CN103780080A - 充放电电路以及使用此充放电电路的锁相回路电路 - Google Patents

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CN103780080A CN201210415316.8A CN201210415316A CN103780080A CN 103780080 A CN103780080 A CN 103780080A CN 201210415316 A CN201210415316 A CN 201210415316A CN 103780080 A CN103780080 A CN 103780080A
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Abstract

本发明涉及一种充电放电电路，包含：一连接端、一参考电流提供模块、一上升电流模块以及一下降电流模块。其中下降电流模块包含：一第一开关模块，具有一控制端，用以接收该下降信号以决定该第一开关模块是否导通；一第一偏压晶体管，具有一第一端耦接该连接端，一第二端耦接该第一开关模块，并具有一控制端耦接该参考电流提供模块；以及一第一电容模拟晶体管，具有一第一端以及一第二端耦接于该第一开关模块的该控制端，并具有一控制端耦接于该第一偏压晶体管的该控制端。

Description

充放电电路以及使用此充放电电路的锁相回路电路
技术领域
本发明有关于充放电电路以及使用此充放电电路的锁相回路电路，特别有关于可省略电容的充放电电路以及使用此充放电电路的锁相回路电路。
背景技术
图1绘示了已知技术的锁相回路电路100的方块图。如图1所示，锁相回路电路100包含一相位检测器101、一电荷泵103、一回路滤波器105以及一压控振荡器107。相位检测器101用以比较一参考信号Sref以及一输出信号Sout的相位，以控制电荷泵103对回路滤波器105进行充放电，以控制回路滤波器105输出的控制电压VC。详细言之，回路滤波器105会包含如电容或电感之类的储能元件，因此若提供电流至回路滤波器105进行充电，则控制电压VC会上升，反之若自回路滤波器105汲取电流进行放电，则控制电压VC会下降。
压控振荡器107接收控制电压VC而产生输出信号Sout。压控振荡器107通常在控制电压VC增加时会增加输出信号Sout的频率，而在控制电压VC降低时会减少输出信号Sout的频率，但亦可能随电路设计有所不同。因此若参考信号Sref以及输出信号Sout的相位不同，则可以改变控制电压VC来改变输出信号Sout的频率(等效上亦改变了Sout的相位)，藉由这样的机制，输出信号Sout的相位可锁定至参考信号Sref。锁相回路电路100可在压控振荡器107至相位检测器101的路径上包含一除频器来调整输出信号Sout。举例来说，若参考信号Sref为100MHz的时脉信号，但压控振荡器107所能提供的时脉信号的频率范围未包含100MHz，此时可使先压控振荡器107产生频率较高的400MHz输出信号Sout，并利用除频比为4的除频器来将输出信号Sout除频后，再让相位检测器101比对参考信号Sref和除频后的输出信号Sout。如此可以让压控振荡器107不需要那么广的频率范围，而相位检测器101在比较两较低频的时脉信号时也可以有较精确的比较结果。
电荷泵103可具有各种不同结构，其中一种为根据上升信号或下降信号来提供电流给回路滤波器105或自回路滤波器105或汲取电流，如前所述若提供电流至回路滤波器105则控制电压VC会上升，反之若自回路滤波器105汲取电流则控制电压VC会下降。因此可以藉由这样的方式控制回路滤波器105输出的控制电压VC。详细言之，相位检测器101会比较参考信号Sref以及输出信号Sout的相位而据以产生上升信号UP或下降信号DN。电荷泵103在接收到上升信号UP时产生一上升电流IUP以对回路滤波器105进行充电来增加控制电压VC。相反的，电荷泵103接收到下降信号DN时会自回路滤波器105汲取一下降电流IDN以对回路滤波器105进行放电藉此降低控制电压VC。而压控振荡器107则根据控制电压VC来改变输出信号Sout的频率。
图2绘示了已知技术的由上升信号和下降信号来控制的电荷泵200的电路图。如图2所示，电荷泵200包含了参考电流提供模块201、电容203、207、开关模块205、209以及偏压晶体管BT1、BT2。电容203、电容开关模块205以及偏压晶体管BT1可视为一上升电流模块204，当上升信号UP使开关模块205导通时，上升电流模块便可提供上升电流IUP给回路滤波器202。电容207、电容开关模块209以及偏压晶体管BT2可视为一下降电流模块206，当下降信号DN使开关模块209导通时，下降电流模块便可自回路滤波器202汲取下降电流IDN。
电容203和207的设置是为了稳定上升电流IUP的提供动作以及下降电流IDN的汲取动作。举例来说，当下降信号DN为高电位时，开关模块209导通，开始汲取下降电流IDN，然而偏压晶体管BT2的电压电位会随之下降而变成低电压电位，造成偏压晶体管BT2不导通。因此，若无电容203，则开关模块209导通后，偏压晶体管BT2会很快的关闭而使上升电流IUP的提供动作以及下降电流IDN的汲取动作没办法有效率的进行，亦即没办法快速提供电流值较大的上升电流IUP给回路滤波器202或自回路滤波器202快速汲取电流值较大的下降电流IDN，因而降低了回路滤波器202调整控制电压VC的速度。如此一来使用此电荷泵的锁相回路电路没有办法快速有效的提供具有所需相位的信号。然而，电容为所占面积较大的电子元件，往往一颗电容所占的面积便接近于一半的电荷泵所占的面积。因此已知技术中采用固定电容来稳定上升电流IUP的提供动作以及下降电流IDN的汲取动作的机制，会使电路的面积较大，不符合现代电子装置越来越轻薄的需求。
因此，需要一种新的电路来解决前述的问题。
发明内容
因此，本发明的之一目的为提供一种充电放电电路，可用面积较小的元件取代电容但仍维持电容原有的功能。
本发明的一实施例揭示了一种充电放电电路，用以提供一上升电流至一目标元件以充电该目标元件，或自该目标元件汲取一下降电流以使该目标元件放电，此充电放电电路包含：一连接端、一参考电流提供模块、一上升电流模块以及一下降电流模块。其中下降电流模块包含：一第一开关模块，具有一控制端，该第一开关模块于该第一开关模块的该控制端接收该下降信号以决定该第一开关模块是否导通；一第一偏压晶体管，其中该第一偏压晶体管的一第一端耦接该连接端，该第一偏压晶体管的一第二端耦接该第一开关模块，且该第一偏压晶体管的一控制端耦接该参考电流提供模块；以及一第一电容模拟晶体管，其中该第一电容模拟晶体管的一第一端以及一第二端耦接于该第一开关模块的该控制端，且该第一电容模拟晶体管的一控制端耦接于该第一偏压晶体管的该控制端。
前述的下降电流模块的结构可实施在上升电流模块中，且本发明亦揭示了使用本发明所提供的充放电电路做为电荷泵的锁相回路电路。其结构可由前述下降电流模块的结构推得，故于此不再赘述。
藉由前述的实施例，本发明所揭示的充放电电路可以在不使用电容的情况下，使电路仍具有使用电容时的优点，因此能大幅减少电路面积但仍维持充放电的良好效率。
附图说明
图1绘示了已知技术的锁相回路电路的方块图。
图2绘示了已知技术的由上升信号和下降信号来控制的电荷泵的电路图。
图3绘示了根据本发明一实施例的电荷泵的电路图。
图4绘示了图3所示的电荷泵的详细电路图。
主要元件符号说明
100锁相回路电路
101相位检测器
103、200、300电荷泵
201、301参考电流提供模块
105、202、303回路滤波器
107压控振荡器
203、207电容
204、304上升电流模块
205、209开关模块
206下降电流模块
302连接端
305、309开关模块
306下降电流模块
BT1、BT2偏压晶体管
CT1、CT2电容模拟晶体管
MT1、MT2、MT3、MT4、MT5、MT6晶体管
Iref参考电流源
ST1、ST2、ST3、ST4开关元件
TRS1、TRS2信号接收端
T1ST1、T1ST2、T1ST3、T1ST4、T1BT1、T1BT2、T1CT1、T1CT2、T1MT1、T1MT2、T1MT3、T1MT4、T1MT5、T1MT6第一端
T2ST1、T2ST2、T2ST3、T2ST4、T2BT1、T2BT2、T2CT1、T2CT2、T2MT1、T2MT2、T2MT3、T2MT4、T2MT5、T2MT6第二端
TCST1、TCST2、TCST3、TCST4、TCBT1、TCBT2、TCCT1、TCCT2、TCMT1、TCMT2、TCMT3、TCMT4、TCMT5、TCMT6控制端
具体实施方式
以下将详细说明根据本发明的实施例的电荷泵。图3绘示了根据本发明一实施例的电荷泵300的电路图。相较于图2所示的电路，图3所示的电荷泵300亦包含了参考电流提供模块301、上升电流模块304以及下降电流模块306。上升电流模块304以及下降电流模块306透过一连接端302连接至回路滤波器303。上升电流模块304于信号接收端TRS1接收上升信号UP，由上升信号UP控制来产生上升电流IUP给回路滤波器303，而下降电流模块306于信号接收端TRS2接收下降信号DN，由下降信号DN控制来自回路滤波器303汲取下降电流IDN。然而，图3所示的上升电流模块304、下降电流模块306所包含的元件，和图2所示的上升电流模块204、下降电流模块206所包含的元件并不相同。图3所示的上升电流模块304、下降电流模块306未包含图2所示的上升电流模块204、下降电流模块206中的电容203、207，但包含了电容模拟晶体管CT1、CT2。电容模拟晶体管CT1在此例中为P型金氧半导体晶体管而电容模拟晶体管CT2在此例中为N型金氧半导体晶体管，但并不限定。底下将以电容模拟晶体管CT1来解释电容模拟晶体管的功能，但电容模拟晶体管CT2亦具有相同的功能。
电容模拟晶体管CT1是作为电容使用，其具有辅助偏压晶体管BT2导通的效果。举例来说，当下降信号DN电位（位准）为高时，开关模块309会导通，但在开关模块309导通前，高电位（位准）的信号会透过电容模拟晶体管CT1所形成的电容先行传送至偏压晶体管BT2的控制端TCBT2。而当开关模块309导通后，开关模块309中的晶体管和偏压晶体管BT2会耦合成新的电容(此部份将于图4的描述中详述)，以延迟偏压晶体管BT2的关闭(即不导通)。因此，以电容模拟晶体管取代原本的电容仍可以避免掉已知技术中偏压晶体管BT2会快速关闭的问题。而且，晶体管所占的面积相较于电容来说相当的小，因此以晶体管代替电容可以有效率的减少电路面积。然请留意，图3以及图4的实施例中虽然上升电流模块以及下降电流模块都具有电容模拟晶体管，但亦可仅有其中之一具有电容模拟晶体管。
图4绘示了图3所示的电荷泵300的详细电路图，请留意为了简化图示，有些图3中的元件符号未予标示。如图4所示，参考电流提供模块301为一电流镜，但并不限定。此电流镜包含了晶体管MT1、MT2、MT3、MT4、MT5、MT6以及参考电流源Iref。晶体管MT3、MT4、MT5、MT6分别自晶体管MT1、MT2的路径将参考电流源Iref产生的电流映射至晶体管MT3、MT4、MT5、MT6的路径上。偏压晶体管BT1、BT2分别自晶体管MT3、MT4、MT5、MT6的路径映射参考电流源Iref产生的电流以作为上升电流IUP以及下降电流IDN。
于图4所示的实施例中，开关模块305具有两开关元件ST1、ST2，且开关模块309亦具有两开关元件ST3、ST4。其中开关元件ST2是辅助开关元件ST1的开关动作(导通或不导通)，而开关元件ST3是辅助开关元件ST4的开关动作。
此外，于一实施例中，电容模拟晶体管CT1和偏压晶体管BT1为具有相同规格的晶体管，且电容模拟晶体管CT2和偏压晶体管BT2为具有相同规格的晶体管。于一实施例中，电容模拟晶体管CT1和偏压晶体管BT1均为P型金氧半导体晶体管，而电容模拟晶体管CT2和偏压晶体管BT2均为N型金氧半导体晶体管。于开关模块305导通时，电容模拟晶体管CT1会工作在完全导通(fully turn on)的状态，而偏压晶体管BT1会工作在饱合区(saturation region)的状态，此时偏压晶体管BT1亦可视为一电容，其电容值为电容模拟晶体管CT1的2/3，而偏压晶体管BT1和电容模拟晶体管CT1会耦合成新的电容。同样的，于开关模块309导通时，电容模拟晶体管CT2会工作在完全导通的状态，而偏压晶体管BT2会工作在饱合区的状态，此时偏压晶体管BT2亦可视为一电容，其电容值为电容模拟晶体管CT2的2/3，而偏压晶体管BT2和电容模拟晶体管CT2会耦合成新的电容。然而，电容模拟晶体管和偏压晶体管亦可为不同规格的晶体管，因此可透过选择电容模拟晶体管的尺寸，来调整其本身造成的电容值以及电容模拟晶体管和偏压晶体管耦合形成的电容为所须的电容值。
图4中，标号T1XX表示特定晶体管或特定开关元件的第一端，T2XX表示特定晶体管或特定开关元件的第二端，TCXX表示特定晶体管或特定开关元件的控制端。举例来说，T1ST2代表了开关元件ST2的第一端、T2ST2代表了开关元件ST2的第二端，而TCST2代表了开关元件ST2的控制端。因此，由图4的图示可知，开关元件ST2的控制端TCST2耦接至开关元件ST1的控制端TCST1且接收上升信号UP。而开关元件ST2的第一端T1ST2耦接至开关元件ST1的第一端T1ST1。藉由这样的标号，可得知图4所示的电荷泵300的详细电路以及各元件的连接关系，因此在此不再赘述。
请留意，前述的实施例是以使用于锁相回路电路的电荷泵来做说明，因此图3和图4的电荷泵300可以取代图1中的电荷泵103。但电荷泵可视为一充放电电路且可运用在其他电路上。举例来说，可使用在时脉与数据回复电路(Clock and DataRecovery，CDR上)。因此本发明所揭示的电荷泵可视为一充放电电路，来对一目标元件(如锁相回路电路中的回路滤波器)进行充放电动作。
藉由前述的实施例，本发明所揭示的充放电电路可以在不使用电容的情况下，使电路仍具有使用电容时的优点，因此能大幅减少电路面积但仍维持充放电的良好效率。
以上所述仅为本发明的较佳实施例，凡依本发明申请专利范围所做的均等变化与修饰，皆应属本发明的涵盖范围。

Claims (34)

1.一种充电放电电路，用以对一目标元件充放电，包含：
一连接端，耦接该目标元件，其中该充电放电电路透过该连接端提供一上升电流给该目标元件且透过该连接端自该目标元件汲取一下降电流：
一参考电流提供模块，用以提供一参考电流；
一上升电流模块，由一上升信号控制并根据该参考电流来提供该上升电流；以及
一下降电流模块，由一下降信号控制并根据该参考电流来汲取该下降电流，包含：
一第一开关模块，具有一控制端，该第一开关模块于该第一开关模块的该控制端接收该下降信号以决定该第一开关模块是否导通；
一第一偏压晶体管，其中该第一偏压晶体管的一第一端耦接该连接端，该第一偏压晶体管的一第二端耦接该第一开关模块，且该第一偏压晶体管的一控制端耦接该参考电流提供模块；以及
一第一电容模拟晶体管，其中该第一电容模拟晶体管的一第一端以及一第二端耦接于该第一开关模块的该控制端，且该第一电容模拟晶体管的一控制端耦接于该第一偏压晶体管的该控制端。
2.如权利要求1所述的充电放电电路，其特征在于，该第一开关模块包含：
一第一开关元件，其中该第一开关元件的一第一端耦接一第一预定电压，该第一开关元件的一第二端耦接该第一偏压晶体管的该第二端，且该第一开关元件的一控制端接收该下降信号；以及
一第二开关元件，其中该第二开关元件的一第一端耦接该第一开关元件的该第二端，该第二开关元件的一第二端耦接一第二预定电压，且该第二开关元件的一控制端耦接该一开关元件的该控制端并接收该下降信号。
3.如权利要求1所述的充电放电电路，其特征在于，当该下降信号使该第一开关模块导通时，该第一电容模拟晶体管为完全导通的状态。
4.如权利要求1所述的充电放电电路，其特征在于，该第一偏压晶体管以及该第一电容模拟晶体管为具有相同规格的晶体管。
5.如权利要求1所述的充电放电电路，其特征在于，该第一偏压晶体管以及该第一电容模拟晶体管均为N型金氧半导体晶体管。
6.如权利要求1所述的充电放电电路，其特征在于，该参考电流提供模块为一电流镜，且该第一偏压晶体管用以自该参考电流提供模块映射该参考电流以做为该下降电流。
7.如权利要求1所述的充电放电电路，其特征在于，该上升电流模块包含：
一第二开关模块，具有一控制端，该第二开关模块于该第二开关模块的该控制端接收该上升信号以决定该第二开关模块是否导通；
一第二偏压晶体管，其中该第二偏压晶体管的一第一端耦接该连接端，该第二偏压晶体管的一第二端耦接该开关模块，且该第二偏压晶体管的一控制端耦接该参考电流提供模块；以及
一第二电容模拟晶体管，其中该第二电容模拟晶体管的一第一端以及一第二端耦接于该第二开关模块的该控制端，且该第二电容模拟晶体管的一控制端耦接于该第二偏压晶体管的该控制端。
8.如权利要求7所述的充电放电电路，其特征在于，该第二开关模块包含：
一第一开关元件，其中该第一开关元件的一第二端耦接一第一预定电压，该第一开关元件的一第一端耦接该第二偏压晶体管的该第二端，且该第一开关元件的一控制端接收该上升信号；以及
一第二开关元件，其中该第二开关元件的一第二端耦接该第一开关元件的该第一端，该第二开关元件的一第一端耦接一第二预定电压，且该第二开关元件的一控制端耦接该第一开关元件的该控制端并接收该上升信号。
9.如权利要求7所述的充电放电电路，其特征在于，当该上升信号使该第二开关模块导通时，该第二电容模拟晶体管为完全导通的状态。
10.如权利要求7所述的充电放电电路，其特征在于，该第二偏压晶体管以及该第二电容模拟晶体管为具有相同规格的晶体管。
11.如权利要求7所述的充电放电电路，其特征在于，该第二偏压晶体管以及该第二电容模拟晶体管均为P型金氧半导体晶体管。
12.一种充电放电电路，用以对一目标元件充放电，包含：
一连接端，耦接该目标元件，其中该充电放电电路透过该连接端提供一上升电流给该目标元件且透过该连接端自该目标元件汲取一下降电流：
一参考电流提供模块，用以提供一参考电流；
一下降电流模块，由一下降信号控制并根据该参考电流来汲取该下降电流；以及
一上升电流模块，由一上升信号控制并根据该参考电流来提供该上升电流，包含：
一开关模块，具有一控制端，该开关模块于该开关模块的该控制端接收该上升信号以决定该开关模块是否导通；
一偏压晶体管，其中该偏压晶体管的一第一端耦接该连接端，该偏压晶体管的一第二端耦接该开关模块，且该偏压晶体管的一控制端耦接该参考电流提供模块；以及
一电容模拟晶体管，其中该电容模拟晶体管的一第一端以及一第二端耦接于该开关模块的该控制端，且该电容模拟晶体管的一控制端耦接于该偏压晶体管的该控制端。
13.如权利要求12所述的充电放电电路，其特征在于，该开关模块包含：
一第一开关元件，其中该第一开关元件的一第二端耦接一第一预定电压，该第一开关元件的一第一端耦接该偏压晶体管的该第二端，且该第一开关元件的一控制端接收该上升信号；以及
一第二开关元件，其中该第二开关元件的一第二端耦接该第一开关元件的该第一端，该第二开关元件的一第一端耦接一第二预定电压，且该第二开关元件的一控制端耦接该一开关元件的该控制端并接收该下降信号。
14.如权利要求12所述的充电放电电路，其特征在于，当该上升信号使该开关模块导通时，该电容模拟晶体管为完全导通的状态。
15.如权利要求12所述的充电放电电路，其特征在于，该偏压晶体管以及该电容模拟晶体管为具有相同规格的晶体管。
16.如权利要求12所述的充电放电电路，其特征在于，该偏压晶体管以及该电容模拟晶体管均为P型金氧半导体晶体管。
17.如权利要求12所述的充电放电电路，其特征在于，该参考电流提供模块为一电流镜，且该偏压晶体管用以自该参考电流提供模块映射该参考电流以做为该上升电流。
18.一种锁相回路电路，包含：
一相位检测器，用以比较一参考信号以及一输出信号的相位以产生一上升信号或一下降信号；
一回路滤波器；
一电荷泵，对该回路滤波器进行充放电而使该回路滤波器产生一控制电压，该电荷泵在接收到该上升信号时产生一上升电流以对该回路滤波器进行充电，而该电荷泵接收到该下降信号时自该回路滤波器汲取一下降电流以对该回路滤波器进行放电；以及
一压控振荡器，接收该控制电压而产生该输出信号；
其中该电荷泵包含：
一连接端，耦接该回路滤波器，其中该电荷泵透过该连接端提供该上升电流给该回路滤波器且透过该连接端自该回路滤波器汲取该下降电流：
一参考电流提供模块，用以提供一参考电流；
一上升电流模块，由该上升信号控制并根据该参考电流来提供该上升电流；以及
一下降电流模块，由该下降信号控制并根据该参考电流来汲取该下降电流，包含：
一第一开关模块，具有一控制端，该第一开关模块于该第一开关模块的该控制端接收该下降信号以决定该第一开关模块是否导通；
一第一偏压晶体管，其中该第一偏压晶体管的一第一端耦接该连接端，该第一偏压晶体管的一第二端耦接该第一开关模块，且该第一偏压晶体管的一控制端耦接该参考电流提供模块；以及
一第一电容模拟晶体管，其中该第一电容模拟晶体管的一第一端以及一第二端耦接于该第一开关模块的该控制端，且该第一电容模拟晶体管的一控制端耦接于该第一偏压晶体管的该控制端。
19.如权利要求18所述的锁相回路电路，其特征在于，该第一开关模块包含：
一第一开关元件，其中该第一开关元件的一第一端耦接一第一预定电压，该第一开关元件的一第二端耦接该第一偏压晶体管的该第二端，且该第一开关元件的一控制端接收该下降信号；以及
一第二开关元件，其中该第二开关元件的一第一端耦接该第一开关元件的该第二端，该第二开关元件的一第二端耦接一第二预定电压，且该第二开关元件的一控制端接收该下降信号。
20.如权利要求18所述的锁相回路电路，其特征在于，当该下降信号使该第一开关模块导通时，该第一电容模拟晶体管为完全导通的状态。
21.如权利要求18所述的锁相回路电路，其特征在于，该第一偏压晶体管以及该第一电容模拟晶体管为具有相同规格的晶体管。
22.如权利要求18所述的锁相回路电路，其特征在于，该第一偏压晶体管以及该第一电容模拟晶体管均为N型金氧半导体晶体管。
23.如权利要求18所述的锁相回路电路，其特征在于，该参考电流提供模块为一电流镜，且该第一偏压晶体管用以自该参考电流提供模块映射该参考电流以做为该下降电流。
24.如权利要求18所述的锁相回路电路，其特征在于，该上升电流模块包含：
一第二开关模块，具有一控制端，该第二开关模块于该第二开关模块的该控制端接收该上升信号以决定该第二开关模块是否导通；以及
一第二偏压晶体管，其中该第二偏压晶体管的一第一端耦接该连接端，该第二偏压晶体管的一第二端耦接该开关模块，且该第二偏压晶体管的一控制端耦接该参考电流提供模块。
25.如权利要求24所述的锁相回路电路，其特征在于，该开关模块包含：
一第一开关元件，其中该第一开关元件的一第二端耦接一第一预定电压，该第一开关元件的一第一端耦接该第二偏压晶体管的该第二端，且该第一开关元件的一控制端接收该上升信号；以及
一第二开关元件，其中该第二开关元件的一第二端耦接该第一开关元件的该第一端，该第二开关元件的一第一端耦接一第二预定电压，且该第二开关元件的一控制端接收该上升信号。
26.如权利要求24所述的锁相回路电路，其特征在于，当该上升信号使该第二开关模块导通时，该第二电容模拟晶体管为完全导通的状态。
27.如权利要求24所述的锁相回路电路，其特征在于，该第二偏压晶体管以及该第二电容模拟晶体管为具有相同规格的晶体管。
28.如权利要求24所述的锁相回路电路，其特征在于，该偏压晶体管以及该电容模拟晶体管均为P型金氧半导体晶体管。
29.一种锁相回路电路，包含：
一相位检测器，用以比较一参考信号以及一输出信号的相位以产生一上升信号或一下降信号；
一回路滤波器；
一电荷泵，对该回路滤波器进行充放电而使该回路滤波器产生一控制电压，该电荷泵在接收到该上升信号时产生一上升电流以对该回路滤波器进行充电，而该电荷泵接收到该下降信号时自该回路滤波器汲取一下降电流以对该回路滤波器进行放电；以及
一压控振荡器，接收该控制电压而产生该输出信号；
其中该电荷泵包含：
一连接端，耦接该回路滤波器，其中该电荷泵透过该连接端提供该上升电流给该回路滤波器且透过该连接端自该回路滤波器汲取该下降电流：
一参考电流提供模块，用以提供一参考电流；
一下降电流模块，由一下降信号控制并根据该参考电流来汲取该下降电流;以及
一上升电流模块，由一上升信号控制并根据该参考电流来提供该上升电流，包含：
一开关模块，具有一控制端，该开关模块于该开关模块的该控制端接收该上升信号以决定该开关模块是否导通；
一偏压晶体管，其中该偏压晶体管的一第一端耦接该连接端，该偏压晶体管的一第二端耦接该开关模块，且该偏压晶体管的一控制端耦接该参考电流提供模块；以及
一电容模拟晶体管，其中该电容模拟晶体管的一第一端以及一第二端耦接于该开关模块的该控制端，且该电容模拟晶体管的一控制端耦接于该偏压晶体管的该控制端。
30.如权利要求29所述的锁相回路电路，其特征在于，该开关模块包含：
一第一开关元件，其中该第一开关元件的一第二端耦接一第一预定电压，该第一开关元件的一第一端耦接该偏压晶体管的该第二端，且该第一开关元件的一控制端接收该上升信号；以及
一第二开关元件，其中该第二开关元件的一第二端耦接该第一开关元件的该第一端，该第二开关元件的一第一端耦接一第二预定电压，，且该第二开关元件的一控制端耦接该第一开关元件的该控制端并接收该上升信号。
31.如权利要求29所述的锁相回路电路，其特征在于，当该上升信号使该开关模块导通时，该电容模拟晶体管为完全导通的状态。
32.如权利要求29所述的锁相回路电路，其特征在于，该偏压晶体管以及该电容模拟晶体管为具有相同规格的晶体管。
33.如权利要求29所述的锁相回路电路，其特征在于，该偏压晶体管以及该电容模拟晶体管均为P型金氧半导体晶体管。
34.如权利要求29所述的锁相回路电路，其特征在于，该参考电流提供模块为一电流镜，且该偏压晶体管用以自该参考电流提供模块映射该参考电流以做为该上升电流。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2021048491A (ja) * 2019-09-18 2021-03-25 キオクシア株式会社 半導体集積回路、受信装置、及び半導体集積回路の制御方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040085106A1 (en) * 2002-08-26 2004-05-06 Integrant Technologies Inc. Charge pump circuit for compensating mismatch of output currents
US20070183175A1 (en) * 2006-01-30 2007-08-09 Shiro Sakiyama Charge pumping circuit
CN102006063A (zh) * 2009-09-02 2011-04-06 中国科学院微电子研究所 一种用于锁相环的自跟踪开关型电荷泵

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040085106A1 (en) * 2002-08-26 2004-05-06 Integrant Technologies Inc. Charge pump circuit for compensating mismatch of output currents
US20070183175A1 (en) * 2006-01-30 2007-08-09 Shiro Sakiyama Charge pumping circuit
CN102006063A (zh) * 2009-09-02 2011-04-06 中国科学院微电子研究所 一种用于锁相环的自跟踪开关型电荷泵

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2021048491A (ja) * 2019-09-18 2021-03-25 キオクシア株式会社 半導体集積回路、受信装置、及び半導体集積回路の制御方法
JP7273670B2 (ja) 2019-09-18 2023-05-15 キオクシア株式会社 半導体集積回路、受信装置、及び半導体集積回路の制御方法

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