CN103780082A - 电压转换电路及驱动降压电路的方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种电压转换电路及驱动降压电路的方法，该电压转换电路包括第一电路模块、第二电路模块及降压电路，该第一电路模块用于产生第一PWM信号，该第二电路模块包括第一逻辑单元，该降压电路包括上侧晶体管及下侧晶体管，该第二电路模块还包括信号产生单元及第二逻辑单元，该信号产生单元产生第二PWM信号，该第一、第二PWM信号均为方波，该第一、第二PWM信号的频率不同，该第二逻辑单元用于将该第一、第二PWM信号进行与操作以得到第一控制信号，该第一逻辑单元用于将该第一控制信号反相以得到第二控制信号，该第一控制信号及该第二控制信号用于驱动该上侧晶体管及该下侧晶体管以控制该降压电路的输出电压。

Description

电压转换电路及驱动降压电路的方法
技术领域
本发明涉及一种电压转换电路及驱动该电压转换电路中降压电路的方法，特别涉及一种直流-直流(DC-DC)型电压转换电路。
背景技术
传统的电压转换电路包括降压型(Buck)型DC-DC转换器、升压型(Boost)型DC-DC转换器以及升降压型(Buck-Boost)DC-DC转换器，均可对电压进行升/降压调节。以降压型电压转换器而言，通常使用控制芯片(如:脉宽调制电路)产生第一方波信号，再经过一驱动芯片(如：反相放大器)将该第一方波信号进行处理(如反相、放大)后以得到第二方波信号，再将该第一方波信号及该第二方波信号分别提供给Buck电路的上侧晶体管(又称主晶体管)与下侧晶体管(又称同步晶体管)以控制Buck电路的输出电压，从而为电子器件，诸如处理器(CPU)、存储器(DRAM)等负载提供所需电能。随着时代的进步，电子器件的体积越来越小，电子器件所需的工作电压也随之降低。而对于现有的电压转化器，在输入电压的电压值不变的情况下，要想得到较低的输出电压的电压值，则需降低第一方波信号的占空比。然而，碍于场效应晶体管本身的限制，占空比为较低(如低于10%)的方波信号已相当接近晶体管操作的极限。因此，在输入电压一定的情况下，传统的电压转换电路已无法提供所需的更低的输出电压。
发明内容
针对上述问题，有必要提供一种能够输出较低电压的电压转换电路及驱动该电压转换电路中降压电路的方法。
一种电压转换电路，该电压转换电路包括第一电路模块、第二电路模块及降压电路，该第一电路模块用于产生第一PWM信号，该第二电路模块包括第一逻辑单元，该降压电路包括上侧晶体管及下侧晶体管，该第二电路模块还包括信号产生单元及第二逻辑单元，该信号产生单元用于产生第二PWM信号，该第一PWM信号及该第二PWM信号均为方波，该第一PWM信号的频率与该第二PWM信号的频率不同，该第二逻辑单元用于将该第一PWM信号及该第二PWM信号进行与操作以得到第一控制信号，该第一逻辑单元用于将该第一控制信号反相以得到第二控制信号，该第一控制信号及该第二控制信号用于驱动该上侧晶体管及该下侧晶体管以控制该降压电路的输出电压。
一种驱动降压电路的驱动方法，该降压电路包括上侧晶体管及下侧晶体管，该上侧晶体管及该下侧晶体管用于在控制信号的驱动下控制该降压电路的输出电压，该方法包括：提供周期变化的第一控制信号给该上侧晶体管，该第一控制信号在每个最小周期里包括第一子周期及第二子周期，该第一子周期无信号输出，该第二子周期包含若干个周期变化的方波信号；将该第一控制信号反相以得到第二控制信号，并将该第二控制信号提供给该下侧晶体管，以控制该下侧晶体管在该上侧晶体管开启时闭合，该下侧晶体管在该上侧晶体管闭合时开启。
与现有技术相较，本发明的电压转换电路及驱动该电压转换电路中降压电路的方法，通过在第二电路模块中增加信号产生单元及第二逻辑单元。该信号产生单元产生第二PWM信号，该第二逻辑单元将该第二PWM信号与该第一电路模块产生的第一PWM信号进行与操作以得到第一控制信号。该第一逻辑单元对该第一控制信号反相以得到第二控制信号。由于该降压电路输出的第二直流电压的电压值为该电源产生的第一直流电压的电压值与该第一PWM信号及该第二PWM信号的乘积。因此，本发明的电压转换电路相较于传统的电压转换电路输出电压的电压值更低。
另外，本发明的电压转换电路保持了典型电压转换电路的拓扑结构，从而达到了节约成本的技术效果。
附图说明
图1是本发明电压转换电路一较佳实施例的电路图。
图2是本发明驱动降压电路的驱动方法一较佳实施例的流程图。
主要元件符号说明
电压转换电路 1
第一电路模块 10
第二电路模块 30
降压电路 50
第一逻辑单元 31
第二逻辑单元 33
信号产生单元 35
电源 51
上侧晶体管 53
下侧晶体管 55
电感 57
输出电容 59
正极 511
负极 513
第一导通控制端 531、551
第二导通控制端 532、552
第三导通控制端 533、553
第一电压输出端 a
第二电压输出端 b
步骤 S100~S200，S101
如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本发明。
具体实施方式
请参阅图1，其是本发明电压转换电路一较佳实施例的电路图。在本实施方式中，电压转换电路1包括第一电路模块10、第二电路模块30及降压电路50。该第一电路模块10用于产生一具有一第一频率的第一脉宽调制（Pulse Width Modulation，PWM）信号。该第二电路模块30包括第一逻辑单元31、第二逻辑单元33及信号产生单元35。该信号产生单元35用于产生一具有一第二频率的第二PWM信号。该第二逻辑单元33用于将该第一PWM信号及该第二PWM信号进行“与(AND)”操作以得到第一控制信号。该第一逻辑单元31用于将该第一控制信号反相以得到第二控制信号。该第二控制信号及该第二控制信号用于分别驱动该降压电路50的上侧晶体管53与下侧晶体管55。
在本发明中，该第一PWM信号及该第二PWM信号均为按周期变化的方波信号，且该第一PWM信号的频率与该第二PWM信号的频率不同。优选地，该第二PWM信号的频率小于该第一PWM信号的频率。该第一PWM信号及该第二PWM信号进行“与”（AND）操作后得到的该第一控制信号亦为按周期变化的信号，其中，该第一控制信号在每个最小周期里包括两个子周期：第一子周期及第二子周期。该第一子周期内无信号输出，该第二子周期包含多个按周期变化的方波信号。在本实施方式中，该第一电路模块10为传统的控制集成芯片，该第二电路模块30为驱动集成芯片，该降压电路50为传统的降压型转换电路。在一变更实施方式中，该第一电路模块10及该第二电路模块30集成为一个芯片。
在本实施方式中，该第二逻辑单元33为与门，该第一逻辑单元31为非门。
该降压电路50为一Buck电路，进一步包括一电源51、一电感57、一输出电容59、第一电压输出端a及第二电压输出端b。该电源51用于产生第一直流电压，为方便描述，该第一直流电压的电压值定义为Vs。该上侧晶体管53及该下侧晶体管55用于在该第一控制信号及该第二控制信号的驱动下以控制该降压电路50的输出电压。该上侧晶体管53包括第一导通控制端531、第二导通控制端532及第三导通控制端533。该下侧晶体管55包括第一导通控制端551、第二导通控制端552及第三导通控制端553。该电源51的正极511依次串联该上侧晶体管53的第三导通控制端、该上侧晶体管53的第二导通控制端532、该电感57、第一电压输出端a该输出电容59及该第二电压输出端b至该电源51的负极513。该下侧晶体管55的第二导通控制端552连接该负极513，该下侧晶体管55的该第三导通控制端553连接该上侧晶体管53的该第二导通控制端532。该上侧晶体管53的该第一导通控制端531用于接收该第一控制信号，并在该第一控制信号的控制下控制该上侧晶体管53的导通或者截止。该下侧晶体管55的该第一导通控制端551用于接收该第二控制信号，并在该第二控制信号的控制下控制该下侧晶体管的导通或者截止。在本实施方式中，该上侧晶体管53及该下侧晶体管55均为NMOS(Negative channel-Metal-Oxide-Semiconductor)场效应晶体管。其中，该第一导通控制端531、551为该NMOS场效应晶体管的栅极，该第二导通控制端532、552为该NMOS场效应晶体管的源极，该第三导通控制端533、553为该NMOS场效应晶体管的漏极。
由于该第二控制信号与该第一控制信号反相，则当该上侧晶体管53导通时，该下侧晶体管55截止。当该上侧晶体管53截止时，该下侧晶体管55导通。
该电感57及该输出电容59用于配合该上侧晶体管53及该下侧晶体管55将该第一直流电压转换为第二直流电压。为方便描述，该第二直流电压的电压值定义为Vo。该第一电压输出端a及该第二电压输出端b用于将该第二直流电压输出至负载。
为方面描述，该第一PWM信号的占空比定义为DH，该第二PWM信号的占空比定义为DL。该第一PWM信号的周期定义为TH，该第二PWM信号的周期定义为TL。工作时，当该上侧晶体管53导通，该下侧晶体管55截止时，该电感57充电并储存能量。当该上侧晶体管53截止，该下侧晶体管55导通时，该电感57将储存的能量释放。根据伏秒平衡定律(Voltage-Second-Balance-Principle)，可有：[(Vs-Vo)‧DHTH‧DLTL/TH]+[(-Vo)‧(1-DH)TH‧DLTL/TH+(-Vo)‧(1-DL)TL]=0，则可知，第二直流电压的电压值与该第一直流电压的电压值之比为：Vo/Vs=DH‧DL。
由于DH，DL分别为该第一PWM信号及该第二PWM信号的占空比，DH小于1，DL小于1。因此，该降压电路50的输出的第二直流电压的电压值Vo相较于传统的电源转换电路中只有一个控制信号的情况下的输出电压值更小。相较于传统的电源转换电路，本发明的电压转换电路1输出的第二直流电压的电压值Vo更低。
应当明了，本案中的第一控制信号可通过其他电路获得，而并不局限于本实施例中所阐述的方式获得，但可以理解，本实施力中设计的电路结构简单易行，为一较佳实施方式。
请参阅图2，其是本发明驱动降压电路，以降压电路50为例的驱动方法一较佳实施例的流程图。
步骤S100，提供按周期变化的第一控制信号给该上侧晶体管53，该第一控制信号在每个最小周期里包括第一子周期及第二子周期，该第一子周期无信号输出，该第二子周期包含若干个周期变化的方波信号；
步骤S200，将该第一控制信号反相以得到第二控制信号，并将该第二控制信号提供给该下侧晶体管55，以控制该下侧晶体管55在该上侧晶体管53开启时闭合，该下侧晶体管55在该上侧晶体管53闭合时开启。
在一变更实施方式中，该步骤S100中该第一控制信号的形成方法为：
步骤S101，提供第一PWM信号及第二PWM信号，该第一PWM信号及该第二PWM信号均为方波信号且该第一PWM信号的频率与该第二PWM信号的频率不同，将该第一PWM信号及该第二PWM信号进行与操作以得到该第一控制信号。
与现有技术相较，本发明的电压转换电路1及驱动该电压转换电路1中降压电路50的方法，通过在第二电路模块30中增加信号产生单元35及第二逻辑单元33。该信号产生单元35产生第二PWM信号，该第二逻辑单元33将该第二PWM信号与该第一电路模块10产生的第一PWM信号进行与操作以得到第一控制信号。该第一逻辑单元31对该第一控制信号反相以得到第二控制信号。由于该降压电路50输出的第二直流电压的电压值为该电源51产生的第一直流电压的电压值与该第一PWM信号及该第二PWM信号的乘积。因此，本发明的电压转换电路1相较于传统的电压转换电路输出电压的电压值更低。
另外，本发明的电压转换电路1保持了典型电压转换电路的拓扑结构，从而达到了节约成本的技术效果。
虽然本发明以优选实施方式揭示如上，然其并非用以限定本发明，任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可做各种的变化，这些依据本发明精神所做的变化，都应包含在本发明所要求的保护范围之内。

Claims (9)

1.一种电压转换电路，该电压转换电路包括第一电路模块、第二电路模块及降压电路，该第一电路模块用于产生第一PWM信号，该第二电路模块包括第一逻辑单元，该降压电路包括上侧晶体管及下侧晶体管，其特征在于，该第二电路模块还包括信号产生单元及第二逻辑单元，该信号产生单元用于产生第二PWM信号，该第一PWM信号及该第二PWM信号均为方波，该第一PWM信号的频率与该第二PWM信号的频率不同，该第二逻辑单元用于将该第一PWM信号及该第二PWM信号进行与操作以得到第一控制信号，该第一逻辑单元用于将该第一控制信号反相以得到第二控制信号，该第一控制信号及该第二控制信号用于驱动该上侧晶体管及该下侧晶体管以控制该降压电路的输出电压。
2.如权利要求1所述的电压转换电路，其特征在于，该第一逻辑单元为非门，该第二逻辑单元为与门。
3.如权利要求1所述的电压转换电路，其特征在于，第二PWM信号的频率小于第一PWM信号的频率。
4.如权利要求1或2所述的电压转换电路，其特征在于，该第一PWM信号与该第二PWM信号的占空比相同。
5.如权利要求1或2所述的电压转换电路，其特征在于，该第一PWM信号与该第二PWM信号的占空比不同。
6.一种驱动降压电路的方法，该降压电路包括上侧晶体管及下侧晶体管，该上侧晶体管及该下侧晶体管用于在控制信号的驱动下控制该降压电路的输出电压，其特征在于，该方法包括：
提供周期变化的第一控制信号给该上侧晶体管，该第一控制信号在每个最小周期里包括第一子周期及第二子周期，该第一子周期无信号输出，该第二子周期包含若干个周期变化的方波信号；
将该第一控制信号反相以得到第二控制信号，并将该第二控制信号提供给该下侧晶体管，以控制该下侧晶体管在该上侧晶体管开启时闭合，该下侧晶体管在该上侧晶体管闭合时开启。
7.如权利要求6所述的驱动降压电路的方法，其特征在于，提供第一PWM信号及第二PWM信号，该第一PWM信号及该第二PWM信号均为方波信号且该第一PWM信号的频率与该第二PWM信号的频率不同，将该第一PWM信号及该第二PWM信号进行与操作以得到该第一控制信号。
8.如权利要求7所述的驱动降压电路的方法，其特征在于，该第一PWM信号与该第二PWM信号的占空比相同。
9.如权利要求7所述的驱动降压电路的方法，其特征在于，该第一PWM信号与该第二PWM信号的占空比不同。
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