CN103902940A - 集成电路标识自检验 - Google Patents

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Abstract

一种储存有一标识符和一校验码的无线射频（RFID）标签集成电路。该集成电路通过与校验码对比确定该储存的标识符是否损毁。如果储存的标识符与该校验码不相对应，该集成电路则能终止操作或指示错误。该集成电路还可能从校验码重建正确的标识符。

Description

集成电路标识自检验
背景技术
无线射频识别（RFID）系统通常包括RFID阅读器，也被称为RFID读/写器或者RFID讯问器,和RFID标签。RFID系统可以多种方式用于定位和识别标签所依附的物体。RFID系统在产品和服务相关产业非常有用，其可以用于追踪正被加工、库存或处理的物品。在这种情况下，一RFID标签经常被附着在单件商品，或者其包装上。 
一般而言，RFID技术需要使用RFID阅读器以询问一个或者多个RFID标签。该阅读器发射无线射频波来执行询问。该无线射频波通常为电磁波，至少在远场上。在近场主要为电或磁。无线射频波可以将一个或者多个命令进行编码，该命令用于指示标签执行一个或者多个动作。 
一感应到询问射频波的标签可能通过回发另一无线射频波来响应。标签既可以产生固有回发无线射频波，也可以通过一个被称为反向散射的过程反射部分询问无线射频波。反向散射可能以多种途径发生。 
反射回来的无线射频波可以编码存储在标签中的数据，比如一个数字。该响应被阅读器解调和解码，阅读器从而识别，计数，或者与相关物品交互作用。该被解码的数据能够表示一个序号、一个价格、一个日期、一个目的地（或多个目的地）、其他属性以及其任意组合等等。因此，当一阅读器接收到标签数据时，其能得知标签所依附的物品和/或标签本身。 
一RFID标签通常包括天线段，无线电部分，动力管理部分，且通常还包括一逻辑部分，一存储器，或者两者均有。一些RFID标签的动力管理部分包括能量存储装置，如一电池。带有能量存储装置的无线射频标签被称为电池辅助的、半主动的、或者主动标签。其他的RFID标签只能由其接受到的射频信号来驱动。这类RFID标签没有能量存储装置，被称为被动标签。当然，即便是被动标签通常也包括临时能量存储元件和信息/标签存储元件，如电容或电感。 
发明内容
该发明内容被提供以以简化的形式来介绍一些概念，这些概念将在后面 的具体实施方式中被进一步阐述。该发明内容并不倾向于确定关键特征或者要求保护的主题的必要技术特征，也倾向于帮助确定权利要求所要保护的范围。 
具体实施例是针对一存储有一标识符和一校验码的RFID标签集成电路（IC）。该集成电路通过比较标识符与校验码来确定被存储的标识符是否被损毁。如果被存储的标识符与校验码不相对应，集成电路可以终止操作和/或表明有误。该集成电路也可能从校验码重建正确的标识符。 
通过阅读下述具体说明和浏览相关附图，这些及其他特征以及优点将会显而易见。可以理解的是，前述概括性描述和下述具体说明是仅用于解释和并不构成权利要求书所要要求保护的部分的限制。 
附图说明
下面的具体说明是结合相应的附图进行的，其中： 
图1是RFID系统部件的框图。 
图2是一个示意图，其所显示的是被动标签，比如一个能被用于图1所示系统的标签元件。 
图3是一概念示图，用于阐明图1所示RFID系统各部件间通信的半双工传输模型。 
图4是一显示RFID标签，比如图2所示RFID标签细节的框图。 
图5A和5B阐明了图4框图中标签至阅读器和阅读器至标签通信的信号路径。 
图6阐明了存储于依具体实施例的RFID标签集成电路的一标识符和一校验码。 
图7A-B是一个描述了依具体实施例的标识符自校验过程的流程图。 
图8是一个描述了依具体实施例的标识符自检验和校正过程的流程图。 
具体实施方式
在下面的具体说明中，所涉及的附图为本文一部分，且在此通过阐明具体实施例或示例的方式被展现。这些具体实施例或示例可以被组合在一起，其他方面也可以被利用，也可能在不背离本揭露的精神和范围的情况下作结构性改变。因此，下述具体说明不应被当作限制，和本发明的范围由所附权利要求及其等同来界定。 
如本文所使用，“存储器”为ROM,RAM,静态随机存储器（SRAM）,动态随机存储器（DRAM）,非易失忆存储器（NVM）,电可擦只读存储器（EEPROM）,闪存（FLASH）,保险丝存储器（Fuse）,磁性随机存储器（MRAM）,铁电存储器（FRAM）以及本领域技术领域人员所知的其它类似信息存储技术中的一种。存储器的一部分是可写入的，一部分则不是。“命令”表示一阅读器请求一个或多个标签来执行一个或多个动作。“协议”表示一用于阅读器和标签间之间通信（反之亦然）的工业标准，如由EPCglobal公司提供的、在860MHz-960MHz进行通信的第1阶第2代超高频RFID协议(Class-1Generation-2UHF RFID Protocol for Communications at860MHz–960MHz by EPCglobal,Inc，“Gen2规范”)，在此处1.2.0版本以引用的方式并入本文。 
图1是一个典型的RFID系统100的部件示意图，其结合具体实施例。一RFID阅读器110传送一询问无线射频信号112。RFID标签120在RFID阅读器120附近感应到询问无线射频信号112，并产生信号126作为回应。RFID阅读器110感应并解码信号126。信号112和信号126可以包括无线射频波和/或者非传播无线射频信号｛比如，被动近场信号(reactive near-field signals）｝。 
阅读器110和标签120通过信号112和信号126进行通信。在通讯时，各自编码、调制、并传送数据给另一方，且各自从另一方接收，解调，并解码数据。数据能够调制为无线射频波形和自无线射频波形解调。无线射频波形通常在一个适当的频率范围，如900Mhz左右，13.56Mhz左右，等等。 
阅读器和标签之间的通信使用符号（symbols），也称作RFID符号。一个符号可以是一个定界符，一个标定值，等等。如果需要的话，符号可以实施（implemented for）二进制信息交换，如“0”和“1”。当符号被阅读器110和标签120处理时，他们可以被当作数值，数字，等等。 
标签120可以是一被动标签，或一主动或者电池辅助标签（比如，一具有自己动力源的标签）。当标签120是一被动标签时，它由信号112来提供动力。 
图2是一RFID标签220的示意图，标签220可以起到图1中标签120的作用。标签220被绘制成一个被动标签，意味着它没有自己的动力源。但 是，这个文档中所描述的部分，也适用于主动和电池辅助标签。 
标签220通常（尽管不是必须）成形在一个基本上是平的嵌体222，该嵌体222可以以本领域所知的多种多种方法制成。标签220包括一个电路，该电路可以被应用于（implemented as）集成电路224。在一些具体实施例中，集成电路224在互补金属氧化物半导体（CMOS)技术中被实现（implementedas）。在其他的具体实施例中，集成电路224可以在其他技术上中被实现（implemented as），如双极面结型晶体管（BJT)技术，金属-半导体场效应晶体管（MESFET)技术，以及其他所属技术领域人员所知的技术。集成电路224被安置在嵌体222。 
标签220还包括一用于与其外界环境交换无线信号的天线。该天线通常为平的和附着于嵌体222。集成电路224通过适当的天线接触（没有显示在图2中）被可通电地耦接至该天线。此处所用“电耦合（可通电地耦接至，electrically coupled）”一词的可以表示一直接电连接，或者可能表示一个包括一个或多个干预电路块\元件\设备的连接。此处所用“电耦合”一词中的“电”在本文件中是指一个或者多个欧姆的/电流的，电容的，和/或电感的耦合。 
集成电路224显示带有一个单天线端口，包括两个与两个天线段227电耦合的天线接触，其中此处显示的两个天线段227形成一个双极子。许多其他的具体实施例可能使用任何数量的端口，接触，天线，和/或天线段。 
在运行中，天线接收信号，并将其传送至集成电路224，基于输入信号和集成电路的内部状态，在适当的情况下，其可以同时产生电力（power）和回应。如果集成电路224使用反向散射调制，则其通过调制天线反射比回应，其产生产生响应信号126，其中该信号126来自由阅读器传来的信号112。集成电路224的电耦合和解电耦合天线接触能解调天线反射比，如能改变与天线接触相耦合并联电路元件的进入那样。改变一串联电路元件的电阻是另一种调制天线反射比的方法。 
在图2的具体实施例中，天线段227与集成电路224是分离的。在其他的具体实施例中，天线段可以选择形成在集成电路224。根据具体实施例的标签天线可以设计成任何形式且不局限于偶极。例如，标签天线可能是一个斑点、一个凹槽、一个环、一个线圈、一个角、一个螺旋、或者任何其他合适的天线。 
图1中RFID系统的部件可以以任何种类模式相互通信。其中一种这样的模式被称为全双工模式。另一种这样的模式被称为半双工模式，下面会对此进行介绍。 
图3是一概念示图300，其用于解释图1中RFID系统部件之间的半双工通信，在该种情况下，标签120被当作图2中的一被动标签220应用。该解释是根据时间轴进行的，并根据拟人的形式“说”和“听”。现在将描述“听”和“说”的实际技术实现。 
RFID阅读器110和RFID标签120轮流相互说和听。如时间轴所示，当阅读器110说给标签120时，这种通讯会话定为“R→T”，当标签120说给阅读器110时，这种通讯会话定为“T→R”。沿着时间轴，一个R→T通讯会话示例发生在时间间隔312期间，接下来一个T→R通讯会话示例发生在时间间隔326期间。当然，通常间隔312的持续时间不同于间隔326，此处显示的持续时间近似相等只是为了说明之用。 
根据块332和336，RFID阅读器110在间隔312期间说，并在间隔326期间听。根据块342和346，RFID标签120听而阅读器110说（间隔312期间），和RFID标签120说而阅读器110听（间隔326期间）。 
在实际行为方面，在随后的间隔312期间，阅读器110说给标签120（听）。根据框图352，阅读器110发送信号112，其首次是在图1中被描述。与此同时，根据框图362，标签120接收信号112并将其处理以提取数据等等。同时，根据框图372，标签120没有与其天线形成反向散射，根据框图382，阅读器110没有来自标签120的信号可接收。 
在间隔326期间，标签120随后说给阅读器110（听）。根据框图356，阅读器110发送一个连续波（CW）信号，其可以被当做一个通常不编译信息的载体。该CW信号被用于传送能量给标签120以供其自身间隔动力需求，同时还被当做一个载体，标签120可以其反向散射进行调制。事实上，在间隔326期间，根据框图366，标签120没有接收用于处理的信号。反而，根据框图376，标签120根据框图356调制发射的CW从而产生反向散射信号126.与此同时，根据框图386，阅读器110接收并处理反向反射（backscatter）信号126。 
图4为一框图，其展示了一RFID集成电路的细节，比如图2中的集成 电路224，图4中的电路424，其可能形成于比如图2中的标签220的RFID标签的集成电路。电路424有一些在此文件中有所描述的主要部件。从图示和描述中可知电路424可具有一些附加部件，或不同的部件，这取决于具体的实施情况。 
电路424展示了适于两个天线接触432,433，其适于耦接至天线段，比如图2中RFID标签220的片段227。当两个天线接触形成信号输入或信号返回至天线，它们通常被当作一个天线端口被涉及。天线接触432,433可能用其他适合的方式制成，如金属板，等等。在一些实施例中，电路424使用多于两个天线接触，特别是在标签220具有多于一个天线端口和/或多于一个天线时。 
电路424还包括信号路径部分435，该路径部分435可能包括信号线，一个能有选择地安排信号路径的信号接收/传送开关，等等。 
电路424还包括一整流器和PMU（Power Management Unit，动力管理装置）441，该PMU从由天线227接收的RF信号中获取能量以在阅读器至标签（R→T）和/或标签至阅读器（T→R）之一或两者期间为集成电路424的电路提供动力。整流器和PMU441可能以本领域已知的任何方式实现。 
电路424还包括一解调器442以解调从天线接触432,433接收的RF信号。解调器442可能以本技术领域已知的任何方式实现，比如包括一限制器，一放大器，等等。 
电路424进一步包括一处理块444以接收来自于解调器442的输出并执行比如命令解码，存储交互等操作。另外，处理块444可能产生一用于传送的输出信号。处理块444可能以本技术领域已知的任何方式实现，比如通过一个或多个处理器、存储器、解码器、编码器的组合，等等。 
电路424还包括一调制器446以调制由处理块444产生的输出信号。该调制的信号通过驱动天线接触432,433传送，和因此由一个或多个耦合天线片驱动负载。调制器446可能以所属技术领域已知的任何方式实现，比如包括一开关，传动器，放大器等等。 
在一个具体实施例中，解调器442和调制器446可能被组合在一个单个的收发器电路中。在另一具体实施例中，调制器446可能使用反向散射调制一个信号。在另一个具体实施例中，调制器446可能包括一个主动传送器。 在其他的具体实施例中，解调器442和调制器446可能为处理块444的一部分。 
电路424另外还包括一存储器450以存储数据452。存储器450的至少一部分能优选实施为非易失忆存储器（NVM），这意味着即使当电路424没电的时候（被动RFID标签经常出现此种情况），数据452也会被保留。 
在一些具体实施例中，特别是在那些具有多于一个天线端口的具体实施例中，电路424可能包括多个解调器，整流器，PMU，调制器，处理块，和/或存储器。 
在处理信号时，电路424在R→T期间和T→R期间有不同的操作。所述不同操作将在下面描述，此处，电路424代表RFID标签的一个集成电路。 
图5A展示了图4中电路424的部件的524-A版本，进一步改进以强调图3中时间间隔312期间R→T期间的信号操作。解调器442解调从天线接触432,433接收的RF信号。该被解调的信号以C_IN用于处理块444。在其中一个具体实施例中，C_IN可能包括一连串接收的符号。 
524-A版本相对模糊的展示了那些在R→T期间处理信号不起作用的部件。整流器和PMU441可能为主动的，比如用于转化RF动力。调制器446在R→T期间通常不传送信号，且通常不与接收的RF信号显著的相互作用，也因为切换图4中435部分将调制器446与RF信号解耦合，或者因为通过设计调制器446以具有一适当的阻抗，等等。 
尽管调制器446通常在一R→T期间不活动，但它并不必须如此。比如，在一R→T期间，调制器446可以调整其自身参数以为之后的操作之用，等等。 
图5B展示了图4中电路424的部件的524-B版本，进一步改进以强调在图3的时间间隔326期间一T→R期间中的一信号操作。处理块444输出一信号C_OUT。在一个具体实施例中，C_OUT可能包括一连串的符号用于传送。调制器446然后调制C_OUT并通过天线接触432,433将其提供给天线段比如RFID标签220的片段227. 
524-B版本相对模糊的展示了那些在T→R期间处理信号不起作用的部件。整流器和PMU441可能为主动的，比如用于转化RF动力。解调器442在T→R期间通常不接收信号，且通常不与传送的RF信号显著的相互作用， 因为在图4中的435部分将调制器446从RF信号去耦的转换作用（either because switching action in section435of FIG.4decouples demodulator442from the RF signal），或者因为通过设计解调器442以具有一适当的阻抗（designing demodulator442to have a suitable impedance），等等。 
尽管解调器442通常在一T→R期间不活动，但它并不必须如此。比如，在一T→R期间，解调器442可以调整其自身参数以为之后的操作之用，等等。 
在典型的具体实施例中，解调器442和调制器446为可操作的以根据一协议解调和调制信号，比如上述引用的Gen2说明书。在一些实施例中，电路424包括多个解调器和/或调制器，每个可被配置以支持不同的协议或协议组合。一个协议说明，在某种程度上，符号编码，可能包括一系列的调制，比率，时间控制，或其他任何与数据通讯有关的参数。 
图6阐述了一标识符和一存储于根据一具体实施例的RFID标签集成电路中的校验码。 
图解600描述了存储器650，其可能被包括在标签集成电路224。在一些具体实施例中，存储器650可能在集成电路224之外（比如在另一个集成电路上或在标签的其他部件上）或整合在一个控制器或处理块（如处理块444）。存储器650可能存储各种数据，比如一标识符652，其提供关于集成电路224，标签220和/或标签依附的物品的信息。例如，标识符652可能识别标签集成电路，标签或物品，或可能显示标签集成电路，标签或物品的一些细节或属性。标识符652可能为但并不局限于一标签标识符（TID），一关键标识符（KID），一物品标识符比如一电子产品代码（EPC），一通用产品代码（UPC），一库存保管单位（SKU）数量，一特别物品标识符（UII），一序列化的全球交易识别号（SGTIN），或其他任何合适的标识符。 
存储器650可能还存储了校验码654，这通常基于标识符652且可能被用于校验标识符652的有效性和准确性。校验码654可能为一个或多个校验位，一校验和，一循环冗余校验，一散列函数输出，一错误纠正码，或其他任何适当的代码。作为许多示例的一种可能，标识符652可能被存储于一个或多个差分存储单元（differential memory cells），和校验码654可能被存储于该一个或多个不同存储单元的互补一半(complementary halves)（比如互补 晶体管或互补校验位）。在一些具体实施例中，检验码654可能被用在标识符被发现不正确或腐坏的时候重建正确的标识符。在一些具体实施例中，如果存储器650（或者存储器的一部分）存在故障或失效时，校验码654可能还（或取而代之的）指示出。例如，校验码654可能包括一个或多个冗余位以指示出一个或多个存储单位是否失效，或其他代码以指示出物理存储器是否正确的运行。 
在集成电路224被制造时，在标签220被装配时，在标签220被印刷时，在标签220被附着于一物品时，或在其他任何适当的时候，标识符652和校验码654可能被存储于存储器650。校验码654可能在与标识符相同的时间，在与标识符652不同的时间被存储，或由集成电路224自身计算。例如，一集成电路（或标签）制造商可能生成并将标识符652写入存储器650。然后，制造商可能基于标识符652生成校验码654并将生成的校验码654写入存储器650。 
在一些情况下，标识符652和/或校验码654可能包含错误，潜在错误或被损坏。例如，标识符652和/或校验码654可能没有被足够有力地（strongly）写入存储器（比如由于电压/电流不足），和在标识符652或校验码654的一个或多个数位腐坏时，潜在错误可能发生。 
在另一个示例中，制造瑕疵可能造成存储器650的一个或多个数位有缺陷或漏洞，久而久之引发原始正确数据积累了错误。在另一个示例中，暴露于放射物可能造成写入的存储器数位翻转或腐坏，引起错误。如此一来，可能需要具有一个标签集成电路以基于给电（power-up）执行数据完整自校验过程。如果集成电路确定其数据没有被腐坏，它能像正常情况下一样继续运行。如果集成电路确定其数据被腐坏，它能指出错误，执行一自我纠错程序，和/或暂时的或永久的关闭其自身。 
图7为一流程图，描述了根据具体实施例的标识符自我校验过程700。在步骤702，一标签集成电路（比如集成电路224）接收足够的电力（power）以运行。例如，集成电路可能从一RF信号抽取运行动力（运行电力，operating power），比如该RF信号可能由RFID传送。在一些具体实施例中，如果集成电路耦合于一动力源（比如在半被动或半主动标签的情况下），集成电路能接收足够的动力以运行而不依赖于RF信号是否被接收。一旦集成电路被充能， 在步骤704它能恢复一标识符（比如标识符652）和一校验码（比如校验码654），两者均存储于存储器，并且校验以确定该恢复的标识符是否与该恢复的校验码相对应。可能的校验方式之一涉及集成电路从恢复的标识符计算一个新的校验码并对比新的校验码和恢复的校验码。如果新的校验码与恢复的校验码相对应，则集成电路能确定标识符正确，并继续步骤706中的操作。另一方面，如果新的校验码与恢复的校验码不相对应，则集成电路结束步骤708中的操作。集成电路可能通过电源中断，自我毁灭（比如通过声明一个与集成电路有关的“毁灭”标记）或不回应外部命令的方式终止操作。例如，如果集成电路通电以响应接收的由RFID阅读器传送的RF信号，其能抑制响应随后来自阅读器的命令。 
图7B为一流程图，描述了根据具体实施例的另一标识符自校验过程750。过程750中的步骤702,704和706与过程750中的相应步骤相似。但是，在过程750中，如果集成电路确定步骤704中恢复的标识符与恢复的校验码不相对应，该集成电路则在步骤752中指出错误。该集成电路可能通过比如反向散射一个错误或腐坏代码，将错误或腐坏写入存储器，重写其存储器的一部分（比如重写像长度字段之类的存储器的一部分以随之将标识符腐坏的部分或整个恢复的标识符从随后的操作中排除），声明一个错误/腐坏标识符标记，和/或调整集成电路标记的方式指出错误。在步骤752中指出错误之后，集成电路可能结束操作（像在过程700的步骤708），或可能继续操作（比如，进入步骤706）。 
如前所述，在步骤752中，集成电路可能传送或反向反射一个错误或损毁（corrupted）代码以指示出（indicate）恢复的标识符与恢复的校验码不相对应，比如在回应一个阅读器命令中。在一些具体实施例中，集成电路可能包括一个伴随错误/腐坏代码的可替代的标识符。在其他的具体实施例中，集成电路可能包括一个伴随错误/腐坏代码的腐坏标识符。集成电路可能同时包括可替代的标识符和腐坏标识符，或者一个或两个标识符的一部分，或其他对阅读器或阅读系统可能有用的信息。例如，如果集成电路接收到一个来自阅读器的命令，要求集成电路确定腐坏的一个物品标识符，则集成电路可能包括一个人错误/腐坏代码，一个替代标识符比如标签或集成电路标识符，和/或在回应中腐坏的物品标识符。 
在一些情况下，错误/腐坏代码可能标示包含的标识符的存在和/或性质。例如，错误代码可能表明回应包括标识符，并且还可能表明包含的标识符是否为可替代标识符，是否为腐坏标识符，或其他代码。在一些具体实施例中，错误代码可能包括与包含在回应或存储在存储器中的标识符相对应的协议控制信息（比如根据Gen2规范中的协议控制数位）。与数据相关的协议控制信息可能被用于标示相关数据的长度。在一些具体实施例中，一个被确定腐坏的标识符实际上可能通过调整其相关的协议控制信息而被改变。例如，一个腐坏的标识符可能通过调整其相关的协议控制信息被缩短或者甚至被设置成长度为零（事实上为“清除”它）。该被调整的协议控制信息可能然后被包括在回应中以表明被请求的标识符腐坏。在一些具体实施例中，该回应可能还包括一个错误纠正代码（比如类似于校验码654），其在回应中被集成电路计算。例如，集成电路可能基于回应（比如错误/腐坏代码，替代标识符，腐坏的标识符，和/或其他任何包含于回应中的代码）的一个或多个部件计算错误纠正代码，和将计算的错误纠正代码包括在回应中。 
上述的示例假设腐坏的代码为物品标识符，如果其他任何标识符或代码被腐坏时，同样的程序可被使用。例如，如果阅读器要求一个标签/集成电路标识符被确定为被腐坏，则集成电路可能以一个不同的代码（比如一个物品标识符或其他适当的代码）回应。 
图8为一流程图，描述了一个用于依具体实施例的标识符自校验和纠正的过程800。过程800类似于上述在图7A和7B中的过程700和750。但是，在过程800中，当集成电路在步骤704中检测出一个恢复的标识符与恢复的校验码不相对应时，则集成电路可能使用恢复的校验码（比如校验码654）重建步骤802中的标识符。集成电路可能为了回应阅读器的命令，为了覆写或纠正存储器中保存的标识符，为了而使用重建的标识符，为了通知阅读器关于错误的性质，或为了其他目的而使用重建的标识符。然后，集成电路可进入步骤706，再此其继续操作。 
在一些具体实施例中，基于确定一个恢复的标识符与一个恢复的校验码不相对应，集成电路可首先尝试从存储器中重新恢复该标识符和该校验码以确定该不匹配是否是由于恢复过程中的错误。如果该重新恢复的标识符与该重新恢复的校验码相对应，然后，集成电路可能通过比如回应接收到的阅读 命令而继续操作（比如步骤706）。如果该重新恢复的标识符依然与该重新恢复的校验码不相对应，集成电路则可能进入结束操作（比如步骤708），表明一个错误（比如步骤752），或者尝试重建标识符（比如步骤802）。在一些具体实施例中，集成电路可能还（或取而代之的）通过对存储器或集成电路中断和然后重新充能（power cycle，电源循环）来尝试重启该存储器或集成电路自身。过程700,750和800中描述的步骤仅为说明之用。一RFID集成电路标识符自校验可能利用此处描述原则采用附加的或较少的步骤且以不同的顺序进行。当然，步骤的顺序可能被改进，根据其他具体实施例，一些步骤被去掉，或其他的步骤被加入。例如，一集成电路在确定一存储的标识符与一存储的校验码不相对应时能表明错误（如在步骤752中），重建标识符（如在步骤802中），继续操作（如在步骤706中），和/或终止操作（如在步骤708中），上述步骤可能以任何顺序。 
在一些具体实施例中，RFID集成电路标识符自我校验过程的一部分可能由RFID阅读器执行。例如，一阅读器可能确定存储于集成电路上的一集成电路标识符与校验码不相对应（比如通过读取来自该集成电路的标识符和检验码和/或从该集成电路接收错误标示）。在回应中，该阅读器可能记录该不正确的标识符和/或检验码（比如通过将他们本地存储和/或上传至网络），指导集成电路终止操作（比如像在步骤708中），重建标识符（比如像在步骤802中），并/或毁灭标签。在一些具体实施例中，阅读器可能将一重建的标识符写在集成电路上。该标识符可能由阅读器重建（比如基于校验码），可能事先被存储于阅读器，或从远距离处（比如网络服务器）接收。 
上述具体说明通过框图和/或示例的使用，阐明了该装置和/或过程的多个具体实施例。鉴于这些框图和/或示例包括一个或多个功能和/或方面，可以被所属技术领域内的人员理解的是，根据形成的具体实施例，这些框图或示例中的每个功能和/或方面可以通过范围广泛的硬件，软件，固件，或其任何组合，被单独的和/或共同的实现。 
本揭露不限于在该申请中描述的特定具体实施例，而是倾向于作为不同不同方面的说明。在不背离其精神和范围的情况下，可以作出很多修改和变化，这对所属技术领域人员来讲是显而易见的。通过上文的描述可知，除了这里所枚举的示例外，在揭露范围内的功能上等同的方法和装置对所属技术 领域人员来说是显而易见的。这样的改进和变化倾向于落在所附权利要求的范围内。本揭露仅由权利要求中的措辞及其所请求保护权利要求的全部等同范围限定。可以理解的是，本揭露不限于特定的方法，结构，天线，传送线及其类似物。同样可以理解的是，此处所用术语的目的仅在于描述特定的具体实施例，而不在于限制。 
至于此处基本上任何复数和/或单数词的应用，在合适的语境和/或应用下，所属领域的技术人员能自复数扩展至单数并/或自单数扩展至复数。为了清楚明确，各种单/复数变换此处特别指出。 
可以被所属技术领域人员理解的是，通常，本文特别是所附权利要求（比如所附权利要求的主体）中使用的术语（terms）一般倾向于开放式的术语（比如“包括”应该被解释为“包括但不局限于”，“具有”应该被解释为“至少具有”，“包含”应该被解释为“包含但不局限于”，等等）。进一步可以被理解的是，如果意在描述一介绍性权利要求的特定数量，这样的意图会在权利要求中明示，在没有这些描述的情况下则不存在这样的意图。例如，作为辅助理解，下面所附的权利要求可能包括介绍性短语“至少一个”和“一个或多个”以介绍权利要求描述。但是，这些短语的使用不应该被解释为暗示着由不定冠词"a"or"an"引出的权利要求描述局限于任何特定的包含这种介绍性权利要求描述的权利要求，即使当同样的权利要求包括介绍性短语“一个或多个”或“至少一个”及不定冠词“a”或“an”时，（比如“a”和/或“an”应当被理解为“至少一个”或“一个或多个”的意思）；这同样适用于用于介绍权利要求描述的定冠词。另外，即使介绍性权利要求描述的特定数量被明确的描述，所属领域的人员将能认识到这样的描述应该被解释为至少为描述的数量的意思（比如，在没有其他修正的情况下，仅仅描述“两种描述”，其意思是至少两种描述，或者两种或以上描述）。 
此外，在那些使用了惯例表述“A,B和C等等中的至少一个”的示例中，通常这中句子结构严格意义上来说旨在使熟悉所属技术领域的人员能够理解这种惯例（比如“一系统具有A,B和C中的至少一个”将包括但不局限于仅具有A，仅具有B，仅具有C，同时具有A和B,同时具有A和C,同时具有B和C,和/或同时具有A,B,和C等等。）。进一步可以理解的是，事实上，无论是在说明书中，权利要求中，或在附图中，任何呈现两个或多个选 择事项的反义连接词和/或短语应该被理解为可能包括其中一个事项，两个事项之一，或两个事项。例如，短语“A或B”将被理解为包括“A”或“B”或者“A和B”两种可能性。 
可以被本领域技术人员理解的是，无论出于何种目的，例如在为了书面说明方面，在此揭露的所有范围也包括任何可能的子范围以及子范围的组合。任何列出的范围可以很容易的被认为充分地描述并使同样的范围能被分解为至少相等两等分，三等分，四等分，五等分，十等分等等。作为非限制性示例，此处的每一个范围能被容易的分解为下部三分之一，中部三分之一，和上部三分之一，等等。同样可以被所述技术领域人员理解的是，所有的表达，如“多达”，“至少”“大于”，“小于”等等，包括列举的数字并涉及能被分解为上述子范围的范围。最后，能被所属领域技术人员理解的是，一个范围包含每个单独的个体。 

Claims (20)

1.一种用于无线射频识别集成电路以避免发送一损毁标识符至一RFID阅读器的方法，其特征在于，包括：
从一接收到的RF信号提取一运行电力；
用所述提取到的运行电力对一存储器给电；
从所述存储器取回一储存的标识符和一校验码；
基于所述校验码，确认所述储存的标识符被损毁；
接收来自所述RFID阅读器的指令；和
基于所述损毁确认，以一回应响应所述指令，其中所述回应包括一个可替代的标识符和一个损毁指示符两者中的至少其中之一。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述储存的标识符包括一代码，其中所述代码表示所述集成电路的一个属性和与所述集成电路相关的物品的一个属性两者中的至少其中之一。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述校验码的至少一个数位被储存在一差分存储单元的互补一半。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的损毁指示符至少满足下述其中之一：
指示所述回应包括所述可替代标识符；和
包括协议控制信息，其中所述协议控制信息与一被改变标识符相对应。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述校验码包括下述至少其中之一：
至少一个存储器冗余位；
至少一个校验位；
一校验和；
一循环冗余校验；
一散列函数输出；和
一错误纠正码。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，进一步包括：
基于所述回应，计算一循环冗余校验；和
将所述循环冗余校验包括在所述回应中。
7.一种用于无线射频集成电路以避免发送一损毁标识符至一RFID阅读器的方法，其特征在于，包括：
从一接收到的RF信号提取一运行电力；
用所述提取到的运行电力对一存储器给电；
从所述存储器取回一储存的标识符和一校验码；
基于所述校验码，确认所述储存的标识符被损毁；
接收来自所述RFID阅读器的指令；和
基于所述损毁的确认，抑制对所述指令回应。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，进一步包括：
从所述存储器中重新取回所述储存的标识符和所述校验码；
基于所述重新取回的校验码，确认所述重新取回的储存的标识符是正确的；和
回应所述指令。
9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述校验码的至少一个数位被储存在一差分存储单元的互补一半。
10.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，进一步包括：
基于确认所述储存的标识符是损毁的，电源循环所述集成电路和所述存储器其中之一。
11.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述校验码包括下述至少其中之一：
至少一个存储器冗余位；
至少一个校验位；
一校验和；
一循环冗余校验；
一散列函数输出；和
一错误纠正码。
12.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，进一步包括下述至少其中之一：
声明集成电路的一毁灭标记；
将一错误码写入所述存储器；
声明一在所述存储器中的错误标记；
调整所述集成电路的一期间标记；和
基于确认所述储存的标识符被损毁，重写所述存储器的至少一部分。
13.一种无线射频识别集成电路，其特征在于，包括：
一存储器，所述存储器储存有一标识符和一校验码；和
一程序块，所述程序块被配置以：
从一接收到的RF信号提取一运行电力；
用所述提取到的运行电力对一存储器给电（power-up the memoryfrom the extracted operating power）；
从所述存储器取回一储存的标识符和一校验码；
基于所述校验码，确认所述储存的标识符被损毁；
接收来自所述RFID阅读器的指令；并基于所述损毁的确认，执行下述其中之一：
用一回应响应所述指令，其中所述回应包括一可替代标识符和一损毁指示符两者中的至少其中之一，和
当所述校验码指示所述存储的标识符损毁时，抑制对所述指令回应。
14.根据权利要求13所述的集成电路，其特征在于，所述可替代标识符是一代码，所述代码表示所述集成电路的一属性。
15.根据权利要求13所述的集成电路，其特征在于，所述损毁的标识符至少满足下述其中之一：
指示所述回应包括所述可替代标识符；和
包括协议控制信息，其中所述协议控制信息与一被改变标识符相对应。
16.根据权利要求13所述的集成电路，其特征在于，所述校验码包括下述至少其中之一：
在一差分存储单元的至少一补充一半的一个数值
至少一个存储器冗余位；
至少一个校验位；
一校验和；
一循环冗余校验；
一散列函数输出；和
一错误纠正码。
17.根据权利要求13所述的集成电路，其特征在于，所述程序块被进一步配置以：
从存储器中重新取回所述储存的标识符和校验码；
基于所述重新取回的校验码，确认所述重新取回的标识符是正确的，和
回应所述指令。
18.根据权利要求13所述的集成电路，其特征在于，所述程序块被进一步配置以：
基于确认所述储存的标识符是损毁的，电源循环所述运行电力和所述存储器中的其中之一。
19.根据权利要求13所述的集成电路，其特征在于，所述程序块被进一步配置以能够执行下述至少其中之一：
声明集成电路的一毁灭标记；
将一错误码写入所述存储器；
在所述存储器中声明一错误标记；
调整所述集成电路的一期间标记；和
重写所述存储器的至少一部分，响应基于所述储存的标识符损毁确认。
20.根据权利要求13所述的集成电路，其特征在于，所述程序块被进一步配置以：
基于所述回应计算一循环冗馀校验；和
在所述回应中包括所述循环冗馀校验。
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