CN103887298A - 一种提高led集成光源光通量输出的结构 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种提高LED集成光源光通量输出的结构，该结构包括：基板；所述基板上的线路层；所述基板上的GaN LED芯片阵列；以及GaNLED芯片阵列之间、且存在于GaN LED芯片阵列与线路层之间的荧光粉硅胶层；围坝胶邻接于荧光粉硅胶层、所述线路层；其特征在于，面向所述GaNLED芯片阵列的所述绝缘层表面形成为斜坡墙。实现了改变LED集成光源中光路，使得硅胶中水平行走的光，穿出硅胶到达空气中，从而大大提高光通量输出。
Description
技术领域
本发明涉及一种LED结构，特别是涉及一种提高LED集成光源光通量输出的结构。
背景技术
GaN LED芯片，也可以理解为发光二极管，其粘结在基板（铝基，铜基或陶瓷等）的上表面。所述芯片的正负极通过金属导线（金线，铝线等）相互串联或并联，并且串联的首尾通过金属导线连接到铝基板的正负电极线路层。这样阵列GaN LED芯片就构成能够承载一定电压（串联电压的相加）、一定电流（并联电流相加）的电器件。GaN LED芯片上面覆盖有硅胶（包括混有荧光粉硅胶），硅胶周围被围坝硅胶围栏。当这样构成的器件通上电流和电压的时候，阵列GaN LED芯片构成了蓝光LED集成光源。如果硅胶中混有荧光粉成为荧光粉胶的时候，部分GaN LED发出的蓝光激发荧光粉产生黄光。这种光组合就构成了白光LED集成光源，如图1和图2所示。
当前的技术中，GaN LED芯片发出蓝光，蓝光射到荧光粉颗粒，颗粒被激发后发出光，到达线路层的垂直墙后被反射，反射光有些不能到达硅胶和空气的界面，如图3的光线1和光线2；有些反射光即使到达硅胶和空气的界面，如光线3，也由于它对界面的入射角大于界面全反射临界角，还是不能走出硅胶到达空气中。类似的光线由于不能走出硅胶到达空气中而最终被硅胶吸收，转换成热能。所以，线路层的有垂直墙的结构的LED集成光源，由部分结构造成的光通量损失，如图3所示。
发明内容
为了克服上述现有技术的不足，本发明提供了一种提高LED集成光源光通量输出的结构，该结构包括：基板；所述基板上的线路层；所述基板上的GaN LED芯片阵列；以及GaN LED芯片阵列之间、且存在于GaN LED芯片阵列与线路层之间的荧光粉硅胶层；围坝胶邻接于荧光粉硅胶层、所述线路层；其特征在于，面向所述GaN LED芯片阵列的所述绝缘层表面形成为斜坡墙。
进一步地，所述线路层包括所述基板上的绝缘层、所述绝缘层上的导电铜层以及阻焊层。
进一步地，所述围坝胶邻接于荧光粉硅胶层、导电铜层和阻焊层。
进一步地，存在多个金属导线，一部分金属导线连接导电铜层和临近的GaN LED芯片的正极，另一部分金属导线连接导电铜层和临近的GaN LED芯片的负极，另一部分金属导线连接一GaN LED芯片的正极和另一GaNLED芯片的负极。
与现有技术相比，本发明的有益效果是：
本发明实现了改变LED集成光源中光路，使得硅胶中水平行走的光，走出硅胶，到达空气中，从而提高光通量输出。
附图说明
图1为现有技术中的一种线路层上有垂直反射墙的LED集成光源结构。
图2为现有技术中和本发明技术中的一种LED集成光源顶视图。
图3为现有技术中的LED集成光源结构的光路图。
图4为本发明的一种线路层上有斜坡反射墙的LED集成光源结构。
图5为本发明的LED集成光源结构的光路图。
具体实施方式
如图4所示，本发明公开了一种提高LED集成光源光通量输出的结构。该结构包括：基板；所述基板上的线路层；所述基板上的GaN LED芯片阵列；以及GaN LED芯片阵列之间、且存在于GaN LED芯片阵列与线路层之间的荧光粉硅胶层；其中，所述线路层包括所述基板上的绝缘层、所述绝缘层上的导电同层以及阻焊层，围坝胶邻接于荧光粉硅胶层、导电铜层和阻焊层，面向所述GaN LED芯片阵列的所述绝缘层表面形成为斜坡墙。存在多个金属导线，一部分金属导线连接导电铜层和一GaN LED芯片的正极，另一部分金属导线连接导电铜层和临近的GaN LED芯片的负极，另一部分金属导线连接一GaN LED芯片的正极和另一GaN LED芯片的负极。
所述GaN LED芯片发出蓝光，蓝光出射到荧光粉颗粒，颗粒被激发后发出光，到达线路层的斜坡墙后被反射，光线的线路被改变。值得注意的是，本发明的斜坡墙结构被调整为小于界面临界角的光线，从而使得光线能够顺利穿出硅胶到达空气中。如图5所示，采用该结构的LED集成光源，改变了LED集成光源中光路，使得硅胶中水平行走的光穿出了硅胶，到达空气中，从而大大提高了光通量输出。
以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (4)
1.一种提高LED集成光源光通量输出的结构，该结构包括：基板；所述基板上的线路层；所述基板上的GaN LED芯片阵列；以及GaN LED芯片阵列之间、且存在于GaN LED芯片阵列与线路层之间的荧光粉硅胶层；围坝胶邻接于荧光粉硅胶层、所述线路层；其特征在于，面向所述GaN LED芯片阵列的所述绝缘层表面形成为斜坡墙。
2.根据权利要求1所述的结构，其特征在于：所述线路层包括所述基板上的绝缘层、所述绝缘层上的导电铜层以及阻焊层。
3.根据权利要求2所述的结构，其特征在于：所述围坝胶邻接于荧光粉硅胶层、导电铜层和阻焊层。
4.根据权利要求1或2所述的结构，其特征在于：存在多个金属导线，一部分金属导线连接导电铜层和临近的GaN LED芯片的正极，另一部分金属导线连接导电铜层和临近的GaN LED芯片的负极，另一部分金属导线连接一GaN LED芯片的正极和另一GaN LED芯片的负极。
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