CN103824890A - 一种晶硅电池双层钝化减反结构 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及晶硅太阳能电池钝化减反技术领域，特别涉及一种晶硅电池双层膜钝化减反结构。该晶硅电池双层钝化减反结构，其特征是：晶硅电池片表面镀有两层氮化硅薄膜，晶硅电池上方的下层氮化硅薄膜及下层氮化硅薄膜上方的上层氮化硅薄膜，所述下层氮化硅薄膜的厚度为d2，折射率为n2，上层氮化硅薄膜的厚度d1，折射率为n1，且d1>d2，n1<n2；由于下层氮化硅膜的折射率较大，由于自身的消光系数大，会吸收一部分的短波，同时由于双层氮化硅膜在结构上的光学匹配性优于单层氮化硅膜，从而减少了短波段的反射，沿着光入射的方向，氮化硅膜的折射率增加，膜中的Si-H键的密度呈上升趋势，折射率越大，钝化效果越好，从而实现了双层膜减反、钝化双重效果的结合。
Description
技术领域
本发明涉及晶硅太阳能电池钝化减反技术领域，特别涉及一种晶硅电池双层膜钝化减反结构。
背景技术
目前市场上的晶硅太阳能电池普遍采用的是在晶硅电池片上镀减反射膜的方法来减少电池对入射光的反射、钝化电池表面来提高电池的效率、寿命等，但是单层膜的减反效果及钝化效果不是十分理想，入射光损失仍然很大。
发明内容
本发明针对上述问题，提供了一种具有优良的超宽带减反射作用和增强钝化效果的晶硅电池双层钝化减反结构。
本发明是通过如下技术方案实现的：
一种晶硅电池双层钝化减反结构，其特征是：晶硅电池片表面镀有两层氮化硅薄膜，晶硅电池上方的下层氮化硅薄膜及下层氮化硅薄膜上方的上层氮化硅薄膜，所述下层氮化硅薄膜的厚度为d2，折射率为n2，上层氮化硅薄膜的厚度d1，折射率为n1，且d1>d2，n1<n2。
所述n1、n2、d2的关系为n1 2=n0n2，其中n0为空气的折射率，n1d1=λ0/4，λ0为入射光波长。
该发明提供的晶硅电池双层钝化减反结构，由于下层氮化硅膜的折射率n2较大，其自身的消光系数也大，会吸收一部分的短波，同时双层氮化硅膜在结构上的光学匹配性优于单层氮化硅膜，从而减少了短波段的反射。
本发明的有益效果是：沿着光入射的方向，氮化硅膜的折射率增加，膜中的Si-H键的密度呈上升趋势，而Si-H键的含量能够直接反应氮化硅膜的钝化效果，因此氮化硅膜的钝化效果和折射率有很大关系，并且折射率越大，钝化效果越好，从而实现了双层膜减反、钝化双重效果的结合。
附图说明
下面结合附图对本发明作进一步的说明。
附图1为现有的单层钝化减反结构的示意图
附图2为本发明所能提供的双层钝化减反结构的示意图；
附图3为本发明所能提供的双层钝化减反结构的工作原理示意图；
图中，1晶硅电池片，2下层氮化硅薄膜，3上层氮化硅薄膜。
具体实施方式
附图为本发明的一种具体实施例。该晶硅电池双层钝化减反结构，其特征是：晶硅电池片1表面镀有两层氮化硅薄膜，晶硅电池片1上方的下层氮化硅薄膜2及下层氮化硅薄膜2上方的上层氮化硅薄膜3，所述下层氮化硅薄膜3的厚度为d2，折射率为n2，上层氮化硅薄膜3的厚度d1，折射率为n1，且d1>d2，n1<n2；所述n1、n2、d2的关系为n1 2=n0n2，其中n0为空气的折射率，n1d1=λ0/4，λ0为入射光波长。由于下层氮化硅薄膜2的折射率较大，且自身的消光系数大，会吸收一部分的短波，同时由于双层氮化硅膜在结构上的光学匹配性优于单层氮化硅膜，从而减少了短波段的反射，随着下层氮化硅膜2的折射率n2的增加，膜中的Si-H键的密度呈上升趋势，而Si-H键的含量能够直接反应氮化硅膜的钝化效果，因此氮化硅膜的钝化效果和折射率有很大关系，并且折射率越大，钝化效果越好，从而实现了双层膜减反、钝化双重效果的结合。
Claims (2)
1.一种晶硅电池双层膜钝化减反结构，其特征是：晶硅电池片(1)表面镀有两层氮化硅薄膜，晶硅电池片(1)上方的下层氮化硅薄膜(2)及下层氮化硅薄膜(2)上方的上层氮化硅薄膜(3)，所述下层氮化硅薄膜(2)的厚度为d2，折射率为n2，上层氮化硅薄膜(3)的厚度d1，折射率为n1，且d1>d2，n1<n2。
2.根据权利要求1所述的一种晶硅电池双层膜钝化减反结构，其特征是：所述n1、n2、d2的关系为n1 2=n0n2，其中n0为空气的折射率，n1d1=λ0/4，λ0为入射光波长。
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