CN103882381A - 沉积设备及将沉积材料沉积在基板上的方法 - Google Patents

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Abstract

提供了一种沉积设备以及将沉积材料沉积在基板上的方法，该沉积设备包括：真空室；基板，设置在真空室中；沉积源，设置在真空室中并且面对基板，用于将沉积材料提供到基板上；激光振荡器，产生第一激光束；光学单元，连接到真空室的第一侧并使第一激光束分束，以产生多束掩模激光束。掩模激光束照射到真空室中，以被设置在基板和沉积源之间。与掩模激光束接触的沉积材料被氧化，而穿过掩模激光束的沉积材料被沉积在基板上。

Description

沉积设备及将沉积材料沉积在基板上的方法
本申请要求于2012年12月21日提交的第10-2012-0151026号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的内容通过引用包含于此。
技术领域
本公开涉及一种沉积设备。
背景技术
近年来，由于有机发光显示器具有优异的亮度和视角并且不必像液晶显示器那样包括单独的光源，因此作为下一代显示装置，有机发光显示器已经引起了关注。因此，有机发光显示器具有纤薄和质量轻的优点。另外，有机发光显示器具有其它性能，比如，例如响应速度快、能耗低、亮度高等。
通常，有机发光显示器包括有机发光装置，有机发光装置包括阳极、有机发光层和阴极。空穴和电子通过阳极和阴极注入到有机发光层中，并且在有机发光层中复合，以产生激子（电子-空穴对）。激子发出作为光的能量，其中，在激发态返回到基态时放出能量。
阳极和阴极由金属薄层或透明导电薄层形成。有机发光层由至少一层有机薄层形成。为了在有机发光显示器上形成有机薄层和金属薄层，使用沉积设备。沉积设备通常包括填充有沉积材料的坩埚、喷射沉积材料的喷嘴、其上设置有沉积材料的基板和具有开口部分的掩模。
发明内容
本公开提供了一种能够使用激光掩模将沉积材料沉积在基板上的沉积设备。
本发明构思的实施例提供了一种沉积设备，所述沉积设备包括：真空室；基板，设置在真空室中；沉积源，设置在真空室中并且面对基板，用于将沉积材料提供到基板上；激光振荡器，产生第一激光束；光学单元，连接到真空室的第一侧并使第一激光束分束，以产生多束掩模激光束。掩模激光束照射到真空室中以被设置在基板和沉积源之间，与掩模激光束接触的沉积材料被氧化，而穿过掩模激光束的沉积材料被沉积在基板上。
掩模激光束设置为沿垂直于基板的方向与基板分隔开。
掩模激光束沿垂直于基板的方向与基板分隔开大约0.1mm到大约1.0mm的距离。
掩模激光束基本上与基板平行地布置并且掩模激光束彼此以规则间隔分隔开。
光学单元包括：扩束器，被构造为使第一激光束扩大；分束器，被构造为使扩大后的第一激光束分束，以产生多束第二激光束；光束控制器，被构造为控制第二激光束中的相应的第二激光束的宽度以及第二激光束之间的距离，以产生掩模激光束。
扩束器包括：凹透镜，被构造为使第一激光束扩大；凸透镜，被构造为向分束器提供扩大后的第一激光束。
分束器包括多个透镜单元，所述多个透镜单元被构造为使扩大后的第一激光束分束而产生第二激光束。
光束控制器包括多个准直透镜单元，所述多个准直透镜单元分别对应于所述多个透镜单元，每个准直透镜单元被构造为控制从所述多个透镜单元中的相应的透镜单元提供的相应的第二激光束的宽度以及第二激光束之间的距离，以产生掩模激光束。
沉积源包括：坩埚，被构造为加热填充在坩埚中的沉积材料，以使沉积材料蒸发；多个喷嘴，被构造为将蒸发的沉积材料喷射到基板上。
本发明构思的实施例提供了一种将沉积材料沉积到基板上的方法，所述方法包括：在真空室中设置基板；产生第一激光束；使第一激光束分束，以产生多束掩模激光束；提供沉积材料；将掩模激光束照射到真空室中并照射到沉积材料上，使得与掩模激光束接触的沉积材料被氧化，而穿过掩模激光束的沉积材料沉积在基板上。
根据上述的，沉积设备可以使用激光掩模将沉积材料沉积在基板上。
附图说明
当结合附图考虑时，通过参照以下详细的描述，本公开的以上和其它优点将变得更加清楚，其中：
图1是示出了根据本公开实施例的沉积设备的平面图；
图2是示出了在图1中示出的光学单元的构造的视图；
图3是沿图1中示出的I-I′线截取的剖视图；
图4是沿图1中示出的II-II′线截取的剖视图；
图5是示出了使用掩模激光束在基板上形成有机发光层的过程的视图；
图6是沿图5中示出的III-III′线截取的剖视图；
图7是示出了通过使用根据本公开的实施例的沉积设备形成的有机发光装置的剖视图。
具体实施方式
将理解的是，当元件或层被称为“在”另一元件或层“上”、“连接到”或“结合到”另一元件或层时，它可以直接在所述另一元件或层上、直接连接到或直接结合到所述另一元件或层，或者可以存在中间元件或层。相反，当元件被称为“直接在”另一元件或层“上”、“直接连接到”或“直接结合到”另一元件或层时，不存在中间元件或层。相同的标号大体上始终表示相同的元件。如这里使用的，术语“和/或”包括一个或多个相关列出项的任意组合和所有组合。
将理解的是，尽管这里可使用术语第一、第二等来描述各种元件、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应被这些术语限制。这些术语仅用来将一个元件、组件、区域、层或部分与另一元件、组件、区域、层或部分区分。因此，在不脱离本发明的教导的情况下，下面讨论的第一元件、组件、区域、层或部分可以被称为第二元件、组件、区域、层或部分。
为了易于描述，这里可使用诸如“在……之下”、“在……下方”、“下面的”、“在……上方”、“上面的”等的空间相对术语来描述如附图中示出的一个元件或特征与另一（其它）元件或特征的关系。将理解的是，空间相对术语意图包含除了附图中描述的方位之外的装置在使用或操作中的不同的方位。例如，如果将附图中的装置翻转，则被描述为“在”其它元件或特征“下方”或“之下”的元件将随后位于其它元件或特征“上方”。因此，术语“在……下方”可包含在……上方和在……下方两种方位。该装置可被另外定位(旋转90度或在其它方位)并相应地解释这里使用的空间相对描述符。
这里使用的术语仅出于描述具体实施例的目的，并不意图限制本发明。除非上下文另外明确指出，否则如这里所使用的单数形式也意图包括复数形式。还将理解的是，术语“包括”和/或“包含”用在本说明书中时，说明存在所述特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但不排除一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组的存在或添加。
除非另外定义，否则这里使用的所有术语（包括技术术语和科学术语）具有与本发明所属的技术领域的普通技术人员所通常理解的含义相同的含义。进一步将理解的是，诸如在通常使用的字典中定义的这些术语应解释为具有与现有技术的背景下的它们的含义相同的含义，并且除非这里明确这样定义，否则将不以理想化的或过于正式的意义来解释。
在下文中，将参照附图详细地解释本发明。
当在预定的温度下加热坩埚时，容纳在坩埚中的沉积材料被蒸发，被蒸发的沉积材料通过喷嘴喷射。从喷嘴喷射的沉积材料通过喷嘴沉积在基板上。使用精细金属掩模作为掩模。然而，当精细金属掩模被拉伸时，精细金属掩模下垂。由于精细金属掩模的下垂，沉积材料沉积在基板的不期望的区域上，从而发生阴影现象。另外，在执行沉积工艺之前，精细金属掩模需要与基板对齐，然而难以将精细金属掩模与基板对齐。
图1是示出了根据本公开实施例的沉积设备的平面图。
参照图1，沉积设备100包括激光振荡器10、光学线缆20、光学单元30、真空室40、光接收器50、基板S和沉积源41（参照图3和图4）。
激光振荡器10产生第一激光束。第一激光束可以是但不限于线性激光束。第一激光束被提供到光学线缆20。
光学线缆20由光纤形成。光学线缆20将激光振荡器10连接到光学单元30。光学线缆20提供了由激光振荡器10产生的第一激光束行进所通过的路径。即，光学线缆20将由激光振荡器10产生的第一激光束提供到光学单元30。
光学单元30连接到真空室40的一侧。光学单元30通过光学线缆20接收由激光振荡器10产生的第一激光束。光学单元30使第一激光束分束，以产生多束掩模激光束ML。光学单元30将掩模激光束ML照射到真空室40中。
光接收器50设置在真空室40的另一侧。光接收器50接收掩模激光束ML。
基板S和沉积源41设置在真空室40中。沉积源41面对基板S并将沉积材料喷射到基板S上。下面参照图3和图4提供对基板S和沉积源41的详细描述。
掩模激光束ML照射到真空室40中，以被设置在真空室40中的基板S和沉积源41之间。掩模激光束ML彼此分隔开规则的间隔，与基板S分隔开，并且沿垂直于基板S的方向布置。掩模激光束ML可以基本上与基板S平行。
沉积源41将沉积材料喷射到基板S上。与掩模激光束ML接触的沉积材料被氧化或被碳化。穿过掩模激光束ML之间的沉积材料沉积在基板S上。
沉积设备100使用激光束代替精细金属掩模执行沉积工艺。因此，防止了因使用精细金属掩模引起的缺陷。
图2是示出了在图1中示出的光学单元的构造的视图。
参照图2，光学单元30包括扩束器31、分束器32和光束控制器33。
扩束器31使通过光学线缆20提供的第一激光束L1扩大。扩大后的第一激光束L1被提供到分束器32。
分束器32使扩大后的第一激光束L1分束，以产生多束第二激光束L2。第二激光束L2被施加到光束控制器33。
光束控制器33控制第二激光束L2的宽度以及第二激光束L2之间的距离，以产生掩模激光束ML。掩模激光束ML被照射到真空室40中并被提供到光接收器50。
扩束器31包括第一透镜CL1和第二透镜CL2。第一透镜CL1是凹透镜，而第二透镜CL2是凸透镜。第一透镜CL1使由光学线缆20提供的第一激光束L1扩大，而第二透镜CL2将通过第一透镜CL1扩大的第一激光束L1提供到分束器32。
分束器32从扩束器31的第二透镜CL2接收扩大后的第一激光束L1。分束器32包括多个透镜单元LU。透镜单元LU接收第一激光束L1。扩大后的第一激光束L1可以在穿过透镜单元LU时被分束。即，扩大后的第一激光束L1被透镜单元LU分束并作为第二激光束L2被提供到光束控制器33。
光束控制器33包括分别与透镜单元LU对应的多个准直透镜单元CLU。每个准直透镜单元CLU从透镜单元LU中的相应的透镜单元接收第二激光束L2中的相应的第二激光束。准直透镜单元CLU在左右方向上运动，以控制第二激光束中的相应的第二激光束的焦点。因此，第二激光束L2的宽度以及第二激光束L2之间的距离可以通过准直透镜单元CLU得到控制。宽度和距离通过准直透镜单元CLU得到控制的第二激光束L2作为掩模激光束ML被照射到真空室40中。
图3是沿图1中示出的I-I′线截取的剖视图，图4是沿图1中示出的II-II′线截取的剖视图。
参照图3和图4，沉积源41和基板S被设置在真空室40中。
真空室40维持高真空，以防止异物进入并确保沉积材料的平直度。真空室40中的真空度在大约10E-7托之下。
沉积源41设置在真空室40的下部。沉积源41由沉积在基板S上的沉积材料（比如，例如有机材料）填充。沉积源41被构造为使沉积材料蒸发。
沉积源41包括填充有沉积材料的坩埚42和将通过坩埚42蒸发的沉积材料喷射到基板S的喷嘴43。
喷嘴43设置在坩埚42上，并且以规则的间隔彼此分隔开。如图3中所示，喷嘴43可以在左右方向上线性地布置。因此，沉积源41可以被称为线性沉积源。虽然在图中未示出，但是每个喷嘴43设置有穿过其中央部分形成的孔，沉积材料通过孔喷射。另外，沉积源41还可以包括设置在坩埚42中的加热器（未示出），以蒸发填充在坩埚42中的沉积材料。
基板S设置在真空室40中的上部，以面对喷嘴43。基板S由基板支撑44支撑。
基板S易于被掩模激光束ML损坏。因此，掩模激光束ML与基板S分隔开，从而基板S不会被掩模激光束ML的热损坏。即，掩模激光束ML在与基板S垂直的方向上与基板S分隔开第一距离D1。作为示例，第一距离D1在大约0.1mm到大约1.0mm的范围内。由于掩模激光束ML通过光学单元30照射，因此基板S和掩模激光束ML之间的第一距离D1根据光学单元30所处的位置来确定。掩模激光束ML基本上与基板S平行地布置并且以规则的间隔彼此分隔开。
通过坩埚42蒸发的沉积材料通过喷嘴43喷射到基板S上。沉积材料与掩模激光束ML接触或在掩模激光束ML之间穿过。与掩模激光束ML接触的沉积材料会被氧化或碳化。在掩模激光束ML之间穿过的沉积材料可以沉积到基板S上。
因此，沉积设备100可以使用激光束代替使用精细金属掩模来执行沉积工艺。因此，防止了由使用精细金属掩模引起的缺陷。
图5是示出了使用掩模激光束在基板上形成有机发光层的过程的视图，图6是沿图5中示出的III-III′线截取的剖视图。
参照图5和图6，像素限定层PDL设置在基板S上。像素限定层PDL包括多个第一电极E1和分别与第一电极E1对应的多个开口部分OP。每个第一电极E1通过像素限定层PDL的开口部分OP中的相应的开口部分暴露。像素限定层PDL覆盖每个第一电极E1的边界。
开口部分OP位于行与列交叉的区域中。列包括第一列COL1、第二列COL2和第三列COL3，第一列COL1、第二列COL2和第三列COL3重复地布置。沿第一列COL1布置的开口部分OP和沿与所述第一列COL1的左侧相邻的第三列COL3布置的开口部分OP之间的中间位置可以被称作第一中间位置M1。沿第一列COL1布置的开口部分OP和沿与所述第一列COL1的右侧相邻的第二列COL2布置的开口部分OP之间的中间位置可以被称作第二中间位置M2。
第一列COL1的第一宽度W1对应于第一中间位置M1和第二中间位置M2之间的距离。第二列COL2和第三列COL3均具有与第一列COL1的第一宽度W1相同的宽度。
掩模激光束ML中的每个掩模激光束的宽度可以具有第一宽度W1两倍大的第二宽度W2。掩模激光束ML之间的距离可以与第一宽度W1相同。
如图5中所示，掩模激光束ML被布置为在列方向上暴露第一列COL1。即，掩模激光束ML被布置为在列方向上暴露布置在第一列COL1中的开口部分OP。另外，掩模激光束ML被布置为在列方向上覆盖布置在第二列COL2和与第二列COL2相邻的第三列COL3中的开口部分。
从沉积源41喷射的沉积材料被提供到基板S上。如图6中所示，与掩模激光束ML接触的沉积材料被氧化或被碳化。因此，沉积材料未被提供到第二列COL2和与第二列COL2相邻的第三列COL3中的开口部分OP。穿过掩模激光束ML的沉积材料被提供到第一列COL1中的开口部分OP，由此在掩模激光束ML之间穿过的沉积材料被沉积在第一列COL1中的像素限定层PDL上。因此，沉积材料可以沉积在通过第一列COL1的开口部分OP所暴露的第一电极E1上。有机发光层OE通过使用沉积材料形成。
虽然在图中未示出，但是在沉积材料被提供到第一列COL1中的开口部分OP之后，掩模激光束ML被布置为在列方向上暴露第二列COL2。即，掩模激光束ML被布置为在列方向上暴露在第二列COL2中布置的开口部分OP。另外，掩模激光束ML被布置为沿列方向覆盖第三列COL3和与第三列COL3相邻的第一列COL1，从而在第三列COL3和第一列COL1中布置的开口部分被掩模激光束ML覆盖。在这种情况下，在掩模激光束ML之间穿过的沉积材料被提供到在第二列COL2中布置的开口部分OP。
虽然在图中未示出，但是在沉积材料被提供到第二列COL2中的开口部分OP之后，掩模激光束ML被布置为在列方向上暴露第三列COL3。即，掩模激光束ML被布置为在列方向上暴露在第三列COL3中布置的开口部分OP。另外，掩模激光束ML被布置为沿列方向覆盖第一列COL1和与第一列COL1相邻的第二列COL2，从而在第一列COL1和第二列COL2中布置的开口部分被掩模激光束ML覆盖。在这种情况下，在掩模激光束ML之间穿过的沉积材料被提供到在第三列COL3中布置的开口部分OP。
因此，沉积设备100可以使用激光束代替使用精细金属掩模来执行沉积工艺。因此，防止了通过使用精细金属掩模引起的缺陷。
另外，当使用精细金属掩模时，需要将基板和精细金属掩模彼此精确地对齐。然而，在这里的实施例中，沉积设备100将激光束照射到预定的方向，容易地执行对沉积材料进行沉积的工艺。
图7是示出了通过使用根据本公开的实施例的沉积设备形成的有机发光装置的剖视图。
参照图7，有机发光装置OLED包括第一电极E1、第二电极E2和设置在第一电极E1和第二电极E2之间的有机发光层OE。
有机发光层OE可以通过上述的掩模激光束ML形成。在通过掩模激光束ML形成有机发光层OE之后，第二电极E2被形成为覆盖像素限定层PDL和有机发光层OE。
第一电极E1可以是像素电极或阳极，第二电极E2可以是共电极或阴极。
第一电极E1可以是透明电极或反射电极。当第一电极E1是透明电极时，第一电极E1可以包括ITO、IZO和ZnO中的至少一种。当第一电极E1是反射电极时，第一电极E1可以包括由Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr和它们的复合物中的至少一种形成的反射层以及由ITO、IZO或ZnO形成的透明导电层。
第二电极E2可以是透明电极或反射电极。当第二电极E2是透明电极时，第二电极E2可以包括通过沉积Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Mg和它们的复合物中的至少一种以面对有机发光层OE而形成的层以及位于所述层之上由透明导电材料（比如，例如ITO、IZO或ZnO）形成的辅助电极。当第二电极E2是反射电极时，第二电极E2可以由Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al和它们的复合物中的至少一种形成。
有机发光层OE由低分子有机材料或高分子有机材料形成。有机发光层OE可以具有空穴注入层、空穴传输层、发射层、电子传输层和电子注入层的多层结构。作为示例，空穴注入层设置在作为正极的第一电极E1上，空穴传输层、发射层、电子传输层和电子注入层顺序地堆叠在第一电极E1上。
第一电极E1是正极，用于注入空穴，而第二电极E2是负极，用于注入电子。
有机发光装置OLED发射具有红色、绿色、蓝色和白色中的一种颜色的光，以显示预定的图像。为此，有机发光装置OLED可以包括发射对应于红色、绿色、蓝色和白光中的一种颜色的光的有机材料。
将驱动电压施加到第一电极E1，以使有机发光层OE发光，而将具有与所述驱动电压的极性相反的极性的电压施加到第二电极E2。因此，注入到有机发光层OE中的空穴和电子在有机发光层OE中复合，以产生激子（电子-空穴对）。当激子从激发态返回到基态时，有机发光装置OLED发光。
尽管已经描述了本发明的特定实施例，但是理解的是，本发明不应局限于这些实施例，而本领域的普通技术人员可在所要求的本发明的精神和范围内进行各种改变和修改。

Claims (10)

1.一种沉积设备，所述沉积设备包括：
真空室；
基板，设置在真空室中；
沉积源，设置在真空室中并且面对基板，用于将沉积材料提供到基板上；
激光振荡器，产生第一激光束；以及
光学单元，连接到真空室的第一侧并使第一激光束分束，以产生多束掩模激光束，其中，掩模激光束照射到真空室中以被设置在基板和沉积源之间，与掩模激光束接触的沉积材料被氧化，而穿过掩模激光束的沉积材料被沉积在基板上。
2.如权利要求1所述的沉积设备，其中，掩模激光束设置为沿垂直于基板的方向与基板分隔开。
3.如权利要求2所述的沉积设备，其中，掩模激光束沿垂直于基板的方向与基板分隔开0.1mm到1.0mm的距离。
4.如权利要求2所述的沉积设备，其中，掩模激光束基本上与基板平行地布置并且掩模激光束彼此以规则间隔分隔开。
5.如权利要求1所述的沉积设备，其中，光学单元包括：
扩束器，被构造为使第一激光束扩大；
分束器，被构造为使扩大后的第一激光束分束，以产生多束第二激光束；以及
光束控制器，被构造为控制第二激光束中的相应的第二激光束的宽度以及第二激光束之间的距离，以产生掩模激光束。
6.如权利要求5所述的沉积设备，其中，扩束器包括：
凹透镜，被构造为使第一激光束扩大；
凸透镜，被构造为向分束器提供扩大后的第一激光束。
7.如权利要求5所述的沉积设备，其中，分束器包括多个透镜单元，所述多个透镜单元被构造为使扩大后的第一激光束分束而产生第二激光束。
8.如权利要求7所述的沉积设备，其中，光束控制器包括多个准直透镜单元，所述多个准直透镜单元分别对应于所述多个透镜单元，每个准直透镜单元被构造为控制从所述多个透镜单元中的相应的透镜单元提供的相应的第二激光束的宽度以及第二激光束之间的距离，以产生掩模激光束。
9.如权利要求1所述的沉积设备，其中，沉积源包括：
坩埚，被构造为加热填充在坩埚中的沉积材料，以使沉积材料蒸发；以及
多个喷嘴，被构造为将蒸发的沉积材料喷射到基板上。
10.一种将沉积材料沉积到基板上的方法，所述方法包括：
在真空室中设置基板；
产生第一激光束；
使第一激光束分束，以产生多束掩模激光束；
提供沉积材料；以及
将掩模激光束照射到真空室中并照射到沉积材料上，使得与掩模激光束接触的沉积材料被氧化，而穿过掩模激光束的沉积材料沉积在基板上。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108695361A (zh) * 2017-03-29 2018-10-23 天马日本株式会社 Oled显示装置的制造方法、掩模及掩模的设计方法
CN109642309A (zh) * 2017-05-17 2019-04-16 埃马金公司 高精准度蔽荫掩模沉积系统及其方法
CN110709977A (zh) * 2017-05-29 2020-01-17 Eo 科技股份有限公司 翘曲减小装置和翘曲减小方法
CN114369815A (zh) * 2022-01-07 2022-04-19 武汉理工大学 一种高通量制备薄膜或涂层的方法

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102354386B1 (ko) * 2015-04-07 2022-01-24 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 디스플레이 장치용 증착 장치와, 이를 이용한 증착 방법
KR102404575B1 (ko) * 2015-10-12 2022-06-03 삼성디스플레이 주식회사 증착 장치와 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법
KR200494591Y1 (ko) * 2016-03-09 2021-11-10 오르보테크 엘티디. 광학적 처리 시스템을 위한 광학 헤드 및 섀시
KR20180005323A (ko) * 2016-07-05 2018-01-16 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 디스플레이 장치
KR20200038345A (ko) * 2018-10-02 2020-04-13 삼성디스플레이 주식회사 증착 장치

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5014646A (en) * 1988-03-25 1991-05-14 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method and apparatus for writing oxide film
CN1158911A (zh) * 1995-10-09 1997-09-10 社团法人高等技术研究院研究组合 大面积金钢石薄膜的制造装置及制造方法
US5849371A (en) * 1996-07-22 1998-12-15 Beesley; Dwayne Laser and laser-assisted free electron beam deposition apparatus and method
CN101016618A (zh) * 2006-02-10 2007-08-15 株式会社半导体能源研究所 成膜设备、成膜方法和发光元件的制造方法
US20100068897A1 (en) * 2008-09-16 2010-03-18 Tokyo Electron Limited Dielectric treatment platform for dielectric film deposition and curing
CN101859575A (zh) * 2009-04-10 2010-10-13 索尼光领公司 光斑位置控制设备和光斑位置控制方法
CN102081200A (zh) * 2010-12-20 2011-06-01 长春理工大学 变光束质量激光束自适应光纤耦合与输出准直装置

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4260649A (en) * 1979-05-07 1981-04-07 The Perkin-Elmer Corporation Laser induced dissociative chemical gas phase processing of workpieces
US6952504B2 (en) * 2001-12-21 2005-10-04 Neophotonics Corporation Three dimensional engineering of planar optical structures
US6265033B1 (en) * 1998-09-11 2001-07-24 Donald Bennett Hilliard Method for optically coupled vapor deposition
US20040123804A1 (en) * 2002-09-20 2004-07-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Fabrication system and manufacturing method of light emitting device
JP4251080B2 (ja) * 2003-04-15 2009-04-08 セイコーエプソン株式会社 膜形成方法、電子装置の製造方法、膜形成装置及び電子装置、電子機器
US7291365B2 (en) * 2004-05-27 2007-11-06 Eastman Kodak Company Linear laser light beam for making OLEDS
JP4455937B2 (ja) * 2004-06-01 2010-04-21 東北パイオニア株式会社 成膜源、真空成膜装置、有機ｅｌパネルの製造方法
KR100669080B1 (ko) 2005-05-04 2007-01-15 주식회사 아이엠티 유기발광 디스플레이 제조용 레이저 패터닝 장치 및 방법
US20070190235A1 (en) * 2006-02-10 2007-08-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Film forming apparatus, film forming method, and manufacturing method of light emitting element
CN102067726B (zh) * 2008-06-16 2014-06-04 东丽株式会社 图案形成方法及使用其的装置的制造方法以及装置
KR101219225B1 (ko) 2010-07-15 2013-01-18 국립대학법인 울산과학기술대학교 산학협력단 펄스 레이저 증착장치
KR101229041B1 (ko) 2011-01-11 2013-02-04 엘아이지에이디피 주식회사 유기발광소자 제조용 증착장비의 클리닝 장치 및 방법
KR102354386B1 (ko) * 2015-04-07 2022-01-24 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 디스플레이 장치용 증착 장치와, 이를 이용한 증착 방법
KR102404575B1 (ko) * 2015-10-12 2022-06-03 삼성디스플레이 주식회사 증착 장치와 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5014646A (en) * 1988-03-25 1991-05-14 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method and apparatus for writing oxide film
CN1158911A (zh) * 1995-10-09 1997-09-10 社团法人高等技术研究院研究组合 大面积金钢石薄膜的制造装置及制造方法
US5849371A (en) * 1996-07-22 1998-12-15 Beesley; Dwayne Laser and laser-assisted free electron beam deposition apparatus and method
CN101016618A (zh) * 2006-02-10 2007-08-15 株式会社半导体能源研究所 成膜设备、成膜方法和发光元件的制造方法
US20100068897A1 (en) * 2008-09-16 2010-03-18 Tokyo Electron Limited Dielectric treatment platform for dielectric film deposition and curing
CN101859575A (zh) * 2009-04-10 2010-10-13 索尼光领公司 光斑位置控制设备和光斑位置控制方法
CN102081200A (zh) * 2010-12-20 2011-06-01 长春理工大学 变光束质量激光束自适应光纤耦合与输出准直装置

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108695361A (zh) * 2017-03-29 2018-10-23 天马日本株式会社 Oled显示装置的制造方法、掩模及掩模的设计方法
CN109642309A (zh) * 2017-05-17 2019-04-16 埃马金公司 高精准度蔽荫掩模沉积系统及其方法
CN109642309B (zh) * 2017-05-17 2021-08-17 埃马金公司 高精准度蔽荫掩模沉积系统及其方法
CN110709977A (zh) * 2017-05-29 2020-01-17 Eo 科技股份有限公司 翘曲减小装置和翘曲减小方法
US11065805B2 (en) 2017-05-29 2021-07-20 Eo Technics Co., Ltd. Warpage reduction device and warpage reduction method
CN114369815A (zh) * 2022-01-07 2022-04-19 武汉理工大学 一种高通量制备薄膜或涂层的方法

Also Published As

Publication number Publication date
TWI632244B (zh) 2018-08-11
TW201425610A (zh) 2014-07-01
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CN103882381B (zh) 2017-12-29
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US9935268B2 (en) 2018-04-03
KR102103247B1 (ko) 2020-04-23

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