CN103839768A - 减少正硅酸乙酯炉体中颗粒杂质的方法 - Google Patents
减少正硅酸乙酯炉体中颗粒杂质的方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN103839768A CN103839768A CN201210470921.5A CN201210470921A CN103839768A CN 103839768 A CN103839768 A CN 103839768A CN 201210470921 A CN201210470921 A CN 201210470921A CN 103839768 A CN103839768 A CN 103839768A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- carry out
- boiler tube
- wafer
- rise
- brilliant boat
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
- H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
- H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
- H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67276—Production flow monitoring, e.g. for increasing throughput
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Automation & Control Theory (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
一种减少正硅酸乙酯炉体中颗粒杂质的方法,在晶舟下降到装载区内之后,若正硅酸乙酯炉处于空闲状态,且空闲状态持续了一段时间后,则将晶舟升入炉管,直到下次沉积工序开始之前,晶舟一直呆在炉管内。本发明减少了正硅酸乙酯炉体中的颗粒杂质,延长了炉体的正常运行时间,降低了产品不合格率。
Description
技术领域
本发明涉及半导体制造技术领域,尤其涉及一种减少正硅酸乙酯炉体中颗粒杂质的方法。
背景技术
在半导体制造工艺中,会使用正硅酸乙酯炉来完成对晶圆的沉积工序,如图1所示,TEOS正硅酸乙酯气体Si(OC2H5)4和氮气N2通过管路供给到炉管,晶舟在装载区载入若干晶圆,如图2所示,将装载了晶圆的晶舟升入炉管内,TEOS管路供应TEOS气体,开始对晶圆进行沉积工序。沉积工序结束后,TEOS管路停止供应,氮气管路开始供应氮气,对晶圆和晶舟进行清洗,去除晶圆表面和晶舟上残留的TEOS气体。如图1所示,然后晶舟下降到装载区内,等待晶圆冷却,并卸下晶圆。如果暂时没有晶圆要进行沉积工序,则正硅酸乙酯炉处于空闲状态,在这段空闲时间内,晶舟一直呆在装载区内,由于装载区内充满水汽,而晶舟上附着有氮气清洗过程中残留的TEOS气体,则水汽和TEOS气体会发生化学反应,Si(OC2H5)4+2H2O →SiO2+4C2H5OH,生成的乙醇气体C2H5OH会形成较大的分子来作为颗粒核心,从而形成杂质。随着空闲时间的增加,正硅酸乙酯炉体中生成的颗粒杂质会越来越多,这些杂质会影响后续晶片的沉积工序,增加产品的不合格率。
发明内容
本发明提供一种减少正硅酸乙酯炉体中颗粒杂质的方法,减少了正硅酸乙酯炉体中的颗粒杂质,延长了炉体的正常运行时间,降低了产品不合格率。
为了达到上述目的,本发明提供一种减少正硅酸乙酯炉体中颗粒杂质的方法,其特征在于,该方法在晶舟下降到装载区内之后开始执行,该方法包含以下步骤:
步骤1、判断是否还要装载晶圆升入炉管进行沉积工序,若是,则按照正常工序装载晶圆升入炉管,进行后续操作,若否,则正硅酸乙酯炉处于空闲状态,进行步骤2;
步骤2、判断空闲时间是否大于3小时,若是,则进行步骤3,若否,则继续等待;
步骤3、晶舟升入炉管;
步骤4、判断是否有晶圆需要升入炉管进行沉积工序,若是,则晶舟下降到装载区内,装载晶圆后,按照正常工序装载晶圆升入炉管,进行后续操作,若否,则晶舟继续呆在炉管内。
本发明减少了正硅酸乙酯炉体中的颗粒杂质,延长了炉体的正常运行时间,降低了产品不合格率。
附图说明
图1是晶舟下降到装载区内的结构示意图;
图2是晶舟升入炉管内的结构示意图。
具体实施方式
以下详细说明本发明的较佳实施例。
本发明提供一种减少正硅酸乙酯炉体中颗粒杂质的方法,该方法在晶舟下降到装载区内之后开始执行,该方法包含以下步骤:
步骤1、判断是否还要装载晶圆升入炉管进行沉积工序,若是,则按照正常工序装载晶圆升入炉管,进行后续操作,若否,则正硅酸乙酯炉处于空闲状态,进行步骤2;
步骤2、判断空闲时间是否大于3小时,若是,则进行步骤3,若否,则继续等待;
步骤3、晶舟升入炉管;
步骤4、判断是否有晶圆需要升入炉管进行沉积工序,若是,则晶舟下降到装载区内,装载晶圆后,按照正常工序装载晶圆升入炉管,进行后续操作,若否,则晶舟继续呆在炉管内。
本发明大大减少了空闲时间内晶舟呆在装载区内的时间,也就减少了晶舟与水汽接触的时间,从而减少了水汽和TEOS气体发生化学反应产生的颗粒杂质,延长了炉体的正常运行时间,降低了产品不合格率。
尽管本发明的内容已经通过上述优选实施例作了详细介绍,但应当认识到上述的描述不应被认为是对本发明的限制。在本领域技术人员阅读了上述内容后,对于本发明的多种修改和替代都将是显而易见的。因此,本发明的保护范围应由所附的权利要求来限定。
Claims (1)
1.一种减少正硅酸乙酯炉体中颗粒杂质的方法,其特征在于,该方法在晶舟下降到装载区内之后开始执行,该方法包含以下步骤:
步骤1、判断是否还要装载晶圆升入炉管进行沉积工序,若是,则按照正常工序装载晶圆升入炉管,进行后续操作,若否,则正硅酸乙酯炉处于空闲状态,进行步骤2;
步骤2、判断空闲时间是否大于3小时,若是,则进行步骤3,若否,则继续等待;
步骤3、晶舟升入炉管;
步骤4、判断是否有晶圆需要升入炉管进行沉积工序,若是,则晶舟下降到装载区内,装载晶圆后,按照正常工序装载晶圆升入炉管,进行后续操作,若否,则晶舟继续呆在炉管内。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201210470921.5A CN103839768B (zh) | 2012-11-20 | 2012-11-20 | 减少正硅酸乙酯炉体中颗粒杂质的方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201210470921.5A CN103839768B (zh) | 2012-11-20 | 2012-11-20 | 减少正硅酸乙酯炉体中颗粒杂质的方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN103839768A true CN103839768A (zh) | 2014-06-04 |
CN103839768B CN103839768B (zh) | 2016-09-07 |
Family
ID=50803161
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201210470921.5A Active CN103839768B (zh) | 2012-11-20 | 2012-11-20 | 减少正硅酸乙酯炉体中颗粒杂质的方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN103839768B (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111370284A (zh) * | 2020-03-13 | 2020-07-03 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 半导体热处理设备的清扫方法 |
Citations (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1632164A (zh) * | 2003-12-24 | 2005-06-29 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 低压化学气相沉积设备中减少微粒的方法 |
CN1657649A (zh) * | 2004-02-19 | 2005-08-24 | 联华电子股份有限公司 | 更换炉管内气体注入管的辅助装置 |
US20060042544A1 (en) * | 2004-08-25 | 2006-03-02 | Kazuhide Hasebe | Film formation apparatus and method of using the same |
US20060134811A1 (en) * | 2004-12-22 | 2006-06-22 | Daisuke Suzuki | Semiconductor processing apparatus and method |
JP2008041915A (ja) * | 2006-08-04 | 2008-02-21 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理装置及び熱処理方法 |
US20080139001A1 (en) * | 2006-11-30 | 2008-06-12 | Masahisa Watanabe | Method for processing polysilazane film |
CN201162044Y (zh) * | 2007-10-25 | 2008-12-10 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 进气装置及低压化学气相沉积设备 |
CN101457350A (zh) * | 2007-12-13 | 2009-06-17 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 进气装置、低压化学气相沉积设备及化学气相沉积方法 |
CN201522194U (zh) * | 2009-10-30 | 2010-07-07 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 具有内外压力平衡功能的垂直式加热炉 |
CN101826445A (zh) * | 2009-03-02 | 2010-09-08 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 净化管路及炉管杂质的装置和方法 |
CN201620191U (zh) * | 2009-10-23 | 2010-11-03 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 沉积高温氧化物的低压化学沉积设备 |
CN201689872U (zh) * | 2009-10-30 | 2010-12-29 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种具有气体检测装置的加热炉 |
CN102051601A (zh) * | 2009-10-29 | 2011-05-11 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 薄膜沉积方法 |
-
2012
- 2012-11-20 CN CN201210470921.5A patent/CN103839768B/zh active Active
Patent Citations (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1632164A (zh) * | 2003-12-24 | 2005-06-29 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 低压化学气相沉积设备中减少微粒的方法 |
CN1657649A (zh) * | 2004-02-19 | 2005-08-24 | 联华电子股份有限公司 | 更换炉管内气体注入管的辅助装置 |
US20060042544A1 (en) * | 2004-08-25 | 2006-03-02 | Kazuhide Hasebe | Film formation apparatus and method of using the same |
US20060134811A1 (en) * | 2004-12-22 | 2006-06-22 | Daisuke Suzuki | Semiconductor processing apparatus and method |
JP2008041915A (ja) * | 2006-08-04 | 2008-02-21 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理装置及び熱処理方法 |
US20080139001A1 (en) * | 2006-11-30 | 2008-06-12 | Masahisa Watanabe | Method for processing polysilazane film |
CN201162044Y (zh) * | 2007-10-25 | 2008-12-10 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 进气装置及低压化学气相沉积设备 |
CN101457350A (zh) * | 2007-12-13 | 2009-06-17 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 进气装置、低压化学气相沉积设备及化学气相沉积方法 |
CN101826445A (zh) * | 2009-03-02 | 2010-09-08 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 净化管路及炉管杂质的装置和方法 |
CN201620191U (zh) * | 2009-10-23 | 2010-11-03 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 沉积高温氧化物的低压化学沉积设备 |
CN102051601A (zh) * | 2009-10-29 | 2011-05-11 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 薄膜沉积方法 |
CN201522194U (zh) * | 2009-10-30 | 2010-07-07 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 具有内外压力平衡功能的垂直式加热炉 |
CN201689872U (zh) * | 2009-10-30 | 2010-12-29 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种具有气体检测装置的加热炉 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111370284A (zh) * | 2020-03-13 | 2020-07-03 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 半导体热处理设备的清扫方法 |
CN111370284B (zh) * | 2020-03-13 | 2022-12-09 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 半导体热处理设备的清扫方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN103839768B (zh) | 2016-09-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI688008B (zh) | 退火系統及方法 | |
JP4939864B2 (ja) | ガス供給装置、ガス供給方法、薄膜形成装置の洗浄方法、薄膜形成方法及び薄膜形成装置 | |
CN103372559B (zh) | 炉管清洗方法 | |
CN201238043Y (zh) | 控片和挡片 | |
KR20140109285A (ko) | 클리닝 방법, 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치 및 기록 매체 | |
KR20150016102A (ko) | 실리콘막의 형성 방법 및 형성 장치 | |
CN103337506A (zh) | 一种ccd器件用硅外延片制备工艺 | |
CN109244010A (zh) | 一种高温热氧化机台结构 | |
CN101612622B (zh) | 用于减少腔室颗粒沉积的方法、系统及半导体处理设备 | |
CN103839768A (zh) | 减少正硅酸乙酯炉体中颗粒杂质的方法 | |
CN101826445A (zh) | 净化管路及炉管杂质的装置和方法 | |
CN103643220B (zh) | 一种减少低压炉管内杂质颗粒的方法 | |
CN106653939A (zh) | 一种应用于晶硅太阳能电池的热氧化工艺 | |
CN103715300A (zh) | 一种扩散后低方阻硅片返工的方法 | |
CN212533120U (zh) | 一种叠层薄膜的生产装置 | |
CN101165225A (zh) | 一种ic片外延的工艺方法 | |
CN102645102B (zh) | 冷却系统及具该系统的热退火炉管和冷却方法 | |
JP5697554B2 (ja) | シリコン基板のエッチング方法および太陽電池の発電素子 | |
CN103531440A (zh) | 一种晶圆背面的表面修复方法 | |
US20130061871A1 (en) | Plasma purging an idle chamber to reduce particles | |
TW200737309A (en) | Fabrication method of semiconductor device and substrate processing device | |
CN103794534B (zh) | 一种降低首片硅片铜小丘缺陷的方法 | |
CN101206993A (zh) | Bd控挡片的回收利用方法 | |
JP2012117089A (ja) | 薄膜製造装置および薄膜太陽電池の製造方法 | |
JP4342559B2 (ja) | 基板処理装置及び半導体装置の形成方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant |