CN208796129U - 激光器温度控制系统、激光器控制系统及其管理系统 - Google Patents

Abstract

本实用新型提供了一种激光器温度控制系统、激光器控制系统及其管理系统，该激光器温度控制系统包括MCU微控制器以及与MCU微控制器分别连接的外部温度控制单元和/或内部温度控制单元；内部温度控制单元包括温度控制器和V/I采集模块，温度控制器包括温度转换单元和控制单元；V/I采集模块采集激光器内热敏电阻的电流或电压，其输出端连接至温度转换单元的电流/电压信号输入端，温度转换单元输出端连接控制单元实时温度输入端，MCU微控制器的目标温度输出端连接控制单元的目标温度信号输入端，控制单元连接激光器的半导体制冷器TEC。该激光器温度控制系统结构简单，通过外部温度控制单元和/或内部温度控制单元对激光器进行温度控制。

Description

激光器温度控制系统、激光器控制系统及其管理系统

技术领域

本实用新型涉及激光器领域，具体涉及一种激光器温度控制系统、激光器控制系统及其管理系统。

背景技术

高功率半导体激光器在一些民用领域已开始取代传统的气体激光器和固体激光器。在军事领域，西方发达国家已成功地将此项技术应用于现代武器系统，而我国才刚刚起步。

半导体激光器的应用覆盖了整个光电子领域，已成为当今光电子科学的重要技术，特别是高功率半导体激光器技术已成为军事工业的重要技术基础。半导体激光器是光纤通信、光纤传感等领域中不可或缺的重要器件。一方面，其可以作为直接调制光源，用于主干网以及接入网的信号源；另一方面，半导体激光器常被用作光纤激光器、掺铒光纤放大器等器件的泵浦源，为信号的产生和放大提供能量来源。而伴随着光纤激光器、掺铒光纤放大器等器件的研究不断深入，对泵浦激光器的工作性能也提出了更高的要求。

由于在科研及工业中使用泵浦激光器需要很高的功率稳定度以及波长稳定度，因此，泵浦激光器的温度控制器和电流驱动器价格较为昂贵。当前，泵浦激光器及其驱动电路系统大多是一对一的，且泵浦激光器直接焊接在电路板上，电路的参数相对固定。但由于激光管为易损耗元件，当激光管烧毁时，其控制系统也不得不随之丢弃，而且也可能导致整个系统的崩溃，所以在激光器工作时就需要技术人员照看，既带来了使用的不便，也造成了成本的上升和浪费，还浪费了大量的人力资源。

激光器用于主干网或接入网的信号源时，如果损坏而不及时处理，将会带来非常巨大的不便与经济损失。

实用新型内容

为了克服上述现有技术中存在的缺陷，本实用新型的目的是提供一种激光器温度控制系统、激光器控制系统及其管理系统。

为了实现本实用新型的上述目的，本实用新型提供了一种激光器温度控制系统，包括MCU微控制器以及与所述MCU微控制器分别连接的外部温度控制单元和/或内部温度控制单元；

所述内部温度控制单元包括温度控制器和V/I采集模块，所述温度控制器包括温度转换单元和控制单元；所述V/I采集模块采集激光器内热敏电阻的电流或电压，其输出端连接至所述温度转换单元的电流/电压信号输入端，所述温度转换单元输出端连接所述控制单元实时温度输入端，所述MCU微控制器的目标温度输出端连接所述控制单元的目标温度信号输入端，所述控制单元连接所述激光器的半导体制冷器TEC。

该激光器温度控制系统结构简单，通过外部温度控制单元和/或内部温度控制单元对激光器进行温度控制，内部温度控制单元通过采集激光器的工作电流或电压，并据此得出激光器的内部温度，温度控制器根据该内部温度与目标温度对激光器半导体制冷器TEC进行控制，实现对激光器内部温度的控制。

进一步的，所述外部温度控制单元包括温度传感器、电机和风扇；

所述温度传感器采集激光器外部温度，其输出端连接至所述MCU微控制器的温度信息输入端，所述MCU微控制器连接所述电机，所述电机驱动端连接所述风扇。在从激光器内部温度控制的基础上，再对激光器外部温度进行控制，进一步实现了对激光器温度的控制，且该外部温度控制单元结构简单，易于生产及控制。

进一步的，所述内部温度控制单元还包括温度控制H桥和滤波电路，所述温度控制器输出端连接所述温度控制H桥输入端，所述温度控制H桥输出端连接所述滤波电路输入端，所述滤波电路输出端连接至所述激光器的半导体制冷器TEC。这种电路设计的优点是产生不同方向的电流时，使用单电源供电就可以完成，大大简化了电路的设计，滤波电路可以提高半导体制冷器TEC温度的稳定性，流过半导体制冷器TEC的纹波电流应尽可能的小，在H桥之后加上滤波电路滤除PWM的开关频率以达到稳定半导体制冷器TEC电压的目的。

进一步的，所述温度控制器为ADN8831温度控制芯片。ADN8831温度控制芯片稳定性高，且价格低廉。

进一步的，还包括智能串口屏，所述智能串口屏和MCU微控制器连接。智能串口屏和MCU微控制器之间进行实时交换数据，既可在激光管工作时通过各个器件传回的数据显示温度功率具体信息，同时，也可在更换激光管的同时，弹出修改参数界面，人为的修改参数后，与MCU微控制器交换信息，通过MCU微控制器控制各个模块的温度、最大电流、电流功率输出比等参数，大大提高了产品的灵活性和实用性。

本实用新型还提出了一种激光器控制系统，包括上述的激光器温度控制系统和可调恒流源，所述激光器温度控制系统控制激光器的温度，所述可调恒流源连接所述MCU微控制器且该可调恒流源为所述激光器提供恒定电流。激光器温度控制系统控制激光器的温度，保证激光器的工作在安全温度下，可调恒流源的设置延长了激光器的使用寿命，同时因为可调恒流源电流可调性，使得该激光器控制系统适用于多种激光器的。

进一步的，该激光器控制系统还包括激光器卡座，该激光器卡座上设有与激光器管脚相对应的针脚，所述激光器可拆卸设置于该激光器卡座上。这便于激光器的安装与拆卸，实现不同激光器的更换，从而实现一个激光器温度控制系统控制不同半导体激光器。

进一步的，该激光器控制系统还包括热敏电阻温度采集模块，所述热敏电阻温度采集模块连接所述MCU微控制器。这便于使用者要实时了解激光器内热敏电阻的温度。

本实用新型还提出了一种激光器管理系统，包括远程终端和N个上述的激光器控制系统；每个所述激光器控制系统和远程终端通信连接，相互通信，其中N为正整数。这实现了实时显示每一块激光器的工作参数，出故障时也可以第一时间知道并作出相应的措施，方便管理，减少维护成本。

进一步的，该激光器管理系统还包括报警单元，所述报警单元与所述远程终端连接，在出现故障时可以第一时间提醒工作人员对故障进行及时处理。

本实用新型的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本实用新型的实践了解到。

附图说明

本实用新型的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：

图1是激光器温度控制系统原理框图；

图2是ADN8831温度控制芯片及其外围电路图；

图3和图4是图2中调节网络的电路图；

图5是激光器控制系统中的电压-电流变换电路；

图6是激光器卡座结构示意图；

图7是激光器温度管理系统原理框图。

具体实施方式

下面详细描述本实用新型的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本实用新型，而不能理解为对本实用新型的限制。

在本实用新型的描述中，除非另有规定和限定，需要说明的是，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是机械连接或电连接，也可以是两个元件内部的连通，可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语的具体含义。

如图1所示，本实用新型提供了一种激光器温度控制系统，包括MCU微控制器以及与所述MCU微控制器分别连接且可独立运行的外部温度控制单元和/或内部温度控制单元。

所述内部温度控制单元包括温度控制器和V/I采集模块，所述温度控制器包括温度转换单元和控制单元；

所述V/I采集模块采集激光器的工作电流或电压，其输出端连接至所述温度转换单元的电流/电压信号输入端，所述温度转换单元输出端连接所述控制单元实时温度输入端，所述MCU微控制器的目标温度输出端连接所述控制单元的目标温度信号输入端，所述控制单元连接所述激光器的半导体制冷器TEC。

该实施例中,V/I采集模块采集激光器内热敏电阻的电流或电压,温度转换单元根据电流或电压信号得到热敏电阻的温度值。MCU微控制器向控制单元发送MCU微控制器内设置好的目标温度，控制单元根据热敏电阻的温度以及MCU微控制器发送的目标温度对半导体制冷器TEC进行调整，直至热敏电阻的温度达到目标温度。

本实施例中，温度控制器优选但不限于为ADI公司的ADN8831温度控制芯片,ADN8831温度控制芯片内设置有温度转换单元，MCU微控制器可选用但不限于采用intelFPGA芯片。

作为本实施例的优选方案，该激光器温度控制系统还包括温度控制H桥和滤波电路，所述温度控制器输出端连接所述温度控制H桥输入端，所述温度控制H桥输出端连接所述滤波电路输入端，所述滤波电路输出端连接至所述激光器的半导体制冷器TEC。

ADN8831温度控制芯片内设有差分放大器和补偿放大器，工作时，V/I采集模块采集电流或电压信号后发送至温度转换电路变为热敏电阻的实时温度，其后通过差分放大器将采集温度与目标温度进行比较之后通过补偿放大器进行放大，得到一个差值信号,然后再连接到温度控制H桥进行优化输出电压驱动后，经过滤波电路进入激光器半导体制冷器TEC引脚进行温度控制。

以具体电路为例，如图2所示，温度控制器选用ADN8831温度控制芯片，V/I采集模块采集信号输出端连接ADN8831温度控制芯片的VTEC引脚，ADN8831温度控制芯片的LNGATE引脚接第一NMOS管Q1的栅极，第一NMOS管Q1的源极接地，ADN8831温度控制芯片的LPGATE引脚第一PMOS管Q2的栅极，第一PMOS管Q2的源极接PVDD端口，第一NMOS管Q1和第一PMOS管Q2的漏极均接第二电感L2的一端，第二电感L2另一端接第一电容C1后接地，第二电感L2另一端还连接激光器半导体制冷器TEC的TEC+引脚；

ADN8831温度控制芯片的SNGATE引脚接第二NMOS管Q3的栅极，第二NMOS管Q3的源极接地，ADN8831温度控制芯片的SOGATE引脚第二PMOS管Q4的栅极，第一PMOS管Q2的源极接一电容后接地，第二NMOS管Q3和第二PMOS管Q4的漏极均接第一电感L1的一端，第一电感L1的一端还连接第五电阻R5的一端，第五电阻R5的另一端连接ADN8831温度控制芯片的SW引脚，第一电感L1另一端接另一电容后接地，第一电感L1另一端还连接激光器半导体制冷器TEC的TEC-引脚。

其中，第一NMOS管Q1、第二NMOS管Q3、第一PMOS管Q2、第二PMOS管Q4形成了温度控制H桥，第二电感L2，第一电容C1，第五电阻R5和第一电感L1形成了滤波电路。

这种电路设计的优点是产生不同方向的电流时，使用单电源供电就可以完成，大大简化了电路的设计。因此用ADN8831组成的温控电路只需要单5V供电就能完美的控制半导体制冷器TEC的加热或制冷。滤波电路可以提高激光器半导体制冷器TEC温度的稳定性，流过TEC的纹波电流应尽可能的小，在H桥之后必须加滤波电路滤除PWM的开关频率以达到稳定TEC电压的目的。

ADN8831温度控制芯片的FREQ引脚接第七电阻R7后接地。

ADN8831温度控制芯片中的差分放大器和补偿放大器外接有外围电路，或者又叫作调节网络，如图3和图4所示，该调节网络包括第九电阻R9、第十电阻R10、第十一电阻R11、第十二电阻R12、第十三电阻R13、第十四电阻R14、第十五电阻R15、第十六电阻R16、第四电容C4、第五电容C5和第六电容C6。

MCU微控制器的温度信号输出端连接一DA转换器后连接至ADN8831温度控制芯片的IN2P引脚。第九电阻R9、第十电阻R10的一端连接ADN8831温度控制芯片的VREF引脚，第九电阻R9的另一端连接第十四电阻R14的一端，第十电阻R10另一端接第十五电阻R15的一端，所述第十四电阻R14的另一端和第十五电阻R15的另一端均连接至热敏电阻RT的一端，热敏电阻RT另一端接地，第九电阻R9和第十四电阻R14的连接点处还连接至ADN8831温度控制芯片的IN1P引脚，第十电阻R10和第十五电阻R15的连接点处还连接至第十六电阻R16的第一固定端，第十六电阻R16的滑动端连接ADN8831温度控制芯片的IN1N引脚，第十六电阻R16的另一固定端连接至ADN8831温度控制芯片的OUT1引脚。该电路为V/I采集模块的一种电路结构，IN1N引脚输入的即为热敏电阻RT的电压。当然V/I采集模块也可以有其它的电路结构，这里不一一举例详述。

ADN8831温度控制芯片的OUT1引脚连接第十五电阻R11和第五电容C5的一端，第十一电阻R11的另一端连接第四电容C4的一端，第四电容C4的另一端连接ADN8831温度控制芯片的OUT2引脚；第五电容C5的另一端连接第十二电阻R12的一端，第十二电阻R12的另一端连接第十三电阻R13的一端，第十三电阻R13的另一端连接第六电容C6的一端，第六电容C6的另一端接至ADN8831温度控制芯片的OUT2引脚，第十一电阻R11和第四电容C4的连接点、第十二电阻R12和第十三电阻R13的连接点均连接ADN8831温度控制芯片的IN2N。第十一电阻R11、第四电容C4、第五电容C5、第六电容C6组成了一个手动可调参数网络，实际使用中，可手动调节他们的阻容值来优化电路性能。

监控半导体制冷器TEC电压时：通过测量ADN8831温度控制芯片的引脚30(VTEC引脚)的电压V_VTEC，可以实时监控半导体制冷器TEC两端的电压V_TEC。其中，V_TEC＝V_LFB-V_SFB＝(V_VTEC-0.5×V_REF)×4，其中：V_TEC为半导体制冷器TEC两端的电压，V_LFB为LFB引脚上测得的电压，V_SFB为SFB引脚上测得的电压，V_VTEC为VTEC引脚上测得的电压，V_REF为基准电压。这里V_REF＝2.5V。

另外，测量LFB和SFB引脚之间的电压差也可以得到TEC两端的电压(V_TEC)。通常，LFB引脚连接至TEC的正端，SFB引脚连接至半导体制冷器TEC的负端。半导体制冷器TEC电压的定义是半导体制冷器TEC正端和负端之间的电压差。V_TEC可以为正，也可为负。V_TEC为正时，半导体制冷器TEC处于冷却模式。V_TEC为负时，半导体制冷器TEC处于加热模式。

监控半导体制冷器TEC电流时：通过测量引脚29(ITEC)上的电压V_ITEC，可以实时监控半导体制冷器TEC电流。要根据ITEC引脚电压计算半导体制冷器TEC电流，可以使用以下公式：其中：I_TEC为半导体制冷器TEC电流；定义为通过半导体制冷器TEC正端(TECP)流入并通过半导体制冷器TEC负端(TECN)流出的电流。R_S为电流检测电阻的值，设置为0.02Ω。

调节PWM开关频率时：降低PWM开关频率可以提高系统功效，但需要使用物理尺寸较大的LC滤波器电感和电容，因此本申请中，在H桥之后加入了滤波电路滤除PWM的开关频率以达到稳定TEC电压的目的。对于电信应用，建议的开关频率设置(默认值)为1MHz。然而，对于效率至关重要的应用，可以选择500kHz的时钟频率。设置不同的R7电阻值，可得不同的时钟频率，对应关系如表1所示。

表1

时钟频率F	250KHZ	500KHZ	750KHZ	1MHZ
					FREQ阻值R7	484KΩ	249KΩ	168KΩ	118KΩ

由于不同激光管的工作温度和工作电流都不一定相同，实际工程中可能需要用到多个激光管，这需要设计多个控制系统才能够实现。为此，该控制系统还包括智能串口屏，所述智能串口屏和MCU微控制器连接。

智能串口屏通过UART通信方式连接到MCU微控制器上，与电路进行实时交换数据，既可在激光管工作时通过各个器件传回的数据显示温度功率具体信息，同时，也可在更换激光管的同时，弹出修改参数界面，人为的修改参数后，与MCU微控制器交换信息，通过MCU微控制器控制各个模块的温度、最大电流、电流功率输出比等参数，大大提高了产品的灵活性和实用性。

以上是对激光器的内部温度进行控制，为了使得对激光器的温度控制效果更好，该系统还包括外部温度控制单元，该外部温度控制单元包括温度传感器、电机和风扇。所述温度传感器采集激光器外部温度，其输出端连接至所述MCU微控制器的温度信息输入端，所述MCU微控制器连接所述电机，所述电机驱动端连接所述风扇。MCU微控制器通过温度传感器，可以得知激光器外置区域温度情况，一旦该温度超过MCU微控制器内设置好的温度阈值时，MCU微控制器通过控制电机驱动来使风扇工作，与板载的大型散热片配合进行物理方式降温。

半导体激光器对电流要求严格，如果承受的正向电流超过了其允许的最大电流值，其可能受损伤或立即失效，反复多次后性能逐渐降低。为避免上述问题。本实用新型还提出了一种激光器控制系统，包括上述的激光器温度控制系统和可调恒流源，所述激光器温度控制系统控制激光器的温度，所述可调恒流源连接所述MCU微控制器且该可调恒流源为所述激光器提供恒定电流。

使用者在智能串口屏上输入当前激光器的额定工作参数，MCU微控制器接收到该参数后输出可调恒流源控制指令,MCU微控制器中的D/A模块对该指令进行数模转换后控制可调恒流源给激光器提供恒定电流,使得该激光器工作在额定工作参数下，激光器通过波分复用与光纤连接。据资料，后向泵浦方式产生的宽带放大自发辐射光比较强，故这里采用向后泵浦方式。这里以980激光器为例，从980nm激光器输出的泵浦光经隔离器和WDM后进入光纤，以1550nm为中心波长的宽带通过WDM后向输出。ASE宽带光源有5％的输出作为反馈，光电探测器将反馈信号转化为电信号发送到A/D，再经过采样转换为数字量发送给MCU微控制器处理，反馈信号通过PID算法进行计算得到相应的输出量驱动D/A通过电压—电流变换电路驱动光源，进入下一次循环控制。因为光源是电流驱动的，这里需要将D/A输出的模拟信号转换为电流信号驱动光源工作。下图为电压-电流变换电路示意图：

如图5所示，从D/A输出的电压V经放大器进入三极管，V与V2电势相同，V2与V1电势相同，又因为三极管的基极基本没有电流流入，所以流过激光器LD的电流与流过电阻的电流相等，而电阻两端的电势差为V1，所以流过激光器的电流为：I＝V/R，其中三极管基极连接到电阻是起限流保护的作用，它的阻值越大允许通过的驱动电流上限越小，即允许流过三极管的最大电流越小。一般为了保护光源，允许流入980nm光源的电流限制在170mA左右。这个电阻即为光源硬件保护措施。

功率控制单元：功率控制系统与温度控制系统相似，只不过MCU微控制器的D/A模块驱动恒流源直接控制980nm激光器。图5中V连接的就是MCU微控制器外围的D/A模块。而Laster+与Laster-则是激光器的激光阳极与阴极。Monitor端则是激光器的监测端。通过放大器后进行AD采样。MCU微控制器通过反馈知道激光器的实际工作参数后进行闭环控制。对恒流源输出的参数进行微调，以使激光器的实际工作电流为设定值。

该激光器控制系统还包括热敏电阻温度采集模块和激光器卡座，所述热敏电阻温度采集模块连接所述MCU微控制器，这里热敏电阻温度采集模块可以是数字温度传感器。这便于使用者要实时了解激光器内热敏电阻的温度。该激光器卡座上设有与激光器管脚相对应的针脚，所述激光器可拆卸设置于该激光器卡座上。如图6所示，将激光器放置在激光器卡座上，当激光器的针脚与激光器卡座上针脚对应后，上方的固定阀扣紧，不同激光器的跟换就完成了。在通过智能串口屏输入不同激光器的额定工作参数。就可以实现一套驱动控制不同半导体激光器。

同时，该激光器控制系统还可设置报警器，当热敏电阻温度采集模块所采集的温度值高于MCU微控制器内设置的温度阈值时，MCU微控制器控制报警器发出警报。

该实用新型还提出了一种激光器管理系统，如图7所示，包括远程终端和N个上述的激光器控制系统和远程终端；每个激光器控制系统对应控制一个激光器，每个激光器具有唯一的ID号码，每个所述激光器控制系统和远程终端通信连接，相互通信，其中N为正整数。远程终端和激光器控制系统相互通信，远程终端可以查看所有激光器实时的工作参数，其中包括热敏电阻的温度，由于每个激光器均对应有唯一的ID号码，因此，在显示激光器工作参数时，对应显示有该激光器的ID号码，出故障时也可以第一时间知道具体是哪一个激光器故障，故障类型，并作出相应的措施。

该激光器管理系统还包括报警单元，所述报警单元与所述远程终端连接。所述远程终端内对应设有每个激光器的热敏电阻温度阈值，当所述激光器控制系统采集到的激光器热敏电阻温度高于对应激光器的热敏电阻温度阈值时，远程终端控制报警单元报警，报警内容包括激光器ID号码，以便工作人员能准确知道是哪一个激光器发生了故障。

在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本实用新型的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。

尽管已经示出和描述了本实用新型的实施例，本领域的普通技术人员可以理解：在不脱离本实用新型的原理和宗旨的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本实用新型的范围由权利要求及其等同物限定。

Claims (10)

1.一种激光器温度控制系统，其特征在于，包括MCU微控制器以及与所述MCU微控制器分别连接的外部温度控制单元和/或内部温度控制单元；

所述内部温度控制单元包括温度控制器和V/I采集模块，所述温度控制器包括温度转换单元和控制单元；

所述V/I采集模块采集激光器内热敏电阻的电流或电压，其输出端连接至所述温度转换单元的电流/电压信号输入端，所述温度转换单元输出端连接所述控制单元实时温度输入端，所述MCU微控制器的目标温度输出端连接所述控制单元的目标温度信号输入端，所述控制单元连接所述激光器的半导体制冷器TEC。

2.根据权利要求1所述的激光器温度控制系统，其特征在于，所述外部温度控制单元包括温度传感器、电机和风扇；

所述温度传感器采集激光器外部温度，其输出端连接至所述MCU微控制器的温度信息输入端，所述MCU微控制器连接所述电机，所述电机驱动端连接所述风扇。

3.根据权利要求1所述的激光器温度控制系统，其特征在于，所述内部温度控制单元包括还包括温度控制H桥和滤波电路，所述温度控制器输出端连接所述温度控制H桥输入端，所述温度控制H桥输出端连接所述滤波电路输入端，所述滤波电路输出端连接至所述激光器的半导体制冷器TEC。

4.根据权利要求1所述的激光器温度控制系统，其特征在于，所述温度控制器为ADN8831温度控制芯片。

5.根据权利要求1所述的激光器温度控制系统，其特征在于，还包括智能串口屏，所述智能串口屏和MCU微控制器连接。

6.一种激光器控制系统，其特征在于，包括权利要求1-5任一项所述的激光器温度控制系统和可调恒流源，所述激光器温度控制系统控制激光器的温度，所述可调恒流源连接所述MCU微控制器且该可调恒流源为所述激光器提供恒定电流。

7.根据权利要求6所述的激光器控制系统，其特征在于，还包括激光器卡座，该激光器卡座上设有与激光器管脚相对应的针脚，所述激光器可拆卸设置于该激光器卡座上。

8.根据权利要求6所述的激光器控制系统，其特征在于，还包括热敏电阻温度采集模块，所述热敏电阻温度采集模块连接所述MCU微控制器。

9.一种激光器管理系统，其特征在于，包括远程终端和N个权利要求6-8任一所述的激光器控制系统；每个所述激光器控制系统和远程终端通信连接，相互通信，其中N为正整数。

10.根据权利要求9所述的激光器管理系统，其特征在于，还包括报警单元，所述报警单元与所述远程终端连接。