CN103903648A - 一种带有存储器的终端及非易失性存储器数据保护电路 - Google Patents
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Abstract
本发明属于信息安全领域，提供了一种带有存储器的终端及非易失性存储器数据保护电路。在本发明中，通过所述自毁控制模块输出高低两种不同的电平控制所述电流源开关模块和所述电流沉开关模块通路或开路，当自毁控制信号输入时，所述自毁控制模块输出低高电平分别给所述电流源开关模块和所述电流沉开关模块，使所述电流源导通，输出一个熔断电流迅速使熔断电丝断开，在较短时间内有效的保护数据的安全，解决了非易失性存储器数据保护电路对数据进行保护时花费时间长，且需电源供电，在紧急情况下，不能对数据进行完全擦除，导致重要数据的外泄的问题。
Description
技术领域
本发明属于信息安全领域，尤其涉及一种带有存储器的终端及非易失性存储器数据保护电路。
背景技术
随着集成系统及嵌入式集成芯片在电子设备和工业控制领域越来越多的应用，非易失性存储器及嵌入式非易失性存储器作为系统设计的重要组成部分。
存储器存储着关键的启动程序、密码、代码数据等，其存储数据的安全性对整个系统的应用安全性有着重要的意义，因此保护重要的存储设备，防止信息的泄密是集成系统及嵌入式集成芯片的发展趋势。
非易失性存储器存数据稳定、可靠，断电后所存数据不会丢失，其编程后状态不能通过腐蚀、拍照等化学物理分析手段获取存数数据，因此只要能有效防止数据读出，就能够有效地防止重要程序和数据被窃取。
传统的非易失性存储器数据保护电路在进行数据保护时，需要数十分钟对存储器中的数据进行擦除且需电源同时供电，在紧急情况下，时间有限，不能对数据进行完全擦除，导致重要数据的外泄。
发明内容
本发明提供了一种非易失性存储器数据保护电路，旨在解决现有非易失性存储器数据保护电路对数据进行保护擦除时花费时间长，且需电源供电，在紧急情况下，不能对数据进行完全擦除，导致重要数据的外泄的问题。
为了解决上述技术问题，本发明提供了一种非易失性存储器数据保护电路，包括电流源，所述非易失性存储器数据保护电路连接在非易失性存储器和与所述非易失性存储器的数据读取端连接的数据读取模块之间，所述非易失性存储器数据保护电路还包括：
输入端与所述电流源连接的电流源开关模块；
与地连接的电流沉开关模块；
分别连接在所述非易失性存储器和所述数据读取模块以及所述电流源开关模块和所述电流沉开关模块之间，在所述电流源输出的电流通过时熔断以保护所述非易失性存储器数据安全的熔断电丝；
接收所述非易失性存储器数据保护电路的自毁控制信号的自毁控制信号接收端；
与所述自毁控制信号接收端连接，发送自毁触发信号的自毁触发模块；
分别与所述自毁触发模块、所述电流源开关模块以及所述电流沉开关模块连接，接收所述自毁控制信号，控制所述电流源开关模块和所述电流沉开关模块导通熔断所述熔断电丝，使所述数据读取模块和所述非易失性存储器之间的通路断开以保护数据安全的自毁控制模块。
进一步地，所述电流源开关模块为PMOS管Q1，所述PMOS管Q1的漏极接电流源VCC，所述PMOS管Q1的栅极为所述电流源开关模块的控制端与所述自毁控制模块的第一输出端连接，所述PMOS管Q1的源级为所述电流源开关模块的输出端连接在所述非易失性存储器和所述熔断电丝的公共连接端之间。
进一步地，所述电流沉开关模块为NMOS管Q2，所述NMOS管Q2的漏极为所述电流沉开关模块的输入端连接在所述数据读取模块和所述熔断电丝的公共连接端之间，所述NMOS管Q2的栅极为所述电流沉开关模块的控制端与所述自毁控制模块的第二输出端连接，所述NMOS管Q2的源级接地。
进一步地，所述自毁控制信号接收端包括：
与所述自毁触发模块连接，通过信号线接收自毁控制信号的有线接收端；以及
与所述自毁触发模块连接，通过无线接收自毁控制信号的无线接收端。
进一步地，所述无线接收端为2.4G无线接收模块、红外接收模块、无线wi-fi接收模块、2G/3G无线模块中的一种或其任意组合。
本发明还提供了一种带有存储器的终端，包括非易失性存储器数据保护电路，所述非易失性存储器数据保护电路包括电流源，所述非易失性存储器数据保护电路连接在非易失性存储器和与所述非易失性存储器的数据读取端连接的数据读取模块之间，所述非易失性存储器数据保护电路还包括：
输入端与所述电流源连接的电流源开关模块；
与地连接的电流沉开关模块；
分别连接在所述非易失性存储器和所述数据读取模块以及所述电流源开关模块和所述电流沉开关模块之间，在所述电流源输出的电流通过时熔断以保护所述非易失性存储器数据安全的熔断电丝；
接收所述非易失性存储器数据保护电路的自毁控制信号的自毁控制信号接收端；
与所述自毁控制信号接收端连接，发送自毁触发信号的自毁触发模块；
分别与所述自毁触发模块、所述电流源开关模块以及所述电流沉开关模块连接，接收所述自毁控制信号，控制所述电流源开关模块和所述电流沉开关模块导通熔断所述熔断电丝，使所述数据读取模块和所述非易失性存储器之间的通路断开以保护数据安全的自毁控制模块。
在本发明中，通过所述自毁控制模块输出高低两种不同的电平控制所述电流源开关模块和所述电流沉开关模块通路或开路，当自毁控制信号输入时，所述自毁控制模块输出低高电平分别给所述电流源开关模块和所述电流沉开关模块，使所述电流源导通，输出一个熔断电流迅速使熔断电丝断开，在较短时间内有效的保护数据的安全，解决了非易失性存储器数据保护电路对数据进行保护时花费时间长，且需电源供电，在紧急情况下，不能对数据进行完全擦除，导致重要数据的外泄的问题。
附图说明
图1是本发明实施例提供的非易失性存储器保护电路的模块结构图；
图2是本发明实施例提供的非易失性存储器保护电路的电路结构图；
图3是本发明实施例提供的自毁控制信号接收端的模块结构图。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
以下结合具体实施例对本发明的具体实现进行详细描述：
如图1所示，本发明实施例提供了一种非易失性存储器数据保护电路，包括电流源204，非易失性存储器数据保护电路连接在非易失性存储器101和与非易失性存储器101的数据读取端连接的数据读取模块102之间，非易失性存储器数据保护电路还包括：
输入端与电流源204连接的电流源开关模块205；
与地连接的电流沉开关模块206；
分别连接在非易失性存储器101和数据读取模块102以及电流源开关模块205和电流沉开关模块206之间，在电流源输出的电流通过时熔断以保护非易失性存储器101数据安全的熔断电丝FUSE；
接收非易失性存储器数据保护电路的自毁控制信号的自毁控制信号接收端201；
与自毁控制信号接收端201连接，发送自毁触发信号的自毁触发模块202；
分别与自毁触发模块202、电流源开关模块205以及电流沉开关模块206连接，接收自毁控制信号，控制电流源开关模块205和电流沉开关模块206导通熔断熔断电丝FUSE，使数据读取模块102和非易失性存储器101之间的通路断开以保护数据安全的自毁控制模块203。
进一步地，如图2所示，电流源开关模块205为PMOS管Q1，PMOS管Q1的漏极接电流源VCC，PMOS管Q1的栅极为电流源开关模块204的控制端与自毁控制模块203的第一输出端连接，PMOS管Q1的源级为电流源开关模块205的输出端连接在非易失性存储器101和熔断电丝FUSE的公共连接端之间。
如图2所示，电流沉开关模块206为NMOS管Q2，NMOS管Q2的漏极为电流沉开关模块206的输入端连接在数据读取模块102和熔断电丝FUSE的公共连接端之间，NMOS管Q2的栅极为电流沉开关模块205的控制端与自毁控制模块203的第二输出端连接，NMOS管Q2的源级接地。
作为本发明一实施例，在没有自毁控制信号输入时，自毁控制模块203的第一输出端和第二输出端分别输出高电平和低电平，PMOS管Q1和NMOS管Q2都断路不工作，非易失性存储器数据保护电路不进入数据保护模式，可以通过数据读取模块102正常读取非易失性存储器101中的数据，当有自毁控制信号输入时，非易失性存储器数据保护电路进入数据保护模式，自毁控制模块203的第一输出端和第二输出端分别输出低电平和高电平，PMOS管Q1和NMOS管Q2都导通，由于PMOS管Q1接有电源电压，在导通后产生一个熔断电丝FUSE的熔断电流，使熔点电丝FUSE迅速断开，不能通过数据读取模块102读取非易失性存储器101中的数据，对非易失性存储器101中的数据进行了快速有效的保护。
进一步地，如图3所示，自毁控制信号接收端201包括：
与自毁触发模块202连接，通过信号线接收自毁控制信号的有线接收端2011；以及
与自毁触发模块202连接，通过无线接收自毁控制信号的无线接收端2012。
进一步地，无线接收端2012为2.4G无线接收模块、红外接收模块、无线wi-fi接收模块、2G/3G无线模块中的一种或其任意组合。
本发明实施例还提供了一种带有存储器的终端，包括上述非易失性存储器数据保护电路。
在本发明实施例中，带有存储器的终端包括计算机、手机、保险柜等设备。
在本发明实施例中，通过所述自毁控制模块输出高低两种不同的电平控制所述电流源开关模块和所述电流沉开关模块通路或开路，当自毁控制信号输入时，所述自毁控制模块输出低高电平分别给所述电流源开关模块和所述电流沉开关模块，使所述电流源导通，输出一个熔断电流迅速使熔断电丝断开，在较短时间内有效的保护数据的安全，解决了非易失性存储器数据保护电路对数据进行保护时花费时间长，且需电源供电，在紧急情况下，不能对数据进行完全擦除，导致重要数据的外泄的问题。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种非易失性存储器数据保护电路，包括电流源，所述非易失性存储器数据保护电路连接在非易失性存储器和与所述非易失性存储器的数据读取端连接的数据读取模块之间，其特征在于，所述非易失性存储器数据保护电路还包括：
输入端与所述电流源连接的电流源开关模块；
与地连接的电流沉开关模块；
分别连接在所述非易失性存储器和所述数据读取模块以及所述电流源开关模块和所述电流沉开关模块之间，在所述电流源输出的电流通过时熔断以保护所述非易失性存储器数据安全的熔断电丝；
接收所述非易失性存储器数据保护电路的自毁控制信号的自毁控制信号接收端；
与所述自毁控制信号接收端连接，发送自毁触发信号的自毁触发模块；
分别与所述自毁触发模块、所述电流源开关模块以及所述电流沉开关模块连接，接收所述自毁触发信号，控制所述电流源开关模块和所述电流沉开关模块导通熔断所述熔断电丝，使所述数据读取模块和所述非易失性存储器之间的通路断开以保护数据安全的自毁控制模块。
2.如权利要求1所述的非易失性存储器数据保护电路，其特征在于，所述电流源开关模块为PMOS管Q1，所述PMOS管Q1的漏极接电流源VCC，所述PMOS管Q1的栅极为所述电流源开关模块的控制端与所述自毁控制模块的第一输出端连接，所述PMOS管Q1的源级为所述电流源开关模块的输出端连接在所述非易失性存储器和所述熔断电丝的公共连接端之间。
3.如权利要求1所述的非易失性存储器数据保护电路，其特征在于，所述电流沉开关模块为NMOS管Q2，所述NMOS管Q2的漏极为所述电流沉开关模块的输入端连接在所述数据读取模块和所述熔断电丝的公共连接端之间，所述NMOS管Q2的栅极为所述电流沉开关模块的控制端与所述自毁控制模块的第二输出端连接，所述NMOS管Q2的源级接地。
4.如权利要求1所述的非易失性存储器数据保护电路，其特征在于，所述自毁控制信号接收端包括：
与所述自毁触发模块连接，通过信号线接收自毁控制信号的有线接收端；以及
与所述自毁触发模块连接，通过无线接收自毁控制信号的无线接收端。
5.如权利要求4所述的非易失性存储器数据保护电路，其特征在于，所述无线接收端为2.4G无线接收模块、红外接收模块、无线wi-fi接收模块、2G/3G无线模块中的一种或其任意组合。
6.一种带有存储器的终端，包括非易失性存储器数据保护电路，其特征在于，所述非易失性存储器数据保护电路包括电流源，所述非易失性存储器数据保护电路连接在非易失性存储器和与所述非易失性存储器的数据读取端连接的数据读取模块之间，其特征在于，所述非易失性存储器数据保护电路还包括：
输入端与所述电流源连接的电流源开关模块；
与地连接的电流沉开关模块；
分别连接在所述非易失性存储器和所述数据读取模块以及所述电流源开关模块和所述电流沉开关模块之间，在所述电流源输出的电流通过时熔断以保护所述非易失性存储器数据安全的熔断电丝；
接收所述非易失性存储器数据保护电路的自毁控制信号的自毁控制信号接收端；
与所述自毁控制信号接收端连接，发送自毁触发信号的自毁触发模块；
分别与所述自毁触发模块、所述电流源开关模块以及所述电流沉开关模块连接，接收所述自毁控制信号，控制所述电流源开关模块和所述电流沉开关模块导通熔断所述熔断电丝，使所述数据读取模块和所述非易失性存储器之间的通路断开以保护数据安全的自毁控制模块。
7.如权利要求6所述的带有存储器的终端，其特征在于，所述电流源开关模块为PMOS管Q1，所述PMOS管Q1的漏极接电流源VCC，所述PMOS管Q1的栅极为所述电流源开关模块的控制端与所述自毁控制模块的第一输出端连接，所述PMOS管Q1的源级为所述电流源开关模块的输出端连接在所述非易失性存储器和所述熔断电丝的公共连接端之间。
8.如权利要求6所述的带有存储器的终端，其特征在于，所述电流沉开关模块为NMOS管Q2，所述NMOS管Q2的漏极为所述电流沉开关模块的输入端连接在所述数据读取模块和所述熔断电丝的公共连接端之间，所述NMOS管Q2的栅极为所述电流沉开关模块的控制端与所述自毁控制模块的第二输出端连接，所述NMOS管Q2的源级接地。
9.如权利要求6所述的带有存储器的终端，其特征在于，所述自毁控制信号接收端包括：
与所述自毁触发模块连接，通过信号线接收自毁控制信号的有线接收端；以及
与所述自毁触发模块连接，通过无线接收自毁控制信号的无线接收端。
10.如权利要求9所述的带有存储器的终端，其特征在于，所述无线接收端为2.4G无线接收模块、红外接收模块、无线wi-fi接收模块、2G/3G无线模块中的一种或其任意组合。
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