CN103817421B - 用于等离子切割工件的方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种用于等离子切割工件的方法。本发明的目的是提供在等离子切割中可以实现改善的切割表面的可行性，其不需要任何再加工或者至少仅减少再加工。在根据本发明的方法中，使用了至少具有一个割炬主体、电极和喷嘴的等离子切割炬，并且至少在等离子体射流沿工件边缘行进之前，等离子体射流相对于垂直于所述工件表面定位的轴线倾斜或偏转角度δ，使得所述等离子体射流从工件的射出位置被布置成在进给运动方向上具有间距，所述间距最大是所述等离子体射流垂直入射到工件表面的情况下的间距的一半。

Description

用于等离子切割工件的方法
技术领域
本发明涉及一种用于等离子切割工件的方法。
背景技术
等离子体是由阳离子和阴离子、电子、以及激发的和中性的原子和分子组成的高温加热的导电性气体。
各种气体(例如单原子氩气和/或双原子气体氢气、氮气、氧气或空气)被用作等离子气体。这些气体通过等离子体电弧的能量离子化并且分裂。
等离子体射流的参数可以极大地受到喷嘴和电极的设计的影响。等离子体射流的这些参数例如为射流直径、温度、能量密度和气体的流速。
在等离子切割中，等离子体通常受到喷嘴的限制，该喷嘴可以是气冷的或者水冷的。为了该目的，喷嘴具有等离子体射流流经的喷嘴孔。由此可以实现能量密度达到2x106W/cm2。在等离子体射流中的温度升高达到30,000℃，这结合气体的高流速可以在所有的导电材料中具有非常高的切割速度。
目前，等离子切割是一种用于切割导电材料的已知方法，其中根据切割工作使用不同的气体和气体混合物。
在图1中示出了用于等离子切割的常规布置。在该方面，电力切割电流从电流源1通过等离子切割炬的电极2.1流至等离子切割炬2，等离子体射流3通过喷嘴2.2和喷嘴孔2.2.1被限制到工件4，随后返回至电流源1。
等离子切割炬2主要包括等离子炬头和炬主体，且该等离子炬头具有包括电极2.1和气体供给源2.3的喷嘴2.2的射流产生系统，而炬主体实现介质(气体、冷却水和电流)的供给和容纳射流产生系统。此外，二次气体帽2.4可以被附接到等离子切割炬2的喷嘴2.2的周围以用于供给二次介质(例如，气体)。等离子切割炬2的电极2.1是不熔化且主要包括高温材料(诸如，钨、锆或铪)的电极2.1，由此电极2.1具有非常长的使用寿命。电极2.1通常包括具有相互连接的部分的两个部件，即电极支架2.1.1和耐热发射插入件2.1.2，电极支架2.1.1由具有良好导电性和导热性的材料(例如，铜、银、其合金)制成，耐热发射插入件2.1.2具有小的电子发射功(铪、锆、钨)。喷嘴2.2通常包括铜且该喷嘴限制等离子体射流3。用于等离子气体的气体引导件可以布置在电极2.1和喷嘴2.2之间且该气体引导件将等离子气体设置成旋转。等离子切割炬2的位置也称为等离子炬端，从该位置，等离子体射流3从喷嘴2.2或二次气体帽2.4射出。
对于切割方法，例如，通过高压点火装置1.3产生的高电压，首先点燃维弧，该维弧利用较小的电流(例如，10A至30A)由此利用电极2.1和喷嘴2.2之间的较小功率燃烧。维弧的电流受电阻1.2的限制。该低能量的维弧通过局部离子化为切割弧准备了在等离子切割炬2和工件4之间的路径。如果维弧接触工件4，通过电阻1.2所产生的在喷嘴2.2和工件4之间的电势差形成切割弧。所述切割弧随后用通常较大的电流(例如，20A至900A)燃烧，因此，在电极2.1和工件4之间还具有较佳的性能。开关触点1.4被打开并且喷嘴2.2从电流源1.1切换成不受电势影响。该操作模式也称为直流操作模式。在该方面，工件4受到等离子体射流3的热效应、动力效应和电效应。该方法因此是非常有效的，且对于很大厚度(例如，180mm)的金属，在600A的切割电流下，可以采用0.2m/min的切割速度切割。
为了该目的，通过引导系统相对于工件或其表面移动等离子切割炬2。例如，其可以是机器人或CNC控制引导机。引导系统(未示出)的控制与根据图1的布置通信。在最简单的情况下，其开始和结束等离子切割炬2的操作。然而，根据现有技术，可以交换多个信号和信息(例如，操作状态和数据)。
在等离子切割中可以实现高的切割质量。例如，用于高的切割质量的规范是根据DIN ISO 9013的用于矩形度和倾斜度的小公差。当观察理想的切割参数(尤其包括电动切割电流、切割速度、在等离子切割炬和工件之间的间距、和气体压力)时，可以实现光滑的切割表面和无毛刺的边缘。
而且，对于切割质量，重要的是，对于在等离子切割炬2相对于工件的任何运动方向上不同的切割边缘处的矩形度和倾斜度，电极2.1(尤其是其发射插入件2.1.2)和喷嘴2.2(尤其是其喷嘴孔2.2.1)位于共轴上，以获得相同的或者仅略微不同的公差。
在等离子切割中，根据DIN ISO 9013的用于类2-4的矩形度和倾斜度的公差是现有技术。这对应于达3°的角度。
图2示意性地示出从工件4的上方观看的用于切割工件4的轮廓的等离子切割炬2的轮廓引导。在此处，矩形将被切割。在该方面，部分(section)A是切割的开始。在此使用等离子体射流3在工件4中形成切口。在穿透之后，在部分B的等离子体射流3的进给中需考虑由箭头标记的进给运动方向，随后是待切割的拐角的部分C。为了该目的，引导系统必须在部分C中将运动停止且随后在部分D的方向上再次加速进行进一步运动。其通常不是行进的“急转的”拐角，而是具有较小的直径(例如，1mm)的拐角，使得，在直线部分D被再次切割之前，等离子切割炬2不必如在急转的拐角中的在进给运动方向上的骤然变化而停止。因此，进给运动方向可以连续地且“柔和地”变化。此处有利的是，在切割工件4的部分C的拐角区域中呈现略微的倒圆角。当等离子切割炬2如在部分E的拐角的区域中被引导时，获得急转边缘的拐角。如图2所示，等离子切割炬2在此处离开待切割的工件4的轮廓且被引导经过“废弃部分”以便随后利用其进给运动再次返回到待切割的工件4的轮廓。这也称为“行进的拐角”。因此，等离子切割炬2的进给速度在沿着待切割的工件4的待切割轮廓的进给运动上可以保持不变，且不必由于进给运动方向的所需变化而改变。在该方面，较大的材料浪费是不利的，其在待切割的工件4被布置成靠近彼此时，这尤其令人讨厌。在部分F中的直线切割、部分G中的拐角切割和部分H中的直线切割之后，等离子切割炬2首先在通过平接缝所产生的工件边缘4.4上行进，随后在部分B的平接缝上行进。该区域在此处用1标记。切割过程随后结束于部分J。当沿工件边缘4.4和随后的平接缝行进时，形成区域Z(图3)，其从部分H的另一切割表面处伸出。切割工件4的质量由此大幅下降且该位置必须(例如，通过研磨)重新加工。
图3示意性地示出根据图2的从上方观看的视图中出现的切割工件4的轮廓。从剩余的切割表面4.2处突伸的区域用Z标记。
图4示出以与图2和图3中类似的方式切割的切割工件4的透视图。仅部分E中的拐角与部分C和部分G的拐角不同地被切割。此处在移动经过工件边缘4.4时上也出现突伸区域Z。
图5示例性地示出为了切除或修整工件4所产生的直线部分的透视图。此处的工件边缘4.4不是如在轮廓切割中通过平接缝形成，而是通过工件4的端部形成。此处在移动经过工件边缘4.4时也出现突伸区域Z。
图6示出等离子切割炬2如何在距离工件4的间距d处定位且如何被引导。通常，等离子切割炬2被垂直于(α＝90°)工件表面定位，以便实现尽可能垂直的切割表面。
还存在倾斜等离子切割炬的装置，以便直接产生倾斜切割表面。这些切割称为倾斜切割，且例如在切割之后需要焊接钣金件。此处在切割边缘产生不同的角度(10°至60°)和形状(V形、K形、Y形)。为了该目的，等离子切割炬2在垂直于其进给运动方向10的方向上被倾斜成所需的角度。
等离子切割炬2通常应该以尽可能高的进给速度被引导，使得等离子体射流3通过工件4逆着等离子切割炬2的进给运动方向10偏转。
等离子体射流3"滞后"。这产生高的生产率且成本由此降低。略微滞后的等离子体射流3还减少了在工件4的下侧处的毛刺形成。
如果进给速度在此处选定成使得等离子体射流3几乎以垂直或基本垂直的方式穿过工件4，在工件4的下侧处经常形成毛刺。该毛刺通常需要很大的努力才能去除，该毛刺牢固地附着。而对于高合金刚，以及低合金钢和非合金钢，尤其容易出现毛刺。对于高合金刚，以及低合金钢和非合金钢，通常稍容易去除毛刺。
在图7中，示出沟槽4.3，其出现在切割表面4.2的切口上且由于等离子体射流3的偏转而滞后。根据DIN ISO 9013，在切割方向上切割沟槽的两个点的最大间距被称为沟槽滞后n。
图8.1至8.3示出由具有10mm的厚度4.3的钢制成的工件4的图像。图8.1是从工件4的上方观看的视图以及图8.2示出部分H和区域Z的局部视图，区域Z突伸且沿工件边缘4.4行进所产生。还可以容易地看出切割表面4.2的沟槽和沟槽滞后n＝4mm。图8.3的透视图再次示出突伸区域Z的问题。
当沿工件边缘4.4(例如，平接缝的切割边缘或者工件4的端部)行进时，形成区域Z，其相对于其余的切割表面4.2突伸。等离子体射流3在工件4上的阳极起始点可以说是“掠过”工件边缘4.4前方的最后一个轮廓。在最坏的情况下，剩余部分甚至保留且工件4仅被不完全地切割。
已经尝试通过减小切割速度来减小该影响。然而，这没有产生所需的结果。如果进给速度太慢，过多的材料被去除。在该方面，等离子体射流3可以“去除”，这是因为其在工件4中的起始点被去除或者切割边缘可以洗掉。
在工件边缘处产生理想的切割端部的进给速度减小量不能通过试验来确定。从切割表面伸出的最后一个区域被去除或者大量的材料被去除。
发明内容
因此，本发明的目的是提供在等离子切割中可以实现改善的切割表面的可行性，其不需要任何再加工或者至少仅减少再加工。
通过根据本发明的第一方面的方法实现根据本发明的目的。使用附加方面的特征可以实现有利的实施方式和进一步的发展。
等离子体射流通过在其进给运动方向的方向上倾斜或偏转解决了该问题。
使用了至少具有一个割炬主体、电极和喷嘴的等离子切割炬。等离子体射流至少在行进经过工件边缘之前，相对于垂直于工件表面定位的轴线被倾斜或偏转角度δ，使得所述等离子体射流从工件的射出位置被布置成在进给运动方向上具有间距，所述间距至多是所述等离子体射流垂直入射到工件表面上的情况下的间距的一半。
然而，在进给运动方向上从工件的射出位置至少也可以位于布置有等离子体射流在工件表面上的入射位置的轴线上。尤其优选布置在其进给方向的轴线的上游。在该方面，可以观测到，通过等离子体射流的倾斜或偏转，等离子体射流在工件表面上的入射位置是否相对于直接垂直于工件表面入射的等离子体射流而改变。采用相同的入射位置，已经提到的一半尺寸的间距已经足以能够实现所需的效果。
倾斜或偏转应该被保持直到已经完成了切割、已经形成拐角或半径。在形成有直线式切口或者具有较大半径的切割轮廓的区域中，等离子体射流应该完全垂直于工件表面定位，考虑到平行于进给运动方向定位的轴线和与其成某一角度定位的轴线，其适用于所有的轴线，此处还观测到垂直的角度。
在等离子体射流相对于工件表面的偏转或倾斜时，观测到在等离子切割炬的进给运动方向上至少为5°到最大45°、优选至少为15°的角度δ。
在行进经过工件边缘或者可选地形成切割轮廓的拐角或者形成切割轮廓的半径之前，应该实施等离子体射流的倾斜和偏转。优选地，最后，然而，当等离子体射流的进入工件表面的进入位置已经达到距离工件边缘、拐角或半径的间距不大于工件厚度4.3的尺寸的25％时，实施等离子体射流的倾斜和偏转。
最早在进给运动方向的最后变化期间或者之后，尤其在形成拐角或者形成半径之后，在切割轮廓时实施所述等离子体射流的偏转或倾斜。因此，可以以常规的方式切割非关键的、基本上直线的区域或者略微弯曲的切割轮廓的区域。
还可以保持等离子体射流的偏转或倾斜至少直到穿过所述工件边缘。在行进经过切缝或平接缝时，优选应该保持偏转或倾斜直到等离子体射流最早到达等离子体射流接触所述工件的位置或者直到所述切割弧已经消失，该位置距工件边缘的间距对应于工件厚度的25％。在切割中，等离子体射流已经到达工件边缘之后和在割炬和工件之间形成的弧已经消失之后，通常发生等离子体射流的消失。
所述等离子体射流在进给运动方向上倾斜或偏转沟槽b(沟槽间距)的两个点的最大间距n的尺寸的至少一半，优选倾斜或偏转沟槽b(沟槽间距)的两个点的最大间距n的测量值。关于此，间距为在具有垂直于工件表面定位的等离子切割炬的纵向轴线的、入射到工件表面的等离子体射流的位置和具有当割炬的尖端(喷嘴的孔的端面)被相应地布置在相同位置时以倾斜或者偏转等离子体射流定位的等离子切割炬的纵向轴线的入射到工件表面的等离子体射流的位置之间的间距。
然而，该间距还可以是平行于工件表面的割炬的尖端的间距，其通过等离子体射流的倾斜或偏转而产生。
通过等离子炬的喷嘴孔和/或喷嘴的纵向轴线的倾斜，可以实现在所提到的关键区域中实施根据本发明的方法期间的等离子体射流的倾斜。该倾斜优选通过整个等离子切割炬的枢转来实现。
应该根据等离子切割炬的尖端和其在所述工件的表面上入射的位置之间的等离子体射流的位置，实施等离子切割炬的倾斜。
根据等离子体射流入射到工件表面上的位置/点，进行等离子切割炬的倾斜。
通过喷嘴和/或喷嘴孔相对于电极和/或相对于切割炬的发射插入件在等离子切割炬的进给运动方向上的位移实现所述等离子体射流的倾斜。
可以磁性地进行等离子体射流的偏转。为了该目的，通过在等离子体射流的平接缝的关键区域中使用至少一个永磁体或者电磁体，等离子体射流可以偏转到所需的方向。等离子体射流在其尖端的区域中的路径因此被弯曲。永磁体或者电磁体可以移入关键区域中等离子体射流的邻近区域且通过场线可以实现所需的偏转。
在使用一个或多个电磁体时，通过场强的增大和减小还可以实现打开或以后的关闭。
在根据本发明的方法中，等离子体射流应该在等离子切割炬的进给运动方向上朝向工件表面倾斜或偏转的信号可以通过引导系统来提供，通过引导系统和/或其控制器，等离子切割炬被引导。这样的信号还可以被传递到机械倾斜单元、等离子切割炬或者磁性偏转装置，因此，如果在关键区域中的切割需要，则可以实现等离子体射流的倾斜和偏转。为了该目的，还可以考虑用于各个具有待切割的轮廓的待切割的工件的控制器的数据。这也适用于所解决的关键轮廓区域。
可以使用引导系统或等离子切割系统的控制器，所述控制器具有数据库，在该数据库中，至少对于一种材料类型和/或一种电切割电流，存储有关于等离子体射流偏转或倾斜的程度和/或时间的数据。
材料类型、工件厚度、操作等离子体射流的电动切割电流和在切割之前的进给速度被存储在该数据库。
附图说明
通过下列实施例将更详细地解释本发明。
附图示出：
图1是根据现有技术的用于等离子切割的布置；
图2是等离子切割炬的引导轮廓；
图3是切割工件；
图4是切割工件-轮廓；
图5是切割工件-直线切割；
图6是等离子切割炬和工件的布置；
图7是根据DIN ISO 9013的沟槽滞后；
图8.1是从上方观看的切割工件的视图的图像；
图8.2是切割工件的局部视图的图像；
图8.3是切割工件的局部视图的图像；
图9是等离子切割炬和工件的布置，在该布置中，等离子体射流可以倾斜；和
图10是等离子切割炬和工件的布置。
具体实施方式
图9示出一个实施例。作为示例，在沿工件边缘4.4行进之前，此处等离子切割炬2在切割时在切割方向10上从相对于工件表面的垂直取向(α＝90°)倾斜δ角度，例如，相对于工件表面倾斜20°。因此，在该实施例中得出角度β值为70°。在进给方向10上等离子切割炬2与等离子炬尖端的对齐也称为刺穿引导。通过等离子切割炬2的刺穿引导实现待切割的工件4的直线切除。工件4上的阳极起始点没有“掠过”待切割的最后一个轮廓。因此，防止了从切割表面4.2突伸的区域Z的产生。
图10也示出以刺穿方式引导的等离子切割炬2。等离子体射流3射入到工件表面上的位置在进给方向10上位于等离子体射流3从工件的下侧射出的位置的后方。当待切割的工件4被可靠地切除时，这是特别有利的，因为这样确保了等离子体射流3的阳极起始点保留在待切割的部分上直到行进经过工件边缘4.4。
在特定的条件下保持等离子切割炬2的倾斜度直到用于切割下一个工件4的重复的刺穿(图2，部分A)，使得在刺穿中熔化的工件4的向上喷溅的材料没有对等离子切割炬2的尖端(例如，喷嘴2.2或二次帽2.4)喷溅且没有将其损坏，因此这是有利的。等离子切割炬2垂直于工件表面定位或者当其再次达到待切割的工件4的轮廓时根据需要切割至最后(例如，图2，部分B，最后在位置I处)。
通过合适的布置也可以磁性地发生等离子体射流3的偏转。
喷嘴2.2同样可以相对于电极2.1在进给方向10上移动。
对于曲线形状的进给运动方向，等离子体射流3相对于进给运动方向10倾斜或正切地偏转，同时其能够沿着进给运动方向10切向地行进。
为了实现尽可能简单的等离子体射流3的偏转和调整，待切割的工件4的零件的切割端部总是可以位于相同的进给运动方向10上。在工件边缘4.4之前的等离子体射流3的偏转因此必须仅在一个方向上发生。这大幅减少了控制工作。
附图标记列表
1.1 电流源
1.2 电阻
1.3 高压点火装置
1.4 开关触点
2 等离子切割炬
2.1 电极
2.1.1 电极支架
2.1.2 发射插入件
2.2 喷嘴
2.2.1 喷嘴孔
2.3 气体供给
2.4 二次气体帽
2.5 二次气体供给
2.6 导气，等离子气体
2.7 割炬主体
3 等离子体射流
4 工件
4.1 平接缝
4.2 切割表面
4.3 工件厚度
4.4 工件边缘
5 连接管线和连接软管
5.1 连接管线，等离子切割系统-用于切割电流的电极
5.2 连接管线，等离子切割系统-用于导频电流的喷嘴
5.3 连接管线，等离子切割系统-用于切割电流的工件
5.4 用于等离子气体的气体软管
5.5 用于二次气体的气体软管
6 气体供给源
10 等离子切割炬的进给运动方向，切割方向
A 部分A刺穿
B 部分B直线
C 部分C拐角
D 部分D直线
E 部分E拐角
F 部分F直线
G 部分G拐角
H 部分H直线
I 部分I，穿过工件边缘
J 部分J，切割端
b 沟槽
d 等离子切割炬与工件的间距
n 在切割方向上切割沟槽的两个点的最大间距，沟槽滞后
α 切割时在等离子炬的纵向轴线L和工件表面之间的角度
δ 在沿切割边缘行进之前和期间，在等离子切割炬的纵向轴线和工件表面之间的角度

Claims (18)

1.一种用于等离子切割工件的方法，其中，使用至少具有割炬主体(2.6)、电极(2.1)和喷嘴(2.2)的等离子切割炬(2)，
其特征在于：等离子体射流(3)至少在行进经过工件边缘(4.4)之前，相对于垂直于工件表面定位的轴线被倾斜或偏转角度δ，使得所述等离子体射流(3)从工件(4)的出射位置被布置成在进给运动方向(10)上具有间距，所述间距至多是所述等离子体射流(3)垂直入射到所述工件表面上的情况下的间距的一半，所述间距是所述等离子体射流的出射位置相对于所述等离子体射流垂直入射到所述工件表面的情况下的入射位置在所述进给运动方向上的距离，
在行进经过所述工件边缘(4.4)之前，在所述等离子体射流(3)进入所述工件表面的进入点已经达到所述等离子体射流距所述工件边缘(4.4)的间距对应于所述工件的厚度(4.3)的尺寸的25％的位置时，进行所述等离子体射流(3)的倾斜或偏转。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述等离子体射流(3)被倾斜或偏转，使得其从所述工件的出射位置沿着所述进给运动方向布置在所述轴线处，或者布置在所述轴线的上游，在所述轴线处，所述等离子体射流(3)在所述工件表面上的入射位置被布置。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述等离子体射流(3)相对于所述工件表面的偏转或倾斜时，观测到所述等离子切割炬(2)在所述进给运动方向(10)上具有至少为5°至最大45°的角度δ。
4.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，最早在所述进给运动方向的最后变化期间或者最后变化之后，在切割轮廓时进行所述等离子体射流(3)的偏转或倾斜。
5.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述等离子体射流(3)的偏转或倾斜被进行到至少穿过所述工件边缘(4.4)。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述等离子体射流(3)倾斜或偏转量为沟槽b的两个点在所述进给运动方向(10)上的最大间距n的尺寸的至少一半。
7.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，通过喷嘴孔(2.2.1)的纵向轴线的倾斜或者所述等离子切割炬(2)的喷嘴(2.2)的纵向轴线的倾斜，实现所述等离子体射流(3)的倾斜。
8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，根据在所述等离子切割炬(2)的尖端和等离子体射流在所述工件(4)的表面上入射的位置之间的所述等离子体射流(3)的位置存储的数据，进行所述等离子切割炬(2)的倾斜。
9.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，根据所述等离子体射流(3)入射到所述工件(4)的表面上的位置/点，进行所述等离子切割炬(2)的倾斜。
10.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其特征在于，通过所述喷嘴(2.2)和/或喷嘴孔(2.2.1)相对于所述电极(2.1)和/或相对于发射插入件(2.1.2)在所述等离子切割炬(2)的所述进给运动方向(10)上的位移，实现所述等离子体射流(3)的倾斜。
11.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其特征在于，通过所述等离子体射流(3)的磁性偏转来实现所述等离子体射流(3)的偏转。
12.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，通过引导系统实现所述等离子体射流(3)在所述等离子切割炬(2)的进给运动方向(10)上朝向所述工件表面倾斜或偏转的信号，通过所述引导系统，所述等离子切割炬(2)被引导，和/或所述引导系统的控制被提供且被传递到机械倾斜单元、所述等离子切割炬(2)或者磁偏转装置，由此实现所述等离子体射流(3)的倾斜或偏转。
13.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，使用引导系统或等离子切割系统的控制器，所述控制器具有数据库，在所述数据库中，至少对于一种材料类型和/或一种电动切割电流存储有所述等离子体射流(3)偏转或倾斜的程度和/或时间。
14.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，所述材料类型、所述工件的厚度、操作所述等离子体射流(3)的所述电动切割电流和在切割之前的进给速度被存储在所述数据库。
15.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，沿切缝行进时，所述等离子体射流(3)的偏转或倾斜被进行到在所述等离子体射流(3)接触所述工件(4)最早的位置处，在所述位置，所述等离子体射流距所述工件边缘(4.4)的间距为所述工件的厚度(4.3)的尺寸的25％，或者切割弧已经消失。
16.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述等离子体射流(3)倾斜或偏转量为沟槽b的两个点的最大间距n的测量值。
17.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，通过整个等离子切割炬(2)的倾斜，实现所述等离子体射流(3)的倾斜。
18.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，在形成拐角或者形成半径之后，在切割轮廓时进行所述等离子体射流(3)的偏转或倾斜。
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