CN103877678B - 大功率半导体激光脱毛仪 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种大功率半导体激光脱毛仪,包括连接的AC-DC交直流电源转换模块和系统控制模块;恒流控制模块,分别连接至AC-DC交直流电源转换模块和系统控制模块;恒流输出模块,分别连接至AC-DC交直流电源转换模块、系统控制模块、恒流控制模块和半导体激光器手具模块;半导体激光器手具模块,分别连接至AC-DC交直流电源转换模块、系统控制模块和恒流输出模块;温控模块,分别连接至AC-DC交直流电源转换模块、系统控制模块和半导体激光器手具模块。可对脱毛仪的驱动电流精确控制,各温度传感器实时监测脱毛仪的温度,防止温度过高引起故障;系统微控制器和恒流微控制器提高了系统的处理速度,增加了系统的可靠性。
Description
技术领域
本发明涉及一种激光仪器,尤其是涉及一种使用半导体激光进行皮肤脱毛处理的脱毛仪。
背景技术
激光脱毛是依据选择性的光热动力学原理,通过合理调节激光波长、光束,使其穿透皮肤表层最终被含黑色素较多的毛囊吸收,通过对激光能量的有选择吸收,使毛囊受到破坏,从而使毛发失去再生能力,同时又不损伤周边组织。通过特定波长的激光穿过表皮,达到激光脱毛的效果,由于毛囊吸热坏死的过程不可逆,因此,激光脱毛能够达到长久脱毛的效果。
现有技术中,中国专利公开号CN2928026,公开了恩施激光技术有限公司名称为“便携式激光脱毛装置”的专利,是一种使用者可以随身携带的脱毛装置;中国专利公开号CN1452465公开了日本雅芒股份有限公司名称为“激光脱毛装置”的一种小功率5mW-1500mW半导体激光脱毛装置;中国专利公开号为2326182公开了上海激光技术研究所名称为“长脉冲激光脱毛美容仪”的一种长脉冲激光脱毛美容仪,在这几种脱毛仪中,恩施激光技术有限公司的“便携式激光脱毛装置”与日本雅芒股份有限公司的“激光脱毛装置”存在输出功率较小,输出能量不能准确控制的不足;而上海激光技术研究所的“长脉冲激光脱毛美容仪”由于采用电压源斩波式驱动方式,因此,半导体激光器输出的能量随电容放电电流的变化而改变,存在的不足是用于破坏各个毛发根部所需激光源的脉冲剂量不准确,从而影响了脱毛的效果,不能达到永久脱毛的目的。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种具有输出功率校准功能、确保大功率激光器输出功率准确可调、系统功能稳定的大功率半导体激光脱毛仪。
为解决上述技术问题,本发明的技术方案是:大功率半导体激光脱毛仪,包括:AC-DC交直流电源转换模块,与供电线路连接;
系统控制模块,连接至所述AC-DC交直流电源转换模块;
恒流控制模块,分别连接至所述AC-DC交直流电源转换模块和所述系统控制模块;
恒流输出模块,分别连接至所述AC-DC交直流电源转换模块和所述恒流控制模块;
半导体激光器手具模块,分别连接至所述AC-DC交直流电源转换模块、所述系统控制模块和所述恒流输出模块;
温控模块,分别连接至所述AC-DC交直流电源转换模块、所述系统控制模块和所述半导体激光器手具模块。
作为优选的技术方案,所述AC-DC交直流电源转换模块包括供电控制单元,所述供电控制单元连接有恒流控制供电单元、恒流输出供电单元、温控供电单元、半导体激光器手具供电单元和系统控制供电单元,所述恒流控制供电单元、所述恒流输出供电单元、所述温控供电单元、所述半导体激光器手具供电单元和所述系统控制供电单元的输入端分别与供电线路连接,所述恒流控制供电单元的电路输出端连接至所述恒流控制模块,所述恒流输出供电单元的电路输出端连接至所述恒流输出模块,所述温控供电单元的电路输出端连接至所述温控模块,所述半导体激光器手具供电单元的电路输出端连接至所述半导体激光器手具模块,所述系统控制供电单元的电路输出端连接至所述系统控制模块。
作为优选的技术方案,所述系统控制模块包括系统微控制器,所述系统微控制器的连接有触摸屏、水速监测单元、水温监测单元、水位监测单元、水质监测单元、滤芯监测单元、环境湿度监测单元、环境温度监测单元、手具监测单元、手具内温度监测单元、手具内湿度监测单元、手具光波导窗口温度监测单元、联锁开关、手控开关和脚踏开关,所述水速监测单元、所述水温监测单元、所述水位监测单元、所述水质监测单元和所述滤芯监测单元分别连接至所述温控模块,所述手具监测单元、所述手具内温度监测单元、所述手具内湿度监测单元和所述手具光波导窗口温度监测单元分别连接至所述半导体激光器手具模块;
所述系统微控制器还连接有液晶显示屏、水循环控制单元、系统风冷散热器控制单元、系统制冷器控制单元、手具半导体制冷控制单元、系统手具工作状态指示单元、系统工作状态指示单元和串行通信接口单元,所述水循环控制单元、所述系统风冷散热器控制单元和所述系统制冷器控制单元分别连接至所述温控模块,所述系统手具工作状态指示单元连接至所述半导体激光器手具模块,所述串行通信接口单元连接至所述恒流控制模块。
作为优选的技术方案,所述恒流控制模块包括恒流微控制器,所述恒流微控制器通过所述串行通信接口单元连接所述系统微控制器,所述恒流微控制器的输入端连接有输入光电隔离单元,所述输入光电隔离单元的输入端分别连接有过流信号接口单元、过温信号接口单元、电源欠压信号接口单元和激光器故障信号接口单元,所述过流信号接口单元、所述过温信号接口单元、所述电源欠压信号接口单元和所述激光器故障信号接口单元分别连接至所述恒流输出模块,所述恒流微控制器的输出端连接有输出光电隔离单元,所述输出光电隔离单元的输出端连接有恒流控制D/A转换接口单元,所述恒流控制D/A转换接口单元连接至所述恒流输出模块。
作为优选的技术方案,所述恒流输出模块包括与所述恒流控制D/A转换接口单元对应连接的恒流输出D/A转换单元,所述恒流输出D/A转换单元连接运放积分处理单元,所述运放积分处理单元连接恒流输出单元,在所述运放积分处理单元与所述恒流输出单元之间连接信号反馈单元,所述恒流输出单元的电路输出端连接至所述半导体激光器手具模块,所述恒流输出单元还连接场效应管过流检测单元、场效应管过温检测单元、电源供电欠压检测单元和激光器故障检测单元,且所述场效应管过流检测单元连接至所述过流信号接口单元,所述场效应管过温检测单元连接至所述过温信号接口单元,所述电源供电欠压检测单元连接至所述电源欠压信号接口单元,所述激光器故障检测单元连接至所述激光器故障信号接口单元。
作为优选的技术方案,所述信号反馈单元包括连接在所述恒流输出单元上对输出电流进行取样的电流传感器,所述电流传感器的输出端连接反馈电路,所述反馈电路连接至所述运放积分处理单元。
作为优选的技术方案,所述温控模块包括系统水循环单元和系统制冷单元,所述系统水循环单元包括与所述水循环控制单元连接的水泵控制器,所述水泵控制器连接水泵,所述水泵一端通过管路连接水箱,所述水箱上设有水位检测传感器和水温检测传感器,且所述水位检测传感器连接至所述水位监测单元,所述水温检测传感器连接至所述水温监测单元,所述水泵另一端通过管路连接过滤器,所述过滤器通过管路连接离子交换器,所述离子交换器通过管路连接至所述半导体激光器手具模块,所述过滤器上设有滤芯检测传感器,且所述滤芯检测传感器连接至所述滤芯监测单元,所述离子交换器的输出管路上依次安装有水速检测传感器和水质检测传感器,且所述水速检测传感器连接至所述水速监测单元,所述水质检测传感器连接至所述水质监测单元;
所述系统制冷单元包括与所述系统制冷器控制单元连接的制冷控制器,与所述系统风冷散热器控制单元连接的风冷散热器控制器,所述制冷控制器连接有制冷器,所述风冷散热器控制器连接有风冷散热器,且所述制冷器的一端通过管路连接至所述风冷散热器,所述制冷器的另一端通过管路连接至所述水箱,所述风冷散热器还连接至所述半导体激光器手具模块。
作为对上述技术方案的改进,所述半导体激光器手具模块包括半导体叠阵激光器、手具内湿度传感器、手具内温度传感器、手具工作状态指示单元和手控开关,所述半导体叠阵激光器上设有水流入端、水流出端、电流驱动正极和电流驱动负极,所述水流入端与所述离子交换器连通,所述水流出端与所述风冷散热器连通,所述电流驱动正极与所述电流驱动负极分别连接至所述恒流输出模块,所述半导体叠阵激光器设有光波导窗口,所述光波导窗口上安装有手具光波导窗口温度传感器,所述手具光波导窗口温度传感器连接至所述手具光波导窗口温度监测单元,所述光波导窗口还连接有为其制冷的半导体制冷器,所述半导体制冷器连接至所述手具半导体制冷控制单元;所述手具内湿度传感器连接至所述手具内湿度监测单元,所述手具内温度传感器连接至所述手具内温度监测单元。
作为对上述技术方案的改进,所述半导体叠阵激光器采用恒流脉冲驱动。
作为对上述技术方案的改进,所述半导体叠阵激光器的最大工作功率为3000W。
由于采用了上述技术方案,本发明的有意效果是:采用恒流脉冲驱动半导体激光器,同时恒流输出模块内设有反馈单元,可以对电路形成电流闭环控制,不仅实现了对半导体叠阵激光器驱动电流的精确控制,还可以方便地进行半导体叠阵激光器工作参数的设定操作。电流传感器实时检测半导体叠阵激光器的工作电流,防止过流引起半导体叠阵激光器的损坏;手具内温度传感器实时检测半导体叠阵激光器的工作温度,防止工作温度过高引起半导体叠阵激光器的损坏;激光器故障检测单元防止了由于半导体叠阵激光器故障引起的驱动电源损坏,采用系统微控制器和恒流微控制器两个处理器提高了系统的处理速度,增加了系统的可靠性。
附图说明
以下附图仅旨在于对本发明做示意性说明和解释,并不限定本发明的范围。其中:
图1是本发明实施例的结构框图;
图2是本发明实施例AC-DC交直流电源转换模块的结构框图;
图3是本发明实施例系统控制模块的结构框图;
图4是本发明实施例恒流控制模块的结构框图;
图5是本发明实施例恒流输出模块的结构框图;
图6是本发明实施例温控模块的结构框图;
图7是本发明实施例半导体激光器手具模块的结构框图;
具体实施方式
下面结合附图和实施例,进一步阐述本发明。在下面的详细描述中,只通过说明的方式描述了本发明的某些示范性实施例。毋庸置疑,本领域的普通技术人员可以认识到,在不偏离本发明的精神和范围的情况下,可以用各种不同的方式对所描述的实施例进行修正。因此,附图和描述在本质上是说明性的,而不是用于限制权利要求的保护范围。
如图1所示,大功率半导体激光脱毛仪,包括AC-DC交直流电源转换模块,与供电线路连接;系统控制模块,连接至所述AC-DC交直流电源转换模块;恒流控制模块,分别连接至所述AC-DC交直流电源转换模块和所述系统控制模块;恒流输出模块,分别连接至所述AC-DC交直流电源转换模块和所述恒流控制模块;半导体激光器手具模块,分别连接至所述AC-DC交直流电源转换模块、所述系统控制模块和所述恒流输出模块;温控模块,分别连接至所述AC-DC交直流电源转换模块、所述系统控制模块和所述半导体激光器手具模块。
如图2所示,所述AC-DC交直流电源转换模块包括供电控制单元,所述供电控制单元连接有恒流控制供电单元、恒流输出供电单元、温控供电单元、半导体激光器手具供电单元和系统控制供电单元,所述恒流控制供电单元、所述恒流输出供电单元、所述温控供电单元、所述半导体激光器手具供电单元和所述系统控制供电单元的输入端分别与供电线路连接,所述恒流控制供电单元的电路输出端连接至所述恒流控制模块,所述恒流输出供电单元的电路输出端连接至所述恒流输出模块,所述温控供电单元的电路输出端连接至所述温控模块,所述半导体激光器手具供电单元的电路输出端连接至所述半导体激光器手具模块,所述系统控制供电单元的电路输出端连接至所述系统控制模块。
系统控制模块根据半导体激光器手具模块工作状态的需要,通过供电控制单元对恒流控制供电单元、恒流输出供电单元、温控供电单元和半导体激光器手具供电单元进行控制,AC-DC交直流转换单元是否正常将是大功率半导体激光脱毛仪能否正常工作的关键。
如图3所示,所述系统控制模块的核心是系统微控制器,所述系统微控制器的连接有触摸屏、水速监测单元、水温监测单元、水位监测单元、水质监测单元、滤芯监测单元、环境湿度监测单元、环境温度监测单元、手具监测单元、手具内温度监测单元、手具内湿度监测单元、手具光波导窗口温度监测单元、联锁开关、手控开关和脚踏开关,所述触摸屏的主要功能是供操作者设定半导体激光器脱毛仪的工作参数,操作半导体激光器脱毛仪,并根据各个监测单元传送的状态数据在液晶屏上显示脱毛仪的工作状态;所述水速监测单元、所述水温监测单元、所述水位监测单元、所述水质监测单元和所述滤芯监测单元分别连接至所述温控模块,上述各监测单元可以实现对温控模块的水循环系统中水速、水温、水箱水位、水质的状态进行实时监测,滤芯监测单元可以监测过滤器内是否安装滤芯,所述手具监测单元、所述手具内温度监测单元、所述手具内湿度监测单元和所述手具光波导窗口温度监测单元分别连接至所述半导体激光器手具模块,以实现对半导体激光器手具内温度、湿度、光波导窗口温度等工作参数的监测,如监测出参数异常时,可以进行相应的断电、报警等动作,而联锁开关、手控开关和脚踏开关实现对脱毛仪的开启或关闭控制,以保证使用的安全性。所述环境湿度监测单元和所述环境温度监测单元用于检测脱毛仪工作环境的湿度和温度。
所述系统微控制器还连接有水循环控制单元、系统风冷散热器控制单元、系统制冷器控制单元、手具半导体制冷控制单元、系统手具工作状态指示单元、系统工作状态指示单元和串行通信接口单元。所述水循环控制单元、所述系统风冷散热器控制单元和所述系统制冷器控制单元分别连接至所述温控模块,上述各种控制单元根据各监测单元的数据,通过相应的控制单元对温控模块内系统水循环的水泵、风冷散热器、制冷器、进行控制,实现对温控模块以及半导体激光器工作状态的指示。所述系统手具工作状态指示单元连接至所述半导体激光器手具模块,系统手具工作状态指示单元可以设置为状态指示灯,所述串行通信接口单元连接至所述恒流控制模块,实现系统微控制器与恒流控制模块的信号交流。
如图4所示,恒流控制模块的主要功能是与系统控制模块进行数据交换,并把设定的电流数据传送给恒流输出模块。恒流控制模块的核心是一个恒流微控制器,该恒流微控制器主要执行三项操作:一是通过串行通信接口单元与系统控制模块进行交换数据;二是把操作者设定的半导体激光器脱毛仪的工作参数经光电耦合器处理之后传送给恒流输出模块;三是处理恒流输出模块中场效应管的过流、过温、电源电压欠压以及激光器故障等各种异常状态信息,一旦出现任何异常,该恒流控制模块将关闭恒流输出模块的输出电流,以保证脱毛仪及用户使用的安全性。
恒流控制模块具体的结构为:包括恒流微控制器,所述恒流微控制器通过所述串行通信接口单元连接所述系统微控制器,所述恒流微控制器的输入端连接输入光电隔离单元,所述输入光电隔离单元的输入端分别连接过流信号接口单元、过温信号接口单元、电源欠压信号接口单元和激光器故障信号接口单元,所述过流信号接口单元、所述过温信号接口单元、所述电源欠压信号接口单元和所述激光器故障信号接口单元分别连接至所述恒流输出模块,所述恒流微控制器的输出端连接有输出光电隔离单元,所述输出光电隔离单元的输出端连接有恒流控制D/A转换接口单元,所述恒流控制D/A转换接口单元连接至所述恒流输出模块。
恒流控制模块接收到恒流输出模块发送的过流、过温、电源供电欠压和激光器故障信号,经恒流微控制器处理后,再经串行通信接口单元传输至系统微控制器,系统微控制器执行相应的控制操作,实现对脱毛仪设备的保护,并在液晶显示屏上显示场效应管过流、过温、供电电压欠压以及激光器故障等相关信息,以供用户查看。
如图5所示,恒流输出模块的主要功能是接收恒流控制模块发送的半导体激光器工作参数,并产生相应的恒流脉冲驱动半导体激光器。所述恒流输出模块包括与所述恒流控制D/A转换接口单元对应连接的恒流输出D/A转换单元,用于接收恒流控制模块的控制信号,所述恒流输出D/A转换单元连接运放积分处理单元,所述运放积分处理单元连接恒流输出单元,在所述运放积分处理单元与所述恒流输出单元之间连接信号反馈单元,该所述信号反馈单元包括连接在所述恒流输出单元上对电流进行取样的电流传感器,所述电流传感器的输出端连接反馈电路,反馈电路为本技术领域内普通技术人员所熟知的内容,在这里不再赘述,所述反馈电路连接至所述运放积分处理单元。恒流输出D/A转换单元接收到恒流控制D/A转换接口单元传送的数据,与电流反馈信号一起经运放积分处理单元处理后,产生激励信号以控制恒流输出单元输出恒流脉冲,所述恒流输出单元的输出端连接至所述半导体激光器手具模块,驱动半导体激光器输出功率可准确调节的激光;所述恒流输出单元还连接有场效应管过流检测单元、场效应管过温检测单元、电源供电欠压检测单元和激光器故障检测单元,且所述场效应管过流检测单元连接至所述过流信号接口单元,所述场效应管过温检测单元连接至所述过温信号接口单元,所述电源供电欠压检测单元连接至所述电源欠压信号接口单元,所述激光器故障检测单元连接至所述激光器故障信号接口单元。
恒流输出模块的工作过程为:恒流控制模块经恒流控制D/A转换接口单元把半导体激光器的工作参数传送给恒流输出D/A转换单元,恒流输出D/A转换单元产生与工作参数相对应的设定电压信号,电流传感器取样输出电流,并经反馈电路转换成电流采样信号,运放积分处理单元将设定电流信号与电流采样信号进行处理,产生激励信号,使恒流输出单元产生与设定工作参数对应的恒流脉冲,驱动半导体激光器手具模块中的半导体叠阵激光器工作。恒流输出单元、电流传感器、反馈电路、运放积分处理单元构成了闭环反馈系统,实现对半导体激光器驱动电流的精确调节。
如果场效应管过流检测单元检测到场效应管工作电流大于设定的最大工作电流,则场效应管过流检测单元传送该信号给恒流微控制器,恒流微控制器将关闭恒流输出模块,停止输出电流,并把该信号通过串行通信接口单元传送给系统控制模块中的系统微控制器。同样,如果场效应管过温检测单元检测到场效应管工作温度高于设定的工作温度、电源供电欠压检测单元检测到场效应管供电电压低于最低供电电压、激光器故障检测单元检测到激光器故障,则分别通过上述相应的监测单元将信号传送至恒流微控制器,恒流微控制器将关闭恒流输出模块,停止电流输出,并把相应的状态信息通过所述串行口传送给系统控制模块中的系统微控制器,显示在液晶屏幕上。
温控模块的主要功能是对半导体激光器进行制冷。如果工作过程中检测到水温异常、水位异常、水质异常或者水流速度异常,系统控制模块将停止半导体激光器工作,并给出相应提示信息。
如图6所示,所述温控模块包括系统水循环单元和系统制冷单元,所述系统水循环单元包括与所述水循环控制单元连接的水泵控制器,所述水泵控制器连接水泵,所述水泵一端通过管路连接水箱,所述水箱上设有水位检测传感器和水温检测传感器,且所述水位检测传感器连接至所述水位监测单元,所述水温检测传感器连接至所述水温监测单元,所述水泵另一端通过管路连接有过滤器,所述过滤器通过管路连接有离子交换器,所述离子交换器通过管路连接至所述半导体激光器手具模块,所述过滤器上设有滤芯检测传感器,且所述滤芯检测传感器连接至所述滤芯监测单元,所述离子交换器的输出管路上依次安装有水速检测传感器和水质检测传感器,且所述水速检测传感器连接至所述水速监测单元,所述水质检测传感器连接至所述水质监测单元;设置的水速检测传感器检测水是否循环流动,设置的水质检测传感器用来检测水离子浓度,滤芯检测传感器则用于检测过滤器内是否安装滤芯,当各种检测状态符合系统运行要求时,表明系统水循环工作正常。
所述系统制冷单元包括与所述系统制冷器控制单元连接的制冷控制器,与所述系统风冷散热器控制单元连接的风冷散热器控制器,所述制冷控制器连接有制冷器,所述风冷散热器控制器连接有风冷散热器,且所述制冷器的一端通过管路连接至所述风冷散热器,所述制冷器的另一端通过管路连接至所述水箱,所述风冷散热器还连接至所述半导体激光器手具模块。
当水位检测单元与水位检测传感器检测到水位正常时,系统微控制器通过水循环单元发启动信号给水泵控制器,启动水循环系统工作。在半导体激光器工作的过程中,水位监测单元实时监测水箱内的水位、水温监测单元实时监测水的温度、水质监测单元实时监测水中离子的浓度,以保证水循环系统对半导体激光器的制冷效果,避免过高的离子浓度对半导体激光器产生腐蚀作用,损坏半导体激光器,降低脱毛仪的使用寿命。水循环制冷过程中,水流依次经过水泵、过滤器、离子交换器至半导体激光器手具模块,过滤器内安装有滤芯检测传感器,用于检测过滤器内是否安装有滤芯,当没有检测到滤芯时,半导体激光器停止工作,该滤芯检测传感器可以设置为光电传感器,结构简单,安装使用方便,且检测信号稳定准确。根据水温的变化系统微控制器通过系统制冷器控制单元和系统风冷散热器控制单元发启动信号给制冷器控制器和风冷散热器控制器,分别启动制冷器和风冷散热器,形成制冷系统,进行降温,同时与水箱、水泵、过滤器和离子交换器形成一个密闭的水循环系统。
如图7所示,所述半导体激光器手具模块包括半导体叠阵激光器、手具内湿度传感器、手具内温度传感器、手具工作状态指示单元和手控开关,所述半导体叠阵激光器上设有水流入端、水流出端、电流驱动正极和电流驱动负极,所述水流入端与所述离子交换器连通,所述水流出端与所述风冷散热器连通,用于对半导体叠阵激光器进行降温,所述电流驱动正极与所述电流驱动负极分别连接至所述恒流输出模块,用于驱动半导体叠阵激光器,所述半导体叠阵激光器设有光波导窗口,所述光波导窗口上安装有手具光波导窗口温度传感器,所述手具光波导窗口温度传感器连接至所述手具光波导窗口温度监测单元,所述光波导窗口还连接有为其制冷的半导体制冷器,所述半导体制冷器连接至所述手具半导体制冷控制单元,半导体制冷器可以对光波导窗口进行制冷,防止其温度过高,进一步保护半导体激光器;所述手具内湿度传感器连接至所述手具内湿度监测单元,所述手具内温度传感器连接至所述手具内温度监测单元。所述半导体叠阵激光器的最大工作功率为3000W。
系统微控制器根据半导体激光器手具模块内各传感器检测到的手具内温度、湿度以及手具光波导窗口温度以及工作环境温度、湿度等参数,通过调节制冷系统的工作状态,控制半导体叠阵激光器的工作状态。如果温度高于设定温度,则停止激光器工作。手具工作状态指示单元与系统手具工作状态指示单元连接,用来指示半导体叠阵激光器是否处于工作状态。当脚踏开关处于闭合时,操作者可以通过手控开关操控半导体叠阵激光器的工作。
以上显示和描述了本发明的基本原理、主要特征及本发明的优点。本行业的技术人员应该了解,本发明不受上述实施例的限制,上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理,在不脱离本发明精神和范围的前提下,本发明还会有各种变化和改进,这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。
Claims (9)
1.大功率半导体激光脱毛仪,其特征在于,包括:
AC-DC交直流电源转换模块,与供电线路连接;
系统控制模块,连接至所述AC-DC交直流电源转换模块;
恒流控制模块,分别连接至所述AC-DC交直流电源转换模块和所述系统控制模块;
恒流输出模块,分别连接至所述AC-DC交直流电源转换模块和所述恒流控制模块;
半导体激光器手具模块,分别连接至所述AC-DC交直流电源转换模块、所述系统控制模块和所述恒流输出模块;
温控模块,分别连接至所述AC-DC交直流电源转换模块、所述系统控制模块和所述半导体激光器手具模块;
所述系统控制模块包括系统微控制器,所述系统微控制器的连接有触摸屏、水速监测单元、水温监测单元、水位监测单元、水质监测单元、滤芯监测单元、环境湿度监测单元、环境温度监测单元、手具监测单元、手具内温度监测单元、手具内湿度监测单元、手具光波导窗口温度监测单元、联锁开关、手控开关和脚踏开关,所述水速监测单元、所述水温监测单元、所述水位监测单元、所述水质监测单元和所述滤芯监测单元分别连接至所述温控模块,所述手具监测单元、所述手具内温度监测单元、所述手具内湿度监测单元和所述手具光波导窗口温度监测单元分别连接至所述半导体激光器手具模块;
所述系统微控制器还连接有液晶显示屏、水循环控制单元、系统风冷散热器控制单元、系统制冷器控制单元、手具半导体制冷控制单元、手具工作状态指示单元、系统工作状态指示单元和串行通信接口单元,所述水循环控制单元、所述系统风冷散热器控制单元和所述系统制冷器控制单元分别连接至所述温控模块,所述系统手具工作状态指示单元连接至所述半导体激光器手具模块,所述串行通信接口单元连接至所述恒流控制模块。
2.如权利要求1所述的大功率半导体激光脱毛仪,其特征在于:所述AC-DC交直流电源转换模块包括供电控制单元,所述供电控制单元连接有恒流控制供电单元、恒流输出供电单元、温控供电单元、半导体激光器手具供电单元和系统控制供电单元,所述恒流控制供电单元、所述恒流输出供电单元、所述温控供电单元、所述半导体激光器手具供电单元和所述系统控制供电单元的输入端分别与供电线路连接,所述恒流控制供电单元的电路输出端连接至所述恒流控制模块,所述恒流输出供电单元的电路输出端连接至所述恒流输出模块,所述温控供电单元的电路输出端连接至所述温控模块,所述半导体激光器手具供电单元的电路输出端连接至所述半导体激光器手具模块,所述系统控制供电单元的电路输出端连接至所述系统控制模块。
3.如权利要求1所述的大功率半导体激光脱毛仪,其特征在于:所述恒流控制模块包括恒流微控制器,所述恒流微控制器通过所述串行通信接口单元连接所述系统微控制器,所述恒流微控制器的输入端连接有输入光电隔离单元,所述输入光电隔离单元的输入端分别连接有过流信号接口单元、过温信号接口单元、电源欠压信号接口单元和激光器故障信号接口单元,所述过流信号接口单元、所述过温信号接口单元、所述电源欠压信号接口单元和所述激光器故障信号接口单元分别连接至所述恒流输出模块,所述恒流微控制器的输出端连接有输出光电隔离单元,所述输出光电隔离单元的输出端连接有恒流控制D/A转换接口单元,所述恒流控制D/A转换接口单元连接至所述恒流输出模块。
4.如权利要求3所述的大功率半导体激光脱毛仪,其特征在于:所述恒流输出模块包括与所述恒流控制D/A转换接口单元对应连接的恒流输出D/A转换单元,所述恒流输出D/A转换单元连接运放积分处理单元,所述运放积分处理单元连接恒流输出单元,在所述运放积分处理单元与所述恒流输出单元之间连接信号反馈单元,所述恒流输出单元的电路输出端连接至所述半导体激光器手具模块,所述恒流输出单元还连接场效应管过流检测单元、场效应管过温检测单元、电源供电欠压检测单元和激光器故障检测单元,且所述场效应管过流检测单元连接至所述过流信号接口单元,所述场效应管过温检测单元连接至所述过温信号接口单元,所述电源供电欠压检测单元连接至所述电源欠压信号接口单元,所述激光器故障检测单元连接至所述激光器故障信号接口单元。
5.如权利要求4所述的大功率半导体激光脱毛仪,其特征在于:所述信号反馈单元包括连接在所述恒流输出单元上对输出电流进行取样的电流传感器,所述电流传感器的输出端连接反馈电路,所述反馈电路连接至所述运放积分处理单元。
6.如权利要求1所述的大功率半导体激光脱毛仪,其特征在于:所述温控模块包括系统水循环单元和系统制冷单元,
所述系统水循环单元包括与所述水循环控制单元连接的水泵控制器,所述水泵控制器连接水泵,所述水泵一端通过管路连接水箱,所述水箱上设有水位检测传感器和水温检测传感器,且所述水位检测传感器连接至所述水位监测单元,所述水温检测传感器连接至所述水温监测单元,所述水泵另一端通过管路连接过滤器,所述过滤器通过管路连接离子交换器,所述离子交换器通过管路连接至所述半导体激光器手具模块,所述过滤器上设有滤芯检测传感器,且所述滤芯检测传感器连接至所述滤芯监测单元,所述离子交换器的输出管路上依次安装有水速检测传感器和水质检测传感器,且所述水速检测传感器连接至所述水速监测单元,所述水质检测传感器连接至所述水质监测单元;
所述系统制冷单元包括与所述系统制冷器控制单元连接的制冷控制器,与所述系统风冷散热器控制单元连接的风冷散热器控制器,所述制冷控制器连接有制冷器,所述风冷散热器控制器连接有风冷散热器,且所述制冷器的一端通过管路连接至所述风冷散热器,所述制冷器的另一端通过管路连接至所述水箱,所述风冷散热器还连接至所述半导体激光器手具模块。
7.如权利要求6所述的大功率半导体激光脱毛仪,其特征在于:所述半导体激光器手具模块包括半导体叠阵激光器、手具内湿度传感器、手具内温度传感器、手具工作状态指示单元和手控开关,所述半导体叠阵激光器上设有水流入端、水流出端、电流驱动正极和电流驱动负极,所述水流入端与所述离子交换器连通,所述水流出端与所述风冷散热器连通,所述电流驱动正极与所述电流驱动负极分别连接至所述恒流输出模块,所述半导体叠阵激光器设有光波导窗口,所述光波导窗口上安装有手具光波导窗口温度传感器,所述手具光波导窗口温度传感器连接至所述手具光波导窗口温度监测单元,所述光波导窗口还连接有为其制冷的半导体制冷器,所述半导体制冷器连接至所述手具半导体制冷控制单元;所述手具内湿度传感器连接至所述手具内湿度监测单元,所述手具内温度传感器连接至所述手具内温度监测单元。
8.如权利要求7所述的大功率半导体激光脱毛仪,其特征在于:所述半导体叠阵激光器采用恒流脉冲驱动。
9.如权利要求8所述的大功率半导体激光脱毛仪,其特征在于:所述半导体叠阵激光器的最大工作功率为3000W。
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