CN103741213A - 一种多晶硅铸锭用熔料工艺 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种多晶硅铸锭用熔料工艺，包括步骤：一、预热：采用铸锭炉对装于坩埚内的硅料进行预热，并将铸锭炉的加热温度逐步提升至T1；预热时间为6～10h，T1=1165～1185℃；二、熔化：对装于坩埚内的硅料进行熔化，熔化温度为T1～T5；其中T5=1540～1560℃；待坩埚内的硅料全部熔化后，将铸锭炉加热温度控制在T5，之后铸锭炉加热功率开始下降，待铸锭炉的加热功率停止下降且持续时间t后，熔料过程完成；t=18min～22min。本发明方法步骤简单、设计合理、实现方便且易于掌握、使用效果好，能有效解决由于熔料时间不足或熔料时间过长而造成的所生产多晶硅铸锭质量下降的问题。
Description
技术领域
本发明属于多晶硅铸锭技术领域，尤其是涉及一种多晶硅铸锭用熔料工艺。
背景技术
光伏发电是当前最重要的清洁能源之一，具有极大的发展潜力。制约光伏行业发展的关键因素，一方面是光电转化效率低，另一方面是成本偏高。光伏硅片是生产太阳能电池和组件的基本材料，用于生产光伏硅片的多晶硅纯度必须在6N级以上（即非硅杂质总含量在1ppm以下），否则光伏电池的性能将受到很大的负面影响。近几年，多晶硅片生产技术有了显著进步，多晶铸锭技术已从G4（每个硅锭重约270kg，可切4×4=16个硅方)进步到G5(5×5=25个硅方），然后又进步到G6(6×6=36个硅方)。并且，所生产多晶硅铸锭的单位体积逐步增大，成品率增加，且单位体积多晶硅铸锭的制造成本逐步降低。目前，如何制造出体积更大的多晶硅铸锭，是降低制造成本的重要措施。
实际生产过程中，太阳能多晶硅铸锭时，需使用石英坩埚来填装硅料，且将硅料投入石英坩埚后，通常情况下还需经预热、熔化（也称熔料）、长晶（也称定向凝固结晶）、退火、冷却等步骤，才能完成多晶硅铸锭过程。实际进行多晶硅铸锭时，由熔化阶段跳转到长晶阶段的时间如果控制不好，会造成铸锭失败：如果过早进入长晶阶段，可能造成硅料熔化不够充分，造成硅锭寿命异常；而如果太晚切换到长晶阶段，就会使石英坩埚长时间处于高温阶段，对氮化硅涂层可能造成损伤，造成粘埚。而现如今，进行多晶硅铸锭时，大多数厂家均不能准确把握由熔化阶段切换到长晶阶段的切换时机，并相应导致由于熔料时间不足或熔料时间过长而造成的所生产多晶硅铸锭质量下降的问题。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于针对上述现有技术中的不足，提供一种多晶硅铸锭用熔料工艺，其方法步骤简单、设计合理、实现方便且易于掌握、使用效果好，能解决由于熔料时间不足或熔料时间过长而造成的所生产多晶硅铸锭质量下降的问题。
为解决上述技术问题，本发明采用的技术方案是：一种多晶硅铸锭用熔料工艺，其特征在于该工艺包括以下步骤：
步骤一、预热：采用铸锭炉对装于坩埚内的硅料进行预热，并将所述铸锭炉的加热温度逐步提升至T1；预热时间为6h～10h，其中T1=1165℃～1185℃；
步骤二、熔化：采用所述铸锭炉对装于坩埚内的硅料进行熔化，熔化温度为T1～T5；其中T5=1540℃～1560℃；
待坩埚内的硅料全部熔化后，将所述铸锭炉的加热温度控制在T5，之后所述铸锭炉的加热功率开始下降，待所述铸锭炉的加热功率停止下降且持续时间t后，熔料过程完成；其中t=18min～22min。
上述一种多晶硅铸锭用熔料工艺，其特征是：步骤一中预热过程中，将所述铸锭炉的加热功率逐步升高至P1，其中P1=70kW～80kW；步骤二中所述坩埚内的硅料全部熔化后，对所述铸锭炉的加热功率变化情况进行观测，待所述铸锭炉的加热功率下降至P2，并保持P2不变且持续时间t后，熔料过程完成；其中，P2=35kW～45kW。
上述一种多晶硅铸锭用熔料工艺，其特征是：步骤二中熔化过程中，向所述铸锭炉内充入惰性气体并将所述铸锭炉内气压保持在Q1，其中Q1=550mbar～650mbar。
上述一种多晶硅铸锭用熔料工艺，其特征是：步骤二中进行熔化时，过程如下：
第1步、保温：将所述铸锭炉的加热温度控制在T1，并保温0.4h～0.6h；
第2步至第5步、升温及加压：由先至后分四步将所述铸锭炉的加热温度由T1逐渐提升至T2，升温时间为0.4h～0.6h；升温过程中向所述铸锭炉内充入惰性气体并将所述铸锭炉的气压逐步提升至Q1；其中，T2=1190℃～1210℃；
第6步、第一次升温及保压：将所述铸锭炉的加热温度由T2逐渐提升至T3且升温时间为3.5h～4.5h，升温过程中所述铸锭炉内气压保持在Q1；其中，T3=1440℃～1460℃；
第7步：第二次升温及保压：将所述铸锭炉的加热温度由T3逐渐提升至T4且升温时间为3.5h～4.5h，升温过程中所述铸锭炉内气压保持在Q1；其中，T4=1490℃～1510℃；
第8步、第三次升温及保压：将所述铸锭炉的加热温度由T4逐渐提升至T5且升温时间为3.5h～4.5h，升温过程中所述铸锭炉内气压保持在Q1；其中，T5=1540℃～1560℃；
第9步、保温：将所述铸锭炉的加热温度控制在T5，并保温3.5h～4.5h；保温过程中，所述铸锭炉内气压保持在Q1；
第10步、持续保温：将所述铸锭炉的加热温度控制在T5，并保温4h～8h，直至坩埚内的硅料全部熔化；保温过程中，所述铸锭炉内气压保持在Q1。
上述一种多晶硅铸锭用熔料工艺，其特征是：第6步中进行第一次升温及保压过程中、第7步中进行第二次升温及保压过程中、第8步中进行第三次升温及保压过程中和第9步中进行保温过程中，均需对所述铸锭炉的加热功率变化情况进行观测，并确保所述铸锭炉的加热功率变化平稳。
上述一种多晶硅铸锭用熔料工艺，其特征是：第2步至第5步中由先至后分四步将所述铸锭炉的加热温度由T1逐渐提升至T2时，每一步提升温度5℃～8℃，且每一步提升均需5min～10min。
上述一种多晶硅铸锭用熔料工艺，其特征是：步骤一中预热时间为7h；预热过程中，将所述铸锭炉的加热功率以（10～15）kW/h的增长速率逐步提升至P1。
上述一种多晶硅铸锭用熔料工艺，其特征是：步骤一中T1=1175℃，P1=75kW；步骤二中T5=1550℃，t=20min。
上述一种多晶硅铸锭用熔料工艺，其特征是：第2步至第5步中T2=1200℃，第6步中T3=1450℃，第7步中T4=1500℃，第8步中T5=1550℃。
上述一种多晶硅铸锭用熔料工艺，其特征是：步骤一中所述铸锭炉为G5型铸锭炉。
本发明与现有技术相比具有以下优点：
1、设计合理且处理工艺步骤简单，易于掌握。
2、投入成本低且实现方便。
3、使用操作方便，熔化过程中，待坩埚内的硅料全部熔化后，控制铸锭炉的加热温度保持不变，并对铸锭炉的加热功率随时间变化的曲线（即功率曲线）进行观测；其中，待坩埚内的硅料全部熔化后，铸锭炉的功率曲线开始下降，待铸锭炉的功率曲线下降且走平20min后，熔料过程完成，之后进行长晶阶段。实际操作过程中，通过观测功率曲线便能准确确定熔料过程完成的时间点，即由熔化阶段切换到长晶阶段的切换时间点。实际操作简便，且实现方便，能准确把握由熔化阶段切换到长晶阶段的切换时机。也就是说，本发明通过延长熔料时间稳定铸锭熔料曲线，待功率曲线走平20min后再切入长晶阶段，因而能准确熔化到长晶阶段的切换时机，同时杜绝了由于熔料时间不足或熔料时间过长造成的多晶硅铸锭质量下降、成本上升等问题。并且，采用本发明对多晶硅铸锭过程中熔料至长晶的切换时机进行准确把握后，能确保长晶的质量和最终制成电池片的转换效率。
4、熔化过程分十步进行，设计合理、实现方便且使用效果好，可有效改善长晶质量，降低粘埚率，提高太阳能电池片的转换效率，能有效提高成品率。
5、实用性强，便于批量生产。
综上所述，本发明方法步骤简单、设计合理、实现方便且易于掌握、使用效果好，能有效解决由于熔料时间不足或熔料时间过长而造成的所生产多晶硅铸锭质量下降的问题。
下面通过附图和实施例，对本发明的技术方案做进一步的详细描述。
附图说明
图1为本发明的工艺流程框图。
图2为采用本发明进行多晶硅铸锭时的温度及功率曲线图。
具体实施方式
实施例1
如图1所示的一种多晶硅铸锭用熔料工艺，包括以下步骤：
步骤一、预热：采用铸锭炉对装于坩埚内的硅料进行预热，并将所述铸锭炉的加热温度逐步提升至T1；预热时间为7h，其中T1=1175℃。
本实施例中，所述铸锭炉为G5型铸锭炉。并且，所述铸锭炉具体为浙江晶盛机电股份有限公司生产的G5型铸锭炉。所述坩埚为石英坩埚且其为G5坩埚，并且生产出来的多晶硅铸锭为G5锭。
实际使用时，所述石英坩埚的装料量为600kg左右。
本实施例中，所述石英坩埚的装料量为560kg。实际使用过程中，可以根据具体需要，对所述石英坩埚的装料量进行相应调整。
本实施例中，步骤一中预热过程中，将所述铸锭炉的加热功率逐步升高至P1，其中P1=75kW。
并且，预热过程中，将所述铸锭炉的加热功率以（10～15）kW/h的增长速率逐步提升至P1。
实际进行预热时，可以根据具体需要，对预热时间、预热过程中加热功率的增长速率以及T1和P1的取值大小进行相应调整。
步骤二、熔化：采用所述铸锭炉对装于坩埚内的硅料进行熔化，熔化温度为T1～T5；其中T5=1550℃。
待坩埚内的硅料全部熔化后，将所述铸锭炉的加热温度控制在T5，之后所述铸锭炉的加热功率开始下降，待所述铸锭炉的加热功率停止下降且持续时间t后，熔料过程完成；其中t=20min。
实际进行熔化时，可以根据具体需要，对T5和t的取值大小进行相应调整。
本实施例中，步骤二中熔化过程中，向所述铸锭炉内充入惰性气体并将所述铸锭炉内气压保持在Q1，其中Q1=600mbar。
实际进行熔化时，可以根据具体需要，对Q1的取值大小进行相应调整。
本实施例中，待坩埚内的硅料全部熔化后，将所述铸锭炉的加热温度控制在T5，并对所述铸锭炉的加热功率随时间变化的曲线（即功率曲线）进行观测，详见图2。图2中，细实线为所述铸锭炉的加热功率随时间变化的曲线，需实线为所述铸锭炉的加热温度随时间变化的曲线，竖线为坩埚内的硅料全部熔化时的报警线。由图2可以看出，待坩埚内的硅料全部熔化后，所述铸锭炉的功率曲线开始下降，待所述铸锭炉的功率曲线下降且走平20min后，熔料过程完成，之后进入长晶阶段；即图2中的A点为熔料过程完成的时间点。
本实施例中，进行长晶时，先将所述铸锭炉的加热温度由T5逐渐降至T6后，开始进行定向凝固并进入长晶过程，其中T6为多晶硅结晶温度且T6=1420℃～1440℃。
实际操作过程中，通过观测功率曲线便能准确确定熔料过程完成的时间点，即由熔化阶段切换到长晶阶段的切换时间点。实际操作简便，且实现方便，能准确把握由熔化阶段切换到长晶阶段的切换时机。
本实施例中，步骤二中所述坩埚内的硅料全部熔化后，对所述铸锭炉的加热功率变化情况进行观测，待所述铸锭炉的加热功率下降至P2，并保持P2不变且持续时间t后，熔料过程完成；其中，P2=40kW。
实际进行熔化时，根据所述坩埚内装料量的不同，P2的大小相应在35kW～45kW范围内进行调整。
本实施例中，步骤二中进行熔化时，过程如下：
第1步、保温：将所述铸锭炉的加热温度控制在T1，并保温0.5h。
第2步至第5步、升温及加压：由先至后分四步将所述铸锭炉的加热温度由T1逐渐提升至T2，升温时间为0.5h（即第2步至第5步的总时间为0.5h）；升温过程中向所述铸锭炉内充入惰性气体并将所述铸锭炉的气压逐步提升至Q1；其中，T2=1200℃。
第2步至第5步中由先至后分四步将所述铸锭炉的加热温度由T1逐渐提升至T2时，每一步提升温度5℃～8℃，且每一步提升均需5min～10min。
第6步、第一次升温及保压：将所述铸锭炉的加热温度由T2逐渐提升至T3且升温时间为4h，升温过程中所述铸锭炉内气压保持在Q1；其中，T3=1450℃。
第7步：第二次升温及保压：将所述铸锭炉的加热温度由T3逐渐提升至T4且升温时间为4h，升温过程中所述铸锭炉内气压保持在Q1；其中，T4=1500℃。
第8步、第三次升温及保压：将所述铸锭炉的加热温度由T4逐渐提升至T5且升温时间为4h，升温过程中所述铸锭炉内气压保持在Q1；其中，T5=1550℃。
第9步、保温：将所述铸锭炉的加热温度控制在T5，并保温4h；保温过程中，所述铸锭炉内气压保持在Q1。
第10步、持续保温：将所述铸锭炉的加热温度控制在T5，并保温6h，直至坩埚内的硅料全部熔化；保温过程中，所述铸锭炉内气压保持在Q1。
本实施例中，第6步中进行第一次升温及保压过程中、第7步中进行第二次升温及保压过程中、第8步中进行第三次升温及保压过程中和第9步中进行保温过程中，均需对所述铸锭炉的加热功率变化情况进行观测，并确保所述铸锭炉的加热功率变化平稳。
也就是说，第6步至第9步中进行熔化时，必须使功率曲线平稳前进，不能出现较为明显的凹凸点，这样会带来硬质点的增多。
本实施例中，第2步至第5步中进行升温及加压时，过程如下：
第2步、第一步提升：将所述铸锭炉的加热温度由1175℃提升至1182℃，且升温时间为7min。
第3步、第二步提升：将所述铸锭炉的加热温度由1182℃提升至1190℃，且升温时间为8min。
第4步、第三步提升：将所述铸锭炉的加热温度由1190℃提升至1195℃，且升温时间为5min。
第5步、第四步提升：将所述铸锭炉的加热温度由1195℃提升至1200℃，且升温时间为5min。
本实施例中，第10步中待坩埚内的硅料全部熔化且所述铸锭炉发出“熔化完成报警”后，需人工干预，对功率曲线的下降情况进行观测，待所述铸锭炉的功率曲线下降且走平20min后，熔料过程完成，之后人工干预将熔化阶段切入到长晶阶段。
本实施例中，步骤二中所述惰性气体为氩气。
本实施例中，所加工成型多晶硅铸锭的表面无杂质，无粘埚现象，少子寿命>5.5us(微秒)，硬质点比例<0.5%，成品率为71%。
实施例2
本实施例中，与实施例1不同的是：步骤一中预热时间为6h且T1=1185℃，P1=80kW；步骤二中T5=1560℃，t=18min，Q1=650mbar；第1步中保温时间为0.4h；第2步至第5步中T2=1210℃，升温时间为0.4h；第6步中T3=1460℃且升温时间为3.5h；第7步中T4=1510℃且升温时间为3.5h；第8步中T5=1560℃且升温时间为3.5h；第9步中保温时间为3.5h；第10步中保温时间为4h。
本实施例中，第2步至第5步中进行升温及加压时，过程如下：
第2步、第一步提升：将所述铸锭炉的加热温度由1185℃提升至1190℃，且升温时间为5min。
第3步、第二步提升：将所述铸锭炉的加热温度由1190℃提升至1195℃，且升温时间为5min。
第4步、第三步提升：将所述铸锭炉的加热温度由1195℃提升至1205℃，且升温时间为9min。
第5步、第四步提升：将所述铸锭炉的加热温度由1205℃提升至1210℃，且升温时间为5min。
本实施例中，其余工艺步骤和工艺参数均与实施例1相同。
本实施例中，所加工成型多晶硅铸锭的表面无杂质，无粘埚现象，少子寿命>5.5us(微秒)，硬质点比例<0.5%，成品率为70%。
实施例3
本实施例中，与实施例1不同的是：步骤一中预热时间为10h且T1=1165℃，P1=70kW；步骤二中T5=1540℃，t=22min，Q1=550mbar；第1步中保温时间为0.6h；第2步至第5步中T2=1190℃，升温时间为0.6h；第6步中T3=1440℃且升温时间为4.5h；第7步中T4=1490℃且升温时间为4.5h；第8步中T5=1540℃且升温时间为4.5h；第9步中保温时间为4.5h；第10步中保温时间为8h。
本实施例中，第2步至第5步中进行升温及加压时，过程如下：
第2步、第一步提升：将所述铸锭炉的加热温度由1165℃提升至1172℃，且升温时间为9min。
第3步、第二步提升：将所述铸锭炉的加热温度由1172℃提升至1178℃，且升温时间为8min。
第4步、第三步提升：将所述铸锭炉的加热温度由1178℃提升至1183℃，且升温时间为10min。
第5步、第四步提升：将所述铸锭炉的加热温度由1183℃提升至1190℃，且升温时间为9min。
本实施例中，其余工艺步骤和工艺参数均与实施例1相同。
本实施例中，所加工成型多晶硅铸锭的表面无杂质，无粘埚现象，少子寿命>5.5us(微秒)，硬质点比例<0.5%，成品率为70%。
以上所述，仅是本发明的较佳实施例，并非对本发明作任何限制，凡是根据本发明技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、变更以及等效结构变化，均仍属于本发明技术方案的保护范围内。
Claims (10)
1.一种多晶硅铸锭用熔料工艺，其特征在于该工艺包括以下步骤：
步骤一、预热：采用铸锭炉对装于坩埚内的硅料进行预热，并将所述铸锭炉的加热温度逐步提升至T1；预热时间为6h～10h，其中T1=1165℃～1185℃；
步骤二、熔化：采用所述铸锭炉对装于坩埚内的硅料进行熔化，熔化温度为T1～T5；其中T5=1540℃～1560℃；
待坩埚内的硅料全部熔化后，将所述铸锭炉的加热温度控制在T5，之后所述铸锭炉的加热功率开始下降，待所述铸锭炉的加热功率停止下降且持续时间t后，熔料过程完成；其中t=18min～22min。
2.按照权利要求1所述的一种多晶硅铸锭用熔料工艺，其特征在于：步骤一中预热过程中，将所述铸锭炉的加热功率逐步升高至P1，其中P1=70kW～80kW；步骤二中所述坩埚内的硅料全部熔化后，对所述铸锭炉的加热功率变化情况进行观测，待所述铸锭炉的加热功率下降至P2，并保持P2不变且持续时间t后，熔料过程完成；其中，P2=35kW～45kW。
3.按照权利要求1或2所述的一种多晶硅铸锭用熔料工艺，其特征在于：步骤二中熔化过程中，向所述铸锭炉内充入惰性气体并将所述铸锭炉内气压保持在Q1，其中Q1=550mbar～650mbar。
4.按照权利要求3所述的一种多晶硅铸锭用熔料工艺，其特征在于：步骤二中进行熔化时，过程如下：
第1步、保温：将所述铸锭炉的加热温度控制在T1，并保温0.4h～0.6h；
第2步至第5步、升温及加压：由先至后分四步将所述铸锭炉的加热温度由T1逐渐提升至T2，升温时间为0.4h～0.6h；升温过程中向所述铸锭炉内充入惰性气体并将所述铸锭炉的气压逐步提升至Q1；其中，T2=1190℃～1210℃；
第6步、第一次升温及保压：将所述铸锭炉的加热温度由T2逐渐提升至T3且升温时间为3.5h～4.5h，升温过程中所述铸锭炉内气压保持在Q1；其中，T3=1440℃～1460℃；
第7步：第二次升温及保压：将所述铸锭炉的加热温度由T3逐渐提升至T4且升温时间为3.5h～4.5h，升温过程中所述铸锭炉内气压保持在Q1；其中，T4=1490℃～1510℃；
第8步、第三次升温及保压：将所述铸锭炉的加热温度由T4逐渐提升至T5且升温时间为3.5h～4.5h，升温过程中所述铸锭炉内气压保持在Q1；其中，T5=1540℃～1560℃；
第9步、保温：将所述铸锭炉的加热温度控制在T5，并保温3.5h～4.5h；保温过程中，所述铸锭炉内气压保持在Q1；
第10步、持续保温：将所述铸锭炉的加热温度控制在T5，并保温4h～8h，直至坩埚内的硅料全部熔化；保温过程中，所述铸锭炉内气压保持在Q1。
5.按照权利要求4所述的一种多晶硅铸锭用熔料工艺，其特征在于：第6步中进行第一次升温及保压过程中、第7步中进行第二次升温及保压过程中、第8步中进行第三次升温及保压过程中和第9步中进行保温过程中，均需对所述铸锭炉的加热功率变化情况进行观测，并确保所述铸锭炉的加热功率变化平稳。
6.按照权利要求4所述的一种多晶硅铸锭用熔料工艺，其特征在于：第2步至第5步中由先至后分四步将所述铸锭炉的加热温度由T1逐渐提升至T2时，每一步提升温度5℃～8℃，且每一步提升均需5min～10min。
7.按照权利要求2所述的一种多晶硅铸锭用熔料工艺，其特征在于：步骤一中预热时间为7h；预热过程中，将所述铸锭炉的加热功率以（10～15）kW/h的增长速率逐步提升至P1。
8.按照权利要求1或2所述的一种多晶硅铸锭用熔料工艺，其特征在于：步骤一中T1=1175℃，P1=75kW；步骤二中T5=1550℃，t=20min。
9.按照权利要求1或2所述的一种多晶硅铸锭用熔料工艺，其特征在于：第2步至第5步中T2=1200℃，第6步中T3=1450℃，第7步中T4=1500℃，第8步中T5=1550℃。
10.按照权利要求1或2所述的一种多晶硅铸锭用熔料工艺，其特征在于：步骤一中所述铸锭炉为G5型铸锭炉。
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Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106048718A (zh) * | 2016-08-19 | 2016-10-26 | 西安华晶电子技术股份有限公司 | 一种多晶硅半熔铸锭用排杂方法 |
| CN106087047A (zh) * | 2016-08-19 | 2016-11-09 | 西安华晶电子技术股份有限公司 | 一种母合金的制备方法 |
| CN106087044A (zh) * | 2016-08-19 | 2016-11-09 | 西安华晶电子技术股份有限公司 | 一种基于辅助加热的多晶硅铸锭用熔料方法 |
| CN106087041A (zh) * | 2016-06-17 | 2016-11-09 | 江西赛维Ldk太阳能高科技有限公司 | 一种铸锭过程中去除多晶硅杂质的方法 |
| CN106087053A (zh) * | 2016-08-19 | 2016-11-09 | 西安华晶电子技术股份有限公司 | 一种多晶硅铸锭方法 |
| CN106222740A (zh) * | 2016-08-19 | 2016-12-14 | 西安华晶电子技术股份有限公司 | 一种降低多晶硅铸锭底部氧含量的多晶硅铸锭方法 |
| CN106283182A (zh) * | 2016-08-19 | 2017-01-04 | 西安华晶电子技术股份有限公司 | 一种多晶硅铸锭工艺 |
| CN106435726A (zh) * | 2016-11-17 | 2017-02-22 | 江苏美科硅能源有限公司 | 一种用于多晶炉铸锭的化料工艺 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102936747A (zh) * | 2012-12-07 | 2013-02-20 | 天威新能源控股有限公司 | 一种采用大尺寸坩埚铸锭类单晶的方法 |
| CN102965727A (zh) * | 2012-12-10 | 2013-03-13 | 英利能源（中国）有限公司 | 多晶硅锭及其铸造方法 |
| CN103397377A (zh) * | 2013-07-25 | 2013-11-20 | 青岛隆盛晶硅科技有限公司 | 多晶硅均匀长晶工艺及其铸锭炉热场加热装置 |
-
2014
- 2014-01-28 CN CN201410041953.2A patent/CN103741213B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102936747A (zh) * | 2012-12-07 | 2013-02-20 | 天威新能源控股有限公司 | 一种采用大尺寸坩埚铸锭类单晶的方法 |
| CN102965727A (zh) * | 2012-12-10 | 2013-03-13 | 英利能源（中国）有限公司 | 多晶硅锭及其铸造方法 |
| CN103397377A (zh) * | 2013-07-25 | 2013-11-20 | 青岛隆盛晶硅科技有限公司 | 多晶硅均匀长晶工艺及其铸锭炉热场加热装置 |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106087041A (zh) * | 2016-06-17 | 2016-11-09 | 江西赛维Ldk太阳能高科技有限公司 | 一种铸锭过程中去除多晶硅杂质的方法 |
| CN106087041B (zh) * | 2016-06-17 | 2018-10-26 | 江西赛维Ldk太阳能高科技有限公司 | 一种铸锭过程中去除多晶硅杂质的方法 |
| CN106048718A (zh) * | 2016-08-19 | 2016-10-26 | 西安华晶电子技术股份有限公司 | 一种多晶硅半熔铸锭用排杂方法 |
| CN106087047A (zh) * | 2016-08-19 | 2016-11-09 | 西安华晶电子技术股份有限公司 | 一种母合金的制备方法 |
| CN106087044A (zh) * | 2016-08-19 | 2016-11-09 | 西安华晶电子技术股份有限公司 | 一种基于辅助加热的多晶硅铸锭用熔料方法 |
| CN106087053A (zh) * | 2016-08-19 | 2016-11-09 | 西安华晶电子技术股份有限公司 | 一种多晶硅铸锭方法 |
| CN106222740A (zh) * | 2016-08-19 | 2016-12-14 | 西安华晶电子技术股份有限公司 | 一种降低多晶硅铸锭底部氧含量的多晶硅铸锭方法 |
| CN106283182A (zh) * | 2016-08-19 | 2017-01-04 | 西安华晶电子技术股份有限公司 | 一种多晶硅铸锭工艺 |
| CN106283182B (zh) * | 2016-08-19 | 2019-09-27 | 西安华晶电子技术股份有限公司 | 一种多晶硅铸锭工艺 |
| CN106435726A (zh) * | 2016-11-17 | 2017-02-22 | 江苏美科硅能源有限公司 | 一种用于多晶炉铸锭的化料工艺 |
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