CN103808416A - 用于减小红外(ir)探测器的环境光灵敏度的系统和方法 - Google Patents

用于减小红外(ir)探测器的环境光灵敏度的系统和方法 Download PDF

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Abstract

公开内容的方面涉及用于减少红外(IR)探测器的环境光灵敏度的系统和方法。放置在IR探测器的传感器(例如，姿态传感器)之上的光学滤波器(例如，吸收滤波器、干涉滤波器)吸收或者反射可见光，同时通过具体IR波长，以促进IR探测器的减小的环境光灵敏度。

Description

用于减小红外(IR)探测器的环境光灵敏度的系统和方法
相关申请的交叉引用
本申请要求于2012年11月2日提交的名为“System and Method forReducing Ambient Light Sensitivity of Infrared(IR)Detectors”的美国临时申请61/722,063号的优先权，于此通过引用其整体将其并入。
背景技术
诸如智能电话、平板计算机、数字媒体播放器等等的电子装置越来越多地采用光传感器以控制对由该装置提供的各类功能的操纵。例如，光传感器通常由电子装置使用来探测环境照明条件以控制装置的显示屏幕的亮度。典型的光传感器采用诸如光电二极管、光电晶体管等的光学探测器，其将接收到的光转换为电信号(例如，电流或电压)。
光传感器通常用于诸如姿态(gesture)感测装置的基于红外(IR)的感测装置中。姿态感测装置是能够在无需用户实际触摸内部存在该姿态感测装置的装置的情况下，进行对物体运动(例如，“姿态”)的探测的装置。探测到的运动随后能够用作用于该装置的输入命令。在一些实施例中，该电子装置被编程，以识别诸如从左到右、从右到左、从上到下、从下到上、从内(in)到外(out)、从外到内等等的区别的非接触手运动。姿态感测装置在诸如平板计算装置、智能电话以及诸如膝上型电脑、视频游戏控制台等等的其它便携式电子装置的手持式电子装置中具有普遍使用。
发明内容
公开了一种红外探测器系统。在一种或更多实施中，红外探测器系统包括：基底；形成于所述基底中的传感器；以及安置于所述传感器之上的光学滤波器。所述传感器被配置为探测朝向所述传感器指向的光并且对其作出响应而提供信号。所述光学滤波器被配置为用于至少基本上防止朝向所述传感器指向的所述光的可见成份到达所述传感器。所述光学滤波器还被配置为允许朝向所述传感器指向的所述光的选择的红外成份通过所述光学滤波器到达所述传感器。
公开了一种姿态探测器系统。在一种或更多实施中，姿态探测器系统包括：基底；形成在所述基底中的姿态传感器；发光二极管(LED)；以及安置于所述姿态传感器之上的一个或多个吸收滤波器。所述姿态传感器被配置为探测朝向所述姿态传感器指向的光并且对其作出响应而提供信号。所述发光二极管被配置为用于发射朝向所述姿态传感器指向的红外光。所述一个或多个吸收滤波器被配置为用于吸收朝向所述姿态传感器指向的所述光的可见成份，以至少基本上阻止所述光的所述可见成份到达所述姿态传感器。所述一个或多个吸收滤波器还被配置为允许朝向所述姿态传感器指向的所述光的选择的红外成份通过所述至少一个吸收滤波器到达所述姿态传感器。在一个或多个范例实施例中，所述姿态探测器系统是单LED姿态探测器系统。
提供此发明内容以以简化的形式介绍以下具体实施方式中进一步描述的概念集合。此发明内容不旨在标识声称的主题的关键特征或者必要特征，也不旨在用于帮助确定声称的主题的范围。
附图说明
参照附图对具体实施方式进行了描述。说明书及附图中不同的实例中采用相同的附图标记指示类似或同样的对象。
图1是根据本公开内容的示例性实施例的红外探测器系统的横截面局部分解视图；
图2A是根据本公开内容的示例性实施例的当蓝色、绿色和红色吸收滤光器独立(例如，以非叠置方式)实施于红外探测器系统中时，这些滤波器(在光波长范围上)的透射率性能的图示描绘；
图2B是根据本公开内容的示例性实施例的，红外探测器系统中实施的红色上蓝色(blue-on-red)滤光器叠层(在光波长范围上)的透射率性能与当蓝色和红色吸收滤光器独立实施于红外探测器系统中时该蓝色和红色吸收滤光器的透射率性能的比较的图示描绘；
图2C是根据本公开内容的示例性实施例的，红外探测器系统内实施的红色上绿色滤光器叠层(在光波长范围上)的透射率性能与当绿色和红色吸收滤光器独立实施于红外探测器系统内时该绿色和红色吸收滤光器的透射率性能的比较的图示描绘；
图2D是根据本公开内容的示例性实施例的，红外探测系统中实施的红色上蓝色滤光器叠层(在光波长范围上)的透射率性能与红外探测器系统内实施的红色上绿色吸收滤光器叠层的透射率性能的比较的图示描绘；
图3A和3B是根据本公开内容的示例性实施例的，分别在5000赫兹和3000赫兹，在红外探测器系统中使用和不使用光学滤波器时的信噪比(SNR)性能和错误信号的频率的图示描绘；
图4A和4B是根据本公开内容的示例性实施例的在红外探测器系统中实施的干涉滤波器的透射率性能的图示描绘；
图5是描述根据本公开内容的示例性实施例的用于制造红外探测器系统的方法的流程图。
具体实施方式
概要
一种基于红外的感测装置可以实施诸如发光二极管(LED)的红外光发射器。该LED可发射红外光，当物体(例如，目标)相对紧密临近于该装置时，从该LED发射的红外光可以从该物体反射并由该装置的传感器探测到，由此提供该物体是紧密临近于该装置的指示。然而，当可见光(例如，环境光)入射到传感器上并被传感器探测到时，可见光有时可能导致该装置的错误探测。
范例实施
图1(图1)示例根据本公开内容的范例实施的红外(IR)探测器系统(例如，IR测器、基于IR的传感器、探测系统)100。IR探测器系统100可以是姿态探测器系统(例如，姿态传感器、基于IR的姿态传感器、姿态探测器、姿态装置)，临近探测器系统等。
在实施例中，IR探测器系统100包括一个或多个传感器(例如，姿态传感器，光学传感器)102。该传感器102是或者包括一个光探测器(例如，诸如光电二极管、光电晶体管等的光电探测器)并且包括和/或连接至光探测器感测电路。在实施例中，传感器102被配置为用于接收(例如，探测)光并且对此作出响应向连接至传感器102的控制电路(未示出)提供信号。例如，传感器102被配置为用于基于探测到的光的强度将接收到的光转换成电信号(例如，电流或电压)。控制电路(例如，处理器)被配置为用于处理从传感器102接收到的信号，在存储器(未示出)中存储该信号，和/或分析存储的信号(例如，存储的数据)。该存储器(例如，数字存储器)连接至处理器并且被配置为用于存储存储数据。该存储器是有形计算机可读存储介质的范例，该存储介质提供存储功能以存储与系统100的操作相关联的各种数据，该各种数据诸如是软件程序和/或代码段，或者用于指令处理器执行处理器的处理功能的其他数据。处理器的处理功能可以经由在处理器上运行(例如实行)的软件程序来实施。在系统100是姿态探测器系统的实施例中，控制电路分析存储的信号以确定是否探测到姿态(以及姿态的类型)。在其他实施例中，可以使用存储的数据以使得传感器102作为临近探测器操作。
传感器102被配置为探测可见光谱和红外光谱二者中的光。如于此使用的，设想术语“光”包含发生在可见光谱和红外光谱中的电磁辐射。可见光谱(可见光)包括发生在从大约三百九十(390)纳米到大约七百五十(750)纳米的波长范围中的电磁辐射。类似地，红外光光谱(红外光)包括在从大约七百(700)纳米到大约三十万(300,000)纳米的波长范围中的电磁辐射。
在实施例中，IR探测器系统100进一步包括光发射器104。例如，光发射器104是诸如是单个发光二极管(例如1个LED的光发射器、单个IRLED)104的红外(IR)光发射器。在实施例中，光发射器104是安置为(例如，设置为)临近于传感器102。光发射器104包括和/或连接至用于驱动光发射器104的电路。在实施例中，IR光发射器104被配置为用于发射光线(例如，红外光)。在实施例中，当物体(例如，目标)相对紧密临近于IR探测器系统100时，从光发射器104发射的光线可以作为来自物体的光线被反射，其可以由传感器102探测到，由此提供物体紧密临近于传感器102的指示。在实施例中，系统100可以包括用于将此反射光聚焦到传感器102上光学透镜结构(未示出)。在其它实施例中，IR探测器系统100可以包括多个光发射器104(例如，多个LED)。在进一步的实施例中，IR探测器系统100可以不包括任何LED104。在系统100中实施较低数目的LED104可以增进系统100的功率节省。
在实施例中，IR探测器系统100进一步包括基底(例如，晶片)106。传感器102和/或光发射器104可以被配置在基底106上和/或形成在基底106内。图1示出了光发射器104被配置在基底106上和/或形成在基底106内。然而，在进一步的实施例中，光发射器(例如，LED)104可以是与基底106分离的。例如，当LED104与基底106是分离的(例如，是分离的装置)时，其可以与传感器102共同封装(co-packaged)，或者其可以是能够(例如，由用户)引线连接至印刷电路板的分离的装置。基底106提供用于通过诸如光刻、离子注入、沉积、刻蚀等的各种制造技术来形成一个或多个电子装置的底部材料。基底104可以包括n型硅(例如如下硅：掺杂有诸如V族元素(例如，磷、砷、锑等)的族载流子元素以向硅提供n型电荷载流子)，或者p型硅(例如如下硅：掺杂有诸如IIIA族元素(例如，硼等)的族载流子元素以向硅提供p型电荷载流子，或掺杂有其它族元素以提供p型电荷载流子)。基底106可以进一步包括一个或多个绝缘层，并且可以包括二氧化硅层和氮化硅层。虽然描述了硅基底，但应当理解，也可以使用其它类型的基底而不脱离本发明范围。例如，基底106可以包括硅锗、砷化镓等。
在实施例中，红外探测器系统100进一步包括一个或多个金属层108(例如，刻蚀金属层)。在一些实施例中，金属层108被配置为(例如形成为)部分在传感器102之上(例如，部分叠盖)，并且被配置为有利于获得用于系统100的期望的阴影或者光方向性特性(例如，以实现姿态响应)。在其他实施例中，金属层108可以不叠盖传感器102。在实施例中，缓冲层113(例如，诸如苯并环丁烯(benzocyclobutene，BCB)聚合物等的聚合物材料层)可以被配置(例如形成)在金属层108和传感器102之间。在实施多个金属层108的实施例中，缓冲层113(例如，BCB聚合物层)可以被配置(例如，形成)在金属层108之间。
在实施例中，IR探测器系统100进一步包括一个或多个滤波器(例如，光学滤波器)110。光学滤波器110可以被配置在传感器102以上和在金属层108以上，使得滤波器110设置在传感器(例如，姿态传感器)102之上(例如，至少基本上覆盖或者叠盖)。从而，滤波器110被配置在叠层以上。滤波器110可以是工程(engineered)滤波器、吸收滤波器(例如，基于吸收的滤波器/膜，吸收性滤波器，彩色通过滤波器/膜)、干涉滤波器(例如，陷波滤波器、带通滤波器)、电介质滤波器和/或等。吸收滤波器或吸收性滤波器可以定义为这样的光学滤波器：其选择性地透射特定波长范围内的光，而吸收具有在该特定波长范围外的波长的光。干涉滤波器可以定义为这样的光学滤波器：其反射一个或多个光谱带或线，并且透射其它光谱带或线。干涉滤波器可以对于感兴趣的全部波长保持接近于零的吸收系数。干涉滤波器可以是高通、低通、带通或者带阻滤波器。干涉滤波器可以具有电介质材料的多个薄层，该电介质材料具有不同的折射率。陷波滤波器可以定义为具有窄阻带的带阻滤波器。在实施例中，实施的滤波器110可以是薄膜。在一个实施例中，滤波器110的厚度可以是大约0.9微米(0.9μm)，然而，也可以设想其它滤波器厚度。
在实施例中，滤波器110被配置为用于去除(例如，吸收、阻止)入射到传感器102上(例如，朝向传感器102反射)的光的可见成份。例如，滤波器110可以被配置为吸收或阻止可见光谱内的光。进一步地，滤波器110被配置为允许入射到传感器102上(例如，朝向传感器102反射)的IR成份通过到达传感器102(例如，由传感器102接收)。例如，滤波器110可以进一步被配置为使IR光谱内的光通过，到达传感器102.
在实施彩色通过滤波器(color pass filter)110的实施例中，滤波器110可以具有不同的颜色(例如，可以被配置为透射可见光谱的不同颜色)。例如，在一个实例中，可以实施蓝色滤波器110，其被配置为用于透射蓝色可见光(例如，波长在大约450纳米(nm)和大约475纳米(nm)之间的光)(例如，允许该蓝色可见光通过该滤波器)。在另一实例中，可以实施绿色滤波器110，其被配置为用于透射绿色可见光(例如，波长在大约495纳米和大约570纳米之间的光)。在另一实例中，可以实施红色滤波器110，其被配置为用于透射红色可见光(例如，波长在大约620纳米和大约750纳米之间的光)。可以设想滤波器具有不同于上述颜色的颜色。
在实施例中。滤波器110可以采用叠层配置，使得多个滤波器110(例如，两个滤波器，每个是不同颜色的滤波器)层叠在一起(例如，彼此至少部分叠盖且放置在彼此上)。进一步地，层叠的滤波器110(例如，滤波器叠层)可以设置在传感器(例如，姿态传感器)102之上(例如，至少基本上覆盖或者叠盖传感器102)。在一个或多个实施例中，滤波器叠层可以包括层叠在红色滤波器110上的蓝色滤波器110。在一个或多个其它实施例中，滤波器叠层可以包括层叠在红色滤波器110上的绿色滤波器110。设想可以实施不同于上述那些滤波器叠层的滤波器叠层的各种颜色的组合。
在实施例中，滤波器110可以被配置为仅使得具有具体IR波长的光通过并且阻止(例如，吸收)其它波长。例如，具体IR波长可以是：感兴趣的IR波长，由系统110中使用的具体LED104发射的IR波长、和/或需要的IR波长，诸如用于姿态识别和/或临近探测所需(需要)的IR波长。例如，当系统100是姿态探测系统100时，滤波器110通过吸收可见光并允许需要的IR光(例如，较长IR光)通过(例如，经过)促进降低和/或消除了错误探测的发生(例如，去除不想要的光以防止其干扰姿态探测)。
在实施例中，滤波器110可以形成在晶片水平面(1evel)上，使得它们层叠在金属层108上。在其它实施例中，滤波器110可以防止在封装结构(例如，芯片封装结构、芯片载体)中，或者放置在玻璃涂层上。在进一步的实施例中，缓冲(例如，电介质)层(例如，BCB聚合物层)113可以被配置(形成)于滤波器110和金属层108之间。在实施例中，滤波器110可以是经由若干标准构图工艺中的任一种(例如，光刻工艺)构图的。在某些实施例中，滤波器叠层的滤波器110可以混合在一起(例如，蓝色上红色滤波器滤波器叠层配置的红色滤波器和蓝色滤波器可以混合在一起)，随后将它们沉积在晶片上，这样可以允许具有仅一个掩模步骤。
图2A到2D(图2A到2D)提供当在系统100中实施滤波器/滤波器叠层配置110时，不同滤波器/滤波器叠层配置110(例如，吸收滤波器/滤波器叠层配置)的透射率性能的图示描绘。图2A描绘了在系统100中独立实施蓝色滤波器、滤色滤波器、和红色滤波器时，蓝色滤波器、绿色滤波器、和红色滤波器的独立的透射率性能(例如，给定波长的光透射通过滤波器的光的百分比)。图2B描绘了实施滤波器叠层配置并且滤波器叠层配置是层叠在红色滤波器上的蓝色滤波器时的透射率性能(例如，给定波长的光透射通过滤波器的光的百分比)。如图2B中所示，对于红色上蓝色滤波器配置，与独立实施红色或蓝色滤波器相比，可见光抑制更好(例如，更大量地)。对于红色上蓝色滤波器配置，显著的可见光抑制(例如，小于大约10％的透射率)通常在从大约400纳米到大约775纳米的波长范围上发生。对于图2B中所示的红色上蓝色滤波器叠层，对于期望的光波长(例如，IR波长)的透射率的透射率性能以大约95％的透射率出现峰值。图2C描绘了当实施的滤波器叠层配置是层叠在红色滤波器上的绿色滤波器时的透射率性能(例如，给定波长的光的被透射的百分比)。如图2C中所示，对于红色上绿色滤波器配置，与独立实施绿色或红色滤波器相比，可见光抑制更好。对于红色上绿色滤波器配置，显著的可见光抑制(例如，小于大约10％的透射率)通常在从大约400纳米到大约575纳米的波长范围上发生。对于图2C中所示的红色上绿色滤波器叠层，对于期望的光波长(例如，IR波长)的透射率的透射率性能以大约98％的透射率出现峰值。图2D描绘了红色上绿色滤波器配置的透射率性能，其绘制在红色上蓝色滤波器配置的透射率性能旁边。如图2D中所示，与实施红色上绿色滤波器配置相比，当实施红色上蓝色滤波器配置时，显著的可见光抑制(例如，小于大约10％的透射率)发生在更大波长范围上(例如，扩展的)，然而，两种配置都提供好的可见光抑制。
图3A和图3B(图3A和图3B)提供了当实施的滤波器110是吸收滤波器(例如，膜)时，滤波器110的信噪比(SNR)性能的图示描绘，与不实施滤波器的系统相比较。吸收滤波器110通过吸收(例如，消除、防止通过)不想要的波长(例如，可见光)促进了改善的SNR性能。图3A示出了在5000赫兹(Hz)处在具有和不具有(例如，使用和不使用)吸收滤波器(例如，膜)时的错误信号的频率。图3B示出了在3000赫兹(Hz)处在具有和不具有吸收滤波器(例如，膜)时的错误信号的频率。由图3A和3B示出了，实施滤波器时与不实施滤波器时相比，噪声水平低得多。图3A和3B中所示的SNR性能结果是针对红色上绿色滤波器叠层配置的。然而，可以实施不同颜色滤波器的其它组合，诸如红色上蓝色滤波器叠层配置。
图4A和图4B(图4A和图4B)提供实施的滤波器110是干涉滤波器(例如，宽带滤波器、陷波滤波器)110时，滤波器110的透射率性能的图示描绘。图4A和4B描绘了当系统100中实施的滤波器110是干涉滤波器时的透射率性能(例如，对于给定波长的光，由滤波器透射的光的百分比)。在图4B中，透射率性能在从大约850纳米到大约1050纳米的波长带范围上达到峰值(例如，在大约80％的透射)。图4A描绘了与图4B相比，其中信号被展宽的较宽的响应。在图4A中，透射率性能在从大约850纳米到大约1100纳米的波长带范围上达到峰值。然而，如图4A中，即使在展宽信号时，干涉滤波器的峰值透射率性能仍然以大约80％的透射出现峰值。从而，与实施吸收滤波器时相比，实施干涉滤波器时可以经历更大的透射损失。
在实施例中，通过利用放置在传感器以上(例如，之上)的滤波器来防止不想要的(例如，可见)光波长到达传感器，于此描述的探测器系统促进了改善的信噪比，由此促进了错误探测实例的减少。在实施例中，系统100可以实施于各种产品(例如，电子装置)中，包括但不限于，电话(例如，移动电话、智能电话)、平板电脑(例如，平板)、笔记本电脑(例如，膝上型电脑)、电子书阅读器(例如，电子书装置、电子阅读器)、用于工业应用的探测系统、用于家庭自动化应用的探测系统，等。
范例制造过程
图5(图5)描绘示例根据本公开内容的示例性实施例的用于制造诸如于此公开的IR探测器系统(例如，姿态探测器系统)的范例过程(例如，方法)的流程图。在实施例中，方法500可以包括提供基底(框502)。例如，基底可以是硅晶片。方法500可以进一步包括在基底中形成传感器(框504)。例如，传感器可以是姿态传感器(框504)。
在实施例中，方法500可以进一步包括提供用于发射朝向传感器指向的红外光的光发射器。(框506)。例如，光发射器可以是单LED光发射器。方法500可以进一步包括在传感器之上安置光学滤波器。(框508)。例如，光学滤波器可以是吸收滤波器。在实施例中，在传感器之上安置光学滤波器的步骤可以包括对光学滤波器进行构图，诸如经由光刻工艺。
在实施例中，方法500可以进一步包括在传感器和滤波器之间形成金属层(框510)。方法500可以进一步包括在金属层和传感器之间形成电介质层(框512)。方法500可以进一步包括在金属层之间形成电介质层(框514)。方法500可以进一步包括在滤波器和金属层之间形成电介质层(框516)。
尽管已经以具体于结构特征和/或过程操作的语言描述了主题，但应当理解，所附的权利要求中定义的主题不必须限定于上述具体特征或者行为。相反，上述具体特征和行为是作为实施这些权利要求的范例形式而公开的。

Claims (20)

1.一种红外探测器系统，包括：
基底；
形成于所述基底中的传感器，所述传感器被配置为探测朝向所述传感器指向的光并且对其作出响应而提供信号；以及
安置于所述传感器之上的光学滤波器，所述光学滤波器被配置为用于至少基本上防止朝向所述传感器指向的所述光的可见成份到达所述传感器，所述光学滤波器还被配置为允许朝向所述传感器指向的所述光的选择的红外成份通过所述光学滤波器到达所述传感器。
2.根据权利要求1所述的红外探测器系统，其中，所述基底是硅晶片。
3.根据权利要求1所述的红外探测器系统，其中，所述传感器是姿态传感器。
4.根据权利要求1所述的红外探测器系统，其中，所述光学滤波器是吸收滤波器。
5.根据权利要求1所述的红外探测器系统，其中，所述光学滤波器是干涉滤波器。
6.根据权利要求1所述的红外探测器系统，进一步包括：
光发射器，所述光发射器被配置为用于发射待朝向所述传感器指向的红外光。
7.根据权利要求6所述的红外探测器系统，其中，所述光发射器是发光二极管。
8.一种姿态探测器系统，包括：
基底；
形成在所述基底中的姿态传感器，所述姿态传感器被配置为探测朝向所述姿态传感器指向的光并且对其作出响应而提供信号；
发光二极管(LED)，所述发光二极管被配置为用于发射朝向所述姿态传感器指向的红外光；以及
安置于所述姿态传感器之上的至少一个吸收滤波器，所述至少一个吸收滤波器被配置为用于吸收朝向所述姿态传感器指向的所述光的可见成份，以至少基本上阻止所述光的所述可见成份到达所述姿态传感器，所述至少一个吸收滤波器还被配置为允许朝向所述姿态传感器指向的所述光的选择的红外成份通过所述至少一个吸收滤波器到达所述姿态传感器，
其中，所述姿态探测器系统是单LED姿态探测器系统。
9.根据权利要求8所述的姿态探测器系统，其中，所述至少一个吸收滤波器包括第一吸收滤波器，所述第一吸收滤波器层叠在第二吸收滤波器上。
10.根据权利要求8所述的姿态探测器系统，还包括：
至少一个金属层，所述至少一个金属层被配置于所述姿态传感器和所述至少一个吸收滤波器之间。
11.根据权利要求10所述的姿态探测器系统，还包括：
电介质层，所述电介质层被配置于所述至少一个金属层和所述传感器之间。
12.根据权利要求11所述的姿态探测器系统，还包括：
第二电介质层，所述第二电介质层被配置于所述至少一个金属层中的第一金属层和第二金属层之间。
13.根据权利要求12所述的姿态探测器系统，还包括：
第三电介质层，所述第三电介质层被配置于所述至少一个吸收滤波器和所述至少一个金属层之间。
14.根据权利要求9所述的姿态探测器系统，其中，所述第一吸收滤波器被配置为用于透射具有在大约450纳米和475纳米之间的波长的光。
15.根据权利要求14所述的姿态探测器系统，其中，所述第二吸收滤波器被配置为用于透射具有在大约620纳米和750纳米之间的波长的光。
16.根据权利要求15所述的姿态探测器系统，其中，至少基本上阻止所述光的所述可见成份到达所述传感器包括允许具有在大约400纳米和775纳米之间的波长的光的透射率小于百分之十。
17.根据权利要求8所述的姿态探测器系统，其中，所述至少一个吸收滤波器是经由光刻工艺构图的。
18.一种用于制造姿态探测器系统的方法，包括：
提供基底；
在所述基底中形成姿态传感器；
提供用于发射朝向所述姿态传感器指向的红外光的发光二级管；以及
在所述姿态传感器之上安置吸收滤波器；
其中，所述吸收滤波器被配置为用于吸收朝向所述姿态传感器指向的光的可见成份以至少基本上阻止所述光的所述可见成份到达所述姿态传感器，所述吸收滤波器还被配置为用于允许朝向所述姿态传感器指向的所述光的选择的红外成份通过所述吸收滤波器到达所述姿态传感器。
19.根据权利要求18所述的方法，还包括：
在所述姿态传感器和所述吸收滤波器之间形成至少一个金属层；
在所述至少一个金属层和所述姿态传感器之间形成电介质层；
在所述至少一个金属层中的第一金属层和第二金属层之间形成第二电介质层；以及
在所述吸收滤波器和所述至少一个金属层之间形成第三电介质层。
20.根据权利要求19所述的方法，其中，在所述姿态传感器之上安置吸收滤波器的步骤包括：
经由光刻工艺对所述吸收滤波器进行构图。
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