CN103903960A - 一种hit电池前清洗的方法 - Google Patents
一种hit电池前清洗的方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN103903960A CN103903960A CN201410011583.8A CN201410011583A CN103903960A CN 103903960 A CN103903960 A CN 103903960A CN 201410011583 A CN201410011583 A CN 201410011583A CN 103903960 A CN103903960 A CN 103903960A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- 5min
- washing
- hit battery
- flood
- silicon chip
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
- H01L21/02052—Wet cleaning only
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02096—Cleaning only mechanical cleaning
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Abstract
本发明公开了一种HIT电池前清洗的方法,包括如下步骤:(1)在50~100℃的碱性药液中超声5~10min,然后浸渍10~15min;(2)水洗;(3)在酸性药液Ⅰ中浸渍1~5min,酸性药液Ⅰ为1%~10%HCl、1%~20%添加剂Ⅱ和水的混合液;(4)水洗;(5)在氢氟酸溶液中浸渍1~5min;(6)水洗;(7)酸性药液Ⅱ中浸渍1~5min,酸性药液Ⅱ为5%~20%HF、40%~60%硝酸和水的混合液;(8)水洗;(9)在酸性药液Ⅰ中浸渍1~5min;(10)水洗;(11)在氢氟酸溶液中浸渍1~5min;(12)水洗。本发明能够得到较高的硅片表面质量,从而有效提高HIT电池的效率。
Description
技术领域
本发明涉及一种HIT电池清洗方法,具体涉及一种HIT电池前清洗的方法。
背景技术
HIT是Heterojunction with Intrinsic Thin-layer的缩写,意为本征薄膜异质结。HIT太阳能电池是以光照射侧的p/i型a-Si膜和背面侧的i/n型a-Si膜夹住单结晶Si片的来构成的。它的工作原理和同质结电池的工作原理相似,本征氢化非晶硅层仅起钝化硅片表面和体硅悬挂键的作用。当p型的非晶硅和n型的单晶硅接触后,由于这两种材料的电子和空穴浓度不同,故在材料的交界处存在浓度差,n区中的电子向p区扩散,在n区留下电离施主,形成带正电的区域。P区中的空穴向n区扩散,在p区留下电离受主,形成带负电的区域。此时,在异质结界面附近建立起了一个方向由n区指向p区的内建电场,即p-n结;同时n型的单晶硅与n+的氢化非晶硅形成n-n+结构,形成由n+区指向n区的内建电场,即所谓的背电场。背电场产生的光生电压与HIT太阳电池结构本身的p-n结两端的光生电压极性相同,从而可以提高HIT太阳电池的开路电压。另外,由于背场的存在,使光生载流子受到加速,这也可以看做是增加了载流子的扩散长度,从而增加了这部分少子的收集概率,短路电流得于提高。另外,由于n-n+背场的存在迫使少数载流子远离表面,表面复合率降低,暗电流减少。得益于HIT电池较低的表面复合率,它的开压可以达到700mv以上。也正是由于这个原因相较于其它种类的电池,HIT电池对硅片表面质量的要求更高。这对电池的前清洗工艺提出了更高的要求。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种HIT电池前清洗的方法,能够得到较高的硅片表面质量,从而有效提高HIT电池的效率。
本发明解决技术问题所采用的技术方案是:一种HIT电池前清洗的方法,其特征在于:依次包括如下步骤:
(1)在50~100℃的碱性药液中超声5~10min,然后浸渍10~15min,去除硅片表面损伤,所述碱性药液为5%~15%氢氧化钠、0.1%~10%添加剂Ⅰ和水的混合液;
(2)水洗1~5min;
(3)在酸性药液Ⅰ中浸渍1~5min,去除硅片表面金属杂质,所述酸性药液Ⅰ为1%~10%HCl、1%~20%添加剂Ⅱ和水的混合液;
(4)水洗1~5min;
(5)在氢氟酸溶液中浸渍1~5min,硅片脱水并表面钝化;
(6)水洗1~5min;
(7)酸性药液Ⅱ中浸渍1~5min,降低硅片表面的反射率,所述酸性药液Ⅱ为5%~20%HF、40%~60%硝酸和水的混合液;
(8)水洗1~5min;
(9)在酸性药液Ⅰ中浸渍1~5min;
(10)水洗1~5min;
(11)在氢氟酸溶液中浸渍1~5min;
(12)水洗1~5min。
作为一种优选,步骤(1)中所述添加剂Ⅰ为月桂酸二乙醇酰胺。
作为一种优选,步骤(1)中超声的功率为50~800W。
作为一种优选,步骤(3)中所述添加剂Ⅱ为四乙酰乙二胺。
本发明通过如下顺序清洗:去除硅片表面损伤层及有机物→去除硅片表面金属杂质→硅片表面钝化及脱水→降低硅片表面反射率,最终达到提高硅片表面质量,降低反射率的目的。在碱性药液中加入月桂酸二乙醇酰胺,降低水的表面张力,并提高有机化合物的可溶性,使反应产物及时的脱离硅片表面。超声只在抛光开始的头5-10分钟内使用,通过超声快速去除硅片表面损伤,停止超声后减慢损伤去除速率以取得较好的硅片表面,防止反应过快而对硅片造成的破坏。在酸性药液Ⅰ中加入四乙酰乙二胺,利用它能和碱金属、稀土元素和过渡金属等形成稳定的水溶性络合物的性质,以去除硅片表面的金属杂质。
本发明的有益效果是: 采用本发明对HIT电池进行前清洗,即能够得到较高的硅片表面质量,从而有效提高HIT电池的效率。
具体实施方式
实施例1:一种HIT电池前清洗的方法,依次包括如下步骤:
(1)在70℃的碱性药液中超声5min,超声的功率为500W;然后浸渍10min,去除硅片表面损伤,所述碱性药液为10%氢氧化钠、1%月桂酸二乙醇酰胺和水的混合液;
(2)水洗1min;
(3)在酸性药液Ⅰ中浸渍2min,去除硅片表面金属杂质,所述酸性药液Ⅰ为5%HCl、5%四乙酰乙二胺和水的混合液;
(4)水洗1min;
(5)在氢氟酸溶液中浸渍2min,硅片脱水并表面钝化;
(6)水洗1min;
(7)酸性药液Ⅱ中浸渍2min,降低硅片表面的反射率,所述酸性药液Ⅱ为5%HF、50%硝酸和水的混合液;
(8)水洗1min;
(9)在酸性药液Ⅰ中浸渍1min;
(10)水洗1min;
(11)在氢氟酸溶液中浸渍1min;
(12)水洗1min。
实施例2:又一种HIT电池前清洗的方法,依次包括如下步骤:
(1)在90℃的碱性药液中超声6min,超声的功率为300W;然后浸渍15min,去除硅片表面损伤,所述碱性药液为15%氢氧化钠、5%月桂酸二乙醇酰胺和水的混合液;
(2)水洗5min;
(3)在酸性药液Ⅰ中浸渍3min,去除硅片表面金属杂质,所述酸性药液Ⅰ为8%HCl、10%四乙酰乙二胺和水的混合液;
(4)水洗5min;
(5)在氢氟酸溶液中浸渍3min,硅片脱水并表面钝化;
(6)水洗5min;
(7)酸性药液Ⅱ中浸渍4min,降低硅片表面的反射率,所述酸性药液Ⅱ为20%HF、40%硝酸和水的混合液;
(8)水洗5min;
(9)在酸性药液Ⅰ中浸渍5min;
(10)水洗5min;
(11)在氢氟酸溶液中浸渍4min;
(12)水洗5min。
实施例3:另一种HIT电池前清洗的方法,依次包括如下步骤:
(1)在100℃的碱性药液中超声8min,超声的功率为100W;然后浸渍12min,去除硅片表面损伤,所述碱性药液为10%氢氧化钠、2%月桂酸二乙醇酰胺和水的混合液;
(2)水洗2min;
(3)在酸性药液Ⅰ中浸渍3min,去除硅片表面金属杂质,所述酸性药液Ⅰ为8%HCl、10%四乙酰乙二胺和水的混合液;
(4)水洗2min;
(5)在氢氟酸溶液中浸渍3min,硅片脱水并表面钝化;
(6)水洗2min;
(7)酸性药液Ⅱ中浸渍4min,降低硅片表面的反射率,所述酸性药液Ⅱ为10%HF、60%硝酸和水的混合液;
(8)水洗2min;
(9)在酸性药液Ⅰ中浸渍2min;
(10)水洗2min;
(11)在氢氟酸溶液中浸渍3min;
(12)水洗2min。
Claims (4)
1.一种HIT电池前清洗的方法,其特征在于:依次包括如下步骤:
(1)在50~100℃的碱性药液中超声5~10min,然后浸渍10~15min,去除硅片表面损伤,所述碱性药液为5%~15%氢氧化钠、0.1%~10%添加剂Ⅰ和水的混合液;
(2)水洗1~5min;
(3)在酸性药液Ⅰ中浸渍1~5min,去除硅片表面金属杂质,所述酸性药液Ⅰ为1%~10%HCl、1%~20%添加剂Ⅱ和水的混合液;
(4)水洗1~5min;
(5)在氢氟酸溶液中浸渍1~5min,硅片脱水并表面钝化;
(6)水洗1~5min;
(7)在酸性药液Ⅱ中浸渍1~5min,降低硅片表面的反射率,所述酸性药液Ⅱ为5%~20%HF、40%~60%硝酸和水的混合液;
(8)水洗1~5min;
(9)在酸性药液Ⅰ中浸渍1~5min;
(10)水洗1~5min;
(11)在氢氟酸溶液中浸渍1~5min;
(12)水洗1~5min。
2.根据权利要求1所述的一种HIT电池前清洗的方法,其特征在于:步骤(1)中所述添加剂Ⅰ为月桂酸二乙醇酰胺。
3.根据权利要求1所述的一种HIT电池前清洗的方法,其特征在于:步骤(1)中超声的功率为50~800W。
4.根据权利要求1所述的一种HIT电池前清洗的方法,其特征在于:步骤(3)中所述添加剂Ⅱ为四乙酰乙二胺。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201410011583.8A CN103903960A (zh) | 2014-01-10 | 2014-01-10 | 一种hit电池前清洗的方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201410011583.8A CN103903960A (zh) | 2014-01-10 | 2014-01-10 | 一种hit电池前清洗的方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN103903960A true CN103903960A (zh) | 2014-07-02 |
Family
ID=50995226
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201410011583.8A Pending CN103903960A (zh) | 2014-01-10 | 2014-01-10 | 一种hit电池前清洗的方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN103903960A (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104986769A (zh) * | 2014-12-17 | 2015-10-21 | 马鞍山明鑫光能科技有限公司 | 一种ic光刻片的原料回收清洗方法 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101409312A (zh) * | 2008-10-20 | 2009-04-15 | 宁海县日升电器有限公司 | 一种单晶硅片制绒的方法 |
CN101673785A (zh) * | 2009-09-25 | 2010-03-17 | 上海大学 | 硅基太阳能电池表面嵌入式多孔硅结构减反射膜的制备方法 |
US20110294249A1 (en) * | 2010-05-31 | 2011-12-01 | Seung-Yeop Myong | Method for cleaning a substrate of solar cell |
CN102751377A (zh) * | 2012-06-20 | 2012-10-24 | 常州天合光能有限公司 | 一种用于高效晶硅太阳电池制作的表面湿法处理工艺 |
CN102938431A (zh) * | 2012-10-19 | 2013-02-20 | 上海中智光纤通讯有限公司 | 一种太阳电池的硅片清洗制绒方法 |
US20130252427A1 (en) * | 2012-03-26 | 2013-09-26 | Sunpreme, Ltd. | Method for cleaning textured silicon wafers |
-
2014
- 2014-01-10 CN CN201410011583.8A patent/CN103903960A/zh active Pending
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101409312A (zh) * | 2008-10-20 | 2009-04-15 | 宁海县日升电器有限公司 | 一种单晶硅片制绒的方法 |
CN101673785A (zh) * | 2009-09-25 | 2010-03-17 | 上海大学 | 硅基太阳能电池表面嵌入式多孔硅结构减反射膜的制备方法 |
US20110294249A1 (en) * | 2010-05-31 | 2011-12-01 | Seung-Yeop Myong | Method for cleaning a substrate of solar cell |
US20130252427A1 (en) * | 2012-03-26 | 2013-09-26 | Sunpreme, Ltd. | Method for cleaning textured silicon wafers |
CN102751377A (zh) * | 2012-06-20 | 2012-10-24 | 常州天合光能有限公司 | 一种用于高效晶硅太阳电池制作的表面湿法处理工艺 |
CN102938431A (zh) * | 2012-10-19 | 2013-02-20 | 上海中智光纤通讯有限公司 | 一种太阳电池的硅片清洗制绒方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104986769A (zh) * | 2014-12-17 | 2015-10-21 | 马鞍山明鑫光能科技有限公司 | 一种ic光刻片的原料回收清洗方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
AU2015323848A1 (en) | Wet etching method for an N-type bifacial cell | |
CN102593268B (zh) | 采用绒面光滑圆整技术的异质结太阳电池清洗制绒方法 | |
Moreno et al. | Dry fabrication process for heterojunction solar cells through in-situ plasma cleaning and passivation | |
US20160233368A1 (en) | Solar cell | |
CN104505425A (zh) | 一种制备太阳能单晶背抛光电池片的方法 | |
CN111785810B (zh) | 一种n-pert电池的制备方法 | |
CN104835875A (zh) | 一种晶体硅太阳电池的制备方法及其侧边激光隔离方法 | |
CN110571303B (zh) | 一种p型晶体硅电池的制备方法 | |
TWI390755B (zh) | 太陽能電池的製造方法 | |
CN103258728A (zh) | 硅片刻蚀的方法及太阳能电池片的制作方法 | |
CN103903960A (zh) | 一种hit电池前清洗的方法 | |
CN110896108A (zh) | 一种双面发电的背接触异质结太阳能电池的制作方法 | |
CN108447944A (zh) | 一种n型pert双面电池制备方法 | |
CN116885019A (zh) | 一种太阳能电池及其制备方法 | |
CN104404627A (zh) | 一种晶体硅rie制绒前的表面预处理工艺 | |
CN103924306B (zh) | 一种硅异质结太阳电池的制绒方法 | |
CN104505430A (zh) | 一种高效多晶黑硅电池 | |
CN108682701A (zh) | 太阳能电池及其制作工艺 | |
JP2017509153A (ja) | 太陽電池の受光面のパッシベーション | |
CN103474481A (zh) | 一种高效背接触晶体硅太阳能电池及其制作方法 | |
Veschetti et al. | Industrial process leading to 19.8% on n-type CZ silicon | |
CN209298145U (zh) | 叠瓦电池片的制造系统 | |
CN114023636A (zh) | 一种硼扩SE结构的高效N型TOPCon电池制作方法 | |
CN203445133U (zh) | 一种高效背接触晶体硅太阳能电池 | |
CN101494252A (zh) | 一种用于刻蚀二氧化硅掩膜的浆料的清洗工艺 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20140702 |