT500与纯净水按照1:（3~10）的质量比配制，并通过逐步添加QT500或纯净水的方式，直至配制的混合液的酸碱度PH值达到8-10；所述表面精抛阶段抛光去除量和面型精度的要求为：用千分表测量，去除量为5-100µm；用Zygo干涉仪检测，面型精度为≤1/5λ；其中λ=632.8nm；
（4）初超抛阶段：采用JP015.4P研磨抛光机，将JP015.4P研磨抛光机的主轴转速设定为40-100rpm，摇摆摆速设定为30-80rpm，然后把固定着精抛好的零件的零件盘放到与JP015.4P研磨抛光机主轴连接的抛光模具上，把JP015.4P研磨抛光机的摇摆摆臂放下，插入零件盘的中心孔内，向抛光模具上添加初超抛抛光液，并在JP015.4P研磨抛光机的摇摆摆臂上放上9Kg的铁块，启动JP015.4P研磨抛光机，完成初超抛阶段；所述初超抛抛光液的配制方法为：将所述氧化铈抛光液1650与电阻率为10MΩ的去离子水按照1:（5~15）质量比配制，并通过逐步添加1650或去离子水的方式，直至配制的混合液酸碱度PH值达到7-9；所述初超抛阶抛光去除量和面型精度的要求为：用千分表测量，去除量为5-60µm；用Zygo干涉仪检测，面型精度为≤1/8λ；其中λ=632.8nm；
（5）超抛阶段：采用JMP020.4P研磨抛光机，将JMP020.4P研磨抛光机的主轴转速设定为1-30rpm，摇摆摆速设定为1-20rpm，然后将固定着前道初超抛好零件的零件盘放到与JMP020.4P研磨抛光机主轴连接的抛光模具上，把JMP020.4P研磨抛光机摇摆摆臂放下，插入零件盘的中心孔内，向抛光模具上添加超抛抛光液，并在JMP020.4P研磨抛光机摇摆摆臂上放上1-5Kg的铁块，启动MP020.4P研磨抛光机，完成超抛阶段。所述超抛抛光液的配制方法为：将所述纳米氧化锆抛光液NanoSP-Zr050、电阻率为15MΩ的去离子水和Add-PS1按照1:（3～4）:（1～2）质量比配制，并通过逐步向15MΩ的去离子水中添加NanoSP-Zr050和Add-PS1的方式，直至配制的混合液酸碱度PH值达到6-7。所述超抛阶段抛光去除量和面型精度的要求为：用千分表测量，去除量为1-20µm；用Zygo干涉仪检测，面型精度为≤1/10λ；其中λ=632.8nm。
基于上述具体方法，根据给定数值范围做了四组实验，分别为：实施例1、实施例2、实施例3和实施例4，上述实施例使用参数及实验结果如下：

Claims (4)

1.一种表面粗糙度达到零点一纳米级的超光滑抛光工艺，其特征在于，该工艺分为四个阶段：以机械磨削为主要作用的，以去除研磨破坏层为主要目的的粗抛阶段；以物理作用为主要特征的，以实现一定表面平面度为主要目的的精抛阶段；以化学作用为主要特征的，以去除亚表面损伤层为目的的初超抛阶段；以流变作用为主要特征的，以实现表面粗糙度RMS≤0.1nm抛光为目的的超抛阶段。
2.根据权利要求1 所述的表面粗糙度达到零点一纳米级的超光滑抛光工艺，其特征在于：
所述粗抛阶段具体工艺如下：采用JP040.2C研磨抛光机，把JP040.2C研磨抛光机的主轴转速设定为150-200rpm,摇摆摆速设定为80-100rpm，然后将固定有待加工零件的零件盘放到与JP040.2C研磨抛光机主轴连接的抛光模具上,所述零件盘为设有中心孔的平盘，所述抛光模具的直径大于零件盘的直径，把JP040.2C研磨抛光机的摇摆摆臂放下，插入零件盘的中心孔内，向抛光模具上添加粗抛抛光液，在摇摆摆臂上放上15-20Kg的铁块，启动JP040.2C研磨抛光机，完成粗抛阶段加工；
所述精抛阶段具体工艺如下：采用JP015.4P研磨抛光机，将JP015.4P研磨抛光机的主轴转速设定为100-160rpm，摇摆摆速设定为70-100rpm，然后将固定有已完成粗抛阶段零件的零件盘放到与JP015.4P研磨抛光机主轴连接的抛光模具上，将JP015.4P研磨抛光机的摇摆摆臂放下，插入零件盘的中心孔内，向抛光模具上添加精抛抛光液，在JP015.4P研磨抛光机的摇摆摆臂上放上12-16Kg的铁块；启动JP015.4P研磨抛光机，完成精抛阶段；
所述初超抛阶段具体工艺如下：采用JP015.4P研磨抛光机，将JP015.4P研磨抛光机的主轴转速设定为40-100rpm，摇摆摆速设定为30-80rpm，然后把固定着精抛好的零件的零件盘放到与JP015.4P研磨抛光机主轴连接的抛光模具上，把JP015.4P研磨抛光机的摇摆摆臂放下，插入零件盘的中心孔内，向抛光模具上添加初超抛抛光液，并在JP015.4P研磨抛光机的摇摆摆臂上放上8-10Kg的铁块，启动JP015.4P研磨抛光机，完成初超抛阶段；
所述超抛阶段的具体工艺如下：采用JMP020.4P研磨抛光机，将JMP020.4P研磨抛光机的主轴转速设定为1-30rpm，摇摆摆速设定为1-20rpm，然后将固定着前道初超抛好零件的零件盘放到与JMP020.4P研磨抛光机主轴连接的抛光模具上，把JMP020.4P研磨抛光机摇摆摆臂放下，插入零件盘的中心孔内，向抛光模具上添加超抛抛光液，并在JMP020.4P研磨抛光机摇摆摆臂上放上1-5Kg的铁块，启动MP020.4P研磨抛光机，完成超抛阶段。
3.根据权利要求2 所述的表面粗糙度达到零点一纳米级的超光滑抛光工艺，其特征在于：
所述粗抛阶段采用的粗抛抛光液包含通过筛选的晶体颗粒粒度为2.0-3.0µm、具有棱形结构的市售氧化铝抛光液3T；所述粗抛抛光液的配制方法为：将所述3T与纯净水按照1:（1~5）的质量比配制，并通过逐步添加3T或纯净水的方式，直至配置的混合液酸碱度PH值达到9-12；
所述精抛阶段采用的精抛抛光液包含通过筛选的晶体颗粒粒度为1.0-1.8µm、具有四边形结构的市售氧化铈抛光液QT500；所述精抛抛光液的配制方法为：将所述QT500与纯净水按照1:（3~10）的质量比配制，并通过逐步添加QT500或纯净水的方式，直至配制的混合液的酸碱度PH值达到8-10；
所述初超抛阶段采用的初超抛抛光液包含通过筛选的晶体颗粒粒度为0.5-1.2µm、具有立方结构的市售氧化铈抛光液1650；所述初超抛抛光液的配制方法为：将所述氧化铈抛光液1650与电阻率为10MΩ的去离子水按照1:（5~15）质量比配制，并通过逐步添加1650或去离子水的方式，直至配制的混合液酸碱度PH值达到7-9；
所述超抛阶段采用的超抛抛光液包含筛选的晶体颗粒粒度为10-100nm、具有立方结构的市售纳米氧化锆抛光液NanoSP-Zr050；所述超抛抛光液的配制方法为：将所述纳米氧化锆抛光液NanoSP-Zr050、电阻率为15MΩ的去离子水和Add-PS1按照1:（3～4）:（1～2）质量比配制，并通过逐步向15MΩ的去离子水中添加NanoSP-Zr050和Add-PS1的方式，直至配制的混合液酸碱度PH值达到6-7。
4.根据权利1-3中任一权利要求所述的表面粗糙度达到零点一纳米级的超光滑抛光工艺，其特征在于:
所述粗抛阶段中抛光去除量和面型精度的要求为：用千分表测量，去除量达到前道研磨工序最后一道研磨砂中径粒度的2-5倍；用Zygo干涉仪检测，面型精度为≤1/2λ；其中λ=632.8nm；
所述精抛阶段抛光去除量和面型精度的要求为：用千分表测量，去除量为5-100µm；用Zygo干涉仪检测，面型精度为≤1/5λ；其中λ=632.8nm；
所述初超抛阶抛光去除量和面型精度的要求为：用千分表测量，去除量为5-60µm；用Zygo干涉仪检测，面型精度为≤1/8λ；其中λ=632.8nm；
所述超抛阶段抛光去除量和面型精度的要求为：用千分表测量，去除量为1-20µm；用Zygo干涉仪检测，面型精度为≤1/10λ；其中λ=632.8nm。
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