CN103878687B - 一种防止研磨垫刮伤晶圆的系统 - Google Patents

一种防止研磨垫刮伤晶圆的系统 Download PDF

Info

Publication number
CN103878687B
CN103878687B CN201410106660.8A CN201410106660A CN103878687B CN 103878687 B CN103878687 B CN 103878687B CN 201410106660 A CN201410106660 A CN 201410106660A CN 103878687 B CN103878687 B CN 103878687B
Authority
CN
China
Prior art keywords
grinding pad
wafer
conditioning disk
scratch
system preventing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201410106660.8A
Other languages
English (en)
Other versions
CN103878687A (zh
Inventor
丁弋
朱也方
严钧华
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shanghai Huali Microelectronics Corp
Original Assignee
Shanghai Huali Microelectronics Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shanghai Huali Microelectronics Corp filed Critical Shanghai Huali Microelectronics Corp
Priority to CN201410106660.8A priority Critical patent/CN103878687B/zh
Publication of CN103878687A publication Critical patent/CN103878687A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN103878687B publication Critical patent/CN103878687B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/005Control means for lapping machines or devices
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02002Preparing wafers
    • H01L21/02005Preparing bulk and homogeneous wafers
    • H01L21/02008Multistep processes
    • H01L21/0201Specific process step
    • H01L21/02013Grinding, lapping

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Grinding-Machine Dressing And Accessory Apparatuses (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)

Abstract

本发明公开了一种防止研磨垫刮伤晶圆的系统,包括:一清理盘,其表面设置有凸出的若干钻石,且每个所述钻石暴露的表面均包裹有一层磁性材料;一研磨垫,其表面与所述清理盘的表面相对设置;一磁性感应器,设置于所述研磨垫的下方,以对所述研磨垫表面的磁性情况进行检测,另外该系统还包括报警装置。在研磨过程中,若清理盘上的磁性材料脱落至研磨垫上,就会被磁性感应器感应,触发报警装置,研磨垫停止研磨。该系统可以实时的监测钻石是否脱落而导致的晶圆刮伤的效果,防止了晶圆由于严重刮伤而报废的后果,大大提高了产品的良率,降低了成本。

Description

一种防止研磨垫刮伤晶圆的系统
技术领域
本发明涉及到化学机械研磨设备装置的改进技术领域,尤其涉及一种防止研磨垫刮伤晶圆的系统。
背景技术
在化学机械研磨的工作程中,晶圆刮伤是产品良率的主要杀手,依照刮伤的特性,晶圆刮伤可以细分为宏观刮伤与细微刮伤。宏观刮伤主要因为研磨过程中,研磨垫上有硬物破坏晶圆表面,这些硬物可能是清理盘的钻石脱落从而造成巨大刮伤,并且通常会造成产品的报废,现有技术只是在化学机械研磨结束前后,利用高压水流对研磨垫进行清洗,冲洗掉研磨过程中可能产生的杂质颗粒,防止在后续的研磨过程中对晶圆造成刮伤。但对于化学机械研磨过程中,由于清理盘的钻石脱落造成的晶圆刮伤,目前暂无有效的方法。
中国专利(CN1479351A)公开了一种无刮伤化学机械研磨工艺,使用含有二氧化硅研磨粒的研磨剂研磨基底上的待研磨层,并且于接近研磨步骤完成之前加入可缩小研磨粒的溶液,以避免晶片表面被刮伤。
通过该专利的方法,避免了晶圆刮伤,但是对于机械研磨的宏观刮伤来说,上述方法并不能起到效果,而且暂时并没有效的办法。
发明内容
鉴于上述问题,本发明提供一种防止研磨垫刮伤晶圆的系统,这种系统实现了防止在清理盘清理研磨垫时,由于钻石的脱落而造成晶圆被宏观刮伤,大大提高了产品的良率,降低了成本。
本发明解决上述技术问题所采用的技术方案为:
一种防止研磨垫刮伤晶圆的系统,其特征在于,所述系统包括:
一清理盘,其表面设置有凸出的若干钻石,且每个所述钻石暴露的表面均包裹有一层磁性材料;
一研磨垫,其表面与所述清理盘的表面相对设置;
一磁性感应器,设置于所述研磨垫的下方,以对所述研磨垫表面的磁性情况进行检测;
其中,在化学机械研磨过程中,所述清理盘对所述研磨垫进行清理,若所述清理盘上的磁性材料脱落至所述研磨垫上时,被所述磁性感应器感应,所述研磨垫停止研磨。
上述的一种防止研磨垫刮伤晶圆的系统,其中,所述清理盘与所述研磨垫旋转方向相反。
上述的一种防止研磨垫刮伤晶圆的系统,其中,所述清理盘自身旋转的同时,相对于所述研磨垫左右来回运动。
上述的一种防止研磨垫刮伤晶圆的系统,其中,所述清理盘运动的范围大于所述晶圆的直径。
上述的一种防止研磨垫刮伤晶圆的系统,其中,所述清理盘运动的范围不超过所述研磨垫的半径。
上述的一种防止研磨垫刮伤晶圆的系统,其中,所述钻石暴露的部分主视图为三角形。
上述的一种防止研磨垫刮伤晶圆的系统,其中,所述系统还包括一报警装置,当所述磁性感应器感应到所述研磨垫表面具有磁性物质时,所述报警装置发出报警。
上述的一种防止研磨垫刮伤晶圆的系统,其中,所述晶圆和所述清理盘位于所述研磨垫的中线的两侧。
上述技术方案具有如下优点或有益效果:
在钻石表面包裹一层具有磁性的薄膜,在研磨垫下安装具有磁性感应功能的感应器。当清理盘对研磨垫进行摩擦清理导致钻石脱落在研磨垫上时,磁性感应器便能感应到脱落在研磨垫表面的磁性薄膜,即时触发报警系统,终止研磨,所以能够实时监控清理盘在摩擦清理研磨垫时,钻石是否发生脱落。避免了晶圆由于严重刮伤而报废的后果,大大提高了产品的良率,降低了成本。
附图说明
参考所附附图,以更加充分的描述本发明的实施例。然而,所附附图仅用于说明和阐述,并不构成对本发明范围的限制。
图1是本发明系统的结构示意图;
图2是本发明的防止研磨垫刮伤晶圆的系统中的清理盘的侧视结构示意图;
图3是本发明的防止研磨垫刮伤晶圆的系统中的包裹磁性材料钻石的结构示意图。
具体实施方式
本发明提供一种防止化学机械研磨宏观刮伤的方法,可应用于技术节点为90nm、65/55nm、45/40nm、32/28nm、大于等于130nm以及小于等于22nm的工艺中;可应用于以下技术平台中:Logic、Memory、RF、HV、Analog/Power、MEMS、CIS、Flash、eFlash以及Package。
如图1-3所示,一种防止研磨垫刮伤晶圆的系统,系统包括:
一清理盘,其表面设置有凸出的若干钻石,且每个所述钻石暴露的表面均包裹有一层磁性材料;
一研磨垫,其表面与所述清理盘的表面相对设置;
一磁性感应器,设置于所述研磨垫的下方,以对所述研磨垫表面的磁性情况进行检测;
其中,在化学机械研磨过程中,所述清理盘对所述研磨垫进行清理,若所述清理盘上的磁性材料脱落至所述研磨垫上时,被所述磁性感应器感应,所述研磨垫停止研磨。
下面结合附图和具体实施例对本发明作进一步说明,但不作为本发明的限定。
如图1所示,研磨垫2的一侧设有对研磨垫2摩擦清理的清理盘3,研磨垫2的另一侧设有被用于研磨的晶圆1,即清理盘3和晶圆1位于研磨垫2中间线7的两侧。由于清理盘3与研磨垫2摩擦清理的过程中,镶嵌在清理盘3(如图2)内的钻石5有可能脱落,导致晶圆1发生刮伤而报废,所以需要及时的停止机械研磨。
如图3所示,在清理盘3的钻石表面包裹一层磁性材料6,然后在研磨垫2下方装有具有感应磁性功能的磁性感应器4,在化学机械研磨的过程中,清理盘3与研磨垫2旋转方向相反,以起到摩擦清理研磨垫2保证研磨垫2具有良好的研磨效果,而且清理盘3旋转的同时相对于研磨垫2左右来回运动。
上述清理盘3的运动范围大于晶圆1的直径且不超过研磨垫2的半径,保证晶圆1在清理盘3清理研磨垫2的范围之内。便于研磨垫2研磨所述晶圆1时,对晶圆1有较好的研磨效果,优选的晶圆1的旋转方向与研磨垫2旋转方向相同。
该系统还包括一报警装置,由于钻石5表面具有一层磁性材料,且研磨垫2下方设置具有磁性感应功能的磁性感应器4,在研磨的过程中,当钻石5脱落在研磨垫2时,感应器4就会感应到脱落在研磨垫表面上的磁性材料6,及时的触发报警装置,研磨垫2终止研磨。该系统防止了研磨垫2带动脱落的钻石5到晶圆1表面,晶圆1由于严重刮伤而报废的后果。
综上所述,本实施例实现了在化学机械研磨的过程中,能够实时监控清理盘在摩擦清理研磨垫时,钻石是否脱落而导致的晶圆刮伤的效果,防止了晶圆由于严重刮伤而报废的后果,大大提高了产品的良率,降低了成本。
对于本领域的技术人员而言,阅读上述说明后,各种变化和修正无疑将显而易见。因此,所附的权利要求书应看作是涵盖本发明的真实意图和范围的全部变化和修正。在权利要求书范围内任何和所有等价的范围与内容,都应认为仍属本发明的意图和范围内。

Claims (8)

1.一种防止研磨垫刮伤晶圆的系统,其特征在于,所述系统包括:
一清理盘,其表面设置有凸出的若干钻石,且每个所述钻石暴露的表面均包裹有一层磁性材料;
一研磨垫,其表面与所述清理盘的表面相对设置;
一磁性感应器,设置于所述研磨垫的下方,以对所述研磨垫表面的磁性情况进行检测;
其中,在对一晶圆进行化学机械研磨过程中,所述清理盘对所述研磨垫进行清理,若所述清理盘上的磁性材料脱落至所述研磨垫上时,被所述磁性感应器感应,所述研磨垫停止研磨。
2.如权利要求1所述的一种防止研磨垫刮伤晶圆的系统,其特征在于,所述清理盘与所述研磨垫旋转方向相反。
3.如权利要求2所述的一种防止研磨垫刮伤晶圆的系统,其特征在于,所述清理盘自身旋转的同时,相对于所述研磨垫左右来回运动。
4.如权利要求3所述的一种防止研磨垫刮伤晶圆的系统,其特征在于,所述清理盘运动的范围大于所述晶圆的直径。
5.如权利要求3所述的一种防止研磨垫刮伤晶圆的系统,其特征在于,所述清理盘运动的范围不超过所述研磨垫的半径。
6.如权利要求1所述的一种防止研磨垫刮伤晶圆的系统,其特征在于,所述钻石暴露的部分主视图为三角形。
7.如权利要求1所述的一种防止研磨垫刮伤晶圆的系统,其特征在于,所述系统还包括一报警装置,当所述磁性感应器感应到所述研磨垫表面具有磁性物质时,所述报警装置发出报警。
8.如权利要求1所述的一种防止研磨垫刮伤晶圆的系统,其特征在于,所述晶圆和所述清理盘位于所述研磨垫的中间线的两侧。
CN201410106660.8A 2014-03-20 2014-03-20 一种防止研磨垫刮伤晶圆的系统 Active CN103878687B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410106660.8A CN103878687B (zh) 2014-03-20 2014-03-20 一种防止研磨垫刮伤晶圆的系统

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410106660.8A CN103878687B (zh) 2014-03-20 2014-03-20 一种防止研磨垫刮伤晶圆的系统

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN103878687A CN103878687A (zh) 2014-06-25
CN103878687B true CN103878687B (zh) 2017-01-04

Family

ID=50947974

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201410106660.8A Active CN103878687B (zh) 2014-03-20 2014-03-20 一种防止研磨垫刮伤晶圆的系统

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN103878687B (zh)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105437054B (zh) * 2014-09-02 2018-08-10 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 化学机械研磨方法以及化学机械研磨装置
CN106141894A (zh) * 2015-04-23 2016-11-23 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 研磨垫整理方法及研磨机台
CN109290938B (zh) * 2018-11-06 2020-11-27 德淮半导体有限公司 一种实时侦测钻石掉落的装置及其方法、研磨机
CN111409015B (zh) * 2020-05-08 2020-11-13 苏州航菱微精密组件有限公司 一种磨床机构、研磨工艺及其研磨材料的制备工艺
CN112476243A (zh) * 2020-11-26 2021-03-12 华虹半导体(无锡)有限公司 化学机械研磨装置及化学机械研磨工艺研磨垫清洗装置
CN114102306B (zh) * 2021-11-10 2023-10-20 山西四建集团有限公司 一种施工中混凝土墙面平整装置

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000218517A (ja) * 1999-01-26 2000-08-08 Hitachi Ltd 電子部品の製造方法および製造装置
CN101352834B (zh) * 2007-07-27 2010-05-19 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 研磨垫整理装置及研磨垫整理方法
CN102528652A (zh) * 2010-12-29 2012-07-04 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 一种化学机械研磨装置
CN202462224U (zh) * 2012-02-17 2012-10-03 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 整理盘、研磨垫整理器及研磨装置
CN103273414A (zh) * 2013-04-09 2013-09-04 上海华力微电子有限公司 化学机械研磨装置及其方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN103878687A (zh) 2014-06-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103878687B (zh) 一种防止研磨垫刮伤晶圆的系统
CN205021392U (zh) 用于基板抛光的装置
US7510463B2 (en) Extended life conditioning disk
CN103522188B (zh) 研磨垫整理方法、研磨垫整理器及研磨机台
CN104070445A (zh) 研磨装置及磨损检测方法
US20090298397A1 (en) Method of grinding semiconductor wafers and device for grinding both surfaces of semiconductor wafers
KR20140097995A (ko) 연마 방법
CN204724255U (zh) 一种研磨机
CN202479937U (zh) 打磨抛光一体机
US20140113533A1 (en) Damper for polishing pad conditioner
CN203245721U (zh) 研磨调整装置及化学机械研磨装置
CN202592202U (zh) 带有研磨液供应功能的研磨头及研磨装置
CN103273414A (zh) 化学机械研磨装置及其方法
WO2012024267A3 (en) Methods of grinding workpieces comprising superabrasive materials
US20160346899A1 (en) System and method for polishing substrate
CN104707688A (zh) 一种双层研磨机
US11794305B2 (en) Platen surface modification and high-performance pad conditioning to improve CMP performance
CN104440516B (zh) 一种研磨盘装置
CN202053157U (zh) 研磨头、研磨垫修整器及研磨装置
CN208663464U (zh) 化学机械研磨装置
CN216000031U (zh) 研磨装置及化学机械研磨机台
CN106238165A (zh) 一种带有检测功能的实验室用研磨机
US8657650B2 (en) Grinding wheel dressing system
CN203317237U (zh) 磨砂轮
CN203125323U (zh) 研磨垫整理器及研磨装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant