CN103915832B - 电流互感器二次过电压保护器 - Google Patents

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Abstract

本发明开了一种电流互感器二次过电压保护器,由双向可控硅和双向触发二极管组成;双向触发二极管的两端分别与双向可控硅的控制极G和T2极连接,电流互感器的二次线圈分别与可控硅的T1和T2两端连接。本发明可以解决二次过电压保护器不用外部电源、体积小、成本低廉和自动复位等技术问题。

Description

电流互感器二次过电压保护器
技术领域
本发明涉及一种限制电流互感器二次线圈过电压的保护器。
背景技术
现有的电流互感器二次过电压保护器(以下简称保护器)是这样实现的:当传感器检测到电流互感器二次线圈端电压超过设定值时,驱动继电器触点闭合,将电流互感器二次线圈短路,消除其两端的过电压,保护设备和人身安全。当过电压消失时,需要人工复位,电流互感器才能恢复正常工作。由于驱动继电器需要外部供电的电源,常将数只保护器做在一起,一个电源供数只保护器工作。这样保护器与电流互感器之间需要连线。不然电源线要送达每只保护器,连线同样不会减少。由于连线增多,影响可靠性、外观,并增加工料费用。现在的变电站大多无人值班,由于瞬时过电压引起保护器动作后,没有人进行复位操作,造成电流互感器长期处于不能工作状态,影响计量和保护。由于继电器动作都需要时间,从发生过电压到继电器触点闭合,有一定的延时,过电压总要持续一段时间,存在安全隐患。又由于继电器体积大、成本高,所以普及有困难。
发明内容
本发明的目的是提供一种电流互感器二次过电压保护器,以解决二次过电压保护器不用外部电源、动作快、体积小、成本低廉和自动复位等技术问题。
为了实现上述发明目的,本发明采用如下技术方案:
一种电流互感器二次过电压保护器,由双向可控硅和双向触发二极管组成;双向触发二极管的两端分别与双向可控硅的控制极G和T2极连接,电流互感器的二次线圈分别与双向可控硅的T1和T2两端连接。
所述的一种电流互感器二次过电压保护器;双向触发二极管是双向瞬态抑制二极、两只反向对接的稳压管、两只反向对接的单向瞬态抑制二极管、压敏电阻、放电管或击穿二极管中的任何一种。
所述的一种电流互感器二次过电压保护器;将反向并联的发光管LED或一只发光管LED与一只普通二极管反向并联后,串联在双向可控硅的控制极G的可控硅触发回路中。
所述的一种电流互感器二次过电压保护器;将光控元件GK的输入端与所述反向并联的发光管LED中的一只反向并联,串联在触发回路中,过电压信号由光控元件的输出端K1,K2端送出。
所述的一种电流互感器二次过电压保护器;由一个隔离变压器T的原边串联在所述触发回路中,副边串接整流二极管Z后与滤波电容C、电阻R、稳压管W和场效应管NMOS的栅极、源极并联;整流二极管Z的负极与场效应管NMOS的栅极G连接,隔离变压器T的副边非串接整流二极管端与NMOS的源极S连接;过电压信号从场效应管NMOS的源极S和漏极d端送出。使用PMOS场效应管只要将整流二极管Z和稳压管W的方向调换即可。
所述的一种电流互感器二次过电压保护器;由四个整流二极管Z组成的整流桥交流输入端串接在所述的触发回路中,发光管LED与光控元件GK的输入端同向串联后并接在整流桥的直流输出端。发光管LED的正极与整流桥的正极输出端连接。过电压信号由光控元件GK的输出端K1,K2端送出。
一种电流互感器二次过电压保护器,由隔离变压器T的原边串联在双向可控硅TRIAC和电流互感器二次线圈C2回路中。副边串联整流二极管后与滤波电容C和光控元件GK的输入端并联,整流二极管的负极连接光控元件输入端的正极,隔离变压器T副边的非串接整流二极管端与光控元件输入端的负极连接。过电压信号从光控元件GK的输出端K1,K2端输出。
本实用新型的优点是:不需要外部电源,保护器可以直接安装在电流互感器二次线圈C2的端子上,还可以封装在电流互感器内部;响应速度快,消除安全隐患;无需连线,成本低廉,安装工料费用低;当过电压消失时,自动复位,无需人工复位操作,还可以输出过电压信号触点。
附图说明
图1是本实用新型的电路原理图。
图2是本实用新型的另一个电路原理实施例图。
图3是本实用新型的第三个电路原理实施例图。
图4是本实用新型的第四个电路原理实施例图。
图5是本实用新型的第五个电路原理实施例图。
图6是本实用新型的第六个电路原理实施例图。
图7是本实用新型的单向可控硅组成的过电压保护器的电路原理图。
图8是本实用新型的固态继电器组成的过电压保护器的电路原理图。
具体实施方式
本发明的具体电路结构及工作原理如下:
图1中TRIAC是双向可控硅,D是双向触发管二极管,C2是电流互感器的二次线圈。双向触发二极管D的两端分别与双向可控硅的控制极G和T2极连接,电流互感器二次线圈C2的两端分别连接在双向可控硅的T1极和T2极两端。图1中的D可以是双向瞬态抑制二极管,两只反向对接的稳压管,两只反向对接的单向瞬态抑制二极管、压敏电阻,放电管,击穿二极管(breakover diode)中的任何一种。
图2中的LED是两只发光管。将反向并联的两只发光管LED(或一只发光管LED与一只普通二极管反向并联)串联在触发回路中。当保护器动作时,发光管LED发光,就地显示出现过电压电流互感器所在的位置。
图3中GK是光控元件。将光控元件GK的输入端与发光管LED反向并联,串联在触发回路中。当保护器动作时,发光管LED发光,就地指示过电压所在的位置,光控元件GK导通,将过电压信号通过K1,K2端送出。这种光控元件能保持信号。过电压过后须人工复位。
图4中T是隔离变压器,Z是整流二极管,C是滤波电容,R是电阻,W是稳压管,NMOS是场效应管。隔离变压器T的原边串联在触发回路中,副边串接整流二极管Z后与滤波电容C,电阻R,稳压管W和场效应管NMOS的栅极G和源极S并联。整流二极管Z的负极与场效应管NMOS的栅极G连接,隔离变压器T的非串接整流二极管端与NMOS的源极S和稳压二极管的正极连接。过电压信号从场效应管NMOS的源极S和漏极d端送出。使用PMOS场效应管只要将整流二极管Z稳压管W方向调换即可。这种方式不能保持信号。过电压过后会自动复位。图5中由四个整流二极管Z组成的整流桥交流输入端串接在可控硅的触发回路中,发光二极管LED与光控元件GK的输入端同向串联后并接在整流桥的直流输出端。发光二极管LED的正极与整流桥的正极输出端连接。过电压信号从光控元件GK输出端K1和K2端送出。这种光控元件能保持信号。故障过后须人工复位。
图6中隔离变压器T的原边串联在双向可控硅TRIAC和电流互感器二次线圈C2回路中,副边串联整流二极管Z后与滤波电容C和光控元件GK的输入端并联,整流二极管Z的负极与光控元件GK输入端的正极连接。隔离变压器T副边的非串接整流二极管Z端与光控元件GK输入端的负极连接,过电压信号从光控原件的输出端K1,K2端输出。使用交流输入的光控元件,图6中的整流二极管Z和滤波电容C可以省去,隔离变压器T的副边直接接光控元件GK输入端。这种光控元件不能保持信号。故障过后会自动复位。
图7中SCR是单向可控硅。触发二极管D的两端与单向可控硅SCR的阳极A和控制极G连接。两组单向可控硅SCR和触发二管D反向并联。电流互感器的二次线圈C2分别连接在单向可控硅SCR的阳极A和阴极K上。
图8中SSR是固态继电器。其输入和输出端并联在电流互感器二次线圈C2两端。

Claims (4)

1.一种电流互感器二次过电压保护器,由双向可控硅和双向触发二极管组成;其特征在于,双向触发二极管的两端分别与双向可控硅的控制极G和T2极连接,电流互感器的二次线圈分别与双向可控硅的T1和T2两端连接;将双向瞬态抑制二极管、两只反向对接的稳压管、两只反向对接的单向瞬态抑制二极管、压敏电阻、放电管或击穿二极管中的任一种器件代替双向触发二极管;将反向并联的发光管LED或一只发光管LED与一只普通二极管反向并联后,串联在双向可控硅的控制极G的可控硅触发回路中;将光控元件GK的输入端与所述反向并联的发光管LED中的一只发光管LED反向并联,过电压信号由光控元件的输出端K1,K2送出。
2.根据权利要求1所述的一种电流互感器二次过电压保护器;其特征在于,由一个隔离变压器T的原边串联在所述可控硅触发回路中,副边串接整流二极管Z后与滤波电容C、电阻R、稳压管W和场效应管NMOS的栅极G、源极S并联;整流二极管Z的负极与场效应管NMOS的栅极G连接,隔离变压器T副边的非串接整流二极管端与场效应管NMOS的源极和稳压二极管的正极连接;过电压信号从场效应管NMOS的源极S,漏极d端送出;使用PMOS场效应管只要将整流二极管Z,稳压管W方向调换即可。
3.根据权利要求1所述的一种电流互感器二次过电压保护器;其特征在于,由四个整流二极管Z组成的整流桥交流端串接在所述的触发回路中,所述的发光管LED与光控元件GK的输入端同向串联后并接在整流桥的直流输出端;发光管LED的正极与整流桥的正极输出端连接;过电压信号从光控原件GK输出端K1,K2送出。
4.根据权利要求1所述的一种电流互感器二次过电压保护器;其特征在于,隔离变压器T的原边串联在双向可控硅TRIAC和电流互感器二次线圈C2回路中,副边串联整流二极管Z后与滤波电容C和光控元件的输入端并联,整流二极管的负极连接光控元件GK输入端的正极,隔离变压器T副边的非串接整流二极管Z端与光控元件输入端的负极连接,过电压信号从光控元件的输出端K1,K2端送出。
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