CN103834933A - 用激光器制备α_SiO膜的激光光致化学气相反应装置 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种用激光器制备α_SiO膜的激光光致化学气相反应装置，其特征在于：包括有反应炉，在所述的反应炉内设有石英管，在所述石英管一端上设有能让激光束透过的窗口，在所述石英管设有窗口一端上设有第一进气口和第二进气口，在所述石英管另一端上设有真空泵连接管，在所述石英管内设有基片架。本发明的目的是为了克服现有技术中的不足之处，提供一种结构简单，生产成本低，用激光器制备α_SiO膜的激光光致化学气相反应装置。
Description
技术领域
本发明涉及一种用激光器制备α_SiO膜的激光光致化学气相反应装置。
背景技术
现有的用激光器制备α_SiO膜的激光光致化学气相反应装置其结构相对比较复杂，生产成本高。故有必要提供一种结构简单，投入成本低的用激光器制备α_SiO膜的激光光致化学气相反应装置，以满足需求。
发明内容
本发明的目的是为了克服现有技术中的不足之处，提供一种结构简单，生产成本低，用激光器制备α_SiO膜的激光光致化学气相反应装置。
为了达到上述目的，本发明采用以下方案：
一种用激光器制备α_SiO膜的激光光致化学气相反应装置，其特征在于：包括有反应炉，在所述的反应炉内设有石英管，在所述石英管一端上设有能让激光束透过的窗口，在所述石英管设有窗口一端上设有第一进气口和第二进气口，在所述石英管另一端上设有真空泵连接管，在所述石英管内设有基片架。
如上所述的用激光器制备α_SiO膜的激光光致化学气相反应装 置，其特征在于所述基片架平衡与所述石英管轴向方向设置，所述基片架与石英管内壁的最短距离为5-10mm。
如上所述的用激光器制备α_SiO膜的激光光致化学气相反应装置，其特征在于在所述反应炉上设有加热机构。
如上所述的用激光器制备α_SiO膜的激光光致化学气相反应装置，其特征在于所述的加热机构为缠绕在反应炉外壁上的加热丝。
综上所述，本发明相对于现有技术其有益效果是：
本发明产品结构简单，生产成本相对较低。
具体实施方式
下面结合具体实施方式对本发明作进一步描述：
本发明一种用激光器制备α_SiO膜的激光光致化学气相反应装置，包括有反应炉，在所述的反应炉内设有石英管，在所述石英管一端上设有能让激光束透过的窗口，在所述石英管设有窗口的一端上设有第一进气口和第二进气口，在所述石英管另一端上设有真空泵连接管，在所述石英管内设有基片架。
本发明中所述基片架平衡与所述石英管轴向方向设置，所述基片架与石英管内壁的最短距离为5-10mm。其中在所述反应炉上设有加热机构。所述的加热机构可为缠绕在反应炉外壁上的加热丝。所述的加热机构还可以为其它加热方式。
本装置使用ArF激光器在低压下、热壁反应炉中，将NH3和硅烷光致分解得到SiN。
激光束沿石英管水平方向射入并通过位于基片上方5-10mm处。 石英管连续抽真空并用He连续净化以防止汞油倒流，当激光进入石英管中沉积便开始进行。NH3和硅烷比为5：1，总气压为33Pa，沉积温度为225～625℃。通过改变NH3/SiH4比、沉积温度或气体，可以SiN的组分。
以上显示和描述了本发明的基本原理和主要特征以及本发明的优点。本行业的技术人员应该了解，本发明不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理，在不脱离本发明精神和范围的前提下，本发明还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。
Claims (4)
1.一种用激光器制备α_SiO膜的激光光致化学气相反应装置，其特征在于：包括有反应炉，在所述的反应炉内设有石英管，在所述石英管一端上设有能让激光束透过的窗口，在所述石英管设有窗口的一端上设有第一进气口和第二进气口，在所述石英管另一端上设有真空泵连接管，在所述石英管内设有基片架。
2.根据权利要求1所述的用激光器制备α_SiO膜的激光光致化学气相反应装置，其特征在于所述基片架平衡与所述石英管轴向方向设置，所述基片架与石英管内壁的最短距离为5-10mm。
3.根据权利要求1所述的用激光器制备α_SiO膜的激光光致化学气相反应装置，其特征在于在所述反应炉上设有加热机构。
4.根据权利要求1所述的用激光器制备α_SiO膜的激光光致化学气相反应装置，其特征在于所述的加热机构为缠绕在反应炉外壁上的加热丝。
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|---|---|---|---|---|
| JPH0250966A (ja) * | 1988-08-10 | 1990-02-20 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
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Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPH0250966A (ja) * | 1988-08-10 | 1990-02-20 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
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