CN103928572A - 一种太阳电池的制造方法 - Google Patents

一种太阳电池的制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN103928572A
CN103928572A CN201410159638.XA CN201410159638A CN103928572A CN 103928572 A CN103928572 A CN 103928572A CN 201410159638 A CN201410159638 A CN 201410159638A CN 103928572 A CN103928572 A CN 103928572A
Authority
CN
China
Prior art keywords
solar cell
epitaxial wafer
region
manufacture method
manufacture
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201410159638.XA
Other languages
English (en)
Inventor
黄三玻
贾巍
王训春
陈萌炯
苏宝法
王志彬
朱亚雄
姜德鹏
陆剑峰
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shanghai Institute of Space Power Sources
Original Assignee
Shanghai Institute of Space Power Sources
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shanghai Institute of Space Power Sources filed Critical Shanghai Institute of Space Power Sources
Priority to CN201410159638.XA priority Critical patent/CN103928572A/zh
Publication of CN103928572A publication Critical patent/CN103928572A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/0352Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions
    • H01L31/035272Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/035281Shape of the body
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

一种太阳电池的制造方法,包括:提供外延片,所述外延片包括主太阳电池区域及位于所述主太阳电池区域外的边角区域;在所述边角区域形成副太阳电池区域。本发明通过在太阳电池外延片边角区域同时或依次进行电极蒸镀、镀膜、划片等工艺制造不同规格的太阳电池,实现外延片的高效利用,而对太阳电池的制造工艺流程和产能没有影响,而且外延片边角区域形成的太阳电池具有和主太阳区域形成的太阳电池相近的电性能。

Description

一种太阳电池的制造方法
 
技术领域
本发明涉及光伏发电技术领域,具体涉及一种太阳电池的制造方法。
背景技术
太阳电池是一种利用光生伏打效应,将光能转换成电能的器件,又称为光伏器件,主要有单晶硅电池和砷化镓电池等。空间航天器用单晶硅太阳电池的基本材料为纯度达0.999999、电阻率在10欧·厘米以上的P型单晶硅,包括p-n结、电极和减反射膜等部分,受光照面加透光盖片(如石英或渗铈玻璃)保护,防止电池受空间范爱伦带内高能电子和质子的辐射损伤。外延片是在砷化镓太阳电池生产过程中,进行了砷化镓层外延生长后的半成品,后边只需在外延片上进行栅线制作、电极制作、镀膜和划片等器件工序就可完成太阳电池生产。
如图1所示,为外延片、常规太阳电池和边角区域示意图。其中外延片1是制造太阳电池的基材,外延片的形状为圆形,通过在外延片上进行制造电极、镀膜、划片等工序完成太阳电池制造。其中,位于所述外延片1中间的为太阳电池2,所述太阳电池2一般为矩形,并且所述太阳电池一般带有一个缺角。
通常地,在一片圆形的外延片1上切割矩形太阳电池2通常会剩余超过30%外延片面积的边角3。这些不规则的边角3一般作为废弃物处理,造成巨大浪费,特别是对于一些效率高而价格昂贵的外延片,如砷化镓外延片等。
专利申请号为200920083094.8的专利申请提出了一种针对晶体硅太阳电池碎片进行切割处理并拼接再利用的方法。上述实用新型基于晶体硅太阳电池碎片再利用,是降本增效的一种被动方法,并且受太阳电池碎裂情况的限制而导致产品规格无法统一。
发明内容
本发明解决的问题是现有太阳电池生产中存在的外延片利用率低,大量边角废弃的问题。
为解决所述问题,本发明提供一种太阳电池的制造方法,包括:提供外延片,所述外延片包括主太阳电池区域及位于所述主太阳电池区域外的边角区域;在所述边角区域形成副太阳电池区域。可选的,通过太阳电池的制造工艺流程,同时或依次形成所述主太阳电池区域和副太阳电池区域。
可选的,所述制造工艺流程包括:栅线制造、电极制造和镀膜。
可选的,提供太阳电池尺寸需求,并根据所述尺寸需要,将形成在所述外延片边角区域的副太阳电池区域划片,形成若干数目的太阳电池4。
可选的,所述太阳电池的形状为三角形、梯形或者圆形。
可选的,所述外延片区域具有光电转换能力。
可选的,还包括通过所述主太阳电池区域和副太阳电池区域对应形成的太阳电池形成太阳电池阵,以应用于空间飞行器或者地面光伏模块。可选的,所述主太阳电池区域形成的太阳电池为矩形,对应尺寸为30mm×40mm、40mm×60mm、40mm×80mm或者80mm×80mm。
可选的,所述主电池区域为位于所述外延片内的最大内切矩形区域,所述副电池区域形成在所述主电池区域外的外延片区域。
可选的,所述外延片为圆形。
本发明通过采用正常太阳电池生产中的边角区域制造太阳电池,充分利用了外延片面积,外延片利用率提高20%以上。
进一步地, 本发明是对现有工艺流程的改进,不增加生产工艺流程和生产成本,进行“废物”利用,实现了太阳电池生产中的降本增效。
附图说明
图1为现有技术的外延片结构示意图;
图2为本发明一个实施例形成的太阳电池的结构示意图;
图3为本发明又一个实施例形成的太阳电池的结构示意图;
图4 A为应用本发明一个实施例形成的太阳电池对应形成的微小卫星太阳电池阵结构示意图;
图4 B为应用本发明一个实施例形成的太阳电池对应形成的光伏组件应用结构示意图。
具体实施方式
现有的太阳电池的制造工艺中存在外延片利用率低,大量边角废弃的问题。
为解决所述问题,本发明提供一种太阳电池的制造方法,包括:提供外延片,所述外延片包括主太阳电池区域及位于所述主太阳电池区域外的边角区域;在所述边角区域形成副太阳电池区域。其中,所述外延片区域除所述主太阳电池区域外,具有光电转换能力。
常用的外延片一般为圆形或者近似圆形,进一步地,所述外延片还可以为其他形状,如矩形或其他不规则形状。
具体地,通过太阳电池的制造工艺流程,同时或依次形成所述主太阳电池区域和副太阳电池区域。若通过同一道流程工艺形成所述主太阳电池区域和副太阳电池区域,则更进一步降低了制造成本,提高了制造效率。
所述主电池区域为位于所述外延片内的最大内切矩形区域,所述副电池区域形成在所述主电池区域外的外延片区域。
进一步地,所述制造工艺流程包括:栅线制造、电极制造和镀膜。即包括在所述外延片上形成太阳电池对应的栅极及电极,并对所述太阳电池进行镀膜。
提供太阳电池尺寸需求,并根据所述尺寸需要,将形成在所述外延片边角区域的副太阳电池区域划片,形成若干数目的太阳电池。其中,所述副太阳电池区域上划分形成的太阳电池的形状为三角形、梯形或者圆弧形。
对应的,在所述主电池区域形成的太阳电池为矩形,对应尺寸为
30mm×40mm、40mm×60mm、40mm×80mm或者80mm×80mm。
进一步地,还包括通过所述主太阳电池区域和副太阳电池区域对应形成的太阳电池形成太阳电池阵,以应用于空间飞行器或者地面光伏模块。
本发明通过采用正常太阳电池生产中的边角区域制造太阳电池,充分利用了外延片面积,外延片利用率提高20%以上。
进一步地, 本发明是对现有工艺流程的改进,不增加生产工艺流程和生产成本,进行“废物”利用,实现了太阳电池生产中的降本增效。
下文中,以4英寸外延片为例,结合附图和实施实例对本发明作进一步阐述。
以下实施实例仅仅旨在以简化的方式表达本发明的思想和方法,本发明包括以下实施实例,但不局限于以下实施实例。
实施实例一:
如图2所示,为本发明一个实施例形成的太阳电池的结构示意图。根据本发明提供的利用外延片边角区域制造太阳电池方法,在副电池区域制造栅线和电极,并通过划片制造成三角形、梯形或者其他形状的小尺寸太阳电池。
具体地,图2示出的主太阳电池区域的太阳电池尺寸为30mm×40mm太阳电池或者40mm×60mm太阳电池,其利用边角区域形成4个副太阳电池区域4。
实施实例二:
如图3所示,为本发明又一个实施例形成的太阳电池的结构示意图。根据本发明提供的利用外延片边角区域制造太阳电池方法,在副电池区域制造栅线和电极,并通过划片制造成三角形、梯形或者其他形状的小尺寸太阳电池。
具体地,图3示出的主太阳电池区域的太阳电池尺寸为40mm×80mm或者80mm×80mm太阳电池,其利用边角区域形成4个副太阳电池区域4。
综上所述,本发明所涉及的太阳电池由外延片边角制造而成,通过这种利用外延片边角的方法,可以提高外延片的利用率,而不增加太阳电池的工艺流程和生产成本,实现了降本增效。
进一步地,如图4 A所示为应用本发明一个实施例形成的太阳电池对应形成的微小卫星太阳电池阵结构示意图;图4 B所示为应用本发明一个实施例形成的太阳电池对应形成的微小卫星太阳电池阵结构示意图。利用本发明制造太阳电池的光伏组件,对应的制造成本较低,既可以用于空间飞行器低成本太阳电池阵,如微小卫星平台(参考图4A),也可用于地面光伏高效率光伏模块(参考图4B)。
本发明通过采用正常太阳电池生产中的边角区域制造太阳电池,充分利用了外延片面积,外延片利用率提高20%以上。
进一步地, 本发明是对现有工艺流程的改进,不增加生产工艺流程和生产成本,进行“废物”利用,实现了太阳电池生产中的降本增效。
本发明虽然已以较佳实施例公开如上,但其并不是用来限定本发明,任何本领域技术人员在不脱离本发明的精神和范围内,都可以利用上述揭示的方法和技术内容对本发明技术方案做出可能的变动和修改,因此,凡是未脱离本发明技术方案的内容,依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化及修饰,均属于本发明技术方案的保护范围。

Claims (9)

1.一种太阳电池的制造方法,其特征在于,提供外延片,所述外延片包括主太阳电池区域及位于所述主太阳电池区域外的边角区域;在所述边角区域形成副太阳电池区域。
2.根据权利要求1所述的太阳电池的制造方法,其特征在于,通过太阳电池的制造工艺流程,同时或依次形成所述主太阳电池区域和副太阳电池区域。
3.根据权利要求2所述的太阳电池的制造方法,其特征在于,所述制造工艺流程包括:栅线制造、电极制造和镀膜。
4.根据权利要求1所述的太阳电池的制造方法,其特征在于,提供太阳电池尺寸需求,并根据所述尺寸需要,将形成在所述外延片边角区域的副太阳电池区域划片,形成若干数目的太阳电池。
5.根据权利要求4所述的太阳电池的制造方法,其特征在于,所述太阳电池的形状为三角形、梯形或者圆弧形。
6.根据权利要求1所述的太阳电池的制造方法,其特征在于,所述外延片区域具有光电转换能力。
7.根据权利要求1所述的太阳电池的制造方法,其特征在于,所述主太阳电池区域形成的太阳电池为矩形,对应尺寸为30mm×40mm、40mm×60mm、40mm×80mm或者80mm×80mm。
8.根据权利要求1所述的太阳电池的制造方法,其特征在于,所述主电池区域为位于所述外延片内的最大内切矩形区域,所述副电池区域形成在所述主电池区域外的外延片区域。
9.根据权利要求1所述的太阳电池的制造方法,其特征在于,所述外延片为圆形。
CN201410159638.XA 2014-04-21 2014-04-21 一种太阳电池的制造方法 Pending CN103928572A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410159638.XA CN103928572A (zh) 2014-04-21 2014-04-21 一种太阳电池的制造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410159638.XA CN103928572A (zh) 2014-04-21 2014-04-21 一种太阳电池的制造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN103928572A true CN103928572A (zh) 2014-07-16

Family

ID=51146729

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201410159638.XA Pending CN103928572A (zh) 2014-04-21 2014-04-21 一种太阳电池的制造方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN103928572A (zh)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1480277A1 (en) * 2002-02-28 2004-11-24 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd Solar cell module and manufacturing method thereof
US20070261731A1 (en) * 2004-09-03 2007-11-15 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., Photovoltaic Power Generation Module and Photovoltaic Power Generation System Employing Same
CN203277409U (zh) * 2013-05-21 2013-11-06 江苏爱多光伏科技有限公司 一种三角形太阳能电池片

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1480277A1 (en) * 2002-02-28 2004-11-24 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd Solar cell module and manufacturing method thereof
US20070261731A1 (en) * 2004-09-03 2007-11-15 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., Photovoltaic Power Generation Module and Photovoltaic Power Generation System Employing Same
CN203277409U (zh) * 2013-05-21 2013-11-06 江苏爱多光伏科技有限公司 一种三角形太阳能电池片

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9287431B2 (en) Superstrate sub-cell voltage-matched multijunction solar cells
Zhu et al. Piezo‐phototronic effect enhanced flexible solar cells based on n‐ZnO/p‐SnS core–shell nanowire array
US9537032B2 (en) Low-cost high-efficiency solar module using epitaxial Si thin-film absorber and double-sided heterojunction solar cell with integrated module fabrication
US20150340528A1 (en) Monolithic tandem voltage-matched multijuntion solar cells
KR102323459B1 (ko) P형 perc 양면 태양 전지 및 그 모듈, 시스템과 제조 방법
KR102323458B1 (ko) P형 perc 양면 태양 전지 및 그 모듈, 시스템과 제조 방법
US20130118548A1 (en) Apparatus and methods for enhancing photovoltaic efficiency
US20130087190A1 (en) Photovoltaic devices and methods of forming the same
CN103117329B (zh) 异质结mwt电池及其制作方法、载片舟
US20240030365A1 (en) Back-contact photovoltaic module and manufacturing method thereof
CN102683468A (zh) 一种晶硅异质结太阳电池的发射极结构
US20100024870A1 (en) Structure And Method Of Solar Cell Efficiency Improvement By Strain Technology
US20240297262A1 (en) Heterojunction solar cell and preperation method thereof
CN104868007A (zh) 聚光型光电转换装置及其制造方法
US20180294367A1 (en) Back contact solar cell substrate, method of manufacturing the same and back contact solar cell
CN104681651A (zh) 硅基多结太阳能电池
CN104916725A (zh) 一种三结叠层太阳能电池及其制造方法
CN103928572A (zh) 一种太阳电池的制造方法
US20110132456A1 (en) Solar cell integrating monocrystalline silicon and silicon-germanium film
Mil'shtein et al. Cascaded heterostructured a-Si/c-Si solar cell with increased current production
CN110335920B (zh) 一种可降低电池效率损失的太阳能电池结构制作方法
TWM416200U (en) Solar cell module
CN206076242U (zh) 太阳能电池片、太阳能电池板及太阳能充电器
CN204130554U (zh) 一种太阳电池
CN220087251U (zh) 基于钙钛矿结构的多结光伏电池组件用接线盒系统

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20140716