CN103762188A - 一种半导体长膜工艺中静电卡盘及晶片温度的辨识方法 - Google Patents

Abstract

一种半导体长膜工艺中静电卡盘及晶片温度的辨识方法，（1）滤波处理，（2）差分处理，确定差分数据最大值、最小值、正均值和负均值；（3）确定卡盘/晶片温度缓变段准确位置信息：（a）设定第一峰/谷门限值，比较第一峰/谷门限值和差分数据的大小，以确定M组卡盘/m组晶片温度缓变段初步位置；（b）设定第二峰/谷门限值，比较M组卡盘和m组晶片温度缓变段初步位置中对应差分数据与第二峰/谷门限值的大小，确定卡盘和晶片的温度缓变段准确位置；（4）对卡盘/晶片温度缓变段的准确位置中对应滤波数据求平均值，以得到静电卡盘及晶片温度值。该方法对静电卡盘和晶片温度高精度辨识，可在较为复杂的工作环境下，实现较好的辨识效果。

Description

一种半导体长膜工艺中静电卡盘及晶片温度的辨识方法

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，具体涉及一种半导体长膜工艺中静电卡盘及晶片温度的辨识的方法。

背景技术

如图1所示，在进行半导体长膜工艺时，需要将晶片固定在静电卡盘上，以保持工艺过程中晶片位置的稳定性，同时要实现对静电卡盘及晶片温度的高精度控制，使晶片得到均匀地加热或冷却。半导体长膜工艺对工作温度要求严格，不同的工艺环节对工作平台（静电卡盘）和晶片的工作温度要求不同，因此，需要通过温度控制系统的加热或制冷能力保证工作平台（静电卡盘）和晶片的温度。温度控制系统包括温度检测、温度辨识、实测温度和期望温度的比较、差值的反馈和调节等重要环节，高精度温度控制的前提便是晶片及静电卡盘温度的高精度辨识。

半导体长膜工艺中，一般的采用黑体光纤辐射测温的方法，将工作平台（静电卡盘）和半导体晶片辐射的光信号转化为电信号，然后通过放大、模数转换等中间环节将电信号进行处理，计算出静电卡盘和晶片的温度。

采用黑体光纤辐射测温具有温度分辨率高、响应速度快、不扰动被测目标温度分布场、实时性连续性好等优点。然而，在本系统中，由于受到工作平台旋转速度、晶片数量及其分布位置、光纤传感器摆放位置、传感器波长选取等因素的影响，检测装置得到的温度数据伴随着大量的噪声，且无较好的规律性，为温度的正确辨识带来了较大的困难，工作平台（静电卡盘）和晶片温度的辨识成为该设备性能提高的瓶颈。对此，目前还没有有效可行的解决方案，相关论文和专利中也都没有此种应用背景下的温度辨识算法。

发明内容

本发明的目的在于提供一种半导体长膜工艺中静电卡盘及晶片温度的辨识方法，对静电卡盘和晶片的温度进行高精度辨识，可以在较为复杂的工作环境下，实现较好的辨识效果。

为达到上述目的，本发明的解决方案是：

一种半导体长膜工艺中静电卡盘及晶片温度的辨识方法，包括以下步骤：

（1）滤波处理，对静电卡盘和晶片的温度数据序列进行滤波处理，以消除高频噪声的影响，得到平滑的温度数据序列；

（2）差分处理，对滤波后的温度数据序列做差分处理，并确定差分数据的最大值MaxDiff和最小值MinDiff，差分数据大于0部分的平均值即正均值PosMean和小于0部分的平均值即负均值NegMean；

（3）确定静电卡盘温度和晶片温度分别对应的缓变段准确位置信息：

（a）根据所述最大值MaxDiff、最小值MinDiff、正均值PosMean以及负均值NegMean设定第一峰门限值PeakGate和第一谷门限值TroughGate，分别比较第一峰门限值PeakGate、第一谷门限值TroughGate和差分数据的大小，以确定差分数据中M组静电卡盘的温度缓变段初步位置和m组晶片的温度缓变段初步位置；

（b）根据正均值PosMean以及负均值NegMean设定第二峰门限值和第二谷门限值，且第二峰门限值小于第一峰门限值，第二谷门限值大于第一谷门限值，分别比较M组静电卡盘/m组晶片的温度缓变段初步位置中对应的差分数据与第二峰门限值和第二谷门限值的大小，确定所有的静电卡盘和晶片的温度缓变段准确位置；

（4）分别计算静电卡盘温度值和晶片温度值：分别对所述所有的静电卡盘/晶片温度缓变段的准确位置中对应的滤波数据求取平均值，以得到静电卡盘及晶片的温度值。

所述步骤（a）中，当差分数据中对应数值大于第一峰门限值PeakGate时，判断其为峰段数据，记录峰段开始点及结束点的位置并定义为峰段数组，则差分数据中包括多组峰段数组，将每组峰段数组中峰段开始点和结束点的位置信息添加“+”号，并记录到峰段/谷段数组中，当差分数据中对应数值小于第一谷门限数值TroughGate时，判断其为谷段数据，记录谷段开始点及结束点的位置并定义为谷段数组，则差分数据中包括多组谷段数组，将每组谷段数组中谷段开始点和结束点的位置信息添加“-”号，并记录到峰段/谷段数组，则M组静电卡盘温度缓变段的初步位置即为多个峰段结束点至谷段开始点之间的位置，亦即峰段/谷段数组中多组“+”～“-”之间的位置；晶片温度缓变段的初步位置即为谷段结束点至峰段开始点之间的位置，亦即峰段/谷段数组中多组“-”～“+”之间的位置。

步骤（a）中，对峰段/谷段数组的首末位置进行分析，考虑差分数据的两端是否有较多数据未被包括在峰段/谷段数组中，若是，则更新峰段/谷段数组。

若峰段/谷段数组首位置为正值，在首位置前加入一个负值(-1)，否则加入一个正值(+1)；若峰段/谷段数组末位置为正值，则在末位置后加入一个负值（-(n-1)，n为滤波娄据总数），否则加入一个正值（+(n-1)，n为滤波数据总数）。

所述步骤（b）中，M组静电卡盘温度缓变段的初步位置中，分别从峰段结束点位置开始，位置依次加1，比较各位置对应的差分数值与第二峰门限值的大小，以第一个小于第二峰门限值的数值对应的位置作为该组静电卡盘温度缓变段的初步位置中静电卡盘温度缓变段的准确位置的起始位置；从谷段开始点位置开始，位置依次减1，比较各位置对应的差分数值与第二谷门限值的大小，以第一个大于第二谷门限值的数值对应的位置作为该组静电卡盘温度缓变段的初步位置中静电卡盘温度缓变段的准确位置的结束位置，循环进行直至确定M组静电卡盘温度缓变段的初步位置中各自的静电卡盘温度缓变段的准确位置；

m组晶片温度缓变段的初步位置中，从谷段结束点位置开始，位置依次加1，比较各位置对应的差分数值与第二谷门限值的大小，以第一个大于第二谷门限值的数值对应的位置作为该组晶片温度缓变段的初步位置中晶片温度缓变段的准确位置的起始位置；从峰段开始点位置开始，位置依次减1，比较各位置对应的差分数值与第二峰门限值的大小，以第一个小于第二峰门限值的数值对应的位置作为该组位置中晶片温度缓变段的准确位置的结束位置，循环进行直至确定m组晶片温度缓变段的初步位置中各自的晶片温度缓变段的准确位置。

所述第二峰门限值和第二谷门限值的取值不唯一，第二峰门限值和第二谷门限值数值的绝对值越高，静电卡盘和晶片温度缓变段的准确位置确定的精度越低。

所述第二峰门限值的大小为0.25×PosMean，所述第二谷门限值的大小为0.25×NegMean。

所述步骤（1）中，选用滤波器的阶数为l，滤波器系数为h(i)(0＜i＜l)，滤波前温度数据序列为x(n)，则滤波后数据序列为y(n)，

$y\left(n\right)=\underset{i=0}{\overset{l}{\mathrm{\Σ}}}h\left(i\right)\×x(n-i)(n\≥l).$

所述步骤（2）中，对滤波后的温度数据序列进行后向差分处理，即

y′(n)＝y(n)-y(n-1)(n≥1)

所述步骤（a）中，第一峰门限值和第二谷门限值的大小分别为：

PeakGate-PosMean+0.1(MaxDiff-PosMean)

TroughHate＝NegMean+0.1(MinDiff-NegMean)

由于采用上述方案，本发明的有益效果是：

静电卡盘上的温度较晶片上高，且晶片和静电卡盘上各点的温度是均匀的，本发明所示的半导体长膜工艺中静电卡盘及晶片温度的辨识方法，通过找到温度数据中的静电卡盘温度和晶片温度分别对应的缓变段，以分辨出静电卡盘和晶片上对应的温度值。

辨识方法中各步骤的作用和效果如下：（1）滤波处理。对转换后的温度数据序列进行滤波处理，以消除高频噪声的影响，得到平滑的、容易处理的数据序列；（2）差分处理。为更加清晰地了解各检测点温度的变化情况，对滤波后的数据序列做差分处理；（3）提取位置信息。根据基本数学知识可知，缓变段数据对应的差分值较小，且在差分数据波形中，峰-谷之间对应静电卡盘温度缓变段，谷-峰之间对应晶片温度缓变段。因此，本算法首先对差分数据大于0及小于0的部分分别设置一定的门限，以提取温度快速上升及快速下降的位置信息（表现在差分数据波形中即为峰、谷的位置信息），再降低门限，根据快速变化数据段位置向两侧寻找，提取静电卡盘温度和晶片温度分别对应的缓变段的准确位置；（4）计算温度值。分别对所有静电卡盘/晶片温度缓变段求取平均值，得到静电卡盘及晶片上的温度值。

该半导体长膜工艺中静电卡盘及晶片温度的辨识方法可以在较为复杂的实际工艺生产中，较好地辨识静电卡盘及温度的温度，为后续的高精度温度控制奠定了良好的基础。

附图说明

图1是本发明所示的静电卡盘及晶片系统示意图；

图2是本发明所示辨识方法的流程图；

图3为一组温度离线数据序列滤波前的柱状图；

图4为图3数据序列经滤波后的柱状图；

图5为辨识结果在滤波前数据柱状图上的标注示意图；

图6为辨识结果在滤波后数据柱状图上的标注示意图；

其中，1为晶片，2为静电卡盘，3为对应静电卡盘温度段，4为对应晶片温度段。

具体实施方式

以下结合附图所示实施例对本发明作进一步的说明。

本发明公开了一种半导体长膜工艺中静电卡盘及晶片温度的辨识方法，其目的在于分辨出一组静电卡盘2和晶片1的温度数据序列中静电卡盘2和晶片1上对应的温度值，由于静电卡盘2上的温度高于晶片1的温度高，且晶片1和静电卡盘2上各点的温度是均匀的，故本发明所示的辨识方法通过找到温度数据中的静电卡盘2温度和晶片1温度分别对应的缓变段以最终确定静电卡盘2和晶片1的温度值。

如图2所示，本发明公开了一种半导体长膜工艺中静电卡盘及晶片温度的辨识方法，包括以下步骤：

（1）滤波处理，对一组静电卡盘2和晶片1的温度数据序列进行滤波处理，以消除高频噪声的影响，得到平滑的温度数据序列。

对于转换后的一组温度数据序列，先进行滤波处理，消除高频噪声对数据处理的影响，从而得到一组较为平滑的、容易进行后续处理的数据序列。步骤（1）中，选用滤波器的阶数

$y\left(n\right)=\underset{i=0}{\overset{l}{\mathrm{\Σ}}}h\left(i\right)\×x(n-i)(n\≥l).$

为l，滤波器系数为h(i)(0≤i≤l)，滤波前温度数据序列为x(n)则滤波后数据序列为y(n)，

静电卡盘2和晶片1的一组离线温度数据滤波前后的数据序列分别如图3和图4所示。对比图3和图4可以看出，经过滤波处理后的静电卡盘2和晶片1温度数据中的高频噪声已经被滤掉，波形光滑很多。

（2）差分处理，对滤波后的温度数据序列做差分处理。步骤（2）中，为更加清晰地了解各检测点温度的变化情况，对滤波后的数据序列做差分处理，将（1）中得到滤波后的温度数据序列进行后向差分处理，即

y′(n)＝y(n)-y(n-1)(n≥1)

以得到滤波后的温度数据序列的数据变化信息，其中，y′（n)为正值说明相邻位置温度较高，y′（n)为负值则说明相邻位置温度较低。由于静电卡盘2/晶片1上的温度各自是相对均匀的，各位置温差不大，即相邻位置y′（n)的绝对值较小；而静电卡盘2与晶片1的温差相对较大，相邻位置y′（n)的绝对值也较大。故y′（n)的绝对值较大时，说明两位置的温差较大，排除异常情况外，可能为静电卡盘2与晶片1的临界位置。

确定差分数据的最大值MaxDiff和最小值MinDiff，差分数据大于0部分的平均值即正均值PosMean和小于0部分的平均值即负均值NegMean，作为下一步确定第一峰门限值和第一谷门限值的基准信息。

（3）确定静电卡盘2温度和晶片1温度分别对应的缓变段位置信息。根据基本数学知识可知，缓变段数据对应的差分值较小，而在差分数据波形中，峰-谷之间为静电卡盘2的温度缓变段，谷-峰之间为晶片的缓变段，故步骤（3）中需要找出峰-谷之间差分值较小数据段对应的位置以确定静电卡盘2的温度缓变段，谷-峰之间差分值较小数据段对应的位置以确定静电卡盘2的温度缓变段，具体确定步骤如下：

（a）根据最大值MaxDiff、最小值MinDiff、正均值PosMean以及负均值NegMean设定第一峰门限值PeakGate和第一谷门限值TroughGate，分别比较第一峰门限值PeakGate、第一谷门限值TroughGate和差分数据的大小，以确定差分数据中M组静电卡盘2的温度缓变段初步位置和m组晶片1的温度缓变段初步位置。

本实施例中，首先对差分数据大于0及小于0的部分分别设置一定的门限，以提取温度快速上升及快速下降的位置信息（表现在差分数据波形中即为峰、谷的位置信息），然后根据峰-谷之间为静电卡盘2上的高温数据、谷-峰之间为晶片1上的低温数据的规律，提取出静电卡盘2和晶片1缓变段的初步位置。

由于工艺生产线上情况多变，因此，门限的选取需要具有一定的自适应性。本发明所示的辨识方法中，根据实际线上情况，第一峰门限值PeakGate和第一谷门限值TroughGate分别设置为：

PeakGate＝PosMean+0.1(MaxDoff-PosMean)

TroughGate＝NegMean+0.1(MinDiff-NegMean)

第一峰门限值PeakGate和第一谷门限值TroughGate确定后，分别比较第一峰门限值PeakGate、第一谷门限值TroughGate和差分数据的大小，以确定差分数据波形为峰、谷的位置信息。

步骤（a）中，当差分数据中对应数值大于第一峰门限值PeakGate时，判断其为峰段数据，记录峰段开始点及结束点的位置并定义为峰段数组，则差分数据中包括多组峰段数组，将每组峰段数组中峰段开始点和结束点的位置信息添加“+”号，并记录到峰段/谷段数组中，当差分数据中对应数值小于第一谷门限数值TroughGate时，判断其为谷段数据，记录谷段开始点及结束点的位置并定义为谷段数组，则差分数据中包括多组谷段数组，将每组谷段数组中谷段开始点和结束点的位置信息添加“-”号，并记录到峰段/谷段数组，则M组静电卡盘2温度缓变段的初步位置即为多个峰段结束点至谷段开始点之间的位置，亦即峰段/谷段数组中多组“+”～“-”之间的位置；晶片1温度缓变段的初步位置即为谷段结束点至峰段开始点之间的位置，亦即峰段/谷段数组中多组“-”～“+”之间的位置。

为了尽可能多地使用数据，本实施例中对峰段/谷段数组的首末位置进行分析，考虑差分数据的两端是否有较多数据未被包括在峰段/谷段数组中，若是，则更新峰段/谷段数组。此时，若峰段/谷段数组首位置为正值，在首位置前加入一个负值(-1)，否则加入一个正值(+1)；若峰段/谷段数组末位置为正值，则在末位置后加入一个负值(-(n-1)，n为滤波数据总数)，否则加入一个正值（+(n-1)，n为滤波数据总数)。

（b）根据正均值PosMean以及负均值NegMean设定第二峰门限值和第二谷门限值，且第二峰门限值小于第一峰门限值，第二谷门限值大于第一谷门限值，分别比较M组静电卡盘2/m组晶片1的温度缓变段初步位置中对应的差分数据与第二峰门限值和第二谷门限值的大小，确定所有的静电卡盘2和晶片1的温度缓变段准确位置。

步骤（a）中初步确定了差分数据中静电卡盘2和晶片1温度缓变段的位置，但是两者多组缓变段初步位置对应差分数据中，在首尾位置段仍然存在一些差分值较大的数据，故需要对静电卡盘2和晶片1温度缓变段的初步位置中所包括的数组进行一步过滤。

本实施例中，通过设定第二峰门限值和第二谷门限值，降低门限，根据快速变化数据段位置向两侧寻找，提取静电卡盘2温度和晶片1温度分别对应的缓变段的准确位置。

第二峰门限值，第二谷门限值的数值并不唯一，其理想取值为0，但是考虑到以0为门限可能拿到不够充分的数据点，因此，第二峰门限值，第二谷门限值需要稍微放宽，以取到更多有效数据点，具体放宽多少由精度要求确定，一般情况下，门限越高精度越低。本实施例中，第二峰门限值的大小为0.25×PosMean，所述第二谷门限值的大小为0.25×NegMean。

步骤（b）中，M组静电卡盘2温度缓变段的初步位置中，分别从峰段结束点位置开始，位置依次加1，比较各位置对应的差分数值与第二峰门限值的大小，以第一个小于第二峰门限值的数值对应的位置作为该组静电卡盘2温度缓变段的初步位置中静电卡盘2温度缓变段的准确位置的起始位置；从谷段开始点位置开始，位置依次减1，比较各位置对应的差分数值与第二谷门限值的大小，以第一个大于第二谷门限值的数值对应的位置作为该组静电卡盘2温度缓变段的初步位置中静电卡盘2温度缓变段的准确位置的结束位置，循环进行直至确定M组静电卡盘2温度缓变段的初步位置中各自的静电卡盘2温度缓变段的准确位置。

m组晶片1温度缓变段的初步位置中，从谷段结束点位置开始，位置依次加1，比较各位置对应的差分数值与第二谷门限值的大小，以第一个大于第二谷门限值的数值对应的位置作为该组晶片1温度缓变段的初步位置中晶片1温度缓变段的准确位置的起始位置；从峰段开始点位置开始，位置依次减1，比较各位置对应的差分数值与第二峰门限值的大小，以第一个小于第二峰门限值的数值对应的位置作为该组位置中晶片1温度缓变段的准确位置的结束位置，循环进行直至确定m组晶片1温度缓变段的初步位置中各自的晶片1温度缓变段的准确位置。

（4）分别计算静电卡盘2温度值和晶片1温度值：分别对所述所有静电卡盘2/晶片1温度缓变段的准确位置对应的滤波数据求取平均值，以得到静电卡盘2及晶片1上的温度值。

对步骤（b）得到的M组静电卡盘2缓变段准确位置和m组晶片1温度缓变段准确位置对应的滤过数据取平均值，即可得到需要的静电卡盘2及晶片1的温度信息，完成对温度的辨识。对前述数据的辨识结果如图5和图6所示，其中，3 为对应静电卡盘2温度段，4 为对应晶片1温度段，从图中可以看出，辨识结果较为理想。

上述的对实施例的描述是为便于该技术领域的普通技术人员能理解和使用本发明。熟悉本领域技术的人员显然可以容易地对这些实施例做出各种修改，并把在此说明的一般原理应用到其他实施例中而不必经过创造性的劳动。因此，本发明不限于上述实施例，本领域技术人员根据本发明的揭示，不脱离本发明范畴所做出的改进和修改都应该在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种半导体长膜工艺中静电卡盘及晶片温度的辨识方法，其特征在于：包括以下步骤：

（1）滤波处理，对静电卡盘和晶片的温度数据序列进行滤波处理，以消除高频噪声的影响，得到平滑的温度数据序列；

（2）差分处理，对滤波后的温度数据序列做差分处理，并确定差分数据的最大值MaxDiff和最小值MinDiff，差分数据大于0部分的平均值即正均值PosMean和小于0部分的平均值即负均值NegMean；

（3）确定静电卡盘温度和晶片温度分别对应的缓变段准确位置信息：

（a）根据所述最大值MaxDiff、最小值MinDiff、正均值PosMean以及负均值NegMean设定第一峰门限值PeakGate和第一谷门限值TroughGate，分别比较第一峰门限值PeakGate、第一谷门限值TroughGate和差分数据的大小，以确定差分数据中M组静电卡盘的温度缓变段初步位置和m组晶片的温度缓变段初步位置；

（b）根据正均值PosMean以及负均值NegMean设定第二峰门限值和第二谷门限值，且第二峰门限值小于第一峰门限值，第二谷门限值大于第一谷门限值，分别比较M组静电卡盘/m组晶片的温度缓变段初步位置中对应的差分数据与第二峰门限值和第二谷门限值的大小，确定所有的静电卡盘和晶片的温度缓变段准确位置；

（4）分别计算静电卡盘温度值和晶片温度值：分别对所述所有的静电卡盘/晶片温度缓变段的准确位置中对应的滤波数据求取平均值，以得到静电卡盘及晶片的温度值。

2.根据权利要求1所述的半导体长膜工艺中静电卡盘及晶片温度的辨识方法，其特征在于：所述步骤（a）中，当差分数据中对应数值大于第一峰门限值PeakGate时，判断其为峰段数据，记录峰段开始点及结束点的位置并定义为峰段数组，则差分数据中包括多组峰段数组，将每组峰段数组中峰段开始点和结束点的位置信息添加“+”号，并记录到峰段/谷段数组中，当差分数据中对应数值小于第一谷门限数值TroughGate时，判断其为谷段数据，记录谷段开始点及结束点的位置并定义为谷段数组，则差分数据中包括多组谷段数组，将每组谷段数组中谷段开始点和结束点的位置信息添加“-”号，并记录到峰段/谷段数组，则M组静电卡盘温度缓变段的初步位置即为多个峰段结束点至谷段开始点之间的位置，亦即峰段/谷段数组中多组“+”～“-”之间的位置；晶片温度缓变段的初步位置即为谷段结束点至峰段开始点之间的位置，亦即峰段/谷段数组中多组“-”～“+”之间的位置。

3.根据权利要求2所述的半导体长膜工艺中静电卡盘及晶片温度的辨识方法，其特征在于：步骤（a）中，对峰段/谷段数组的首末位置进行分析，考虑差分数据的两端是否有较多数据未被包括在峰段/谷段数组中，若是，则更新峰段/谷段数组。

4.根据权利要求3所述的半导体长膜工艺中静电卡盘及晶片温度的辨识方法，其特征在于：若峰段/谷段数组首位置为正值，在首位置前加入一个负值(-1)，否则加入一个正值(+1)；若峰段/谷段数组末位置为正值，则在末位置后加入一个负值（-(n-1)，n为滤波数据总数），否则加入一个正值（+(n-1)，n为滤波数据总数)。

5.根据权利要求1至4任一项所述的半导体长膜工艺中静电卡盘及晶片温度的辨识方法，其特征在于：所述步骤（b）中，M组静电卡盘温度缓变段的初步位置中，分别从峰段结束点位置开始，位置依次加1，比较各位置对应的差分数值与第二峰门限值的大小，以第一个小于第二峰门限值的数值对应的位置作为该组静电卡盘温度缓变段的初步位置中静电卡盘温度缓变段的准确位置的起始位置；从谷段开始点位置开始，位置依次减1，比较各位置对应的差分数值与第二谷门限值的大小，以第一个大于第二谷门限值的数值对应的位置作为该组静电卡盘温度缓变段的初步位置中静电卡盘温度缓变段的准确位置的结束位置，循环进行直至确定M组静电卡盘温度缓变段的初步位置中各自的静电卡盘温度缓变段的准确位置；

m组晶片温度缓变段的初步位置中，从谷段结束点位置开始，位置依次加1，比较各位置对应的差分数值与第二谷门限值的大小，以第一个大于第二谷门限值的数值对应的位置作为该组晶片温度缓变段的初步位置中晶片温度缓变段的准确位置的起始位置；从峰段开始点位置开始，位置依次减1，比较各位置对应的差分数值与第二峰门限值的大小，以第一个小于第二峰门限值的数值对应的位置作为该组位置中晶片温度缓变段的准确位置的结束位置，循环进行直至确定m组晶片温度缓变段的初步位置中各自的晶片温度缓变段的准确位置。

6.根据权利要求1所述的半导体长膜工艺中静电卡盘及晶片温度的辨识方法，其特征在于：第二峰门限值和第二谷门限值数值的绝对值越高，静电卡盘和晶片温度缓变段的准确位置确定的精度越低。

7.根据权利要求6所述的半导体长膜工艺中静电卡盘及晶片温度的辨识方法，其特征在于：所述第二峰门限值的大小为0.25×PosMean，所述第二谷门限值的大小为0.25×NegMean。

8.根据权利要求1所述的半导体长膜工艺中静电卡盘及晶片温度的辨识方法，其特征在于：所述步骤（1）中，选用滤波器的阶数为l，滤波器系数为h(i)(0＜i＜l)，滤波前温度数据序列为x(n)，则滤波后数据序列为y(n)，

$y\left(n\right)=\underset{i=0}{\overset{l}{\mathrm{\Σ}}}h\left(i\right)\×x(n-i)(n\≥l).$

9.根据权利要求1所述的半导体长膜工艺中静电卡盘及晶片温度的辨识方法，其特征在于：所述步骤（2）中，对滤波后的温度数据序列进行后向差分处理，即

y′(n)＝y(n)-y(n-1)(n≥1)。

10.根据权利要求1所述的半导体长膜工艺中静电卡盘及晶片温度的辨识方法，其特征在于：所述步骤（a）中，第一峰门限值和第二谷门限值的大小分别为：

PeakGate-PosMean+0.1(MaxDiff-PosMean)

TroughHate＝NegMean+0.1(MinDiff-NegMean)。

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